JPS6145397B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6145397B2 JPS6145397B2 JP52038861A JP3886177A JPS6145397B2 JP S6145397 B2 JPS6145397 B2 JP S6145397B2 JP 52038861 A JP52038861 A JP 52038861A JP 3886177 A JP3886177 A JP 3886177A JP S6145397 B2 JPS6145397 B2 JP S6145397B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- information
- information storage
- type
- conductivity type
- silicon region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/68—Floating-gate IGFETs
- H10D30/681—Floating-gate IGFETs having only two programming levels
- H10D30/684—Floating-gate IGFETs having only two programming levels programmed by hot carrier injection
- H10D30/686—Floating-gate IGFETs having only two programming levels programmed by hot carrier injection using hot carriers produced by avalanche breakdown of PN junctions, e.g. floating gate avalanche injection MOS [FAMOS]
Landscapes
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、情報蓄積装置にかかり、特に絶縁ゲ
ート電界効果トランジスタを使用してなる２進記
憶素子に関するものである。
ート電界効果トランジスタを使用してなる２進記
憶素子に関するものである。
従来より絶縁ゲート電界効果トランジスタを使
用した情報蓄積装置に用いられる素子の開発は
種々に検討されてきた。当情報蓄積素子はその機
能面から大別して二つに分かれる。その第１はい
わゆるROMといわれるもので、情報の読み出し
だけ可能なものであり、情報は前もつて当素子に
書き込まれるか又はプログラムされくりこまれて
あり、各素子ごとに固有の情報が蓄積されている
型のものである。その第２はいわゆるRAMとい
われるもので、情報の読し出し、書き込み共に可
能なものである。
用した情報蓄積装置に用いられる素子の開発は
種々に検討されてきた。当情報蓄積素子はその機
能面から大別して二つに分かれる。その第１はい
わゆるROMといわれるもので、情報の読み出し
だけ可能なものであり、情報は前もつて当素子に
書き込まれるか又はプログラムされくりこまれて
あり、各素子ごとに固有の情報が蓄積されている
型のものである。その第２はいわゆるRAMとい
われるもので、情報の読し出し、書き込み共に可
能なものである。
前者は情報蓄積素子に一度プログラムされ書き
込まれた情報の消去の方法一破壊的方法と非破壊
的方法−によつて２別される。この中で非破壊的
方法で行えるものに、MNOS MAS等絶縁ゲート
のＣ−Ｖカーブに示されるヒステリシスを利用し
たもの又FLOATING GATEを使用したもの等が
ある。これ等は何れも、情報蓄積を１ビツト当り
１ケのトランジスタで行うことが可能である。
込まれた情報の消去の方法一破壊的方法と非破壊
的方法−によつて２別される。この中で非破壊的
方法で行えるものに、MNOS MAS等絶縁ゲート
のＣ−Ｖカーブに示されるヒステリシスを利用し
