JPS6142358B2 - - Google Patents

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JPS6142358B2
JPS6142358B2 JP56193448A JP19344881A JPS6142358B2 JP S6142358 B2 JPS6142358 B2 JP S6142358B2 JP 56193448 A JP56193448 A JP 56193448A JP 19344881 A JP19344881 A JP 19344881A JP S6142358 B2 JPS6142358 B2 JP S6142358B2
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JP
Japan
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analog
circuit
value detector
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JP56193448A
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Katsuhiro Koga
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Tektronix Japan Ltd
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Sony Tektronix Corp
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C27/00Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values
    • G11C27/02Sample-and-hold arrangements

Landscapes

  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
  • Analogue/Digital Conversion (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は波形記憶装置、特に入力アナログ波形
をデジタル変換して半導体メモリ等の記憶素子に
記憶すると共に必要に応じてCRT等の表示装置
に入力波形を再現表示する装置に関する。
入力信号をデジタル的に記憶する装置はデジタ
ルオシロスコープ、トランジエントレコーダ、デ
ジタルストレージ等種々の名称で呼ばれている
が、従来のオシロスコープ、特に蓄積型CRTを
用いるものに比して任意の長時間蓄積が可能であ
ること、トリガ点以前の現象の記録観測ができる
こと(いわゆるプレトリガ機能)及びマイクロプ
ロセツサ等の演算素子を用いて記憶データの各種
演算が可能であること等の種々の顕著な特徴を有
する。その為に一定の用途には広く使用されてい
る。
これら波形記憶装置は一般に被測定入力信号を
所定クロツク周期でサンプリングし、サンプルを
デジタル変換して記憶素子に記憶する。このサン
プリング動作をトリガ信号の発生と関連付け、例
えばトリガ信号の生起と共に停止することによ
り、希望する入力信号波形を記憶素子内に取込
み、必要に応じてアナログに変換して再生表示で
きる。この形式の波形記憶装置にあつては、上述
したアナログ形式の記憶装置に比して上述した特
徴を有する反面、使用する記憶素子の記憶容量と
入力波形の時間幅とに応じてクロツク周期を選択
する必要があるので、クロツクとクロツクとの間
に存するいかなる現象をも理論上検知し得ないと
いう原理上の欠点を有する。
従来のデジタル波形記憶装置の欠点を除去する
為に、いわゆるエンベロープモードと称される技
術が開発された(米国特許第4271486号又はこれ
に対応する特開昭56−21068号公報参照)。この改
良波形記憶装置の構成及び動作を第1図及び第2
図に基づいて以下に簡単に説明する。
先ず、第2図bに示す如き入力波形がアナログ
入力端子10に印加され、この入力信号をアナロ
グ・デジタル変換器(ADC)12によりサンプ
