JP3275456B2 - 衝突パルスモード同期半導体レーザ装置 - Google Patents
衝突パルスモード同期半導体レーザ装置Info
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- JP3275456B2 JP3275456B2 JP15339093A JP15339093A JP3275456B2 JP 3275456 B2 JP3275456 B2 JP 3275456B2 JP 15339093 A JP15339093 A JP 15339093A JP 15339093 A JP15339093 A JP 15339093A JP 3275456 B2 JP3275456 B2 JP 3275456B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高速光通信，各種光計
測に用いられる短光パルスの発生装置に関する。
測に用いられる短光パルスの発生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来の衝突パルスモード同期半
導体レーザ（ＣＰＭ半導体レーザ）の構成を示す図であ
り、２０１は逆バイアス印加電極、２０２は順バイアス
印加電極、２０３は接地電極、２０４はＩｎＧａＡｓＰ
／ＩｎＧａＡｓ半導体レーザ活性層（光導波路層）、２
０５はＦｅドープＩｎＰ結晶成長層、２０６はＮ+ Ｉｎ
Ｐ基板、２０７は高周波印加電極である（Ｍ．Ｃ．Ｗ
ｕ，ｅｔ ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，
ｖｏｌ．８，ｐｐ．７５９−７６１，１９９０．）。図
３はこのレーザの動作を示す図である。基本的にこのレ
ーザの構成は、通常のファブリーペロー構造（ＦＰ）の
多重量子井戸半導体レーザ（ＭＱＷ−ＬＤ）の上部スト
ライプ電極を分割してその一部２０１をｐｎ接合の逆バ
イアスを印加してその下部の光導波路層部分を可飽和吸
収体とし、また一部の電極２０７には高周波を印加して
モードロッカとして動作させる構成となっている。この
レーザの光導波路層２０４には、右方向に伝搬する光パ
ルス（図３（Ａ））と左方向に伝搬する光パルス（図３
（Ｂ））が存在する。
導体レーザ（ＣＰＭ半導体レーザ）の構成を示す図であ
り、２０１は逆バイアス印加電極、２０２は順バイアス
印加電極、２０３は接地電極、２０４はＩｎＧａＡｓＰ
／ＩｎＧａＡｓ半導体レーザ活性層（光導波路層）、２
０５はＦｅドープＩｎＰ結晶成長層、２０６はＮ+ Ｉｎ
Ｐ基板、２０７は高周波印加電極である（Ｍ．Ｃ．Ｗ
ｕ，ｅｔ ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，
ｖｏｌ．８，ｐｐ．７５９−７６１，１９９０．）。図
３はこのレーザの動作を示す図である。基本的にこのレ
ーザの構成は、通常のファブリーペロー構造（ＦＰ）の
多重量子井戸半導体レーザ（ＭＱＷ−ＬＤ）の上部スト
ライプ電極を分割してその一部２０１をｐｎ接合の逆バ
イアスを印加してその下部の光導波路層部分を可飽和吸
収体とし、また一部の電極２０７には高周波を印加して
モードロッカとして動作させる構成となっている。この
レーザの光導波路層２０４には、右方向に伝搬する光パ
ルス（図３（Ａ））と左方向に伝搬する光パルス（図３
（Ｂ））が存在する。
【０００３】高周波印加電極２０７に電気信号を印加す
ると、印加した電気信号の振幅に応じて電極２０７下部
の光導波路の損失（または利得）が変化する。すなわ
ち、電極２０７に電気パルスを印加することによって電
極下部を光パルスのシャッターとして作用させることが
できる。
ると、印加した電気信号の振幅に応じて電極２０７下部
の光導波路の損失（または利得）が変化する。すなわ
ち、電極２０７に電気パルスを印加することによって電
極下部を光パルスのシャッターとして作用させることが
できる。
【０００４】いま、高周波印加電極２０７に電気信号を
印加してシャッターを開くと、レーザの左右両端から中
央に向かって光パルスが伝搬しはめる。このレーザは左
