JPS6141141A - 新規共重合体および該共重合体よりなるポジ型レジスト材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は特に半導体素子の製造や種々のフォトマスクの
製造等に用いられるポジ型しジス材料をるポジ型レジス
ト材料に関する。

〔従来の技術〕

近年半導体分野においてはＩＣからＬＳＩそして超ＬＳ
Ｉへと高密度化が要求されており、それに伴って７オＦ
マスクのバター／形成時の最小加工線幅も数ミクロンか
ら１ミクロンへ、そして更にはサブミクロンの領域へと
増々微細化が強く望まれている。しかるに現在の主流で
ある可視光や紫外線に感応するフォトレジストは、その
実質的な加工限界が１ミクロン程度であり、それ以下の
極微細加工にはより短波長の遠紫外線やＸ線、電子線、
γ線、イオンビーム等の高エネルギー放射線に感応する
レジスト材料を用いることが要求される。

レジスト材料には、放射線の照射を受けた部分が分解す
るポジ型と逆に架橋するネガ減の二種類がある。一般に
ポジ型の放射線レジスト、材料は解像力が高いが感度は
やや低く、一方ネガ型の放射線レジスト材料は逆に感度
は高いが解像力が低いという特性を有している。それ故
、微細加工の立場から考えると解像力が最も重要である
ことから、放射線レジスト材料としてはポジ型の方がよ
い。

従来、ポジ型を示す放射線レジスト材料としては、ポリ
メタクリル酸メチルやポリメタクリル酸フルオロアルキ
ル、ポリブテン−１−スルホン、ポリメチルイソプロペ
ニルケトン等が広く利用されている。しかるにこれらの
材料は耐ドライエツチング性が極端に悪く、高密度蝕刻
に不可欠なドライエツチングプロセスが適用し難い等の
欠陥を、有する。

一部、耐ドライエツチング性に優れたポジ型又はネガ型
放射線レジスト材料として、フェニル基やナフタレン基
尋の芳香環を有するレジストが知られている。例えばポ
リα−メチルスチレン、ポリビニルナフタレンは良好な
耐ドライエツチング性を示す。しかるに該材料は一般に
解像力や感度が極端に低いという欠点を有している。

高感度、高解像力であり、且つ耐ドライエツチング性に
優れたポジ型放射線レジスト材料を得るため、前者の高
解像力なレジスト材料に後者の耐ドライエツチング性に
優れた材料を混合する方法も試みられている。例えば４
１ｉ１Ｅ１５７−１６１７４３号には放射線レジスト材
料の耐ドライエツチング　　　　′性を改良する方法と
して、ポジ型に働くレジスト材料にスチレン誘導体を１
〜２５重量％混合させることか開示されている。しかる
に該提案された方法では、耐ドライエツチング性は改良
されるものの、スチレン誘導体の添加量が増大するにつ
れ、解儂、力、感度が極端に低下し実用に供し得ないと
とが当＃特許の発明者自身のその後の研究追試により報
告せられている（　Ｒｅｐｒｉｎｔｅｄ　ｆｒｏｍ　Ｐ
ｏｌｙｍｅｒＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ　ａｎｄ　５ｃｉ
ｅｎｃｅ　ｖｏｌ、２０．　Ａ　１６．　Ｍｉｄ　−Ｎ
ｏｖｅｍｂｅｒ　１９８０．　Ｐ４Ｏ１０〜１０９２）
。

一方、ポジ型レジスト材料の感度を増大させる方法とし
て、ポジ型レジストを構成する骨格モノマ一単位に架橋
反応し得る官能基を導入することが提案されている。該
架橋性ポジ型レジストとしては、たとえばメタクリル酸
エステルと、メタクリル酸とメタクリル酸塩化物とから
なる共重合体（たとえば特公昭５６−５３７３３号）、
メタクリル酸エステルと、メタクリルアミドと酸塩化物
とからなる共重合体（たとえば特公昭５７−４８９３　
）、あるいはポリメチルメタクリルアミド（たとえば、
水松元太部外１名著、感光性高分子、１９７７年１１月
１日発行第２７６頁）などが知られている。しかるにこ
れらの提案されている方法は■架橋密度のコントロール
が困難なばかりか、■所望の架橋密度を得るには通常１
０モル係以上という多量の官能基の導入が強いられたシ
、また■架橋温度も２００℃以上という高温が要求され
る。さらに場合によっては■塩化水素等の腐蝕性のガス
が発生することもある。そのためにこれらの架橋型レジ
ストを電子素子の製造に利用した場合には、高温にさら
される結果や塩化水素を副生ずる結果、この製造途中の
電子素子のうちの製造済みの部分の性能が低下し取扱上
の問題点が指摘されていた。

