JPS6145374B2 - - Google Patents
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- JPS6145374B2 JPS6145374B2 JP3125080A JP3125080A JPS6145374B2 JP S6145374 B2 JPS6145374 B2 JP S6145374B2 JP 3125080 A JP3125080 A JP 3125080A JP 3125080 A JP3125080 A JP 3125080A JP S6145374 B2 JPS6145374 B2 JP S6145374B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/223—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase
- H01L21/2233—Diffusion into or out of AIIIBV compounds
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は例えばGaAs0.15P0.35橙色発光ダイオ
ード等を製作する時に利用可能なGaAs1-xPx（０
＜ｘ＜１）へのZnの拡散方法に関するものであ
る。
ード等を製作する時に利用可能なGaAs1-xPx（０
＜ｘ＜１）へのZnの拡散方法に関するものであ
る。
従来、GaAs1-xPxにＰ形不純物としてZnを拡
散する場合、拡散ソースとしてZnのみを用いる
と、拡散温度が700℃前後のためGaAs1-xPx基板
の中のＰが蒸発してしまうので、ZnのほかにＰ
を加え、封管法でZn圧とＰ圧をコントロールし
ていた。具体的にはＰやZnのチヤージ量でＰ圧
及びZn圧をコントロールしていた。ただし、拡
散ソースの秤量回数を減らし、秤量の精度や秤量
時の汚染の問題を小さくするため、拡散ソースと
して単体ではなくZnP2又はZn3P2を用いていた。
ところで、前者のZnP2を拡散ソースとすると第
１図に示す相図の領域Ｆで拡散が行なわれる。
GaAs1-xPxにZnP2をソースとしてZnを拡散する
場合には、正確には第１図の３元系相図ではな
く、Ga−Zn−Ｐ−Asの４元系相図で考えるべき
であるが、Ｐ圧がAs圧に比べて大きいため３元
系相図で考えてさしつかえない。尚第１図の相図
に於いて、Ｓは固相を示し、Ｌは液相を示し、Ｖ
は気相を示し、S1、及びS2はZn3P2及びGaPがそ
れぞれ別の相を作つていることを示す。また、こ
の第１図は、Ga−Zn−Ｐの700℃〜900℃の相図
である。ギツブスの相律よれば、相の数が３の領
域Ｆにおける自由度は２であり、温度の他に圧力
を制御しなければならない。即ち、ソースのチヤ
ージ量によつて接合の深さが第２図の線ａ，ｂで
示すように変化するので正確な秤量が必要であ
る。
散する場合、拡散ソースとしてZnのみを用いる
と、拡散温度が700℃前後のためGaAs1-xPx基板
の中のＰが蒸発してしまうので、ZnのほかにＰ
を加え、封管法でZn圧とＰ圧をコントロールし
ていた。具体的にはＰやZnのチヤージ量でＰ圧
及びZn圧をコントロールしていた。ただし、拡
散ソースの秤量回数を減らし、秤量の精度や秤量
時の汚染の問題を小さくするため、拡散ソースと
して単体ではなくZnP2又はZn3P2を用いていた。
ところで、前者のZnP2を拡散ソースとすると第
１図に示す相図の領域Ｆで拡散が行なわれる。
GaAs1-xPxにZnP2をソースとしてZnを拡散する
場合には、正確には第１図の３元系相図ではな
く、Ga−Zn−Ｐ−Asの４元系相図で考えるべき
であるが、Ｐ圧がAs圧に比べて大きいため３元
