JPS6141449B2 - - Google Patents

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JPS6141449B2
JPS6141449B2 JP7536978A JP7536978A JPS6141449B2 JP S6141449 B2 JPS6141449 B2 JP S6141449B2 JP 7536978 A JP7536978 A JP 7536978A JP 7536978 A JP7536978 A JP 7536978A JP S6141449 B2 JPS6141449 B2 JP S6141449B2
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JP
Japan
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surface acoustic
acoustic wave
frequency
propagation velocity
substrate
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JP7536978A
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JPS553214A (en
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Hisao Yamauchi
Sakichi Ashida
Takeshi Hazama
Akitsuna Atsuhara
Hiroyuki Takeuchi
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS553214A publication Critical patent/JPS553214A/ja
Publication of JPS6141449B2 publication Critical patent/JPS6141449B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02559Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、弾性表面波を利用した信号処理装置
に関するものである。
従来、弾性表面装置用基板材料としては、
LiNbO3,Bi12GeO20,LiTaO3,水晶等の圧電単
結晶、PZT系圧電セラミツクス、ZnO,AlN等の
圧電薄膜が用いられている。これらの中で、水晶
電気機械結合係数が小さいという欠点があるもの
の、温度安定性に優れるため特に高周波狭帯域素
子用として有用な材料になつている。(例えば、
いわゆるSTカツトと呼ばれる423/4°回転Y板では X軸方向に伝播する弾性表面波の遅延時間温度係
数は零となる)。しかし、最近では弾性表面波を
用いた高周波(300MHz〜1GHz)広帯域(比帯域
〓10%)素子のニーズが増えてきており、この号
目的のために基板材料としてLiTaO3が注目され
ている。LiTaO3は、電気機械結合係数がSTカツ
ト水晶の約7倍大きいため、比較的素子の比帯域
を広くとることができ、かつXカツトの結晶でY
軸からの角度が100゜〜150゜の方向に伝播する弾
性表面波の遅延時間温度係数が20〜30ppm/℃
と比較的小さいとが知られている。
ところが、他の材料についても云えることであ
るが、LiTaO3を高周波で用いる場合、弾性表面
波の励振、受信するために基板表面に設けたいわ
ゆるすだれ状電極の質量負荷効果が無視できなく
なる。質量負荷効果とは、電極による電気的な短
絡効果以外に、電極膜の存在そのものによつて、
弾性表面波の伝播速度が変化を受けるとができ
る。すなわち、高周波では弾性表面波のエネルギ
ーが極端に基板表面付近に集中している(例えば
約1GHzでは基板表面から約4μm以内に集中)
ため、膜を表面にのせることにより伝播特性が大
きな影響を受ける。この質量負荷効果による弾性
表面波の伝播速度の変化は、電極材料およびその
膜厚に依存するのみならず、周波数にも依存す
る。すなわち、伝播速度に周波数分散が生ずるこ
とになり、特に広帯域素子においては大きな障害
を生ずる。しかし、これまでLiTaO3を基板に用
いた場合に、上記周波数分散性が小さくなるよう
な電極材料および膜厚に関しては知られていな
い。
本発明は、前記従来技術の難点を解消し、弾性
表面波の遅延時間温度係数が低く且つその伝播速
度の周波数分散が小さい弾性表面波装置の提供を
目的とするものである。
前記目的を達成するため、本発明による弾性表
面波装置は、実質的にXカツトのタンタル酸リチ
ウム(LiTaO3)を基板とし、弾性表面波を該基板
表面上においてY軸に対して100゜から150゜の間
に所定の角度θの方向に進行させるように電極を
構成し、Al膜を電極とし、且つ該Al膜の膜厚h
と該弾性表面波kとの積hkの値を0.01〜0.2もし
くは0.8〜1.9の範囲にしたものである。
積hkの値は、図面第2図の点1,2,3およ
び4を結ぶ線により囲まれた領域16もしくは点
7,8,9および10を結ぶ線により囲まれた領
域17にあり且つ前記角度θに対応する値である
ことが望ましい。また、積hkの値が図面第2図
の点5および6を結ぶ曲線18上もしくは点11
および8を結ぶ曲線19上にあり前記角度θに対
応する値であるときに最も良好な結果が得られ
る。積hkの値が上記範囲外になると弾性表面波
の伝播速度の周波数分散が大きくなり、周波数が
10%変化したときの伝播速度変動幅が3m/sを
越えるようになり、好ましくない。また、積hk
が0.01以下であると、高周波ではAl膜を極めて薄
くしなければならず実用的でない。なお、波数k
