JPS6137966A - 薄膜製造装置 - Google Patents
薄膜製造装置Info
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- JPS6137966A JPS6137966A JP15992184A JP15992184A JPS6137966A JP S6137966 A JPS6137966 A JP S6137966A JP 15992184 A JP15992184 A JP 15992184A JP 15992184 A JP15992184 A JP 15992184A JP S6137966 A JPS6137966 A JP S6137966A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- electrode
- thin film
- vacuum chamber
- partition wall
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、カソードと、これに対向する電極とを備え、
活性もしくは不活性ガスのグロー放電分解を利用して薄
膜の製造を行う薄膜製造装置に関し、特にこの種の装置
において、製造される薄膜の膜質の向上および信頼性の
向上を図った薄膜製造装置に関するものである。
活性もしくは不活性ガスのグロー放電分解を利用して薄
膜の製造を行う薄膜製造装置に関し、特にこの種の装置
において、製造される薄膜の膜質の向上および信頼性の
向上を図った薄膜製造装置に関するものである。
［従来技術］
第１図は従来の同軸型電極構造を有するプラズマＣＶＤ
薄膜製造装置の垂直断面図である。このプラズマＣＶＤ
薄膜製造装置は、活性反応ガスをグロー放電分解し、薄
膜を製造する。
薄膜製造装置の垂直断面図である。このプラズマＣＶＤ
薄膜製造装置は、活性反応ガスをグロー放電分解し、薄
膜を製造する。
第１図において、１４は真空槽であって、その底部には
排気口１２を有する。真空槽１４の底壁１６には貫通孔
ｌｅａが形成され、この貫通孔１６ａに、環状支柱１３
が固定されている。底壁１６のＬ面には、貫通孔１６ａ
を囲むように、環状の絶縁物１０が設けられ、この絶縁
物１０上に座板８を介して貫通孔ｌｅａと同軸上になる
ように、筒状容器構造を持つカソード７が固定されてい
る。５は真空槽１４内に配置された全体として筒状フー
ド構造をした電極であって、その周壁部分４がカン−ド
アと同軸上になるように且つこれと対向するように図示
しない適当な支持手段に支持されている。
排気口１２を有する。真空槽１４の底壁１６には貫通孔
ｌｅａが形成され、この貫通孔１６ａに、環状支柱１３
が固定されている。底壁１６のＬ面には、貫通孔１６ａ
を囲むように、環状の絶縁物１０が設けられ、この絶縁
物１０上に座板８を介して貫通孔ｌｅａと同軸上になる
ように、筒状容器構造を持つカソード７が固定されてい
る。５は真空槽１４内に配置された全体として筒状フー
ド構造をした電極であって、その周壁部分４がカン−ド
アと同軸上になるように且つこれと対向するように図示
しない適当な支持手段に支持されている。
電極５の周壁の内側には薄膜を生成すべき試料６が固定
されている。４は電極５の外側にこれと同軸上になるよ
うに配置された環状のヒータ、３はヒータ４の外側にこ
れと同軸上になるように配置した環状の反射板であり、
これらヒータ４および反射板３は、真空槽１４０周壁の
内側下部に取り付けたフランジ９に固定されている。
されている。４は電極５の外側にこれと同軸上になるよ
うに配置された環状のヒータ、３はヒータ４の外側にこ
れと同軸上になるように配置した環状の反射板であり、
これらヒータ４および反射板３は、真空槽１４０周壁の
内側下部に取り付けたフランジ９に固定されている。
カソード７には、これに高周波電力を供給するための電
源系１７が環状支柱１３内および貫通孔ｌｅａ内を通っ
た導電部材１７ａを介して接続されている。またカソ二
ド７には図示しないが活性反応ガスを試料６に向って噴
出するための複数個の孔がその周壁に形成されており、
パイプ１８ａを介して反応ガス系１８からの活性反応ガ
スかカソード７の内側に供給されその周壁に形成された
孔から活性反応ガスが真空槽１４内に噴出する。
源系１７が環状支柱１３内および貫通孔ｌｅａ内を通っ
た導電部材１７ａを介して接続されている。またカソ二
ド７には図示しないが活性反応ガスを試料６に向って噴
出するための複数個の孔がその周壁に形成されており、
パイプ１８ａを介して反応ガス系１８からの活性反応ガ
スかカソード７の内側に供給されその周壁に形成された
孔から活性反応ガスが真空槽１４内に噴出する。