右対称の構造を有しているため、両パルスの波形，振
幅，速度は同じであり、レーザ中央で同じ波形の２つの
パルスが衝突することになる。このとき、電極２０７に
印加する高周波信号の周波数ｆを
印加してシャッターを開くと、レーザの左右両端から中
央に向かって光パルスが伝搬しはめる。このレーザは左
右対称の構造を有しているため、両パルスの波形，振
幅，速度は同じであり、レーザ中央で同じ波形の２つの
パルスが衝突することになる。このとき、電極２０７に
印加する高周波信号の周波数ｆを
【０００５】
【数１】ｆ＝ｃ／（ｎＬ） ｃは光速、ｎは半導体の屈折率、Ｌはレーザの物理長 とすると、レーザの一方の端面を出発した光パルスが他
方の端面に到着するときにちょうど他方の端面のシャッ
ターが開くことになるため、モード同期動作の条件が満
たされることになる。Ｗｕ ｅｔ ａｌ．は３２．６Ｇ
Ｈｚの繰返し周期でトランスフォームリミットな短光パ
ルス（１．４ｐｓ）を得ている。
方の端面に到着するときにちょうど他方の端面のシャッ
ターが開くことになるため、モード同期動作の条件が満
たされることになる。Ｗｕ ｅｔ ａｌ．は３２．６Ｇ
Ｈｚの繰返し周期でトランスフォームリミットな短光パ
ルス（１．４ｐｓ）を得ている。
【０００６】電極２０１の下部の光可飽和吸収体は、光
の吸収損失が入射光強度が増加するに従って減少する媒
質であり、通常色素や半導体が用いられる。特に波長
１．５５μｍ帯の光に対しては、多重量子井戸（ＭＱ
Ｗ）構造の半導体導波路を逆バイアスで使用することに
より、可飽和吸収体の動作が確認されている（詳しく
は、Ｙ．Ｋ．Ｃｈｅｎ，Ｍ．Ｃ．Ｗｕ，Ｔ．Ｔａｎｂｕ
ｎ−Ｅｋ，Ｒ．Ａ．Ｌｏｇａｎ ａｎｄ Ｊ．Ｒ．Ｓｉ
ｍｐｓｏｎ，“Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ ｃｏｌｌｉｄｉ
ｎｇ−ｐｕｌｓｅ ｍｏｄｅ−ｌｏｃｋｅｄ ｑｕａｎ
ｔｕｍ ｗｅｌｌ ｌａｓｅｒｓ，” ｉｎ Ｔｅｃ
ｈ．Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏｎ
Ｌａｓｅｒｓ ａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏ−ｏｐｔｉｃｓ
（ＣＬＥＯ’９１） Ｎｏ．ＣＷＫ３，ｐｐ．３０４−
３０７，１９９１．を参照されたい）。いま、光可飽和
吸収体中で両方向に伝搬するパルスが衝突する瞬間だけ
光の定在波ができ、この光の定在波の強度は高くなるた
め、光可飽和吸収体のシャッター作用は急峻になって光
パルスは急峻となる。この原理については、藤井陽一・
西沢紘一編「先端光技術」ｐｐ．１１０−１２９（アグ
ネ承風社）中に説明されている。
の吸収損失が入射光強度が増加するに従って減少する媒
質であり、通常色素や半導体が用いられる。特に波長
１．５５μｍ帯の光に対しては、多重量子井戸（ＭＱ
Ｗ）構造の半導体導波路を逆バイアスで使用することに
より、可飽和吸収体の動作が確認されている（詳しく
は、Ｙ．Ｋ．Ｃｈｅｎ，Ｍ．Ｃ．Ｗｕ，Ｔ．Ｔａｎｂｕ
ｎ−Ｅｋ，Ｒ．Ａ．Ｌｏｇａｎ ａｎｄ Ｊ．Ｒ．Ｓｉ
ｍｐｓｏｎ，“Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ ｃｏｌｌｉｄｉ
ｎｇ−ｐｕｌｓｅ ｍｏｄｅ−ｌｏｃｋｅｄ ｑｕａｎ
ｔｕｍ ｗｅｌｌ ｌａｓｅｒｓ，” ｉｎ Ｔｅｃ
ｈ．Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏｎ
Ｌａｓｅｒｓ ａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏ−ｏｐｔｉｃｓ
（ＣＬＥＯ’９１） Ｎｏ．ＣＷＫ３，ｐｐ．３０４−
３０７，１９９１．を参照されたい）。いま、光可飽和
吸収体中で両方向に伝搬するパルスが衝突する瞬間だけ
光の定在波ができ、この光の定在波の強度は高くなるた
め、光可飽和吸収体のシャッター作用は急峻になって光
パルスは急峻となる。この原理については、藤井陽一・