はλを弾性表面波の波長とするとき、k=2π/
λにより示される。
Xカツトのタンタル酸リチウムにおいて、弾性
表面波の進行方向がY軸に対して100゜から150゜
の間にあるように電極を構成したのは、周知のよ
うにこのように構成することにより弾性表面波の
遅延時間温度係数が低い弾性表面波装置を得るこ
とができるからである。
電極膜を構成するAlは純粋のものでもよいこ
とは勿論であるが、不純物あるいは若干量の合金
元素を含有していても差支えない。
本発明の前記構成は、基板に温度特性が有好な
Xカツトタンタル酸リチウム(LiTaO3)を用いた
場合、電極材料にAlを用い、その膜厚を適当に
選ぶことにより弾性表面波の伝播速度の周波数分
散を極めて小さくできるという本願発明者の新規
なる発見に基づくものである。
第1図は、XカツトLTaO3基板において、表
面にAl膜を設けた場合に、Y軸から角度112゜の
方向に伝播する(このとき遅延時間温度係数は極
小値をとる)弾性表面波の伝播速度のAl膜厚依
存性を計算した結果である。横軸はAlの膜厚h
と弾性表面波の波数kの積hkで表わしてある。
弾性表面波の伝播速度v0はhkに大きく依存する
が、hk=0.06,1.3付近でそれぞれ極小、極大値
を示す。すなわち、この二点でdv/d(hk)=0
となり 速度の分散は零になることがわかる。これは、例
えば波数k0(=2π/λ,λ:弾性表面波の中心波 長)を中心とした弾性表面波装置を考える場合、
Alの膜厚hを0.06/h0、あるいは1.3/h0付近に
選ぶことにより、伝播速度の周波数分散性を極め
て小さくできることを示している。電極材料とし
て、他にBe,Cr,Ni,Auについても検討した
が、このような特を示すのはAlだけであつた。
XカツトLiTaO3において、良好な温度特性を
示すのは、前述のように伝播方向がY軸から角度
100゜〜150゜の範囲にある場合である。この範囲
内の伝播方向につき、角度θと、dv/d(hk)=
0とな るhkの値すなわち、伝播速度の周波数分散が零
となるhkの値との関係を第2図において実線1
8で示した。このように、伝播方向のの変化に対
応してhkの値を、0.01〜0.007あるいは、0.98〜
1.63の範囲で適当に選ぶことにより速度の周波数
分散を零にすることができる。
これまで、dv/d(hk)=0となるhkの値につ
いての み述べてきたが、通常の弾性表面波素子において
伝播速度の変動巾が±0.1%以内であれば無視す
ることができる。例えば、比較域10%の素子を考
えると、周波数あるいは波数kが10%変化したと
きに伝播速度の変動巾がほぼ±3m/s以内に入
つていれば実用上差しつかえない。このことは
hk|dv/d(hk)|30m/sであれば良いこと
を示し ている。第2図では、この条件を満たすhkの範
囲を、斜線の領域16および17で示してある。
領域16は点1,2,3および4を順次結ぶ線に
より囲まれた領域であり、領域17は点7,8,
9および10を順次結ぶ線により囲まれた領域で
ある。このように、伝播方向の変化に対応して
Alの膜厚と弾性表面波の波数の積を0.01〜0.2あ
るいは0.8〜1.9の範囲で第2図に従つて適当に選
ぶことにより、速度の分散性を実用上問題ない程
度に小さくすることができる。狭帯域の素子で
は、実用的なhkの範囲をさらに広げることがで
きるが、ここでは比帯域が10%以上の素子を考え
ているので第2図の斜線の領域16,17が実用
的な領域になつている。
さらに、温度特性はあまり良好ではないがYカ
ツトのLiTaO3についても、Al電極で同様な特性
を見出している。例えば、Z方向に伝播する弾性
面波に関しては、hk=0.10および1.65でdv/d(h
k)= 0となる。またhk|dv/d(hk)|30m/sと
なるhk の範囲は0.01〜0.23,140〜1.92であつた。
以上、本発明による弾性表面波装置は弾性表面
波伝播速度の周波数分散が極めて低いという有利
な効果のあることを示したが、上記のように構成
した本発明による弾性表面波装置はAlからなる
電極の膜厚hのばらつきによる伝播速度の変動も
極めて低くすることができることは明らかであ
り、これも製造技術上有利な効果である。
以下、本発明を実施例を参照して詳細に説明す
る。
高周波広帯域素子として、帯域内にくし型の通
過特性をもつフイルタを作成した。基板21には
XカツトLiTaO3を用い、表面に通常のホトリソ
グラフイにより、第3図に示したようなすだれ状
極23,24,25を形成した。弾性表面波22
はY軸から角度112゜の方向に伝播するようにし
てある。すだれ状電極23,24,25は、周期
5μm、交叉巾1mm、対数8対である。すだれ状
極23と24の中心間の距離は3mm、24と25
の中心間の距離xは1.7mmである。このような素
子は、電極23で弾性表面波を励振し、電極24
および25で同時に受信した場合に、帯域内に多
くのくし型の通過特性をもついわゆるくし型フイ
ルタとなる。このとき、くし型のピークの周波数
間隔Δfは で表わされる。ここで、x;電極24と25の間
の距離、N;電極の対数、L;電極の周期、v
f;電極のない場所での弾性表面波の伝播速度、
pff電極下での実効的な弾性表面波の伝播速度
である。この実施例ではx=1.7mm,N=8,L
=5μm,vfpff=3300m/sであるから、
Δfは約2MHzである。このようなくし型フイル
タでは、帯域内にわたつて、Δfが一定であるこ
とが要求される(例えば、これを周波数シンセサ
イザとして用いる場合この要求は非常に厳しくな
る)。
第4図は、電極材料をAlとしたときのくし型
フイルタの特性であり、第4図1)は膜厚hを
0.05μm、第4図2)は0.48μm、第4図3)は
1.1μmとした場合である。膜厚hが0.48μmの
場合(第4図2))には、帯域内で高周波側に近
づくとΔfが順次大きい方にずれていて好ましく
