JPS5913697A - 液相エピタキシヤル成長装置 - Google Patents
液相エピタキシヤル成長装置Info
- Publication number
- JPS5913697A JPS5913697A JP12152982A JP12152982A JPS5913697A JP S5913697 A JPS5913697 A JP S5913697A JP 12152982 A JP12152982 A JP 12152982A JP 12152982 A JP12152982 A JP 12152982A JP S5913697 A JPS5913697 A JP S5913697A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- tube
- melt
- epitaxial layer
- epitaxial growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/061—Tipping system, e.g. by rotation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
い、）発明の技術分野
本発明は液相エピタキシャル成長装置の改良に関する。
α）） 技術の背景
鉛（Ｐｉ））を含む化合物半導体結晶１例えば鉛−＆ｌ
Ｒ−テｌし／Ｉ／（Ｐｂ１−ＸｓｎｚＴｅ ）や水銀（
Ｈｇ）を含む化合物半導体結晶、例えば水銀、カドミウ
ム、テμ／’ （Ｈｇｔ−ｘｏｄｘＴｅ）等はエネルギ
ーギャップが狭く赤外線検知素子、赤外線レーザ素子、
等の光電変換素子の形成材料として用いられているのは
周知である。
Ｒ−テｌし／Ｉ／（Ｐｂ１−ＸｓｎｚＴｅ ）や水銀（
Ｈｇ）を含む化合物半導体結晶、例えば水銀、カドミウ
ム、テμ／’ （Ｈｇｔ−ｘｏｄｘＴｅ）等はエネルギ
ーギャップが狭く赤外線検知素子、赤外線レーザ素子、
等の光電変換素子の形成材料として用いられているのは
周知である。
このようなＨｇ１−ＸＣｄｘＴｅのような化合物半導体
結晶を簡単な装置で容易に形成する方法として傾斜型液
相エピタキシャル成長方法が従来より用いられヤいる。
結晶を簡単な装置で容易に形成する方法として傾斜型液
相エピタキシャル成長方法が従来より用いられヤいる。
（０） 従来技術と問題点
このような傾斜型液相エピタキシャル成長方法に用いる
従来の装置について第１図を用いながら説明する。
従来の装置について第１図を用いながら説明する。
図示するようにシーソーのように１点Ａｉ支点として上
下に移動する環状型加熱炉ｌの内部には石英よりなる反
応管２を設置し、この反応管内部には石英アンプ／Ｉ／
３を設置している。そして該アンプ／Ｌ／８中にはエピ
タキシャル成長用のカドミラムチｌ ／Ｖ （ＣｄＴｅ
）の基板４と該基板４上に形成すべきＨｇ １−ｚｃ
ｄｚＴｅ （Ｄ結晶層の材料５のＨｇ、カドミウム（Ｃ
ｄ）、チル／Ｌ／（Ｔｅ）が所定の組成となるようにイ
°ヒ量して充填したのち該アングルを排気後該アンブル 板弓・１１．’ ｊΔ当な石英製の治具（図示せず）を
用いて傾斜させて封管３の一端部に設置し、また前記１
４Ｉ不１ 、＜ＵｄＸＴｅ結晶層形成利、料５ｔ↓封管
８内の他端部に基板４ど１１向して充填している。この
ような状態で加熱炉ｌの温度を昇温させ前記形成利料５
を溶融して融液としたのち、加熱炉１を矢印Ｂの方向に
煩けて融（Ｃ５を基板４の方向に移動させ、核融液５に
基板４・を浸漬させてから加熱炉の温度を所定の降温速
度で低下させて該基板４上にＨｇ １ −ＸＣｄＸ’ｌ
’ｅ の結晶層を形成している。そして所定の１ｐさ
結晶層が形成さｉすると加熱炉ｌを矢印Ｃ方向に煩け、
融ｔｆ受を移動させ基板４上より融液を除いて結晶層の
成長を停止させている。
下に移動する環状型加熱炉ｌの内部には石英よりなる反
応管２を設置し、この反応管内部には石英アンプ／Ｉ／
３を設置している。そして該アンプ／Ｌ／８中にはエピ
タキシャル成長用のカドミラムチｌ ／Ｖ （ＣｄＴｅ
）の基板４と該基板４上に形成すべきＨｇ １−ｚｃ
ｄｚＴｅ （Ｄ結晶層の材料５のＨｇ、カドミウム（Ｃ
ｄ）、チル／Ｌ／（Ｔｅ）が所定の組成となるようにイ
°ヒ量して充填したのち該アングルを排気後該アンブル 板弓・１１．’ ｊΔ当な石英製の治具（図示せず）を
用いて傾斜させて封管３の一端部に設置し、また前記１