系相図で考えてさしつかえない。尚第１図の相図
に於いて、Ｓは固相を示し、Ｌは液相を示し、Ｖ
は気相を示し、S1、及びS2はZn3P2及びGaPがそ
れぞれ別の相を作つていることを示す。また、こ
の第１図は、Ga−Zn−Ｐの700℃〜900℃の相図
である。ギツブスの相律よれば、相の数が３の領
域Ｆにおける自由度は２であり、温度の他に圧力
を制御しなければならない。即ち、ソースのチヤ
ージ量によつて接合の深さが第２図の線ａ，ｂで
示すように変化するので正確な秤量が必要であ
る。
これに対して、後者のZn3P2を拡散ソースとす
ると、第１図に示す相図の領域Ａで拡散が行なわ
れる。この領域Ａは自由度が１であり、温度を決
めると圧力も決まる。従つて、第２図の線ｃ，ｄ
で示すように接合の深さがソースのチヤージ量に
よつて変化することはない。しかし、Zn3P2を用
いると、Zn濃度の高い液相と平衡する気相にお
いて拡散が行なわれるため、Zn圧が高く、
GaAs1-xPx基板の表面濃度が高くなる。基板の表
面濃度が高いと、この基板を用いた発光ダイオー
ドでは、Pn接合付近で発生した光が外に出て行
く間に吸収される割合が高くなり、発光効率が低
下する。
ると、第１図に示す相図の領域Ａで拡散が行なわ
れる。この領域Ａは自由度が１であり、温度を決
めると圧力も決まる。従つて、第２図の線ｃ，ｄ
で示すように接合の深さがソースのチヤージ量に
よつて変化することはない。しかし、Zn3P2を用
いると、Zn濃度の高い液相と平衡する気相にお
いて拡散が行なわれるため、Zn圧が高く、
GaAs1-xPx基板の表面濃度が高くなる。基板の表
面濃度が高いと、この基板を用いた発光ダイオー
ドでは、Pn接合付近で発生した光が外に出て行
く間に吸収される割合が高くなり、発光効率が低
下する。
表面濃度を低くするため、SiO2の低温酸化膜
を付着したり、２ステツプ拡散としてZn圧のな
い雰囲気でドライブするなどの方法が行なわれた
が、1000Å程度のピンホールの少ない酸化膜を作
ることがむずかしいという問題及び基板と酸化膜
との界面で歪が発生し易いという問題があり、ま
た２ステツプ拡散の場合には外部に不純物が放出
されて表面のみが低濃度になつてオーミツク電極
の作成が困難なるという問題があつた。
を付着したり、２ステツプ拡散としてZn圧のな
い雰囲気でドライブするなどの方法が行なわれた
が、1000Å程度のピンホールの少ない酸化膜を作
ることがむずかしいという問題及び基板と酸化膜
との界面で歪が発生し易いという問題があり、ま
た２ステツプ拡散の場合には外部に不純物が放出
されて表面のみが低濃度になつてオーミツク電極
の作成が困難なるという問題があつた。
また、封管（以下アンプルと称する）を炉に挿
入して加熱する場合、通常は徐々に温度を上げず
に急加熱するため、拡散ソースあるいは基板の分
解が起こる。そして基板が分解すると、基板表面
が荒れたり、クラツクが入つたりし、拡散ソース
が急激に分解すると、アンプル内に粒状の拡散ソ
ースが飛散する恐れがあつた。拡散ソース粉末の
飛散を抑えるためグラスウールのストツパー等を
設けていたが、ストツパー等を入れるとそのため
に汚染の可能性が増した。
入して加熱する場合、通常は徐々に温度を上げず
に急加熱するため、拡散ソースあるいは基板の分
解が起こる。そして基板が分解すると、基板表面
が荒れたり、クラツクが入つたりし、拡散ソース
が急激に分解すると、アンプル内に粒状の拡散ソ
ースが飛散する恐れがあつた。拡散ソース粉末の
飛散を抑えるためグラスウールのストツパー等を
設けていたが、ストツパー等を入れるとそのため
に汚染の可能性が増した。
そこで、本発明の目的は、GaAs1-xRx基板に
Znを低い表面濃度に拡散することが可能である
と共に、制御性及び再現性の良い拡散を行うこと