また架橋密度に粗密のバラツキを生ずる結果、感度上昇
の代償として解像性の低下がみられた。さらにこれらの
レジストは耐ドライエツチング性は非常に低いものばか
シであった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明の目的は感度、解像力と耐ドライエツチング性に
対し共に優れ、且つ取扱上の問題のないポジ型レジスト
に適した共重合体を提供することＫある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明者らの研究によれば、本来高解像力ではあるが耐
ドライエツチング性に劣っているポジ型レジストである
ポリメタクリル酸エステル系重合体にα−メチルスチレ
ン又はその誘導体を共重合させることにより得られる共
重合体はポリメタクリル酸系重合体が保有す不感度およ
び解像力を維持したーままで、場合によってはむしろ向
上した状態で、耐ドライエツチング性が著しく改良され
ることを認め先に特許出願している。本発明においては
更に該共重合体の基本骨格に少割合のＮ−メチロールア
クリルアミド系単位を導入することにより、レジスト材
料としての取扱性の問題を生ずることなく、一層に優れ
た感度を有するレジストが得られることを認め本発明に
至った。

すなわち、本発明は下記の一般式１、ｆｆおよびＩＩＩ
で表わされる構造単位ならびに組成を有する共重合体な
らびに該共重合体よりなるポジ型レジストである。

Ｃ）ｆｇ 本発明にて用いられる前記一般式Ｉで表現されるα−メ
チルスチレン又はその誘導体単位とはα−メチルスチレ
ン単位を基本骨格とし、その芳香環の水素が特定の置換
基で置換された構造体であり、好ましくはその単独重合
体が公知のポジ型レジスト材料として有用な重合体を形
成するものである。核置換基Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３としては
弗素、塩累、臭素、ヨウ素等のバログン基、メチル、エ
チル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、
オクチル等の炭素数８までの低級アルキル基、クロロメ
チル、クロロエチル、ジクロロエチル、トリクロロエチ
ル等の炭素数８までの低級ハロアルキル基、メトキシ、
エトキシ、メトキシ等の炭素数４までの低級アルコキシ
ル基、アセチル、プロピオニル等の炭素数４までの低級
アシル基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミノ、メチル
アミノ、ジメチルアミノ等の炭素数４までの低級アルキ
ルで置換されてもよいアミノ基である。これらの置換基
は複数であってもよい。

好ましい構造単位の一例は次のとおりである。

α位に置換基を有さないスチレンはポジ型レジスト材料
の耐ドライエツチング性を改良はするも′のの、ポリス
チレンが本来、放射線架橋性を有するポリマーであるの
で、スチレンを一成分とする共重合体はポジ製放射線レ
ジスト材料としては解偉力や感度の低下が大きく、使用
に耐えない。

本発明にて用いられる前記一般式■で表現されるアクリ
ル酸誘導体単位とはアクリル酸単位を基本骨格とし、そ
のα位およびカルボン酸の水素が特定の置換基で置換さ
れ九構遺体である０該置換基Ｒ４としては弗素、塩素、
臭素、ヨウ素等のハロゲン基、メチル、エチル、イソプ
ロピル、ｔ−ブチル等の炭素数４までの低級アルキル基
、トリフルオロメチル等の炭素数４までの低級／′−ロ
アルキル基またはシアノ基であり　Ｒ５としてはメチル
、エチル、プロピル、ブチル、オクチル等の炭素数８ま
での低級アルキル基、塩素や弗素等のハロゲンで置換さ
れた炭素数８までの低級ノ１０アルキルモノマ一単位で
示すとメタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタ
クリル酸プロピル、メタクリル酸イソプロピル、メタク
リル酸ブチル、メタル酸トリフルオロエチル、メタクリ
ル酸トリフルオロイソプロピル、メタクリル酸テトラフ
ルオロプロピル、メタクリル酸ペンタフルオロプロピル
、メタクリル酸へキサフルオロブチル、メタクリル酸へ
ブタフルオロブチル、メタクリル酸ノナフルオロヘキシ
ル、等のメタクリル酸フルオロアルキルエステル類、メ
タクリル酸ジクロロエチル、メタクリル酸トリクロロエ
チル、等のメタクリル酸クロロアルキルエステル類、α
−シアンアクリル酸メチル、α−シアノアクリル酸エチ
ル、α−シアノアクリル酸ブチル、α−シアノアクリル
酸トリフルオロエチル、等のα−シアノアクリル酸アル
キルエステル類、α−クロルアクリル酸メチル、α−ク
ロルアクリル酸エチル、α−クロルアクリル１ｌｌＪフ
ルオロエチル、等のα−クロロアクリル酸アルキルエス
テル類、α−トリフルオ９ケクハ　ｌニア７７レキｌレ リル酸メチル等のα−−−−−！リアクリル酸エステル
類が挙げられる。

