JPS6144483A - 光パルス発生装置 - Google Patents
光パルス発生装置Info
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- JPS6144483A JPS6144483A JP16595384A JP16595384A JPS6144483A JP S6144483 A JPS6144483 A JP S6144483A JP 16595384 A JP16595384 A JP 16595384A JP 16595384 A JP16595384 A JP 16595384A JP S6144483 A JPS6144483 A JP S6144483A
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000003491 array Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0265—Intensity modulators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は半導体レーザのモード同期によって発生する短
パルス光を用いて高速の光パルス列を発生させる光パル
ス発生装置に関する。
パルス光を用いて高速の光パルス列を発生させる光パル
ス発生装置に関する。
（従来技術とその問題点）
一般に、半導体レーザにモード同期をかけると、ｉ ｐ
ｓｅｃ ｓ度の非常に幅の狭い短光パルス列を発生させ
ることができるが、このモード同期を光通信や光情報処
理へ適用されることが期待されている。この半導体レー
ザのモード同期の方式としては、自己モード同期と強制
モード同期とが有るが、パルス列の位相制御が可能であ
るという点で、後者の方式の応用性が大きい。この強制
モード同期は、半導体レーザの縦モード間隔に等しい周
波数で外部から利得変調を行なうことによって、各縦モ
ード間の位相差が一定に揃い、変数周波数に等しい繰シ
返しの光パルス列が得られる。
ｓｅｃ ｓ度の非常に幅の狭い短光パルス列を発生させ
ることができるが、このモード同期を光通信や光情報処
理へ適用されることが期待されている。この半導体レー
ザのモード同期の方式としては、自己モード同期と強制
モード同期とが有るが、パルス列の位相制御が可能であ
るという点で、後者の方式の応用性が大きい。この強制
モード同期は、半導体レーザの縦モード間隔に等しい周
波数で外部から利得変調を行なうことによって、各縦モ
ード間の位相差が一定に揃い、変数周波数に等しい繰シ
返しの光パルス列が得られる。
一方、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓやＩｎＧａＡｓＰ／Ｉｎ
Ｐで作られる共振器長３００μｍ程度の通常の半導体レ
ーザは、縦そ−ドの７７！６波数間隔か約１００ ＧＨ
ｚと高い値であり、そのままでは変調が不可能である。
Ｐで作られる共振器長３００μｍ程度の通常の半導体レ
ーザは、縦そ−ドの７７！６波数間隔か約１００ ＧＨ
ｚと高い値であり、そのままでは変調が不可能である。
又、この半導体レーザの屈折率分散も大きいことから、
外部鏡を用いて共振器長を長くした構成によるモード同
期が試みられている。このように共振器長を長くすると
、それに伴ない縦モード間隔も狭まるので、変調周波数
も低くて済むようにな夛、繰り返しが数Ｇ Ｈｚの光パ
ルス列の発生が報告されている。この技術に関しては、
例えば雑誌” Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅ
ｔｔｅｒｓ ’ 、 ３９巻。
外部鏡を用いて共振器長を長くした構成によるモード同
期が試みられている。このように共振器長を長くすると
、それに伴ない縦モード間隔も狭まるので、変調周波数
も低くて済むようにな夛、繰り返しが数Ｇ Ｈｚの光パ
ルス列の発生が報告されている。この技術に関しては、
例えば雑誌” Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅ
ｔｔｅｒｓ ’ 、 ３９巻。
１９８１年の５２５〜５２７頁に述べられている。
この半導体レーザのモード同期を用いて幅の狭い光パル
スが実現されるものの、その繰り返し周波数は外部変調
器の速度によって制限される。従って、高速光伝送シス
テムへの光源としての応用を考えた場合、半導体レーザ
の直接変調を用いる既存の方式に比べ伝送速度を上げら
れるといったような利点は見出せなかった。
スが実現されるものの、その繰り返し周波数は外部変調
器の速度によって制限される。従って、高速光伝送シス
テムへの光源としての応用を考えた場合、半導体レーザ
の直接変調を用いる既存の方式に比べ伝送速度を上げら
れるといったような利点は見出せなかった。
（発明の目的）
本発明の目的は、このような欠点を除き、高速の光パル
ス列を発生することのできる光パルス発生装置を提供す
ることに６る。
ス列を発生することのできる光パルス発生装置を提供す
ることに６る。
（発明の構成）
本発明の光パルス発生装置は、互いに位相をずらして同
一周波数で強制モード同期をかけて駆動される複数の半
導体レーザ列からなる半導体レーザアレイと、このレー
ザアレイの各レーザからの出力光をオンオフ制御する複
数の光変調器と、これら複数の光変調器から得られる光
パルス列を導光路によつて合波する合波部とを含み構成
される。