電極５は絶縁物１１を介して真空槽１４の天井壁１を貫
通した導電部材１８によってアースされる。排気口１２
には排気系２０が接続され、この排気系２０によって真
空槽１４内の空気または反応ガスが排気される。
通した導電部材１８によってアースされる。排気口１２
には排気系２０が接続され、この排気系２０によって真
空槽１４内の空気または反応ガスが排気される。
このような装着においては、排気系２０によって真空槽
１４内を高真空状態にし、反応ガス系１８からの活性反
応ガスをカン−ドアと電極５との間の空間に供給すると
共に、カソード７に電源系１７からの高周波電力を供給
して、グロー放電を発生させ、試料６」二に薄膜を堆積
させる。
１４内を高真空状態にし、反応ガス系１８からの活性反
応ガスをカン−ドアと電極５との間の空間に供給すると
共に、カソード７に電源系１７からの高周波電力を供給
して、グロー放電を発生させ、試料６」二に薄膜を堆積
させる。
しかしながら、このような構造の装置においては、排気
口１２が真空槽１４内に直接的に開口している。そのた
め排気系２０による粗引時には、その吸い込み圧が緩衝
されず、真空槽１４内にゴミが舞い上りやすく、またグ
ロー放電時には、生じたガスプラズマ中のラジカル種が
排気口１２の近傍に引き寄せられ易く、プラズマの状態
が不安定、不均一となる。これらの要因により、試料ｅ
上に堆積生成される薄ＨりのＶ厚分布が不均一となり、
その特性の向上が図れなくなるという問題がある。
口１２が真空槽１４内に直接的に開口している。そのた
め排気系２０による粗引時には、その吸い込み圧が緩衝
されず、真空槽１４内にゴミが舞い上りやすく、またグ
ロー放電時には、生じたガスプラズマ中のラジカル種が
排気口１２の近傍に引き寄せられ易く、プラズマの状態
が不安定、不均一となる。これらの要因により、試料ｅ
上に堆積生成される薄ＨりのＶ厚分布が不均一となり、
その特性の向上が図れなくなるという問題がある。
なお第３図は平行平板型電極構造を有する従来のプラズ
マＣＶＤ薄膜製造装置の垂直断面図である。このような
構造を持つ装置においても上記と同様な問題か生ずる。
マＣＶＤ薄膜製造装置の垂直断面図である。このような
構造を持つ装置においても上記と同様な問題か生ずる。
第３図において、６０は真空槽、６１は真空槽６０の下
部に設けられた排気口、θ２はその平板部分が真空槽６
０の内側の底部部分に位置するように真空槽６０の底壁
６３に絶縁物６４を介して固定されたカソード、６５は
その平板部分がカソード６２の平板部分と平行になるよ
うに対向し、その支持部分が絶縁物８Ｇを介して真空槽
６０の天井壁７４を貫通して外部に導き出され、アース
された電極である。電極８５の下側には試料７５が取付
けられる６６７は電ａｉＢ５の平板部分の上側に配置さ
れたヒータ、８８はヒータθ７の上側に配置された反射
板である。８８は電源系であって、導電部材７０を介し
てカソード６２に高周波電力を供給する。７１は反応ガ
ス系であって、パイプ７２を介して活性反応ガスを真空
槽８０内に供給する。７３は排気系であって、排気ＩＤ
８１から真空槽６゜内の空気または反応ガスを排気する
。
部に設けられた排気口、θ２はその平板部分が真空槽６
０の内側の底部部分に位置するように真空槽６０の底壁
６３に絶縁物６４を介して固定されたカソード、６５は
その平板部分がカソード６２の平板部分と平行になるよ
うに対向し、その支持部分が絶縁物８Ｇを介して真空槽
６０の天井壁７４を貫通して外部に導き出され、アース
された電極である。電極８５の下側には試料７５が取付
けられる６６７は電ａｉＢ５の平板部分の上側に配置さ
れたヒータ、８８はヒータθ７の上側に配置された反射
板である。８８は電源系であって、導電部材７０を介し
てカソード６２に高周波電力を供給する。７１は反応ガ
ス系であって、パイプ７２を介して活性反応ガスを真空
槽８０内に供給する。７３は排気系であって、排気ＩＤ
８１から真空槽６゜内の空気または反応ガスを排気する
。
［目的］
したがって、本発明の目的は、上述のような問題を解消
し、製造される薄膜の特性と、膜厚分布の均一性を向上
させることができる薄膜製造装置を提供することにある
。
し、製造される薄膜の特性と、膜厚分布の均一性を向上
させることができる薄膜製造装置を提供することにある
。
上記目的を達成するために、本発明は、真空槽の内側に
さらにカソードおよびこれに対向した電極を囲むように
隔壁を設けて二重壁構造とし、この隔壁に複数個の排気
用孔を設け、この隔壁の全体から均一に排気できるよう
にして、真空槽内のガス分布の偏りや、粗引時のゴミの
舞い上りを防止し、安定且つ一様な排気状態を得るよう
にしたものである。