リングクロツク信号発生器14からのサンプリン
グクロツクパルス(第2図a)制御下でサンプリ
ングし且つ所望ビツト(例えば8ビツト)のデジ
タル信号に変換する。このデジタルデータはバス
16を介してラツチ20及びデジタル比較器18
に印加される。ラツチは夫々前回の最大及び最小
値をラツチしているものとする。サンプルがラツ
チ20の最大値より大きい場合又は最小値より小
さい場合は、制御ロジツク30によりラツチ20
の内容を更新して、記録クロツク信号発生器40
からの記録クロツクパルス(第2図c)で決まる
周期でラツチ20の更新された最大値及び最小値
をアドレスカウンタ42の制御下で波形メモリ4
4へ記憶する。
以上の動作を要約すると、通常のデジタル記憶
装置であれば、入力波形bを記録クロツクパルス
cでサンプリングしデジタル変換して記憶するの
で、第2図dの再現波形となり、入力波形中のグ
リツチ(狭いパルス)P1,P2を捕えることができ
ない。斯るグリツチを捕えるにはサンプリング・
クロツクパルスaの如き高周波パルスを使用する
必要があるが、その場合には記憶メモリの容量が
極めて大きくなり、特に平担部のデジタル変換に
は無駄である。エンベロープモードによると、モ
ード切換スイツチ50により、波形メモリ44中
の最大値のみを先ず順次読出し(アナログ変換し
て)表示し、次に最小値のみを順次読出して表示
するので、第2図eに示す如き波形が表示され、
入力波形は両者の間に存することが判る。よつ
て、入力波形中のグリツチが確実に記録されるこ
ととなる。換言すると、記録クロツクパルスcの
1周期中に、サンプリング・クロツクパルスaで
高速にサンプリングされた時間的に高精度のデー
タを得ることができる。
しかし、上述したエンベロープモードにあつて
は、デジタル比較器18を使用するので、高ビツ
トの場合には特に多数のICを必要とする。更
に、サンプリング・クロツクパルスは極めて高周
波であるので、比較回路にも消費電力の大きい高
速回路(ECL等)を必要とする。それ故に、特
に装置全体を極めて小型のキヤビネツト内に収納
するを要する携帯型であつて、電池駆動型波形記
憶装置には上述したエンベロープ技法を使用する
ことができないという欠点があつた。
従つて、本発明の目的は特に小型化に好適な波
形記憶装置を提供することである。
本発明の他の目的はアナログ技術とデジタル技
術とを効果的に結合した新規なデジタル波形記憶
装置を提供することである。
以下本発明の好適実施例を示す第3図乃至第5
図を参照して、本発明を詳細に説明する。第3図
は、本発明による波形記憶装置の要部を示す回路
図であり各部の動作波形図を第4図に示す。アナ
ログ入力信号が入力端60から直接或は必要に応
じて減衰器/増幅器を介してアナログ最大値検出
器62及びアナログ最小値検出器66に印加され
る。最大値検出器62は演算増幅器63、ダイオ
ード64及びコンデンサ65を含む、他方、最小
値検出器66も同様に演算増幅器67、ダイオー
ド68及びコンデンサ69を含む。両コンデンサ
65−69の非接地端間にリセツト端71からの
リセツトパルス(制御回路73で発生)で駆動さ
れるリセツト用スイツチングトランジスタ70
(スイツチング回路)が接続される。入力信号及
び最大値、最小値検出器の出力は夫々制御回路7
3のMAX、MIN制御パルス制御下で動作するス
イツチング回路又はマルチプレクサ72の固定端
a,b及びcに印加され、可動端dからの出力を
ダイオードブリツジ74a,b,c,d及びコン
デンサ76を含むサンプリング回路75に印加す
る。サンプリング回路75の出力は緩衝増幅器7
8を介してアナログ・デジタル変換器(ADC)
80に印加され、クロツク端81からのクロツク
パルス(制御回路73で発生)により、例えば
20MHzで入力信号をデジタル変換し、出力デー
タをバス82を介して半導体メモリ等の記憶素子
(図示せず)へ伝送する。尚、必要に応じクロツ
クパルス周期は可変し得る。サンプリング回路7
5、緩衝増幅器78及びADC80はデジタル変
換手段を構成する。
サンプリング回路75のサンプリング用ダイオ
ードブリツジ74駆動回路は、トランジタ83、
抵抗84−85及び温度補償用ダイオード86を
含む定電流源と、この定電流源に共通エミツタが
接続されたカレントスイツチ・トランジスタ対8