たもの又FLOATING GATEを使用したもの等が
ある。これ等は何れも、情報蓄積を１ビツト当り
１ケのトランジスタで行うことが可能である。
後者に関しては、数ケの絶縁ゲート電界効果ト
ランジスタをくみ合せた情報蓄積素子が一般的で
あり、最近では１セルの情報蓄積部に１ケのトラ
ンジスタと１ケの絶縁容量部を持つ素子が作られ
ている。特に後者に関しては情報蓄積の大容量化
及び素子の高集積化に向つて、検討され情報１ビ
ツト当りに使用される機能素子の縮少化及び機能
素子数の削減化は必須のものとなつている。この
ような傾向の中で、上述した１ケのトランジスタ
１ケの絶縁容量を持つ情報蓄積素子は現在有効な
ものの１つである。
ランジスタをくみ合せた情報蓄積素子が一般的で
あり、最近では１セルの情報蓄積部に１ケのトラ
ンジスタと１ケの絶縁容量部を持つ素子が作られ
ている。特に後者に関しては情報蓄積の大容量化
及び素子の高集積化に向つて、検討され情報１ビ
ツト当りに使用される機能素子の縮少化及び機能
素子数の削減化は必須のものとなつている。この
ような傾向の中で、上述した１ケのトランジスタ
１ケの絶縁容量を持つ情報蓄積素子は現在有効な
ものの１つである。
本発明は上述した情報の読み出し、書き込み共
に可能な情報蓄積素子において、情報蓄積を１ビ
ツト当り、１ケの絶縁ゲート電界効果トランジス
タで高速に行えることを可能にせんとするもので
ある。すなわち先述したFLOATING GATEを使
用した情報蓄積素子に於いて情報の消去を電気的
しかも高速に行うことを可能とし、ROM専用に
用いられていたこの素子をROM、RAM両者に用
いることを可能とするものである。
に可能な情報蓄積素子において、情報蓄積を１ビ
ツト当り、１ケの絶縁ゲート電界効果トランジス
タで高速に行えることを可能にせんとするもので
ある。すなわち先述したFLOATING GATEを使
用した情報蓄積素子に於いて情報の消去を電気的
しかも高速に行うことを可能とし、ROM専用に
用いられていたこの素子をROM、RAM両者に用
いることを可能とするものである。
これ迄はこの種の素子の情報消去は、紫外線或
はＸ線照射によつていたため、読み出しと書き込
みが連続的に行い難いという欠点を有していた
が、本発明により情報の消去を電気的に行うこと
が可能となり、情報の読み出し、情報の消去、情
報の書き込みが連続的に行えるようになつた。
はＸ線照射によつていたため、読み出しと書き込
みが連続的に行い難いという欠点を有していた
が、本発明により情報の消去を電気的に行うこと
が可能となり、情報の読み出し、情報の消去、情
報の書き込みが連続的に行えるようになつた。
このような本発明の情報蓄積装置は、ゲート電
極部にｐ−ｎ接合を有したトランジスタを情報蓄
積素子として用いたことを特徴とする。
極部にｐ−ｎ接合を有したトランジスタを情報蓄
積素子として用いたことを特徴とする。
以下実施例で以つて本発明の詳細な説明を行
う。第１図ａ乃至第１図ｆは本発明の一実施例の
製造を工程順に示した断面図であり、第２図は本
発明の一実施例の断面図である。
う。第１図ａ乃至第１図ｆは本発明の一実施例の
製造を工程順に示した断面図であり、第２図は本
発明の一実施例の断面図である。
初めにｎ型シリコン基体１０の表面上に公知の
方法にて厚い熱酸化膜１１を約１μｍの厚さ形成
後、絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート膜
１２を100Å〜2000Åの厚さ形成し（第１図ａ）、
ポリシリコン１３を形成する（第１図ｂ）。次に
公知のホトマスク技術及びエツチング技術をつか
つてポリシリコン１３を局所的に蝕刻し、ゲート
電極となる領域１３′を形成する（第１図ｃ）。続
いてゲート電極となる領域１３′に導電型がｎ型
の不純物をイオン注入又は不純物の熱拡散を行い
1015〜1021atoms/cm3の不純物を含ませてｎ型ゲー
ト電極１３″とする。又は第１図ｂの段階にて、
ｎ型不純物がドーブされたポリシリコンで領域１