本発明にて用いられる前記一般式ｍで表現されるＮ−メ
チロール化アクリルアミド誘導体単位とはＮ−メチロー
ル化アクリルアミドを基本骨格とし、そのα位及び窒素
が特定の置換基で置換された構造体である。該置換基Ｒ
６としてはメチル、エチル、プロピル、ブチル等の炭素
数４までの低級アルキル基、塩素、臭素、ヨウ素、弗素
等のハロゲン７基、シアノ基を示し　１７は水素または
メチル、エチル、プロピル、ブチル等の炭素数４までの
低級アルキル基である。好ましい構造単位の一例は次の
とおシである。

ＣＨｓ　　　　　　　　　　　　　　　ＣＲａさＨ３ Ｃ４１（９ Ｃ４Ｈ９α ＋ＣＨ２−Ｃ＋　　　　　　　　　（−ＣＨｚ　−Ｃ−
）−Ｃ０ＮＨＣＨｚＯＨＣ０ＮＨＣ）４２０ＨＮ ÷ＣＨｚ−Ｃ＋ Ｃ０ＮＨＣＨ２０Ｈ 共重合体中の一般式！で示されるα−メチルスチレン又
はその誘導体単位（以下単にα−メチルスチレン単位と
いう）の含有量は一般に３〜９５モルチの範囲である。

α〜メチルスチレン単位の含有量が少ない場合には耐ド
ライエツチング性を十分に上昇させることができなく、
一方α−メチルスチレン単位の含有量が増加するにつれ
耐ドライエツチング性は改良されるものの解像力が低下
する場合がある。共重合体中のα−メチルスチレン単位
の含有量は３〜７０モルチ、特に２０〜５０モルチの範
囲にあることが、感度、解像力、耐ドライエツチング性
が共に優れているのでよい。

共重合体中の一般式四で示されるＮ−メチロール化アク
リルアミド誘導体単位の含有量ｔｌｉｏ、０１〜２０モ
ル慢と小割合であることが必要である。

０．０１モルチ以下では架橋反応しうる官能基の量が不
十分で、十分な三次元化がおこりにくいためかレジスト
の感度が不十分であり、また、逆に２０モルチ以上にな
ると架橋密度が高すぎるためか、放射線照射による低分
子化が行なわれにくくなり、感度は低下する。好ましい
含有量は０．０５〜１０モルチ、特に祉０．１〜５モル
チである。

か７＜シて共重合体中の一般式■で表わされる構造単位
は共重合体中の残余の成分として含有されるが、その割
合は４．９モル％〜９６．９モルチの範囲にあることが
要求される。その存在割合が少なすぎるとレジストとし
ての解像力が劣力、一方多すぎると耐ドライエツチング
性が低下する０好ましい含有量は４５〜８０モルチであ
る。

本発明において、前記一般式Ｉ、Ｉ［およびｍで表わさ
れた構造単位は、共重合体中にそれぞれ一種類のみなら
ず二種類以上有していてもよい。また本発明の共重合体
は、レジストとして使用する場合、それ自身基板への接
着性や進展性がよいが更に向上させたい場合常法に従か
い小量の他の任意の構造単位を導入するととができる。

共重合体の分子量は通常のレジストと同様１０００〜１
，０００，０００の範囲である。分子量が小さすぎると
製膜性が悪いのみならず十分な感度が得られないことが
ある。また分子量が高すぎると合成が置端であるばかり
か同様に製膜性が悪くなる場合がある。好ましい分子量
は１０，０００〜１，０００，０００である。