が可能な方法を提供することにある。
Znを低い表面濃度に拡散することが可能である
と共に、制御性及び再現性の良い拡散を行うこと
が可能な方法を提供することにある。
上記目的を達成するための本発明は、拡散ソー
スとしてZn3P2を用いてGaAs1-xPx（０＜ｘ＜
１）即ち（GaAsP又はGaPへZnを封管（アンプ
ル）を使用して拡散する方法に於いて、前記封管
の内に前記Zn3P2を配置すると共に、前記封管の
内の前記Zn3P2とは異なる位置に前記Zn3P2の分解
温度よりも低い温度で気体のリンを生ずることが
可能なリン発生物質を配置し、次に、前記リン発
生物質を前記Zn3P2よりも早く温度上昇させて前
記Zn3P2の分解が実質的に始まる前に前記封管の
内を１×10-5Torr以上のリン蒸気圧とし、しか
る後１×10-5〜75Torrのリン蒸気圧の状態でZn
を拡散することを特徴とする化合物半導体への不
純物拡散方法に係わるものである。
スとしてZn3P2を用いてGaAs1-xPx（０＜ｘ＜
１）即ち（GaAsP又はGaPへZnを封管（アンプ
ル）を使用して拡散する方法に於いて、前記封管
の内に前記Zn3P2を配置すると共に、前記封管の
内の前記Zn3P2とは異なる位置に前記Zn3P2の分解
温度よりも低い温度で気体のリンを生ずることが
可能なリン発生物質を配置し、次に、前記リン発
生物質を前記Zn3P2よりも早く温度上昇させて前
記Zn3P2の分解が実質的に始まる前に前記封管の
内を１×10-5Torr以上のリン蒸気圧とし、しか
る後１×10-5〜75Torrのリン蒸気圧の状態でZn
を拡散することを特徴とする化合物半導体への不
純物拡散方法に係わるものである。
上記本発明において、GaAs1-xPxとZn3P2とリ
ン発生物質とを収容したアンプルを加熱炉に挿入
すれば、リン発生物質に基づくＰ圧と、Zn3P2の
分解に基づくZn圧及びＰ圧と、GaAs1-xPxに基
づくGa圧とのバランスによつてZnの拡散が進行
する。そして、本発明のように、Zn3P2の分解が
始まる前にアンプル内のＰ圧を１×10-5Torr以
上に設定しておくと、Zn3P2が急激に加熱されて
も、Zn3P2の飛散が殆んど生じない。また
GaAs1-xPxからＰが飛び出すような分解がＰ圧で
制限され、GaAs1-xPxの表面の荒れやクラツクが
少なくなる。従つて制御性及び再現性の良い拡散
が可能になる。またＰ圧を１×10-5Torr以上と
すると、第１図に示す相図のＢ領域で拡散が行な
われる。上記Ｂ領域はＡ領域と同様に自由度が１
であるため、拡散による接合の深さがZn3P2の秤
量誤差の影響を受けない。またＰ濃度が高くZn
濃度の低い液相と平衡する気相で拡散が行なわれ
るためGaAs1-xPxのZn濃度の低いものが得られ
る。なお、Zn3P2とリン発生物質とを異なる位置
に配置し、Zn3P2よりもリン発生物質を早く温度
上昇させるので、Zn3P2の分解前に所望のリン蒸
気圧を容易且つ確実に得ることができる。またリ
ン発生物質から発生する気体のリンと共にZn3P2
が飛散することが防止される。
ン発生物質とを収容したアンプルを加熱炉に挿入
すれば、リン発生物質に基づくＰ圧と、Zn3P2の
分解に基づくZn圧及びＰ圧と、GaAs1-xPxに基
づくGa圧とのバランスによつてZnの拡散が進行
する。そして、本発明のように、Zn3P2の分解が
始まる前にアンプル内のＰ圧を１×10-5Torr以
上に設定しておくと、Zn3P2が急激に加熱されて
も、Zn3P2の飛散が殆んど生じない。また
GaAs1-xPxからＰが飛び出すような分解がＰ圧で
制限され、GaAs1-xPxの表面の荒れやクラツクが
少なくなる。従つて制御性及び再現性の良い拡散
が可能になる。またＰ圧を１×10-5Torr以上と