一周波数で強制モード同期をかけて駆動される複数の半
導体レーザ列からなる半導体レーザアレイと、このレー
ザアレイの各レーザからの出力光をオンオフ制御する複
数の光変調器と、これら複数の光変調器から得られる光
パルス列を導光路によつて合波する合波部とを含み構成
される。
（実施例）
以下図−を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図、第２図は本発明の一実施例の平面図およびその
一点鎖線で示した部分の断面図でおる。
一点鎖線で示した部分の断面図でおる。
本実施例は、ｎ−ＩｎＰ基板５１の上に同形状、同一寸
法の４台の半導体レーザ１１．１２，１３ 。
法の４台の半導体レーザ１１．１２，１３ 。
１４が形成されている。これら半導体レーザ１１゜１２
．１３．１４はそれぞれ共振面２１＋２２＋２３．２４
及び３１．３２，３３．３４が設けられ、これらの共振
器長は約Ｚ５ｃｅである。各半導体レーザ１１〜１４か
らの光出力は光変調器’３ニー５−。
．１３．１４はそれぞれ共振面２１＋２２＋２３．２４
及び３１．３２，３３．３４が設けられ、これらの共振
器長は約Ｚ５ｃｅである。各半導体レーザ１１〜１４か
らの光出力は光変調器’３ニー５−。
′２ＮＩｓ” ｌ＋ １３７’ ＋、 ａ ：ｌｌおよ
び光導波路４１．４２，４３゜４４の合波部により合波
されて一方向に取り出される。
び光導波路４１．４２，４３゜４４の合波部により合波
されて一方向に取り出される。
ｔｉ、第２図にオイて、５２はｎ−ＩｎＰ、５３は活性
層となるＩｎＧａＡｓＰ（λｇ＝１．３μｍ）、５４は
ｐ−ＩｎＰ、５５はｐ−ＩｎＧａＡｓＰ （λｇ ＝
１．１ ／’ｍ ）、５６及び５７は電極、５８は光専
波層となるＩｎ−ＧａＡｓＰ（λｇ＝１゜１μｍ）でお
る。この様なレーザ部１１〜１４と光導波路部４１〜４
４で異なる層構造は、二回のエピタキシャル成長を用い
ることによって作られ、また共振面２１，２２，２３゜
２４及び３１．３２．３３．３４はりアクティブ・イオ
ン・エツチングによって形成される。
層となるＩｎＧａＡｓＰ（λｇ＝１．３μｍ）、５４は
ｐ−ＩｎＰ、５５はｐ−ＩｎＧａＡｓＰ （λｇ ＝
１．１ ／’ｍ ）、５６及び５７は電極、５８は光専
波層となるＩｎ−ＧａＡｓＰ（λｇ＝１゜１μｍ）でお
る。この様なレーザ部１１〜１４と光導波路部４１〜４
４で異なる層構造は、二回のエピタキシャル成長を用い
ることによって作られ、また共振面２１，２２，２３゜
２４及び３１．３２．３３．３４はりアクティブ・イオ
ン・エツチングによって形成される。
これら４個の半導体レーザ１１〜１４は、駆動部（図示
せず）によって強制モード同調がかけられ、それぞれ所
定周波数ｆに関して位相がπ／２ずれた短パルスを発生
する。これら短パルスは、光変調器３５〜３８がそれぞ
れその周波数ｆに関してオンオフされることにより、利
得変調される。
せず）によって強制モード同調がかけられ、それぞれ所
定周波数ｆに関して位相がπ／２ずれた短パルスを発生
する。これら短パルスは、光変調器３５〜３８がそれぞ
れその周波数ｆに関してオンオフされることにより、利
得変調される。
これら光変調器３５〜３８の各出力はそれぞれ光導波路
４１〜４４によって合波され、４倍の繰返し周波数４ｆ
をもった光パルス列を得ることができる。この場合、例
えば２ＧＨｚの変調に対して８ＧＨｚの繰返し周波数の
光パルス列を得ることができる。この光パルスのオン、
オフは各光変調器３５〜３８に別の駆動部から順方向及
び逆方向に電圧を印加することによって行われる。
４１〜４４によって合波され、４倍の繰返し周波数４ｆ
をもった光パルス列を得ることができる。この場合、例
えば２ＧＨｚの変調に対して８ＧＨｚの繰返し周波数の
光パルス列を得ることができる。この光パルスのオン、
オフは各光変調器３５〜３８に別の駆動部から順方向及
び逆方向に電圧を印加することによって行われる。
なお、本実施例では４台のレーザ・アレイ１１〜１４よ
り形成されたが、更に台数を増やすことによってより高
速の光伝送用光源が実現されることは明らかである。
り形成されたが、更に台数を増やすことによってより高
速の光伝送用光源が実現されることは明らかである。
（発明の効果）
以上説明したように１本発明によれば、複数のレーザ光
源からの出力光に互に位相差を与えたものを加算するこ
とにより、高速の光パルス列の出力光を得ることができ
る。
源からの出力光に互に位相差を与えたものを加算するこ
とにより、高速の光パルス列の出力光を得ることができ
る。
第１図、第２図は本発明の一実施例の平面図および一点
鎖線分の断面図である。図において、１１．１２，１３
．１４・・・・・・半導体レーザ、２１．２２．２３，
２４．３１，３２．３３．３４・・・・・・共振面、３
５．３６．３７．３８・・・・・・光変調器、４１．４
２１４３．４４・・・・・・光導波路、５１・・・・・
・ｎ−ＩｎＰ基板、５２−− ｎ−ＩｎＰ、 ５３ 、
５８・・・・・・ＩｎＧａＡｓＰ、５４・・・・・・ｐ
−ＩｎＰ、５５・・・・・・ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ１５６
、５７−−電極、である。 第１ 図 第２ き
鎖線分の断面図である。図において、１１．１２，１３
．１４・・・・・・半導体レーザ、２１．２２．２３，
２４．３１，３２．３３．３４・・・・・・共振面、３
５．３６．３７．３８・・・・・・光変調器、４１．４
２１４３．４４・・・・・・光導波路、５１・・・・・