３′を形成しても良い。次にｎ型ゲート電極１
３″の露出部を二酸化シリコン膜又は窒化膜等の
絶縁膜１４で被覆した後ｐ型不純物をイオン注
入、又は熱拡散してｎ型シリコン基体の表面にｐ
型シリコン領域１５を形成する（第１図ｄ）。こ
の領域が絶縁ゲート電界効果トランジスタのソー
ス、ドレインとなり１２′がゲート膜、１４が二
酸化シリコン膜又は窒化膜等の絶縁物である。電
極の取り出しは未だ行われていないが第１図ｄ迄
で従来技術によるFLOATING GATE、トランジ
スタは形成される。
方法にて厚い熱酸化膜１１を約１μｍの厚さ形成
後、絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート膜
１２を100Å〜2000Åの厚さ形成し（第１図ａ）、
ポリシリコン１３を形成する（第１図ｂ）。次に
公知のホトマスク技術及びエツチング技術をつか
つてポリシリコン１３を局所的に蝕刻し、ゲート
電極となる領域１３′を形成する（第１図ｃ）。続
いてゲート電極となる領域１３′に導電型がｎ型
の不純物をイオン注入又は不純物の熱拡散を行い
1015〜1021atoms/cm3の不純物を含ませてｎ型ゲー
ト電極１３″とする。又は第１図ｂの段階にて、
ｎ型不純物がドーブされたポリシリコンで領域１
３′を形成しても良い。次にｎ型ゲート電極１
３″の露出部を二酸化シリコン膜又は窒化膜等の
絶縁膜１４で被覆した後ｐ型不純物をイオン注
入、又は熱拡散してｎ型シリコン基体の表面にｐ
型シリコン領域１５を形成する（第１図ｄ）。こ
の領域が絶縁ゲート電界効果トランジスタのソー
ス、ドレインとなり１２′がゲート膜、１４が二
酸化シリコン膜又は窒化膜等の絶縁物である。電
極の取り出しは未だ行われていないが第１図ｄ迄
で従来技術によるFLOATING GATE、トランジ
スタは形成される。
次に本発明では、ｎ型ゲート電極１３″上の絶
縁膜１４上に公知のホトマスク技術、及びエツチ
ング技術を施し開孔１６を形成し当開孔１６を通
してｐ型不純物のイオン注入、又は熱拡散を行
い、導電型がｐ型の領域１９をｎ型ポリシリコン
であるｎ型ゲート電極１３″の表面に形成しｐ−
ｎ接合領域を形成し（第１図ｅ）、絶縁膜１４に
コンタクト孔１７を開孔する（第１図ｆ）。
縁膜１４上に公知のホトマスク技術、及びエツチ
ング技術を施し開孔１６を形成し当開孔１６を通
してｐ型不純物のイオン注入、又は熱拡散を行
い、導電型がｐ型の領域１９をｎ型ポリシリコン
であるｎ型ゲート電極１３″の表面に形成しｐ−
ｎ接合領域を形成し（第１図ｅ）、絶縁膜１４に
コンタクト孔１７を開孔する（第１図ｆ）。
最後に当絶縁ゲート電界効果トランジスタの電
極１８を金属の蒸着等で形成し、第２図で示され
る本発明一実施例の情報蓄積素子は完成する。
極１８を金属の蒸着等で形成し、第２図で示され
る本発明一実施例の情報蓄積素子は完成する。
斯くして形成したゲート電極部にｐ−ｎ接合を
有すフローテイングゲートMOSトランジスタの
等価回路を第３図に示す。当情報蓄積素子への情
報の書き込みは第３図の等価回路端子Ｓ−Ｄ間、
Ｓ−Ｂ間又はＤ−Ｂ間にアバランシエ型のブレー
クダウンを生起させるか生起させないかで、情報
１ビツトの蓄積を行うことができる。アバランシ
エ型ブレークダウンで情報を書き込む時に、当ア
バランシユ型のブレークダウンにより二酸化シリ
コン膜による高いポテンシヤル障壁をこえてホツ
トな電子がゲート電極領域に入り込む故に、本発
明では、第３図のＧ端子に、Ｂ端子に対し負の電
極を接続する。斯くすることにより、第４図ａの
破線１００で示す如く、ゲート電極のｎ型ゲート
電極部１３″とｐ型領域１９から形成されるｐ−
ｎ接合部は逆バイアスされｎ型シリコン基体１０
の表面（チヤンネル領域１０′）より注入された
ホツトな電子はゲート電極内のｎ型ゲート電極部
１３″に束縛される。
有すフローテイングゲートMOSトランジスタの
等価回路を第３図に示す。当情報蓄積素子への情
報の書き込みは第３図の等価回路端子Ｓ−Ｄ間、
Ｓ−Ｂ間又はＤ−Ｂ間にアバランシエ型のブレー