西沢紘一編「先端光技術」ｐｐ．１１０−１２９（アグ
ネ承風社）中に説明されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したＣＰＭ半導体
レーザには、次に示すような問題点があった。
レーザには、次に示すような問題点があった。
【０００８】従来のＣＰＭ半導体レーザの電極構成にお
いては、モードロック用高周波信号印加電極が、レーザ
共振器の最も外側、すなわち両端面に接した位置にあ
る。従って、モードロック用高周波信号印加電極の下の
部分は、片側は空気、他方は半導体であり、両者は誘電
率が異なるために電極に印加された信号による電界分布
が非対称となる。周波数が高くなるにしたがって非対称
電界の影響によって電界振幅および波形が対称電界のと
きに比べて空間的に不均一となり、モードロック変調効
率の低下を招く恐れがあった。
いては、モードロック用高周波信号印加電極が、レーザ
共振器の最も外側、すなわち両端面に接した位置にあ
る。従って、モードロック用高周波信号印加電極の下の
部分は、片側は空気、他方は半導体であり、両者は誘電
率が異なるために電極に印加された信号による電界分布
が非対称となる。周波数が高くなるにしたがって非対称
電界の影響によって電界振幅および波形が対称電界のと
きに比べて空間的に不均一となり、モードロック変調効
率の低下を招く恐れがあった。
【０００９】本発明は、このような従来の問題点に鑑み
てなされたものであり、モードロック用高周波信号印加
電極の下部を均一の構造とすることによって電界振幅お
よび波形を均一化して安定したＣＰＭ動作を実現して光
短パルスを発生させる手段を提供することを目的として
いる。
てなされたものであり、モードロック用高周波信号印加
電極の下部を均一の構造とすることによって電界振幅お
よび波形を均一化して安定したＣＰＭ動作を実現して光
短パルスを発生させる手段を提供することを目的として
いる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、ファブリーペロー構造を有する多重量子
井戸半導体レーザの共振器中央部分上に設けられ、下部
に設けられた導波路層部分が光可飽和吸収体として機能
するように、逆バイアスを印加する第１電極と、前記レ
ーザ共振器中央部に対して対称に分割配置され、順バイ
アスを印加する複数の第２電極と、前記レーザの両側か
らそれぞれレーザ共振器長の１／４だけ離れた位置に設
けられた第３電極と、該第３電極に高周波信号を印加す
るバイアス手段とを備えたことを特徴とする。
め、本発明は、ファブリーペロー構造を有する多重量子
井戸半導体レーザの共振器中央部分上に設けられ、下部
に設けられた導波路層部分が光可飽和吸収体として機能
するように、逆バイアスを印加する第１電極と、前記レ
ーザ共振器中央部に対して対称に分割配置され、順バイ
アスを印加する複数の第２電極と、前記レーザの両側か
らそれぞれレーザ共振器長の１／４だけ離れた位置に設
けられた第３電極と、該第３電極に高周波信号を印加す
るバイアス手段とを備えたことを特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明ではＭＱＷ半導体レーザ上に設けられた
モードロック用高周波信号印加電極を、レーザ共振器の
両端面ではなく、両端面から１／４共振器長離れた位置
に配置することによって、モードロック用高周波信号が
安定してレーザに印加できるようにしている。すなわ
ち、本発明は、ＭＱＷ半導体レーザの電極を分割して共
振器中央部の一部分を逆バイアスしてその下部の導波路
層を光可飽和吸収体とし、共振器両端からＬ／４の位置
に設けられた電極を変調電極とし、その他の部分を増幅
媒質として用いることにより、同一半導体レーザチップ
上に、可飽和吸収体，モードロッカおよび増幅媒質をモ
ノリシックに集積化して安定したモードロック光パルス
を発生させることができる。
モードロック用高周波信号印加電極を、レーザ共振器の
両端面ではなく、両端面から１／４共振器長離れた位置
に配置することによって、モードロック用高周波信号が