7−88、このトランジスタ対のベース間に接続
されたダイオード89を含む。トランジスタ88
のコレクタはダイオードブリツジ74のダイオー
ドc−dの接続点とダイオード91及び抵抗92
の分圧回路とに接続される。一方、ダイオードa
−bの接続点は、トランジスタ87のコレクタ
と、抵抗93を介して負電圧源と、更に直列ダイ
オード95,96を介して接地とに接続される。
両ダイオード95,96の中点は抵抗94を介し
て負電圧源に接続される。トランジスタ87のコ
レクタはダイオード95を介してダイオード96
と抵抗94の接続点に接続される。トランジスタ
88のベースには抵抗分圧器97−98から固定
バイアス電圧が印加され、トランジスタ87のベ
ースには抵抗99を介してサンプリング端90か
らサンプリングパルスが印加される。
以下動作を説明する。ノーマルモードの場合に
は、入力信号はピーク検出器62,66を側路し
て直ちにスイツチング回路72の端子aを介して
通常導通状態にあるサンプリング回路75へ印加
される。即ち、カレントスイツチ・トランジスタ
対87,88は、通常トランジスタ87がオン状
態であるので、そのコレクタ電流の一部は抵抗9
3を流れ、その上端電位を上昇し、残りの電流は
ダイオード74a〜dを介して流れてサンプリン
グ回路75をオンに維持している。例えば100PF
であるコンデンサ76とダイオード74a〜dの
オン抵抗を含む信号源抵抗との時定数を選択して
作動周波数帯域を例えば50MHzとする。そこで
コンデンサ76の両端電圧は入力信号に追従す
る。制御回路73から正のサンプリングパルスが
端子90に印加されると、トランジスタ87がオ
フ、88がオンとなる。そこで、ダイオード74
c−dの接続点電位が約0.7V、ダイオード74
a−bの接続点電位が約−1.4Vとなつてサンプ
リングゲートを瞬間的にオフとする。この瞬間の
入力信号レベルがコンデンサ76に保持され、同
時に制御回路73から端子81を介してADC8
0に印加されるデジタル変換命令パルスでこの瞬
時電圧を所望ビツトの対応するデジタルデータに
変換する。このサンプリング及びデジタル変換は
端子81,90のクロツクパルスに応じて以下同
様に反復動作する。通常オン状態のサンプリング
回路の使用により、いわゆるアパーチヤタイムを
生じることなく高速動作が可能になる。
次にエンベロープモードにつき説明する。最大
値検出器62及び最小値検出器66は夫々入力波
形の特定時間の最大値及び最小値を検出してコン
デンサ、65,69にこれらの電圧値を蓄積す
る。即ち、入力信号がコンデンサ65の電圧を超
す限りダイオード64はオンとなりコンデンサ6
5を充電し続け、その値以下に低下するとダイオ
ード64がオフとなりコンデンサ65は最大値
Emaxを常に保持する。同様に最小値検出器66
はダイオード68が逆極性となつているので、コ
ンデンサ69に最小値Eminを保持する。これら
Emax、Eminはスイツチング回路72を介して
順次デジタル変換され波形メモリの所定アドレス
に記憶される。制御回路73がスイツチング回路
72の可動接点dをMAX、MIN命令に応じて接
点b,cに交互に切換える。リセツト端子71に
リセツトパルスが印加すると、トランジスタ70
がオンとなり、両コンデンサ65,69間を短絡
するので、EmaxとEminが等しくなる。即ちリ
セツトパルス印加毎に両コンデンサ65−69の
端子電圧はその時点の入力信号電圧に追従する。
勿論、コンデンサ65,69夫々に独立のリセツ
ト手段を設け、コンデンサの電荷をその都度0に
放電することも可能である。しかし、各サンプリ
ング期間中の入力信号の変化は一般に少ないの
で、リセツト毎に入力電圧とするのが好ましい。
また、このように構成することによりEmax≧
Eminであるので、リセツト回路にはバイポーラ
トランジスタ70が使用でき、回路が極めて簡単
になる。更にまた、独立した2個のリセツト手段
を設ける場合の如く大きな放電々流が流れ、増幅
器63,67の著しい動作不平衡を生ずることも
ない。
第4図を参照してエンベロープモードの動作を
説明する。時刻t0にリセツトパルスAでピーク検
出器のコンデンサ65,69をリセツトする。そ
こで、期間t0−t1中にコンデンサ65は入力信号
