JPS6137701B2 - - Google Patents

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JPS6137701B2
JPS6137701B2 JP56208780A JP20878081A JPS6137701B2 JP S6137701 B2 JPS6137701 B2 JP S6137701B2 JP 56208780 A JP56208780 A JP 56208780A JP 20878081 A JP20878081 A JP 20878081A JP S6137701 B2 JPS6137701 B2 JP S6137701B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bubble
minor
seed
minor loop
gate
Prior art date
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Expired
Application number
JP56208780A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS58111178A (ja
Inventor
Shinya Yoshioka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP56208780A priority Critical patent/JPS58111178A/ja
Publication of JPS58111178A publication Critical patent/JPS58111178A/ja
Publication of JPS6137701B2 publication Critical patent/JPS6137701B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/02Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
    • G11C19/08Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
    • G11C19/0875Organisation of a plurality of magnetic shift registers

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気バブル記憶素子にかかり、特に欠
陥ループを迅速に抽出することが可能なメジヤー
マイナ構成素子に関する。
メジヤーマイナ構成磁気バブル記憶素子では、
一定数の予備マイナループを設けておけば、たと
え素子内に欠陥マイナループが存在していてもそ
の数が予備マイナループ数以下である限り良品素
子として使用可能である。欠陥マイナループ情報
はPROM又は磁気バルブ素子自身に格納され、こ
の情報をもとにコントロール回路で書込み/読出
し動作のマスキング処理が制御される。
このような冗長制御方式では欠陥マイナループ
の完全な抽出が必要とされる。欠陥マイナループ
の抽出のためには少なくともマイナループの殆ん
ど全てのアドレス位置に磁気バブルを書込むこと
が必要で、少数アドレス位置のみの書込みだけで
不充分であることは良く知られている。
しかし通常の発生器と書込みゲートを用いて全
アドレス位置に磁気バルブを書込むには長時間を
要する。例えば1ループあたり2048ビツトを有す
るマイナループが予備マイナループを含めて600
本からなる総容量1Mビツト記憶素子を例にとる
と、書込みデータレート100Kビツト/秒で全ア
ドレス位置に磁気バブルを書込むには最小でも (2048ビツト/ループ×600ループ) ÷100kビツト/秒=12.3秒 の時間を要する。
そのため最近では書込み時間短縮のため第1図
に示す構成が提案されている。本素子では通常の
データの読み書きに使用される発生器1、メジヤ
ー転送路2、検出器3、ゲート4以外にマイナル
ープ5に個々に発生器が具備されており、この発
生器群6では個々の発生器が電気的に直列接続さ
れている。以後この発生器群をブロツク発生器と
称する。ブロツク発生器5に電流パルスを流すと
一度に600ケの磁気バブルが発生しマイナループ
5に書込まれる。従つて本方式では前述と同一駆
動条件で全アドレス位置に磁気バブルを書込むの
に 2048ビツト÷100kビツト/秒=20.5m秒 しか要せず大幅に短縮される。このようにブロツ
ク発生器を設けることは欠陥マイナループ抽出時
間の短縮に役立つ。
しかし第1図に示したブロツク発生器からなる
従来構成では欠陥マイナループの抽出に必要な選
択的マスキングが不可能である。以下に選択的マ
スキングの必要な理由を説明する。磁気バブル記
憶素子の欠陥には大別して2通りある。1つは欠