すると、第１図に示す相図のＢ領域で拡散が行な
われる。上記Ｂ領域はＡ領域と同様に自由度が１
であるため、拡散による接合の深さがZn3P2の秤
量誤差の影響を受けない。またＰ濃度が高くZn
濃度の低い液相と平衡する気相で拡散が行なわれ
るためGaAs1-xPxのZn濃度の低いものが得られ
る。なお、Zn3P2とリン発生物質とを異なる位置
に配置し、Zn3P2よりもリン発生物質を早く温度
上昇させるので、Zn3P2の分解前に所望のリン蒸
気圧を容易且つ確実に得ることができる。またリ
ン発生物質から発生する気体のリンと共にZn3P2
が飛散することが防止される。
次に、本発明の実施例について述べる。
まず、第３図に示す石英ホルダー１に合計の重
量が30ｇとなる枚数のｎ形GaAs0.15P0.85ウエハ
ー２をチヤージし、これを内容積約400cm3の円筒
状石英アンプル３に挿入する。次に約１mgの赤リ
ン４を拡散炉のヒーターに近いアンプル内壁に直
接チヤージする。また第４図に示すように頂部の
中心付近に突出部５を持つ石英のシールキヤツプ
６の突出部５に約100mgのZn3P2７をチヤージし突
出部５が外側になるようにキヤツプ６をアンプル
３に嵌合する。次にアンプル３内の圧力を真空装
置によつて５×10-6Torr以下とし、アンプル３
とキヤツプ６を酸水素炎にて溶接して封管とす
る。次に700℃に設定した拡散炉８中に第５図に
示すようにアンプル３を挿入する。これにより、
最も早く温度上昇を始めるアンプル３の内壁に置
かれた赤リン４が比較的早く気化し、拡散炉８の
ヒータから離れた位置に置かれたシールキヤツプ
６の突出部５のZn3P2７は遅れて分解する。この
ためZn3P2７の分解が始まる前にアンプル３内が
１×10-5Torr以上のリン蒸気圧となり、加熱に
よるZn3P2７の飛散が防止される。またウエハー
２からリンが飛び出すことが阻止される。そし
て、Zn3P2７の分解が実質的に開始されると、ア
ンプル３の内が１×10-5Torr〜75Torrの範囲の
リン蒸気圧（Ｐ圧）となり、第１図のＢ領域に於
いてZnがGaAs0.15P0.85ウエハー２の中に拡散す
る。このような拡散を16時間行つた後に拡散炉８
からアンプル３を取り出し、アンプル３を割つて
ウエハー２を取り出す。
量が30ｇとなる枚数のｎ形GaAs0.15P0.85ウエハ
ー２をチヤージし、これを内容積約400cm3の円筒
状石英アンプル３に挿入する。次に約１mgの赤リ
ン４を拡散炉のヒーターに近いアンプル内壁に直
接チヤージする。また第４図に示すように頂部の
中心付近に突出部５を持つ石英のシールキヤツプ
６の突出部５に約100mgのZn3P2７をチヤージし突
出部５が外側になるようにキヤツプ６をアンプル
３に嵌合する。次にアンプル３内の圧力を真空装
置によつて５×10-6Torr以下とし、アンプル３
とキヤツプ６を酸水素炎にて溶接して封管とす
る。次に700℃に設定した拡散炉８中に第５図に
示すようにアンプル３を挿入する。これにより、
最も早く温度上昇を始めるアンプル３の内壁に置
かれた赤リン４が比較的早く気化し、拡散炉８の
ヒータから離れた位置に置かれたシールキヤツプ
６の突出部５のZn3P2７は遅れて分解する。この
ためZn3P2７の分解が始まる前にアンプル３内が
１×10-5Torr以上のリン蒸気圧となり、加熱に
よるZn3P2７の飛散が防止される。またウエハー
２からリンが飛び出すことが阻止される。そし
て、Zn3P2７の分解が実質的に開始されると、ア
ンプル３の内が１×10-5Torr〜75Torrの範囲の
リン蒸気圧（Ｐ圧）となり、第１図のＢ領域に於
いてZnがGaAs0.15P0.85ウエハー２の中に拡散す
る。このような拡散を16時間行つた後に拡散炉８
からアンプル３を取り出し、アンプル３を割つて