クダウンを生起させるか生起させないかで、情報
１ビツトの蓄積を行うことができる。アバランシ
エ型ブレークダウンで情報を書き込む時に、当ア
バランシユ型のブレークダウンにより二酸化シリ
コン膜による高いポテンシヤル障壁をこえてホツ
トな電子がゲート電極領域に入り込む故に、本発
明では、第３図のＧ端子に、Ｂ端子に対し負の電
極を接続する。斯くすることにより、第４図ａの
破線１００で示す如く、ゲート電極のｎ型ゲート
電極部１３″とｐ型領域１９から形成されるｐ−
ｎ接合部は逆バイアスされｎ型シリコン基体１０
の表面（チヤンネル領域１０′）より注入された
ホツトな電子はゲート電極内のｎ型ゲート電極部
１３″に束縛される。
次に斯くして書き込まれた情報の消去は当ゲー
ト電極のｐ−ｎ接合部が順方向となるよう、Ｇ端
子にＢに対し正の電極を接続する。例えばＢ端子
に負の電圧を印加し、一方Ｇ端子は正の電圧を印
加するかあるいは接地する。
ト電極のｐ−ｎ接合部が順方向となるよう、Ｇ端
子にＢに対し正の電極を接続する。例えばＢ端子
に負の電圧を印加し、一方Ｇ端子は正の電圧を印
加するかあるいは接地する。
斯くしてゲート電極に蓄積された電子を排出す
ることができる。この後、新しい情報を当絶縁ゲ
ート電界効果トランジスタに書き込む。次に蓄積
情報量の増大を行わんとすれば、かくの如き、ゲ
ート電極の一部をｐ−ｎ接合で形成した絶縁ゲー
ト電界効果トランジスタを格子状に配列し、縦、
横の配線で当トランジスタの番地を決める方式を
採用すればよい。かくして、情報蓄積素子として
１ケの絶縁ゲート電界効果トランジスタだけを使
用した読み出し、書き込み共に可能な２進記憶素
子が可能となり、当記憶素子の高集積度化、大容
量化が容易となる。
ることができる。この後、新しい情報を当絶縁ゲ
ート電界効果トランジスタに書き込む。次に蓄積
情報量の増大を行わんとすれば、かくの如き、ゲ
ート電極の一部をｐ−ｎ接合で形成した絶縁ゲー
ト電界効果トランジスタを格子状に配列し、縦、
横の配線で当トランジスタの番地を決める方式を
採用すればよい。かくして、情報蓄積素子として
１ケの絶縁ゲート電界効果トランジスタだけを使
用した読み出し、書き込み共に可能な２進記憶素
子が可能となり、当記憶素子の高集積度化、大容
量化が容易となる。
最後に当実施例の中でｐチヤンネルトランジス
タを例にとつて述べたが、ｎチヤンネルトランジ
スタの場合でも即ち導電型がｎ型をｐ型に又ｐ型
をｎ型に同順に入れかえてもその効果は変化しな
いことに付言しておく。
タを例にとつて述べたが、ｎチヤンネルトランジ
スタの場合でも即ち導電型がｎ型をｐ型に又ｐ型
をｎ型に同順に入れかえてもその効果は変化しな
いことに付言しておく。
第１図ａ乃至第１図ｆは本発明の一実施例の製
造工程を示す断面図であり、第２図は本発明の一
実施例の断面図である。第３図は本発明の一実施
例の動作を説明するための回路図である。第４図
ａは本発明一実施例の情報の書き込み、読み出し
時ならびに消去時におけるエネルギーレベルを示
した図であり、第４図ｂは、第４図ａの横軸に対
応して、各領域を示した図である。 尚、図において、１０……ｎ型シリコン基体、
１０′……チヤンネル領域、１１……熱酸化膜、
１２，１２′……ゲート酸化膜、１３，１３′……
ポリシリコン、１３″……ｎ型ゲート電極、１４
……絶縁物、１５……ソースおよびドレイン領
域、１６，１７……開孔部、１８……電極、１９
……ｐ型領域、Ｓ……ソース端子、Ｄ……ドレイ
ン端子、Ｇ……ゲート端子、Ｂ……基板端子、１
００……情報の書き込みおよび読み出し時のエネ
ルギーレベル、２００……情報の消去時のエネル
ギーレベル、Ｅc……情報消去時の導伝帯端レベ
ル、Ｅv……情報消去時の価電子帯端レベル、Ｅf
……情報消去時のフエルミ レベル、Ｅc′……情
報の読みとり、書き込み時の導伝帯端レベル、Ｅ
v′……情報の読みとり、書き込み時の価電子帯端
レベル。
造工程を示す断面図であり、第２図は本発明の一
実施例の断面図である。第３図は本発明の一実施