４Ｉ不１ 、＜ＵｄＸＴｅ結晶層形成利、料５ｔ↓封管
８内の他端部に基板４ど１１向して充填している。この
ような状態で加熱炉ｌの温度を昇温させ前記形成利料５
を溶融して融液としたのち、加熱炉１を矢印Ｂの方向に
煩けて融（Ｃ５を基板４の方向に移動させ、核融液５に
基板４・を浸漬させてから加熱炉の温度を所定の降温速
度で低下させて該基板４上にＨｇ １ −ＸＣｄＸ’ｌ
’ｅ の結晶層を形成している。そして所定の１ｐさ
結晶層が形成さｉすると加熱炉ｌを矢印Ｃ方向に煩け、
融ｔｆ受を移動させ基板４上より融液を除いて結晶層の
成長を停止させている。
しかしこのような従来の装置であると、加熱炉を上下に
所定の寸法で移動させ反応管全体を大巾に移！Ｉｒｂさ
せるような移動機溝が必要で装置が複雑となる欠点を生
じる。−またこのような装置であるとエピタキシャル成
長に要する融液をアンプル内で多量に要するなど欠点が
多い。
所定の寸法で移動させ反応管全体を大巾に移！Ｉｒｂさ
せるような移動機溝が必要で装置が複雑となる欠点を生
じる。−またこのような装置であるとエピタキシャル成
長に要する融液をアンプル内で多量に要するなど欠点が
多い。
位）発明の目的
本発明は上述した欠点を除去しｎ＋１述した融液を傾け
て移動させて基板に接触させるいわゆる傾斜型液相エピ
タキシャル成長法において、用いる融液の量を少凰にし
て、また反応管を大ｉＪに移動させなくて済む簡単な装
置の提供を目的とするものである。
て移動させて基板に接触させるいわゆる傾斜型液相エピ
タキシャル成長法において、用いる融液の量を少凰にし
て、また反応管を大ｉＪに移動させなくて済む簡単な装
置の提供を目的とするものである。
（ｅ）発明の構成
かかる目的を達成するための本発明の液４目エピタキシ
ャル成長装置は、耐熱封管に内接する１対の支持部と、
＋＞１Ｊ記封管との間に間隙を保って、該支持部の間を
連結する基板保持台とよりなり、１）１１記保持台に基
板を保持し、？ｉＪ記基板基板保持台’ｆ？との間隙に
充填しているエビタキシャ／Ｉ／層形成用材料の融液に
、前記耐熱封管を回転させることで基板を接触させ、基
板上にエピタキシＡ・ル層を形成することを特徴とする
ものである。
ャル成長装置は、耐熱封管に内接する１対の支持部と、
＋＞１Ｊ記封管との間に間隙を保って、該支持部の間を
連結する基板保持台とよりなり、１）１１記保持台に基
板を保持し、？ｉＪ記基板基板保持台’ｆ？との間隙に
充填しているエビタキシャ／Ｉ／層形成用材料の融液に
、前記耐熱封管を回転させることで基板を接触させ、基
板上にエピタキシＡ・ル層を形成することを特徴とする
ものである。
（、ｆ）発明の実施例
以下本発明の一実施例につき図面を用いながらｎ’ｌ’
Ｉｌｆｌｌに）悦明する。
Ｉｌｆｌｌに）悦明する。
り′ル２図は本発明の面相エピタキシャル成長装置の一
実施例を示す断面図とそのＹ − Ｙ’線に沿って一旧
ＩＪ１シた断面図、第３図は本発明の液相エピタキシャ
ル成長装置を用いて基板上に結晶層を形成する場合の状
態を示す（新面図である。
実施例を示す断面図とそのＹ − Ｙ’線に沿って一旧
ＩＪ１シた断面図、第３図は本発明の液相エピタキシャ
ル成長装置を用いて基板上に結晶層を形成する場合の状
態を示す（新面図である。
第２図に示すように本発明の液相エピタキシャノＶ成艮
装置をは、石英より人る封管１１内に内接して１１￥．
合している一対のカーボンより々る支持部１２Ａ．１２
Ｂと該支持部１２Ａ，１２Ｂより径が小さくてかつ支持
部１２Ａ，１２Ｂを連結している保持台１３とで１１４
成されている。そして保持台１３の表面は平たく形成さ
れ、その部分にＣ（ＩＴｅＭ仮１４・が例えばカーボン
よりなり前記保持台の表１６１に張り出すようにして形
成さｉｔた止め具１５や、あるいは１）ＩＪ記保持台の
表面に形成された溝等によって固定さｉするようになっ
ている。一方保持台１３の下部と封管１１との間隙には
基板１４上に形成すべき結晶層の材料のＨｇ，Ｃ（１．
Ｔｅよりなる月料１６が収容されるようになっている。
装置をは、石英より人る封管１１内に内接して１１￥．
合している一対のカーボンより々る支持部１２Ａ．１２
Ｂと該支持部１２Ａ，１２Ｂより径が小さくてかつ支持
部１２Ａ，１２Ｂを連結している保持台１３とで１１４
成されている。そして保持台１３の表面は平たく形成さ
れ、その部分にＣ（ＩＴｅＭ仮１４・が例えばカーボン
よりなり前記保持台の表１６１に張り出すようにして形