安定してレーザに印加できるようにしている。すなわ
ち、本発明は、ＭＱＷ半導体レーザの電極を分割して共
振器中央部の一部分を逆バイアスしてその下部の導波路
層を光可飽和吸収体とし、共振器両端からＬ／４の位置
に設けられた電極を変調電極とし、その他の部分を増幅
媒質として用いることにより、同一半導体レーザチップ
上に、可飽和吸収体，モードロッカおよび増幅媒質をモ
ノリシックに集積化して安定したモードロック光パルス
を発生させることができる。
【００１２】
【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。
【００１３】図１は本発明の衝突パルスモード同期ＭＱ
Ｗ半導体レーザ装置の実施例を示す図であり、図１
（Ａ）は上から見た平面図、（Ｂ）および（Ｃ）はその
動作を説明する図である。図１において、１０１はＭＱ
Ｗ半導体レーザであり、例えば図２の従来例と同様にｎ
+ ＩｎＰ基板上形成されたＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡ
ｓＭＱＷ活性層（光導波層）、それを包むＦｅドープＩ
ｎＰ結晶成長層を含む。１０２，１０３，１０４，１０
５は直流電極（ストライプ電極）、１０６は高周波信号
印加電極、１０７は逆バイアス印加電極、１０８，１０
９，１１０は直流電源、１１１はバイアスＴ、１１２は
高周波発振器であり、また、１１３，１１４は光強度の
一部を透過する鏡でこの２つの鏡によってファブリーペ
ロー共振器が構成されて半導体レーザの動作が実現され
る。図に示すように逆バイアス印加電極１０７は本レー
ザ共振器の中央に位置し、高周波信号印加電極１０６
は、共振器長をＬとすると両端面から１／４Ｌだけ離れ
た位置すなわち部分反射鏡１１３，１１４と電極１０７
の中間に位置する部分１０６Ａ，１０６Ｂを有する。直
流電極１０２，１０３，１０４，１０５は必ずしも全て
必要ではなく、レーザ共振器の中央に対して対称に配置
されていればよい。たとえば１０３と１０４のみあるい
は１０２と１０５のみであってもよい。以下、図１
（Ｂ），（Ｃ）を用いて本レーザの動作を説明する。
Ｗ半導体レーザ装置の実施例を示す図であり、図１
（Ａ）は上から見た平面図、（Ｂ）および（Ｃ）はその
動作を説明する図である。図１において、１０１はＭＱ
Ｗ半導体レーザであり、例えば図２の従来例と同様にｎ
+ ＩｎＰ基板上形成されたＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡ
ｓＭＱＷ活性層（光導波層）、それを包むＦｅドープＩ
ｎＰ結晶成長層を含む。１０２，１０３，１０４，１０
５は直流電極（ストライプ電極）、１０６は高周波信号
印加電極、１０７は逆バイアス印加電極、１０８，１０
９，１１０は直流電源、１１１はバイアスＴ、１１２は
高周波発振器であり、また、１１３，１１４は光強度の
一部を透過する鏡でこの２つの鏡によってファブリーペ
ロー共振器が構成されて半導体レーザの動作が実現され
る。図に示すように逆バイアス印加電極１０７は本レー
ザ共振器の中央に位置し、高周波信号印加電極１０６
は、共振器長をＬとすると両端面から１／４Ｌだけ離れ
た位置すなわち部分反射鏡１１３，１１４と電極１０７
の中間に位置する部分１０６Ａ，１０６Ｂを有する。直
流電極１０２，１０３，１０４，１０５は必ずしも全て
必要ではなく、レーザ共振器の中央に対して対称に配置
されていればよい。たとえば１０３と１０４のみあるい
は１０２と１０５のみであってもよい。以下、図１
（Ｂ），（Ｃ）を用いて本レーザの動作を説明する。
【００１４】図１（Ｂ），（Ｃ）は、本レーザにおい
て、共振器内における光パルスの伝搬の様子を示した図
である。本レーザにおいても従来技術と同じように、レ
ーザ共振器を右向きに伝搬する光パルス（図１（Ｂ））
と左向きに伝搬する光パルス（図１（Ｃ））が存在す
る。いま、一般に半導体レーザにおいては、ストライプ
電極の下にｐｎ接合が形成され、バイアス電極１０２，
１０３，１０４および１０５を通してこのｐｎ接合に数
１０ｍＡ程度の順バイアス電流を流すと同時に高周波信