ウエハー２を取り出す。
しかる後に、このウエハー２を使つて
GaAs0.15P0.85橙色発光ダイオードを作り、赤リ
ンをチヤージしないでZn3P2のみでZnの拡散を行
なつた従来の発光ダイオードと明るさの比較を行
つたところ、赤リン４をＰ圧が１×10-5Torr〜
75Torrとなるようにチヤージした本実施例に係
わる発光ダイオードの明るさは、従来のダイオー
ドに比較して50％程度向上した。これは、Ｂ領域
での拡散のために、Znの表面濃度が低くなり、
発光効率が向上したためと思われる。
GaAs0.15P0.85橙色発光ダイオードを作り、赤リ
ンをチヤージしないでZn3P2のみでZnの拡散を行
なつた従来の発光ダイオードと明るさの比較を行
つたところ、赤リン４をＰ圧が１×10-5Torr〜
75Torrとなるようにチヤージした本実施例に係
わる発光ダイオードの明るさは、従来のダイオー
ドに比較して50％程度向上した。これは、Ｂ領域
での拡散のために、Znの表面濃度が低くなり、
発光効率が向上したためと思われる。
また上記方法によれば、Zn3P2７が実質的に分
解を開始する前にＰ圧を１×10-5Torrとするの
で、Zn3P2の飛散が防止され、且つウエハー２の
分解が防止されるので、制御性及び再現性の良い
拡散が可能になつた。
解を開始する前にＰ圧を１×10-5Torrとするの
で、Zn3P2の飛散が防止され、且つウエハー２の
分解が防止されるので、制御性及び再現性の良い
拡散が可能になつた。
またZn3P2のチヤージ量によつて接合の深さが
殆んど変化しないので、制御性及び再現性良く
Znを拡散することが出来る。
殆んど変化しないので、制御性及び再現性良く
Znを拡散することが出来る。
また、実施例ではアンプル３の内壁に接して赤
リン４がチヤージされ、Zn3P2７は拡散炉のヒー
ターから離れた位置即ちアンプル３の中心近傍の
シールキヤツプ６の突出部５にチヤージされてい
るので、Zn3P2７の分解が始まる前に赤リン４が
気化し、アンプル３内のＰ圧が大きくなる。従つ
てＰ圧制御のための炉を別個に設けない極めて簡
単な装置でGaAs1-xPx基板に表面濃度が低く且つ
制御性、再現性の良いZn拡散をすることが出来
る。なお、Zn3P2と赤リンとを混合して同一場所
に配置する方法が考えられるが、この方法におい
て、Zn3P2と赤リンとの混合物をウエハー２と共
にアンプル３に入れ、拡散炉８で急加熱すれば、
赤リンが急激に蒸発し、Ｐ圧が局所的に大きくな
り、Zn3P2が吹き飛ばされる。そして、Zn3P2が飛
散してウエハー２に不均一に付着すれば、不均一
な拡散層即ち異常拡散層が生じ、この異常拡散層
を有する部分を使用して発光ダイオードを製作す
ると、明るさ不足の不良品が発生することがあ
る。これに対して、本実施例では、赤リン４と
Zn3P2７とが互いに異なる場所に配置されている
ので、赤リン４の急激な蒸発でZn3P2７が飛散す
るという問題は生じない。赤リンとZn3P2とを混
合する従来方法において、これ等を徐々に加熱す
れば、上述の如き問題が防止されるが、同一のア
ンプル３中にウエハー２と赤リン４とZn3P2７と
を入れ、こを拡散炉８に挿入する方法において、
赤リン４とZn3P2７との混合物を徐々に加熱する
ことは、困難である。
リン４がチヤージされ、Zn3P2７は拡散炉のヒー
ターから離れた位置即ちアンプル３の中心近傍の
シールキヤツプ６の突出部５にチヤージされてい
るので、Zn3P2７の分解が始まる前に赤リン４が
気化し、アンプル３内のＰ圧が大きくなる。従つ
てＰ圧制御のための炉を別個に設けない極めて簡
単な装置でGaAs1-xPx基板に表面濃度が低く且つ
制御性、再現性の良いZn拡散をすることが出来
る。なお、Zn3P2と赤リンとを混合して同一場所