本発明の共重合体は従来公知の一般的な共重合体の製造
方法を採用することによシ容易に得ることができる。よ
シ容易に得るには界面活性剤とラジカル開始剤の存在下
に相当するモノマ一単位の所定量を用いて乳化重合法に
より共重合体を製造することができる０また。メチロー
ル基を有しない下記一般式■′で表わされるメタクリル
アミド等のモノマーから相当する共重合体を形成し、該
メタクリルアミド構造単位の一部又は全部を常法により
Ｎ−メチロール化をすることによυ本発明の共重合体を
製造することもできる。

■’　　　ＣＨｘ＝Ｃ−ＣＯＮＲ’Ｈ（ここで１６．１
７は前記と同じ）本発明の共重合体は種々の溶剤への溶
解性がよくまた比較的低温にても架橋反応が再現性よく
進行するので、従来公知のポジ型レジストの使用法に準
じてレジストとして好適に利用される。以下、レジスト
としての利用例について述べる。

本発明の共重合体は常法によりトルエン、キシレン等、
の適当な溶剤に溶解されて基板に塗布され、レジスト膜
を形成する。レジスト膜の熱処理は通常１２０〜２００
°Ｃ（好ましくは、１７０〜１９０℃）で行なわれ、こ
れによシレジスト膜には三次元網目構造が形成される。

かかる網目構造は熱処理の際メチロール基とメチロール
基の間から水ま九は水とホルムアルデヒドが脱離したシ
、メチロール基とアミド基の間から水が脱離する縮合反
応が起こって、架橋することにより形成されるものと思
われる。本発明の共重合体は上述のように架橋単位が少
ないにかかわらず２００℃以下の比較的低温の熱処理で
レジスト膜に架橋の導入が可能であるという特長を有す
る。

架橋によシ網目構造が形成されたレジスト膜に放射線が
照射されることによってパターン描画が行なわれ、つい
でこの照射を受けた部分を適当な溶剤で除去することに
よシ現儂処理が行なわれる。

上記レジスト膜は少ない照射量でも十分麿切断反応が起
こって、容易に低分子化される。なお、本する方法はビ
ーム形を走査する直接パターン描画法、或は所望のパタ
ーンを有するマスクを介在させる間接パターン描画法の
いずれも採用可能である。現像も理された基板は次いで
ポストベーク後ドライエツチングによる基板の高密度蝕
刻や金属蒸着等を行なうことＫよりポジ型レジストとし
て利用される。ドライエツチングはＣα４やＣＦ４等や
これらに５〜１０チの酸素若しくは水素を混合した気体
によるプラズマエツチングや反芯性イオンエツチングに
よって行なわれるが、アンダーカットを生じさせないた
めには反応性イオンエツチングがよい。

以上述べた本発明の共重合体を用いるパターン形成方法
によれば、Ｎ−メチロール基を有する架橋性モノマ一単
位を含む共重合体をポジ蓋レジストとして用いることに
より、レジスト膜の熱処理温度を２００℃以下にするこ
とが可能となり（この温度社現在使用されているＰＭＭ
Ａのプリベーク温度とほぼ同じである）、また、熱処理
時に腐食性の塩化水素などの有害物の副生がないという
効果がある。そして、本発明の共重合体で捻、架橋反応
ははぼ定量的に進行するので、架橋単位の含有量は少量
でよい。また、共重合体の鎖長江応じて架橋密度を所望
にコントロールすることも可能であるために、かかる共
重合体を用いることにより、高感度、高解像性でかつ現
像条件の変動の影響が少いという架橋性ポジ型しジスト
本米の特徴が初めて十二分に発揮される。さらに、共重
合体中のＮ−（ヒドロキシメチル）−アミド基の存在は
レジスト膜と基板との密着性を向上させる働きもある。

また共重合体中の一般式Ｉで示される構造単位は感度や
解像力を低下させることがなく、むしろ向上させ、さら
に耐ドライエツチング性を飛躍的に増大させる作用を有
する。従って、かかる共重合体をポジ型レジストとして
用いるパターン形成方法は非常に優れたものとなる。