陥によるメモリ動作エラーがそのマイナループだ
けに起こり、他のマイナループに波及しないもの
(以後A型欠陥と呼ぶ)、他の1つはそのマイナル
ープで起こるとともに他のマイナループにも波及
するもの(以後B型欠陥と呼ぶ)である。A型欠
陥の代表的なものに磁気バブルを消滅させる欠陥
があり、B型欠陥の代表的なものに磁気バブルを
ランアウトさせたり転送路外へ飛び出させる欠陥
がある。A型欠陥しか存在しない素子では問題な
いが、B型欠陥を含む素子では、通常書入みアド
レス数の増加に伴ない他ループへの波及の程度が
大きくなり、真の欠陥マイナループと見掛上の欠
陥マイナループとの区別がつかなくなり全アドレ
ス位置へ書込まないと動作エラーを起こさないよ
うな微小な欠陥マイナループの抽出が不可能とな
る。それを可能にするにはまず少数アドレス位置
のみへの書込みを行なつてB型欠陥による他ルー
プへの波及が起きない時、又は波及の程度が小さ
い時に真の欠陥マイナループを抽出し、しかるの
ちその欠陥マイナループをマスキングして全アド
レス位置への書込みを行なわなければならない。
以上の説明で判るように欠陥マイナループの正確
な抽出のためには特定のマイナループのマスキン
グ処理が必要であるが第1図に示す従来構成では
その処理が不可能である。
本発明の目的は書込み時間の短縮できるブロツ
ク発生器を具備し、しかも欠陥マイナループの抽
出を完全ならしめる選択的マスキング処理が可能
なメジヤーマイナ構成磁気バブル記憶素子を提供
することにある。
本発明はメジヤーマイナ構成からなる主記憶ユ
ニツトと、主記憶ユニツトの各マイナループに対
応した種バブル保持要素、該種バブルを分割して
得られるバブル列をマイナループに書込む手段、
該種バブル保持要素に種バブルを選択的に書込む
ことの可能な発生器、メジヤー転送路、ゲートか
らなる副記憶ユニツトとを設けることによつて達
成される。
次に図面を用いて発明の詳細を説明する。第2
図は本発明の第一の実施例を示す図で、各マイナ
ループ5の同一アドレス位置に合流部7を設け、
合流部7に補助転送路8が接続され、補助転送路
8の他端には種バブル分割型発生器61(以後分
割型ブロツク発生器と称する)が設けられてい
る。又分割型ブロツク発生器61の種バブル保持
要素9へ種バブルを書込むための発生器10、書
込み転送路11、トランスフアゲート12が設け
られている。すなわち1素子内にメジヤーマイナ
構成の主、副2つの記憶ユニツト2A,2Bが具
備されており、両者は補助転送路8を介して接続
されている。なお分割型ブロツク発生器近傍領域
以外の構成は第1図と同じであるので説明を省略
する。
次に本素子での具体的な欠陥マイナループ抽出
手順について説明する。まず全マイナループ5の
少数アドレス位置に磁気バブルを書込んで前記B
型欠陥を有するマイナループ51を抽出する。こ
のための書込みには主記憶ユニツトの発生器1,
ゲート4を用いても、又分割型ブロツク発生器6
1を用いてもよい。書込みアドレス数が少ないの
でどちらでも書込み時間に大差は無い。次に発生
器10より前記少数アドレス書込みで抽出された
欠陥マイナループ51に対応する種バブルのマス
キングされた磁気バブル列を発生させ、書込み転
送路11を経て種バブル保持要素9へトランスフ
アインさせる。このようにして書込まれた欠陥マ
イナループ情報を有する種バブルを分割型ブロツ
ク発生器61に電流パルスを流して分割発生さ
せ、補助転送路8,合流部7を経てマイナループ
5の全てのアドレス位置に書込む。少数アドレス
書込みで抽出された欠陥マイナループ51に接続
された種バブル保持要素91には種バブルが存在
していないため分割型ブロツク発生器61に電流
パルスを流してもマイナループ51に書込まれな
いため微小欠陥マイナループの抽出が可能となつ
ている。
第3図は本発明の磁気バブル記憶素子に用いら
れる分割型ブロツク発生器近傍の具体的形状例を
示す図であり、ハーフデイスクパタンよりなる書
込み転送路311に単一ビツト長のデイスクパタ
ン309が並置され、トランスフアゲート導体3
12が設けられている。又マイナループ305へ
の書込みのための分割型ブロツク発生導体パタン
361,非対称シエブロンパタンよりなる補助転
送路308,合流部307が書込み転送路311
の反対側に配置されている。
なお本実施例の素子ではマイナループ5に書込
まれたデータは検出器3により検出され、エラー
の有無が比較、抽出されるが、主記憶ユニツト2
Aと副記憶ユニツト2Bのメジヤー転送路2,1
1での磁気バブル転送方向や第2図矢印で示すよ
うに逆になつているため発生器10で発生させる
バブル列と、検出器3で検出するバブル列が逆に
なりデータの変換を必要とするが、この変換は通
常の論理電子回路で容易に達成でき、本発明の効
果を損なうものではない。
第4図は本発明の第二の実施例を示す図で、第
一の実施例と異なる点は副記憶ユニツト4Bにお
いて、ゲート412に種バブル分割ゲート機能
を、メジヤー転送路411に種バブル検出器13