・ｎ−ＩｎＰ基板、５２−− ｎ−ＩｎＰ、 ５３ 、
５８・・・・・・ＩｎＧａＡｓＰ、５４・・・・・・ｐ
−ＩｎＰ、５５・・・・・・ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ１５６
、５７−−電極、である。 第１ 図 第２ き
Claims (1)
- 互いに位相をずらして同一周波数で強制モード同期をか
けて駆動される複数の半導体レーザ列からなる半導体レ
ーザアレイと、このレーザアレイからの各レーザの出力
光をオンオフ制御する複数の光変調器と、これら複数の
光変調器から得られる光パルス列を導光路によって合波
する合波部とを含む光パルス発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16595384A JPS6144483A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 光パルス発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16595384A JPS6144483A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 光パルス発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6144483A true JPS6144483A (ja) | 1986-03-04 |
Family
ID=15822150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16595384A Pending JPS6144483A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 光パルス発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6144483A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6336207A (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光回路 |
| JPH02132415A (ja) * | 1988-11-14 | 1990-05-21 | Fujitsu Ltd | 光変調器 |
| JPH03286587A (ja) * | 1990-04-03 | 1991-12-17 | Nec Corp | 半導体集積化光源 |
| JP2000019362A (ja) * | 1998-07-07 | 2000-01-21 | Nec Corp | アレイ型半導体レーザ用光結合装置及び該アレイ型半導体レーザを用いた固体レーザ装置 |
| GB2350479A (en) * | 1999-05-18 | 2000-11-29 | Seiko Epson Corp | Organic light emitting device incorporating a waveguide |
| US6548316B1 (en) | 1999-05-27 | 2003-04-15 | Seiko Epson Corporation | Monolithic semiconductor device and method of manufacturing the same |
-
1984
- 1984-08-08 JP JP16595384A patent/JPS6144483A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6336207A (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光回路 |
| JPH02132415A (ja) * | 1988-11-14 | 1990-05-21 | Fujitsu Ltd | 光変調器 |
| JPH03286587A (ja) * | 1990-04-03 | 1991-12-17 | Nec Corp | 半導体集積化光源 |
| JP2000019362A (ja) * | 1998-07-07 | 2000-01-21 | Nec Corp | アレイ型半導体レーザ用光結合装置及び該アレイ型半導体レーザを用いた固体レーザ装置 |
| GB2350479A (en) * | 1999-05-18 | 2000-11-29 | Seiko Epson Corp | Organic light emitting device incorporating a waveguide |
| US6472817B1 (en) | 1999-05-18 | 2002-10-29 | Seiko Epson Corporation | Organic light emitting device incorporating a waveguide |
| US6548316B1 (en) | 1999-05-27 | 2003-04-15 | Seiko Epson Corporation | Monolithic semiconductor device and method of manufacturing the same |
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