Dのこの期間中の最大値Emax1にコンデンサ6
9は最小値Emin1を保持する。時刻t1に制御回
路73がMAX取込みパルスBを発生してEmax1
を取込みサンプリング回路75を介してADC8
0へ送り、ここでEmax1をデジタル変換する
(第4図E)。Emax1の取込みが終了すると、時
点t2でEmin1を同様にデジタル変換する。時点t3
で再びリセツトパルスが発生し、ピーク検出器6
2,66をリセツトして次のサンプリング周期t3
−t7が開始する。この期間中のピーク値Emax
2、Emin2を検出し、以下同様に動作する。サ
ンプリング回路75及びその後段回路の動作はノ
ーマルモード及びエンベロープモード共に略同様
であるが、後者の場合には各区間のEmax Emin
を対として互に隣接したメモリアドレスにストア
するのが好ましい。例えば奇数アドレスにEmax
1,Emax2,……,Emaxnを偶数アドレスに
Emin1,Emin2,……,Eminをストアする。
この場合、順次奇数アドレスを読出し、その出力
を例えばベクトル表示し、次に隅数アドレスを読
出し、その出力をベクトル表示すれば簡単に第2
図eに示す如きエンベロープモードの表示波形が
得られる。また、必要に応じ偶奇アドレスを連続
して読出し、その出力をベクトル表示することも
可能である。
第3図は単に本発明の一実施例を示すのみであ
つて、ピーク検出器、スイツチング回路、サンプ
リング回路等はいずれも周知の他の回路に置換し
ても本発明は実現できる。ピーク検出回路及びス
イツチング回路の他の例、特に集積回路に好適な
実施例を第5図に示す。
入力端60に印加した入力信号はトランジスタ
Q1,Q3,Q4、コンデンサC4、抵抗R1,R2,R3
R4より成る最大値検出回路62′と、トランジス
タQ10,Q12,Q13、コンデンサC13、抵抗R10
R11,R12,R13より成る最小値検出回路66′とに
同時に印加される。更に、この入力信号及び両ピ
ーク検出器62′,66′の出力はトランジスタ
Q20,Q21,Q24,Q30,Q31,Q34,Q40,Q41,Q44
及び抵抗R21〜R25,R30〜R33,R40〜R43より成る
スイツチング回路72′を介して出力端子100
に印加される。抵抗R2,R11の一端は夫々オフセ
ツト端子101,102に接続され、最大値検出
器62′及び最小値検出器66′の出力は夫々
MAX出力端103、MIN出力端104に接続さ
れると共にベースがバイアス抵抗R50,R51及びリ
セツト端71に接続されたリセツト・トランジス
タQ50が接続される。
最大値検出器62′はQ3のベース電圧がQ1のベ
ース電圧、即ち入力信号の正ピーク電圧に追従
し、コンデンサC4を入力電圧の最大値に充電す
るよう動作する。Q1のベース電圧が上昇しよう
とすると、Q1のコレクタ電圧が低下しQ4のコレ
クタ電圧を上昇する。入力電圧が低下するとき
は、Q1がオフとなるので、コンデンサC4はその
正ピーク電圧Emaxを保持する。他方、最小値検
出器66′も同様に動作して、コンデンサC14が入
力信号の負ピーク電圧Eminを保持する。これら
入力信号とピーク検出器の出力信号はスイツチン
グ回路72′に印加され、MAX端子105及び
MIN端子106に印加する制御信号により入力信
号自体、Emax、Eminを出力端100から取出
す。スイツチング回路72′のエミツタ結合トラ
ンジスタQ24,Q34,Q44は択一的に動作する。即
ち、Q24のベースには分圧器R24−R25により固定
バイアスが印加され、通常オン状態である。そこ
で入力信号がエミツタフオロワQ20及びQ21を介
して出力端100に現われる。ここで、Q20
Q21は夫々NPN及びPNPトランジスタであるの
で、VBEが相殺され実質的にレベルシフトを全く
生じないことに留意すべきである。次にMAX制
御端105に正パルスを印加し、Q34のベース電
圧をQ24の固定ベースバイアス電圧以上にすると
Q34がオンとなり、Q24,Q44はオフとなる。そこ
で、EmaxがエミツタフオロワQ30,Q31を介して
出力端100にそのまま現われる。更に、MIN制
御端106に正パルスを印加すると、今度は
EminがエミツタフオロワQ40,Q41を介して出力
端100に現われる。ここで、R220及びR22は各
信号用のエミツタフオロワに共通使用されるの