を付加したことである。なお第3図に示したゲー
ト構成要素309,311,312は種バブル書
込み用にパタン設計されているが、導体312に
流す電流バルス波形を変えることで分割機能も併
せもつていることから判るようにゲート412に
種バブル分割ゲート機能を付加することは極めて
容易である。これらを付加した目的は副記憶ユニ
ツト4Bを先に説明したマイナループへの書込み
時間短縮用以外に欠陥情報制御のためのハウスキ
ーピング用に使用するためである。すなわち製造
検査時に第一の実施例と同様に分割ブロツク発生
器61を用いて欠陥マイナループを完全に抽出
し、その欠陥情報を定められたフオーマツトに則
つて改めて種バブル保持要素9に書込んでおき製
品に供する。製品動作時にはバブル保持要素9、
分割ゲート412,検出器13を用いて読取つて
欠陥情報を外部回路としてのRAM(半導体メモ
リ)に一旦格納し、発後このRAMの情報をもと
に主記憶ユニツト4Aのデータの書込み/読取り
動作時のマスキング処理を制御すればよい。又他
の欠陥制御方式として特願昭55―66102号に詳述
されているように副記憶ユニツト4Bの分割ゲー
ト412から検出器13迄の所要転送ビツト数を
主記憶ユニツト4Aのゲート4から検出器3迄の
それより若干少なくしておき、製品動作時には主
記憶ユニツト4Aの分割ゲート4の駆動に同期し
て副記憶ユニツト4Bの分割ゲート412を駆動
すれば副記憶ユニツト4Bから欠陥情報と主記憶
ユニツト4Aからのデータが対になつて読み出さ
れるのでRAM無しで欠陥マスキング処理の制御
が可能となる。
以上説明したように本発明による磁気バブル記
憶素子は全アドレス位置への書込み時間が分割型
ブロツク発生器を採用しているため極めて短かく
テスト原価が低減でき、又波及型欠陥部を有する
マイナループのマスキングが可能となつているの
で欠陥抽出が完全となり高信頼性の製品が提供で
きさらに副記憶ユニツトに分割ゲートと検出器を
付加することでハウスキーピング用として使用で
きる等の効果があり工業的に有効となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の磁気バブル記憶素子の構成図、
第2図は本発明による第一の実施例の磁気バブル
記憶素子の構成図、第3図は第2図における分割
型ブロツク発生器近傍の具体的形状例を示す図、
第4図は本発明による第二の実施例の磁気バブル
記憶素子の構成図である。 1,10……発生器、2,11,311,41
1……メジヤー転送路、3,13……検出器、
4,12,312,412……ゲート、5,5
1,305……マイナループ、6,61,361
……ブロツク発生器、7,307……合流部、
8,308……補助転送路、9,91,309…
…種バブル保持要素。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 メジヤーマイナ構成からなる主記憶ユニツト
    と、該主記憶ユニツトの各マイナループに対応し
    た種バブル保持要素,該種バブルを分割して得ら
    れるバブル列をマイナループに書込む手段、該種
    バブル保持要素に種バブルを選択的に書込むこと
    の可能な発生器、メジヤー転送路、ゲートとを有
    する副記憶ユニツトとを具備したことを特徴とす
    る磁気バブル記憶素子。 2 副記憶ユニツトに分割ゲートと検出器を付加
    したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の磁気バブル記憶素子。
JP56208780A 1981-12-23 1981-12-23 磁気バブル記憶素子 Granted JPS58111178A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56208780A JPS58111178A (ja) 1981-12-23 1981-12-23 磁気バブル記憶素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56208780A JPS58111178A (ja) 1981-12-23 1981-12-23 磁気バブル記憶素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58111178A JPS58111178A (ja) 1983-07-02
JPS6137701B2 true JPS6137701B2 (ja) 1986-08-25

Family

ID=16561970

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56208780A Granted JPS58111178A (ja) 1981-12-23 1981-12-23 磁気バブル記憶素子

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