に配置する方法が考えられるが、この方法におい
て、Zn3P2と赤リンとの混合物をウエハー２と共
にアンプル３に入れ、拡散炉８で急加熱すれば、
赤リンが急激に蒸発し、Ｐ圧が局所的に大きくな
り、Zn3P2が吹き飛ばされる。そして、Zn3P2が飛
散してウエハー２に不均一に付着すれば、不均一
な拡散層即ち異常拡散層が生じ、この異常拡散層
を有する部分を使用して発光ダイオードを製作す
ると、明るさ不足の不良品が発生することがあ
る。これに対して、本実施例では、赤リン４と
Zn3P2７とが互いに異なる場所に配置されている
ので、赤リン４の急激な蒸発でZn3P2７が飛散す
るという問題は生じない。赤リンとZn3P2とを混
合する従来方法において、これ等を徐々に加熱す
れば、上述の如き問題が防止されるが、同一のア
ンプル３中にウエハー２と赤リン４とZn3P2７と
を入れ、こを拡散炉８に挿入する方法において、
赤リン４とZn3P2７との混合物を徐々に加熱する
ことは、困難である。
赤リンとZn3P2とを混合する従来方法において
は、Zn3P2の急激な分解によつてZn3P2が飛散する
という問題も生じる。これを詳しく説明すると、
Zn3P2と赤リンとを同時に急加熱すると、赤リン
の蒸発に基づいて得られるＰ圧が十分に生じてい
ない状態でZn3P2が急加熱されることになるの
で、Zn3P2の急激な分解が生じ、Zn3P2の分解蒸気
の圧力でZn3P2が飛散し、ウエハーに不均一に付
着し、不均一拡散が生じる。これに対して、本実
施例では赤リン４をZn3P2７とは別の場所に置
き、赤リン４を早く蒸発させ、Ｐ圧によつて
Zn3P2７の急激な分解を抑制するので、Zn3P2７の
飛散を防止することができ、均一な拡散層を形成
することができる。
は、Zn3P2の急激な分解によつてZn3P2が飛散する
という問題も生じる。これを詳しく説明すると、
Zn3P2と赤リンとを同時に急加熱すると、赤リン
の蒸発に基づいて得られるＰ圧が十分に生じてい
ない状態でZn3P2が急加熱されることになるの
で、Zn3P2の急激な分解が生じ、Zn3P2の分解蒸気
の圧力でZn3P2が飛散し、ウエハーに不均一に付
着し、不均一拡散が生じる。これに対して、本実
施例では赤リン４をZn3P2７とは別の場所に置
き、赤リン４を早く蒸発させ、Ｐ圧によつて
Zn3P2７の急激な分解を抑制するので、Zn3P2７の
飛散を防止することができ、均一な拡散層を形成
することができる。
以上本発明の１実施例について述べたが、更
に、拡散温度を700℃〜850℃の範囲にすること、
GaAs1-xPxウエハーをアンプル３の単位容積（１
cm3）に対して15mg〜120mgの割合でチヤージする
こと、Zn3P2をアンプル３の単位容量（１cm3）に
対して0.05mg〜５mgの割合でチヤージすること、
及びＰ圧を１×10-5Torr〜75Torrの範囲にする
ことによつて好ましい結果が得られる確認がされ
ている。尚Ｐ圧を１×10-5Torr以下にすると第
１図のＡ領域となり且つソースの飛散及び基板の
分解を防止することが難しくなり、Ｐ圧を
75Torr以上にすると第１図のＦ項となり、製造
が面倒になる。
に、拡散温度を700℃〜850℃の範囲にすること、
GaAs1-xPxウエハーをアンプル３の単位容積（１
cm3）に対して15mg〜120mgの割合でチヤージする
こと、Zn3P2をアンプル３の単位容量（１cm3）に
対して0.05mg〜５mgの割合でチヤージすること、
及びＰ圧を１×10-5Torr〜75Torrの範囲にする
ことによつて好ましい結果が得られる確認がされ
ている。尚Ｐ圧を１×10-5Torr以下にすると第
１図のＡ領域となり且つソースの飛散及び基板の
分解を防止することが難しくなり、Ｐ圧を
75Torr以上にすると第１図のＦ項となり、製造