で、回路構成が著しく簡単になる。これら各トラ
ンジスタとして例えばfTが300MHz以上のもの
を使用すれば、充分高周波の入力信号のピーク検
出器として高速動作可能である。
Q50を含むリセツト回路は、第3図の回路と実
質的に同様に動作する。即ち、リセツトパルスを
リセツト端子71に印加するとQ50がオンとな
り、C4及びC13を夫々電源端子107,108間
に直列接続、換言するとC4,C13を互に並列接続
する。このとき検出器62′,66′は出力端子が
互に短絡され一種のプツシユプル増幅器として動
作するので、各コンデンサを入力電圧に充電して
リセツトする。リセツトパルスを1サンプリング
周期毎に印加することにより、第4図で説明した
通り各周期のEmax、Eminを検出し、後段回路
でデジタル変換及び記憶することができる。
以上の説明から理解できる如く、本発明の波形
記憶装置によると、アナログピーク検出器とデジ
タル変換回路とを効果的に結合し、入力信号を所
望クロツク周期でサンプリングしてデジタル変換
すると共にそのクロツクパルス間のいかなるスパ
イク、ノイズ、グリツチ等のピーク値をも効果的
に検出することができる。換言すれば、前述した
従来装置によるといかに高周波のサンプリングパ
ルスを用いても、その周期間に生起するスパイク
状信号変化を捕えることができないが、本発明装
置にあつてはピーク検出器の動作限界内のいかな
る信号も捕えることができる。更に、デジタル比
較回路を使用しない為に、使用するIC等の個数
が大幅に減少できるので、小型携帯用機器用に極
めて好適である。また、アナログ最大値(ピー
ク)検出器及びアナログ最小値(ピーク)検出器
をリセツトするとき、スイツチング回路によりこ
れら最大値検出器及び最小値検出器の出力端子間
を接続するので、最大値検出器及び最小値検出器
の夫々の増幅器が共動して一種のプツシユプル増
幅器として動作し、各検出器のコンデンサの端子
電圧が入力電圧に追従する。また、リセツト間の
入力信号の変化は一般に小さい。よつて、リセツ
ト後、最大値検出器及び最小値検出器は、入力信
号の最大値及び最小値へ迅速に追従する。また、
アナログ最大値検出器及びアナログ最小値検出器
は夫々増幅器を有しているので、これら検出器の
入力及び出力端間を分離できる。
尚、上述の説明は、本発明の好適実施例につき
行つたが、本発明は何ら斯る実施例のみに限定す
るものではなく、用途に応じて種々の変更変形が
なし得ること当業者には明らかである。例えば、
必要に応じてEmax、Emin用の独立したデジタ
ル変換手段を使用してもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は従来の波形記憶装置の構成
及び動作説明図、第3図及び第4図は本発明によ
る波形記憶装置の構成及び動作説明図、第5図は
第3図の主要部の好適実施例の回路図を示す。 図に於いて、62及び62′はアナログ最大値
検出器、66及び66′はアナログ最小値検出
器、70及びQ50はスイツチング回路、73は
制御回路、80はアナログ・デジタル変換器であ
る。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 増幅器及びコンデンサを有しアナログ入力信
    号の最大値を検出するアナログ最大値検出器と、 増幅器及びコンデンサを有し上記アナログ入力
    信号の最小値を検出するアナログ最小値検出器
    と、 上記アナログ最大値検出器の出力端及び上記ア
    ナログ最小値検出器の出力端間を選択的に接続す
    るスイツチング回路と、 該スイツチング回路のオン及びオフを順次制御
    する制御回路と、 上記スイツチング回路がオフのとき上記アナロ
    グ最大値検出器及びアナログ最小値検出器のアナ
    ログ出力信号をデジタル信号に変換するアナロ
    グ・デジタル変換器と、 該アナログ・デジタル変換器のデジタル出力信
    号を順次記憶する記憶手段とを具えた波形記憶装
    置。
JP56193448A 1981-12-01 1981-12-01 波形記憶装置 Granted JPS5894198A (ja)

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