〔実施例〕

以下に実施例により本発明を更に詳細に説明する０ 共重合体の合成例 実施例１ 水６００−１α−メチルスチレンｘｔｓｒ（ｘ、。

モル）、メチルメタクリレ−）１００ｆ（１，０モル）
、Ｎ−メチルロールメタクリルアミド４．６２（０，０
４モル）、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム２．
２ｔからなる系を窒素下８０℃に加熱し、これにベルオ
キソニ硫酸カリウム０．４４ｔを添加し攪拌しながら２
０時間反応させた。反応終了後塩化す）　ＩＪウムで塩
析して得られた生成物を水およびメタノールで洗浄する
ことによりｓｏｓの収率で白色重合体Ｉを得た。該白色
重合体ｌはテトラハイドロフランに完全に溶解し、アセ
トニトリルやシクロヘキサンでの抽出に対しては全く抽
出物がなく、該重合体■のテトラハイドロフラン溶液か
らガラス基板上に製膜したものを１９０℃で２０分間熱
処理すると膜は完全に有機溶媒不溶となった。また該重
合体ｌの赤外線吸収スペクトルは７ＱＱｍ−”にα−メ
チルスチレン単位のフェニル、１７２５ｆｆｉ　　にメ
チルメタクリレート単位のエステル結−合しているカル
ボニルおよび１６４０３にＮ−メチロールメタクリルア
ミド単位のアぐドに結合したカルボニルの吸収が認めら
れた。また該重合体■の分子量はポリスチレンを基準と
するゲルパーミエイションクロマトグラフイー（ＧＰＣ
と略称する）測定によシ重量平均分子量（Ｍｗ）が２４
８．０００、Ｍｗ／Ｍｎ　（数平均分子量）が５，６で
あり、窒素下で１０°Ｃ／分の昇温速度の条件で示差走
査型熱量計（ｐｓｃと略す）により測定した結果１７１
℃にＴりに基づくと思われる吸熱ピークの開始点が認め
られ、さらに昇温すると約３００℃で重合体の分解が始
まった。９上の事実より該重合体はα−メチルスチレン
（ＭＳと略す）、メチルメタクリレート（ＭＭＡと略す
）、Ｎ−メチロールメタクリルアミド（ＭＭＡｍと略す
）の３元ランダム共重合体であることが確認された。該
共重合体の元素分析値及びケルプール法による窒素元素
分析値より算出した共重合体組成比（モル比）はＭＳ／
ＭＭＡ／ＭＭＡｍ＝３８．０／６１．６１０．４であっ
た。

実施例２〜５ 単量体仕込み組成および反応時間を第１表のとおり変化
させた以外は実施例１の方法と全く同様にして反応を行
ない共重合体を得た。該共重合体は実施例１と全く同様
な方法で洗浄後溶解試験、抽出試験、加熱架橋試験、赤
外吸収スペクトル測定等を実施し三元共重体であること
が確認された。

分析結果を併せて第１表に示した。

実施例６ 水６００　ｗ／、ａ　−メｆルスチ＋ｚｙ　１１８　ｔ
　（１，０モル）、メチルメタクリレート１００Ｆ（１
，０モル）、メタクリルアミド（ＭＡｍと略す）８．５
Ｆ（０，１モル）、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリ
ウム２．２２からなる系を窒素下８０℃に加熱し、これ
にベルオキソニ硫酸カリウム０．４４２を添加し攪拌し
ながら２０時間反応させた。反応終了後塩化ナトリウム
で塩析して得られた生成物を水およびメタノールで洗浄
することにより７８壬の収率で白色１合体■を得た。該
白色重合体■をテトラハイドロフランに溶解させ、窒素
下９０℃にて無水マレイン酸０．２４Ｍ、ホルムアルデ
ヒドを１９．５重量％含有するｎ−ブタノール溶液６１
．６Ｖを加え、還流下で５時間加熱反応後放冷し反応混
合物をメタノール中に注いて再沈殿させることにより白
色重合体■を得た。該白色重合体■はテトラハイドロフ
ランに完全に溶解し、アセトニトリルやシクロヘキサン
での抽出に対しては全く抽出物がなく、該重合体■のテ
トラハイドロフラン溶液からガラス基板上に製膜したも
のを１９０℃で２０分間熱処理すると膜は完全に有機溶
媒不溶となった。また該重合体■の赤外線吸収スペクト
ルは７００ｃｍ−１にα−メチルスチレン単位のフェニ
ルｓ　　１７２５ｔｍ’にメチルメタクリレート単位の
エステル結合しているカルボニルおよび１６４　Ｑｍに
Ｎ−メチロールメタクリルアミド単位のアミドに結合し
たカルボニルの吸収が認められた。また該重合体の分子
量はＧＰＣ測定によりＭｗが２５０．０００、Ｍｗ／Ｍ
ｎが５．６であり、窒素下で１０℃／分の昇温速度での
ＤＳＣ測定の結果１７０℃にＴｔに基づくと思われる吸
熱ピークの開始点が認められ、さらに昇温すると約３０
０℃で重合体の分解が始葦った。該重合体■の元素分析
値及びケルプール法による窒素元素分析値よシ算出した
共重合体組成比（モル比）　ｔａ　ＭＳ　／ＭＭＡ　／
ｌＶｉＭＡｍ　／　ＭＡｍ＝３８．０１５９．０／２．
８１０．２であり高分子反応によるＭＡｍ単位へのメチ
ロール基の導入率は約９３チであった。