号印加電極１０６に電流振幅として数１０ｍＡ程度の高
周波信号を印加する。この高周波信号の周波数ｆｍを、
て、共振器内における光パルスの伝搬の様子を示した図
である。本レーザにおいても従来技術と同じように、レ
ーザ共振器を右向きに伝搬する光パルス（図１（Ｂ））
と左向きに伝搬する光パルス（図１（Ｃ））が存在す
る。いま、一般に半導体レーザにおいては、ストライプ
電極の下にｐｎ接合が形成され、バイアス電極１０２，
１０３，１０４および１０５を通してこのｐｎ接合に数
１０ｍＡ程度の順バイアス電流を流すと同時に高周波信
号印加電極１０６に電流振幅として数１０ｍＡ程度の高
周波信号を印加する。この高周波信号の周波数ｆｍを、
【００１５】
【数２】ｆｍ＝２ｃ／（ｎＬLD） ＬLDは、本発明のレーザの全長 ｎは半導体の屈折率（≒３） とすると本レーザにおいても従来技術の動作原理と同じ
動作原理によってモード同期動作が満たされることにな
る。一般に半導体レーザのレーザ長は、数１００μｍか
ら数ｍｍ程度である。レーザ長が１０ｍｍのときの変調
周波数は、約２０ＧＨｚとなる。
動作原理によってモード同期動作が満たされることにな
る。一般に半導体レーザのレーザ長は、数１００μｍか
ら数ｍｍ程度である。レーザ長が１０ｍｍのときの変調
周波数は、約２０ＧＨｚとなる。
【００１６】さて、本レーザにおいてもレーザ中央に位
置する逆バイアス印加電圧１０７に数Ｖ程度のｐｎ逆バ
イアスを印加すると、その下部の導波路層部分１１５は
光可飽和吸収体として動作し、光可飽和吸収体１１５中
で両方向に伝搬するパルスが衝突する瞬間だけ光の定在
波ができ、この光の定在波の強度は高くなるため、光可
飽和吸収体１１５のシャッター作用は急峻になって光パ
ルスは急峻となる。このとき、部分反射鏡１１３，１１
４の透過率は同じであればレーザは完全に左右対称とな
って、左右に走行する光パルス波形は同じとなって最も
効率良く衝突パルスモード同期動作を実現でき、図２に
説明した装置と同等もしくはより短い光パルスを発生さ
せることができる。さらに、本発明のレーザにおいて
は、高周波信号印加電極１０６が、レーザの両端面では
なく、両端面からそれぞれＬLD／４だけ離れた位置にあ
り、電極１０６の下部は両側ともレーザ光導波路である
から、１０６に印加された高周波信号による電界の形状
は左右対称となる。従って、従来技術のようにレーザ端
面における高周波の反射、インピーダンスミスマッチン
グの影響を受けることなく、より高い周波数領域におい
ても安定したモード同期動作を実現することが可能であ
る。
置する逆バイアス印加電圧１０７に数Ｖ程度のｐｎ逆バ
イアスを印加すると、その下部の導波路層部分１１５は
光可飽和吸収体として動作し、光可飽和吸収体１１５中
で両方向に伝搬するパルスが衝突する瞬間だけ光の定在
波ができ、この光の定在波の強度は高くなるため、光可
飽和吸収体１１５のシャッター作用は急峻になって光パ
ルスは急峻となる。このとき、部分反射鏡１１３，１１
４の透過率は同じであればレーザは完全に左右対称とな
って、左右に走行する光パルス波形は同じとなって最も
効率良く衝突パルスモード同期動作を実現でき、図２に
説明した装置と同等もしくはより短い光パルスを発生さ
せることができる。さらに、本発明のレーザにおいて
は、高周波信号印加電極１０６が、レーザの両端面では
なく、両端面からそれぞれＬLD／４だけ離れた位置にあ
り、電極１０６の下部は両側ともレーザ光導波路である
から、１０６に印加された高周波信号による電界の形状
は左右対称となる。従って、従来技術のようにレーザ端
面における高周波の反射、インピーダンスミスマッチン
グの影響を受けることなく、より高い周波数領域におい
ても安定したモード同期動作を実現することが可能であ
る。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体レーザの両端面上でなく、両端面からそれぞれ１／
４レーザ長離れた位置にモード同期用高周波印加電極を
配することによって、高周波信号が端面で反射されるこ
となくレーザに印加されるため、高周波においても安定