成さｉｔた止め具１５や、あるいは１）ＩＪ記保持台の
表面に形成された溝等によって固定さｉするようになっ
ている。一方保持台１３の下部と封管１１との間隙には
基板１４上に形成すべき結晶層の材料のＨｇ，Ｃ（１．
Ｔｅよりなる月料１６が収容されるようになっている。
このようにＣｄＴｅの基板１ ４．とＨｇ， Ｃ（１，
Ｔｅ Ｊ：りなる材料１６を収容したＨ型形状のカー
ボン部月１７を封管１１を形成する細管内に挿入してか
ら該細管内部を排気ボン１にて排気してから、細管の端
部りを溶融して封止して封管１１とする。
Ｔｅ Ｊ：りなる材料１６を収容したＨ型形状のカー
ボン部月１７を封管１１を形成する細管内に挿入してか
ら該細管内部を排気ボン１にて排気してから、細管の端
部りを溶融して封止して封管１１とする。
その後このようなカーボン部材１７に充填した封管１１
を反応管（図示せず）等に挿入し該反応管を加熱炉にて
加熱してＨｇ． Ｃ（１．Ｔｅの月彊を溶融する。その
後該反応管を加熱炉の内部で回転させる。すると反応管
の内部の封管１１がＩｌ転し第３図に示すように封管１
１内部のカーボン部利↓ｌが該封管に密着しているので
カーボン部４′．ＡＶ−７も回転し基１ｉ１４がカーボ
ン部材１７の下部に到達してＨｇｌ ＸＣｄＸＴｏの溶
液２１に接触するようになる。
を反応管（図示せず）等に挿入し該反応管を加熱炉にて
加熱してＨｇ． Ｃ（１．Ｔｅの月彊を溶融する。その
後該反応管を加熱炉の内部で回転させる。すると反応管
の内部の封管１１がＩｌ転し第３図に示すように封管１
１内部のカーボン部利↓ｌが該封管に密着しているので
カーボン部４′．ＡＶ−７も回転し基１ｉ１４がカーボ
ン部材１７の下部に到達してＨｇｌ ＸＣｄＸＴｏの溶
液２１に接触するようになる。
この状態で加熱炉の温度を所定の降温速度で低下させ、
基板１４１上に所定の１ｔさ）Ｈｇｌ−ｘＣｄｘＴｅの
エピタキシャル結晶層を形成する。
基板１４１上に所定の１ｔさ）Ｈｇｌ−ｘＣｄｘＴｅの
エピタキシャル結晶層を形成する。
その後所定の厚さの結晶層を形成後反応管を回転させて
再び第２図の状態にして基板上に付着している融液を取
り去った後、加熱炉の温度を低下させ封管１１ ｆ、１
砕いて内部のカーボン部利１７をｔ（ｖ、り出してＨｇ
１−ｘｆ；ｄｘＴｅの結晶層が形成された基（反１４を
取り出す。
再び第２図の状態にして基板上に付着している融液を取
り去った後、加熱炉の温度を低下させ封管１１ ｆ、１
砕いて内部のカーボン部利１７をｔ（ｖ、り出してＨｇ
１−ｘｆ；ｄｘＴｅの結晶層が形成された基（反１４を
取り出す。
このように本発明のエピタキシャル成長装置によ〕１は
少欲の融液を用いてエピタキシャル成長できるので利＃
１に要するコストが低下し、低コストのエピタキシャル
結晶が得られる。また反応管のみを回転するだけで良い
ので従来のように加熱炉を回転するような腹雑な装置を
必要とせずエビタキシャ）Ｖ製造装置のコストも低下す
る利点を有する。
少欲の融液を用いてエピタキシャル成長できるので利＃
１に要するコストが低下し、低コストのエピタキシャル
結晶が得られる。また反応管のみを回転するだけで良い
ので従来のように加熱炉を回転するような腹雑な装置を
必要とせずエビタキシャ）Ｖ製造装置のコストも低下す
る利点を有する。
（ロ）発明の効果
以上述べた。Ｌうに本発明の液相エピタキシャル成Ｊ４
装置によれば簡単な装置で材料費を少なくした状Ｊ、ｌ
景でエピタキシャル結晶を形成することができ、低コス
トのエピタキシャル結晶が得られる利点を生じる、
装置によれば簡単な装置で材料費を少なくした状Ｊ、ｌ
景でエピタキシャル結晶を形成することができ、低コス
トのエピタキシャル結晶が得られる利点を生じる、
第１１×１は従来の液相エピタキシャル成長装置の概略
図、第２図、第３図は本発明の面相エピタキシャル成長
装置の一実施例を示す断面図である。 図においてｌは加熱炉、２は反応管、３はアンプμ、４
．１４はＣｄＴθ基板、５．１６．２１はＨｇ１−ＸＣ
ｄＸＴｅ材料、１１は・封管、１２Ａ、１２Ｂは支持部
、１８は保持台、■５は止め具、１７はカーボン部材、
Ａは支点、Ｂ、Ｃは炉の移動方向を示す矢印、Ｄは端部
を示す、
図、第２図、第３図は本発明の面相エピタキシャル成長
装置の一実施例を示す断面図である。 図においてｌは加熱炉、２は反応管、３はアンプμ、４
．１４はＣｄＴθ基板、５．１６．２１はＨｇ１−ＸＣ