さらにカソードおよびこれに対向した電極を囲むように
隔壁を設けて二重壁構造とし、この隔壁に複数個の排気
用孔を設け、この隔壁の全体から均一に排気できるよう
にして、真空槽内のガス分布の偏りや、粗引時のゴミの
舞い上りを防止し、安定且つ一様な排気状態を得るよう
にしたものである。
［実施例］
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明に係る同軸型構造を有するプラズマＣＶ
Ｄ薄膜製造装置の一実施例を示す垂直断面図である。２
１は真空槽であって、その底部部分には排気口２２が形
成されている。真空槽２１の底壁２３には貫通孔２３ａ
が形成され、この貫通孔２３ａには環状支柱２４が固定
されている。底壁２３の上面には、貫通孔２３ａを囲む
ように環状の絶縁支持部材２５が固定され、この絶縁支
持部材２５上にはフランジ２６が固定され、このフラン
ジ２８上には、環状の絶縁物２７を介してカソード座板
２８が固定され、この方ソード座板２８上には、貫通孔
２３ａと同軸上になるように筒状容器構造を持つカソー
ド２９が固定されている。３０は全体として筒状フード
構造をした電極であって、その周壁部分はカソード２８
と同軸上になるように且つこれと対向するように配置さ
れている。この電極３０は適当な支持手段に支持されて
いる。
Ｄ薄膜製造装置の一実施例を示す垂直断面図である。２
１は真空槽であって、その底部部分には排気口２２が形
成されている。真空槽２１の底壁２３には貫通孔２３ａ
が形成され、この貫通孔２３ａには環状支柱２４が固定
されている。底壁２３の上面には、貫通孔２３ａを囲む
ように環状の絶縁支持部材２５が固定され、この絶縁支
持部材２５上にはフランジ２６が固定され、このフラン
ジ２８上には、環状の絶縁物２７を介してカソード座板
２８が固定され、この方ソード座板２８上には、貫通孔
２３ａと同軸上になるように筒状容器構造を持つカソー
ド２９が固定されている。３０は全体として筒状フード
構造をした電極であって、その周壁部分はカソード２８
と同軸上になるように且つこれと対向するように配置さ
れている。この電極３０は適当な支持手段に支持されて
いる。
電極３０の周壁部分の外側にはこれを囲むように且つこ
れと同軸上になるように環状のヒータ３１が配置され、
ヒータ３１の外側にはこれを囲むように且つこれと同軸
上に位置するように環状の反射板３２が配置されている
。これらヒータ３１および反射板３２はフランジ２６に
固定されている。
れと同軸上になるように環状のヒータ３１が配置され、
ヒータ３１の外側にはこれを囲むように且つこれと同軸
上に位置するように環状の反射板３２が配置されている
。これらヒータ３１および反射板３２はフランジ２６に
固定されている。
さらに反射板３２の外側にはカソード２８．電極３０、
ビーフ３１１反射板３２を囲むように、環状の隔壁３３
が配置されている。隔壁３３の上端は真空槽２１の１一
端部分および下端はフランジの最外周部分に各々固定さ
れている。従ってこの隔壁３３と真空槽２１の周壁３４
とによって二重壁構造が形成される。
ビーフ３１１反射板３２を囲むように、環状の隔壁３３
が配置されている。隔壁３３の上端は真空槽２１の１一
端部分および下端はフランジの最外周部分に各々固定さ
れている。従ってこの隔壁３３と真空槽２１の周壁３４
とによって二重壁構造が形成される。
隔壁３３には、その周方向および軸方向に沿って各々複
数個の貫通孔３３ａが形成されている。
数個の貫通孔３３ａが形成されている。
カソード２８には、貫通孔２３ａ内および環状支柱２４
内を通った導線部材３５ａを介して電源系３５からの高
周波電力が供給される。またカソード２９には図示しな
いが活性反応ガスを噴出するための複数個の孔がその周
壁の全体に亘って形成されており、パイプ３８ａを介し
て反応ガス系３６からの活性反応ガスがカソード２８内
に供給され、その周壁に形成された複数個の孔から電極
３０の周壁部分の内側に固定された試料３７に向って活
性反応ガスが噴出される。
内を通った導線部材３５ａを介して電源系３５からの高
周波電力が供給される。またカソード２９には図示しな
いが活性反応ガスを噴出するための複数個の孔がその周
壁の全体に亘って形成されており、パイプ３８ａを介し
て反応ガス系３６からの活性反応ガスがカソード２８内
に供給され、その周壁に形成された複数個の孔から電極
３０の周壁部分の内側に固定された試料３７に向って活
性反応ガスが噴出される。
電極３０は絶縁物３８を介して真空槽２１の天井壁４０
を貫通した導電部材３８によってアースされる。排気口
２２は排気系４１に接続されている。
を貫通した導電部材３８によってアースされる。排気口