して衝突パルスモード同期動作を実現することができ
る。
導体レーザの両端面上でなく、両端面からそれぞれ１／
４レーザ長離れた位置にモード同期用高周波印加電極を
配することによって、高周波信号が端面で反射されるこ
となくレーザに印加されるため、高周波においても安定
して衝突パルスモード同期動作を実現することができ
る。
【図１】本発明の実施例を示す図である。
【図２】従来技術の構成図である。
【図３】従来技術の動作を説明する図である。
１０１ ＭＱＷ半導体レーザ １０２，１０３，１０４，１０５ 直流電極 １０６ 高周波印加電極 １０７ 逆バイアス印加電極 １０８，１０９，１１０ 直流電源 １１１ バイアスＴ １１２ 高周波発振器 １１３，１１４ 部分反射鏡
Claims (1)
- 【請求項１】 ファブリーペロー構造を有する多重量子
井戸半導体レーザの共振器中央部分上に設けられ、下部
に設けられた導波路層部分が光可飽和吸収体として機能
するように、逆バイアスを印加する第１電極と、前記レ
ーザ共振器中央部に対して対称に分割配置され、順バイ
アスを印加する複数の第２電極と、前記レーザの両側か
らそれぞれレーザ共振器長の１／４だけ離れた位置に設
けられた第３電極と、該第３電極に高周波信号を印加す
るバイアス手段とを備えたことを特徴とする衝突パルス
モード同期半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15339093A JP3275456B2 (ja) | 1993-06-24 | 1993-06-24 | 衝突パルスモード同期半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15339093A JP3275456B2 (ja) | 1993-06-24 | 1993-06-24 | 衝突パルスモード同期半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0715083A JPH0715083A (ja) | 1995-01-17 |
| JP3275456B2 true JP3275456B2 (ja) | 2002-04-15 |
Family
ID=15561443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15339093A Expired - Lifetime JP3275456B2 (ja) | 1993-06-24 | 1993-06-24 | 衝突パルスモード同期半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3275456B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1118143A1 (en) | 1999-07-07 | 2001-07-25 | Cyoptics Ltd. | Laser wavelength stabilization |
| EP1130718A3 (en) | 2000-01-20 | 2003-07-02 | Cyoptics (Israel) Ltd. | Tunable frequency stabilized fiber grating laser |
| US6862136B2 (en) | 2002-01-31 | 2005-03-01 | Cyoptics Ltd. | Hybrid optical transmitter with electroabsorption modulator and semiconductor optical amplifier |
-
1993
- 1993-06-24 JP JP15339093A patent/JP3275456B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0715083A (ja) | 1995-01-17 |
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