ない。これは、本実施例の素子の中心波数k0(=
2π/L)と膜厚hの積hk0が約0.6となつており、第 1図に示したように伝播速度v0の分散性が大きく
なつているためである。すなわち、電極下での実
効的な伝播速度vpffが大きな周波数分散を示
し、高周波側に向かつて伝播速度が大きくなるた
め、(1)式で表わされるΔfが高周波側で大きい方
にずれるのである。一方、Alの膜厚hが0.05μ
m,1.1μmのとき(第4図1)および第4図
3))は、帯域内でΔfはほぼ一定となつて好ま
しい結果が得られている。これは、hk0がそれぞ
れ約0.06、約1.4となつており、第1図に示した
ようにv0の分散性が非常に小さくなつている(し
たがつてvpffの分散性が小さい)ためである。
なお、第4図において、横軸は周波数f(M
Hz)、縦軸は挿入損失(dB)である。第4図にお
いてΔfL,ΔfM,ΔfHはそれぞれ低周波側、
中心周波数付近、および高周波側における周波数
間隔である。
このように、実験結果は計算結果と良く一致し
ており、XカツトLiTaO3における他の伝播方向
に関しても、第2図に示したhk0の範囲で分散性
の小さい、良好な特性をもつ素子ができることは
明らかである。
以上説明したように、Xカツトのタンタル酸リ
チウム(LiTaO3)を基板とし、Y軸から所定の度
θ(但しθは100゜〜150゜とする)の方向に伝播
する弾性表面波を利用した弾性表面波装置におい
て、電極としてAl膜を用い、かつその膜厚hと
弾性表面波の波数kの積hkを弾性表面波の伝播
方向の変化に対応して、0.01〜0.2あるいは0.8〜
1.9の範囲にすることにより、良好な特を示す高
周波広帯域装置が得られることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
第1図はXカツトのタンタル酸リチウムからな
る基板において、Y軸に対して112゜の方向に伝
播する弾性表面波の伝播速度v0と、hk(Al電極
膜の厚さhと弾性表面波の波数kとの積)との関
係を示すグラフ、第2図はXカツトのタンタル酸
リチウムからなる基板表面上における弾性表面伝
播撰速度の周波数が小さいhkの値を弾性表面波
の進行方向との関連において示したグラフ、第3
図は本発明による弾性表面波装置の一実施例の構
造を示す説明図、第4図1)と第4図3)は本発
明による弾性表面波数装置の実施例におけるくし
型フイルタの特性を示すグラフ、第4図2)は従
来技術によるくし型フイルタの特性を示すグラフ
である。各図において、16および17は実用的
なhkの範囲、18および19は伝播速度の周波
数分散が零になるhkの値、21は基板、23,
24および25はすだれ状電極である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 Xカツトのタンタル酸リチウムを基板とし、
    該基板表面上においてY軸に対して100゜から150
    ゜の間の所定の角度θの方向に伝播する弾性表面
    波を利用した弾性表面波装置において、電極が
    Alからなり、且つ該Al膜の膜厚hと該弾性表面
    波の波数kの値との積hkの値が0.1〜0.2もしくは
    0.8〜1.9の範囲にあることを特徴とする弾性表面
    波装置。
JP7536978A 1978-06-23 1978-06-23 Elastic surface wave device Granted JPS553214A (en)

Priority Applications (1)

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JP7536978A JPS553214A (en) 1978-06-23 1978-06-23 Elastic surface wave device

Applications Claiming Priority (1)

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JP7536978A JPS553214A (en) 1978-06-23 1978-06-23 Elastic surface wave device

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Publication Number Publication Date
JPS553214A JPS553214A (en) 1980-01-11
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ID=13574226

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JP7536978A Granted JPS553214A (en) 1978-06-23 1978-06-23 Elastic surface wave device

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JP (1) JPS553214A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6243656Y2 (ja) * 1985-04-01 1987-11-13
JPS6350071Y2 (ja) * 1986-11-13 1988-12-22

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6243656Y2 (ja) * 1985-04-01 1987-11-13
JPS6350071Y2 (ja) * 1986-11-13 1988-12-22

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