レジストとしての使用例 実施例７ 実施例１〜６で得られた３元又は４元共重合体をテトラ
ヒドロフランに溶解後ヘキサンを添加することにより分
別沈殿しレジスト材料とした０該レジスト材料を３俤ト
ルエン溶液とし、これをスピンコードによってガラス基
板上に約４００ＯＡ厚に製膜した。これを１９０℃で２
０分間プリベーク後電子線（加速電圧４ＫＶ、電流密度
４Ｘ１０　’Ａ／ｄ）を照射し、第２表に示される現像
条件で現像することにより感度及びコントラスト（γ値
）を求めた。次いで酸素プラズマ（１３，５６ＭＨｚ　
。

３３０Ｗ）によるドライエツチングを行ない、レジスト
膜厚の減少速度を測定し、ポリメチルメタクリレ−）（
ＰＭＭＡ）を基準に相対エツチング速度を求めた。結果
を第２表に示した。比較のために常法によシ作展したα
−メチルスチレンとメチルメタクリレートの共重合体及
び公知の種々のレジストを用いた以外は上記と同様にし
てレジストの特性を求め結果を併せて表２に記載した。

なお、これらの比較のためのレジストは現像をナト２ノ
・イドロフランで行なうと、未照射部分の溶出によるパ
ターンくずれが著しく、レジスト特性の評価は不可能で
あった。

実施例８ Ｎ−メチロールメタクリルアミドの配合量を種々変化さ
せた以外は実施例１に準じて種々の組成の共重合体を製
造し、実施例７に準じてレジスト特性を求め結果を第３
表に示した。なお、この例では現像はテトラハイドロフ
ランヲ用い２５℃、９０秒で行なわれた。

第　　３　　表

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記の一般式 I 、IIおよびIIIで表わされる構造
   単位ならびに組成を有するランダム共重合体。 I ▲数式、化学式、表等があります▼３〜９５モル％ （ここでＲ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３は水素、ハロゲン、低
   級アルキル基、低級ハロアルキル基、低級アルコキシ基
   、低級アシル基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基
   、低級アルキルアミノ基から選択される同一又は異なる
   置基である。） II▲数式、化学式、表等があります▼９６．９〜４．９
   モル％ （ここでＲ＾４は低級アルキル基、低級ハロアルキル、
   ハロゲンまたはシアノ基であり、Ｒ＾５は低級アルキル
   基、低級ハロアルキル基、アリール基、アラルキル基で
   ある。） III▲数式、化学式、表等があります▼０．０１〜２０
   モル％ （ここでＲ＾６は低級アルキル基、ハロゲンまたはシア
   ノ基であり、Ｒ＾７は水素または低級アルキル基である
   。）
2. （２）下記の一般式 I 、IIおよびIIIで表わされる構造
   単位ならびに組成を有するランダム共重合体よりなるポ
   ジ形レジスト材料。 I ▲数式、化学式、表等があります▼３〜９５モル％ （ここでＲ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３は水素、ハロゲン、低
   級アルキル基、低級ハロアルキル基、低級アルコキシ基
   、低級アシル基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基
   、低級アルキルアミノ基から選択される同一又は異なる
   置換基である。） II▲数式、化学式、表等があります▼９６．９〜４．９
   モル％ （ここでＲ＾４は低級アルキル基、低級ハロアルキル、
   ハロゲンまたはシアノ基であり、Ｒ＾５は低級アルキル
   基、低級ハロアルキル基、アリール基、アラルキル基で
   ある。） III▲数式、化学式、表等があります▼０．０１〜２０
   モル％ （ここでＲ＾６は低級アルキル基、ハロゲンまたはシア
   ノ基であり、Ｒ＾７は水素または低級アルキル基である
   。）