ｄＸＴｅ材料、１１は・封管、１２Ａ、１２Ｂは支持部
、１８は保持台、■５は止め具、１７はカーボン部材、
Ａは支点、Ｂ、Ｃは炉の移動方向を示す矢印、Ｄは端部
を示す、
Claims (1)
- 耐熱封管に内接する１対の支持部と、前記封管との間に
間隙を保って該支持部の間を連結する基板保持台とより
なり、前記保持台に基板を保持し、前記支持部間の封管
内に充填しているエピタキシャル層形成用桐料の融液に
、前記耐熱封管を回転させることで基板を接触させ、基
板上にエピタキシャル層を形成することを特徴とする液
相エピタキシャル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12152982A JPS5913697A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12152982A JPS5913697A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5913697A true JPS5913697A (ja) | 1984-01-24 |
Family
ID=14813482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12152982A Pending JPS5913697A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5913697A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5969968U (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-12 | 富士通株式会社 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
| JPS62103571A (ja) * | 1985-09-16 | 1987-05-14 | ア−・フアウ・エル ア−・ゲ− | 新生細胞の発生判定方法とその装置 |
| JPH02130839A (ja) * | 1988-11-10 | 1990-05-18 | Fujitsu Ltd | 液相エピタキシャル成長方法 |
| JPH02263433A (ja) * | 1989-04-03 | 1990-10-26 | Fujitsu Ltd | 液相エピタキシャル成長方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4938866A (ja) * | 1972-08-18 | 1974-04-11 |
-
1982
- 1982-07-12 JP JP12152982A patent/JPS5913697A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4938866A (ja) * | 1972-08-18 | 1974-04-11 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5969968U (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-12 | 富士通株式会社 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
| JPH0129242Y2 (ja) * | 1982-10-29 | 1989-09-06 | ||
| JPS62103571A (ja) * | 1985-09-16 | 1987-05-14 | ア−・フアウ・エル ア−・ゲ− | 新生細胞の発生判定方法とその装置 |
| JPH0558506B2 (ja) * | 1985-09-16 | 1993-08-26 | Avl Ag | |
| JPH02130839A (ja) * | 1988-11-10 | 1990-05-18 | Fujitsu Ltd | 液相エピタキシャル成長方法 |
| JPH02263433A (ja) * | 1989-04-03 | 1990-10-26 | Fujitsu Ltd | 液相エピタキシャル成長方法 |
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