２２は排気系４１に接続されている。
以上のような構成において、真空槽２１内を排気系４１
によって排気する際に、隔壁３３内に充満している空気
または反応ガスは、隔壁３３の全体に形成した貫通孔３
３ａ中を一旦通ってから隔壁３３と周壁３４との間の空
間に吸い出され、この空間から真空槽２１内の底部部分
を通って排気口２２に至り排気系４１に排気される。
によって排気する際に、隔壁３３内に充満している空気
または反応ガスは、隔壁３３の全体に形成した貫通孔３
３ａ中を一旦通ってから隔壁３３と周壁３４との間の空
間に吸い出され、この空間から真空槽２１内の底部部分
を通って排気口２２に至り排気系４１に排気される。
このように実質的に真空槽２１内に充満している隔壁３
３内の空気または反応ガスは環状の隔壁３３の周囲全体
に形成された複数個の貫通孔３３ａ内を通って隔壁３３
の周囲全体から均一に排気されるので、真空槽２１内の
反応ガス分布を均一にし、また粗引時のゴミの舞い上り
を防止し、安定且つ一様に空気または反応ガスを排気す
ることができる。
３内の空気または反応ガスは環状の隔壁３３の周囲全体
に形成された複数個の貫通孔３３ａ内を通って隔壁３３
の周囲全体から均一に排気されるので、真空槽２１内の
反応ガス分布を均一にし、また粗引時のゴミの舞い上り
を防止し、安定且つ一様に空気または反応ガスを排気す
ることができる。
なお、第２図に示した装置のｘ−ｘ断面を第５図に示し
、同じ＜ Ｙ−Ｙ断面を第６図に示した。
、同じ＜ Ｙ−Ｙ断面を第６図に示した。
第４図は本発明に係る薄膜製造装置の他の実施例を示す
垂直断面図であって、この装置は平行平板型電極構造を
有するプラズマＣｖＤ薄膜製造装置である。第４図にお
いて４０は真空槽であって、その下部部分に排気口４１
を有する。４２はその平板部分が真空槽４０内下部に位
置するように真空槽４０の底壁４３に絶縁物４４を介し
て固定されたカソードである。４５は隔壁であって、カ
ソード４２の外側に位置するようにその下端が底壁４３
に固定された環状部分４Ｂとこの環状部分４Ｂの上端に
環状の絶縁物４７を介して固定された天井壁部分４８と
を有する。
垂直断面図であって、この装置は平行平板型電極構造を
有するプラズマＣｖＤ薄膜製造装置である。第４図にお
いて４０は真空槽であって、その下部部分に排気口４１
を有する。４２はその平板部分が真空槽４０内下部に位
置するように真空槽４０の底壁４３に絶縁物４４を介し
て固定されたカソードである。４５は隔壁であって、カ
ソード４２の外側に位置するようにその下端が底壁４３
に固定された環状部分４Ｂとこの環状部分４Ｂの上端に
環状の絶縁物４７を介して固定された天井壁部分４８と
を有する。
４８は電極であって、その平板部分が隔壁４５内におい
てカソード４２と平行に対向するように配置され、この
平板部分を支持する支持部分が絶縁物５０および５１を
介して天井壁部分４８および真空槽の天井壁５２を貫通
して外部に導き出されアースされている。
てカソード４２と平行に対向するように配置され、この
平板部分を支持する支持部分が絶縁物５０および５１を
介して天井壁部分４８および真空槽の天井壁５２を貫通
して外部に導き出されアースされている。
５３はヒータであって、電極４８の平板部分の上側に近
接して配置されている。５４は反射板であって、ヒータ
５３の上側に近接して配置されている。
接して配置されている。５４は反射板であって、ヒータ
５３の上側に近接して配置されている。
これらヒータ５３および反射板５４は図示しない適当な
支持手段に支持されている。電極４８の下側には試料５
５が取り付けられる。
支持手段に支持されている。電極４８の下側には試料５
５が取り付けられる。
カソード４２には導電部材５ｆｌａを介して電源系５６
からの高周波電力が供給される。隔壁４５内には底壁４
３に連通したパイプ５７ａを介して反応ガス系５７から
の活性反応ガスが供給される。排気口４１には排気系５
８が接続される。天井壁部分４８にはその全体に亘って
複数個の貫通孔４８ａが形成される。
からの高周波電力が供給される。隔壁４５内には底壁４
３に連通したパイプ５７ａを介して反応ガス系５７から
の活性反応ガスが供給される。排気口４１には排気系５
８が接続される。天井壁部分４８にはその全体に亘って
複数個の貫通孔４８ａが形成される。
以上のような構成によっても排気系５８によって隔壁４
５内に充満した空気または反応ガスを排気する際には、
隔壁４５の天井壁部分４８の全体に亘って形成した複数
個の貫通孔４８ａをいったん通ってから排気系５８に排
気される。従って隔壁４５内の反応ガス分布の偏りや粗
引時のゴミの舞い上りを防止し、安定且つ一様に空気ま
たは反応ガスを排気することができる。