が面倒になる。
第１図はGa−Ｐ−Znの相図、第２図はソース
チヤージ量と接合の深さとの関係を示すグラフ、
第３図はアンプル及びその内部を説明的に示す断
面図、第４図は第３図のアンプルのシールキヤツ
プを示す斜視図、第５図は拡散炉とアンプルとを
示す断面図である。 尚図面に用いられている符号に於いて、２は
GaAs0.15P0.85ウエハー、３はアンプル、４は赤
リン、６はシールキヤツプ、７はZn3P2である。
チヤージ量と接合の深さとの関係を示すグラフ、
第３図はアンプル及びその内部を説明的に示す断
面図、第４図は第３図のアンプルのシールキヤツ
プを示す斜視図、第５図は拡散炉とアンプルとを
示す断面図である。 尚図面に用いられている符号に於いて、２は
GaAs0.15P0.85ウエハー、３はアンプル、４は赤
リン、６はシールキヤツプ、７はZn3P2である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 拡散ソースとしてZn3P2を用いてGaAs1-xPx
（０＜ｘ＜１）へZnを封管を使用して拡散する方
法に於いて、 前記封管の内に前記Zn3P2を配置すると共に、
前記封管の内の前記Zn3P2とは異なる位置に前記
Zn3P2の分解温度よりも低い温度で気体のリンを
生ずることが可能なリン発生物質を配置し、 次に、前記リン発生物質を前記Zn3P2よりも早
く温度上昇させて前記Zn3P2の分解が実質的に始
まる前に前記封管の内を１×10-5Torr以上のリ
ン蒸気圧とし、 しかる後１×10-5〜75Torrのリン蒸気圧の状
態でZnを拡散することを特徴とする化合物半導
体への不純物拡散方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3125080A JPS56126917A (en) | 1980-03-12 | 1980-03-12 | Diffusing method for impurity to compound semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3125080A JPS56126917A (en) | 1980-03-12 | 1980-03-12 | Diffusing method for impurity to compound semiconductor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56126917A JPS56126917A (en) | 1981-10-05 |
| JPS6145374B2 true JPS6145374B2 (ja) | 1986-10-07 |
Family
ID=12326112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3125080A Granted JPS56126917A (en) | 1980-03-12 | 1980-03-12 | Diffusing method for impurity to compound semiconductor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56126917A (ja) |
-
1980
- 1980-03-12 JP JP3125080A patent/JPS56126917A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56126917A (en) | 1981-10-05 |
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