例の動作を説明するための回路図である。第４図
ａは本発明一実施例の情報の書き込み、読み出し
時ならびに消去時におけるエネルギーレベルを示
した図であり、第４図ｂは、第４図ａの横軸に対
応して、各領域を示した図である。 尚、図において、１０……ｎ型シリコン基体、
１０′……チヤンネル領域、１１……熱酸化膜、
１２，１２′……ゲート酸化膜、１３，１３′……
ポリシリコン、１３″……ｎ型ゲート電極、１４
……絶縁物、１５……ソースおよびドレイン領
域、１６，１７……開孔部、１８……電極、１９
……ｐ型領域、Ｓ……ソース端子、Ｄ……ドレイ
ン端子、Ｇ……ゲート端子、Ｂ……基板端子、１
００……情報の書き込みおよび読み出し時のエネ
ルギーレベル、２００……情報の消去時のエネル
ギーレベル、Ｅc……情報消去時の導伝帯端レベ
ル、Ｅv……情報消去時の価電子帯端レベル、Ｅf
……情報消去時のフエルミ レベル、Ｅc′……情
報の読みとり、書き込み時の導伝帯端レベル、Ｅ
v′……情報の読みとり、書き込み時の価電子帯端
レベル。
Claims (1)
- １ 絶縁ゲート電界効果トランジスタを情報蓄積
素子とする情報蓄積装置において、前記トランジ
スタのゲート絶縁膜上に順次一導電型のシリコン
領域および逆導電型のシリコン領域が積層形成さ
れ、上記逆導電型のシリコン層を外部ゲート配線
に接続し、上記２つのシリコン層によつてゲート
電極部を構成し、２進情報の一方の書き込みを半
導体基板から上記ゲート絶縁膜を介して上記一導
電型のシリコン領域へ電荷を注入し、２進情報の
他方の書き込みを上記一導電型シリコン領域から
逆導電型シリコン領域へ電荷を放出することによ
つて行なうことを特徴とする情報蓄積装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3886177A JPS53123682A (en) | 1977-04-04 | 1977-04-04 | Information storage device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3886177A JPS53123682A (en) | 1977-04-04 | 1977-04-04 | Information storage device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53123682A JPS53123682A (en) | 1978-10-28 |
| JPS6145397B2 true JPS6145397B2 (ja) | 1986-10-07 |
Family
ID=12536975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3886177A Granted JPS53123682A (en) | 1977-04-04 | 1977-04-04 | Information storage device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS53123682A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5371396A (en) * | 1993-07-02 | 1994-12-06 | Thunderbird Technologies, Inc. | Field effect transistor having polycrystalline silicon gate junction |
-
1977
- 1977-04-04 JP JP3886177A patent/JPS53123682A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53123682A (en) | 1978-10-28 |
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