５内に充満した空気または反応ガスを排気する際には、
隔壁４５の天井壁部分４８の全体に亘って形成した複数
個の貫通孔４８ａをいったん通ってから排気系５８に排
気される。従って隔壁４５内の反応ガス分布の偏りや粗
引時のゴミの舞い上りを防止し、安定且つ一様に空気ま
たは反応ガスを排気することができる。
［効果］
以上説明したように本発明によれば、膜厚分布が均一で
あり、且つ膜質の優れた薄膜を安定して製造することが
できる薄膜製造装置を提供することができる。
あり、且つ膜質の優れた薄膜を安定して製造することが
できる薄膜製造装置を提供することができる。
第１図は同軸型電極構造を有する従来の薄膜製造装置の
垂直断面図、 第２図は同軸型構造を有する本発明に係る薄膜製造装置
の垂直断面図、 第３図は平行平板型電極構造を有する従来の薄膜製造装
置の垂直断面図、 第４図は平行平板型電極構造を有する本発明に係る薄膜
製造装置の垂直断面図、 第５図は第２図のｘ−ｘ断面図、 第６図は第２図のＹ−Ｙ断面図である。 ２１．４０・・・真空槽、 ２９．４２・・・カソード、 ３０．４９・・・電極、 ３３．４５・・・隔壁。 ３３ａ、４８ａ・・・貫通孔。
垂直断面図、 第２図は同軸型構造を有する本発明に係る薄膜製造装置
の垂直断面図、 第３図は平行平板型電極構造を有する従来の薄膜製造装
置の垂直断面図、 第４図は平行平板型電極構造を有する本発明に係る薄膜
製造装置の垂直断面図、 第５図は第２図のｘ−ｘ断面図、 第６図は第２図のＹ−Ｙ断面図である。 ２１．４０・・・真空槽、 ２９．４２・・・カソード、 ３０．４９・・・電極、 ３３．４５・・・隔壁。 ３３ａ、４８ａ・・・貫通孔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 真空槽と、該真空槽内に配置したカソードと、該カソ
ードに対向し且つ基板保持機構を有する電極とを有する
薄膜製造装置におい て、 前記真空槽の内側に、前記カソードおよび前記電極を囲
むように隔壁を配置し、該隔壁に複数個の排気用孔を設
けたことを特徴とする薄膜製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15992184A JPS6137966A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 薄膜製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15992184A JPS6137966A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 薄膜製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6137966A true JPS6137966A (ja) | 1986-02-22 |
Family
ID=15704062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15992184A Pending JPS6137966A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 薄膜製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6137966A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10352606B4 (de) * | 2002-11-12 | 2007-12-27 | Sharp K.K. | Plasmabehandlungsvorrichtung |
| CN111320778A (zh) * | 2020-02-25 | 2020-06-23 | 深圳赛兰仕科创有限公司 | Ptfe膜表面处理方法及ptfe膜表面处理系统 |
-
1984
- 1984-07-30 JP JP15992184A patent/JPS6137966A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10352606B4 (de) * | 2002-11-12 | 2007-12-27 | Sharp K.K. | Plasmabehandlungsvorrichtung |
| CN111320778A (zh) * | 2020-02-25 | 2020-06-23 | 深圳赛兰仕科创有限公司 | Ptfe膜表面处理方法及ptfe膜表面处理系统 |
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