JPS6136698B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6136698B2 JPS6136698B2 JP54027976A JP2797679A JPS6136698B2 JP S6136698 B2 JPS6136698 B2 JP S6136698B2 JP 54027976 A JP54027976 A JP 54027976A JP 2797679 A JP2797679 A JP 2797679A JP S6136698 B2 JPS6136698 B2 JP S6136698B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- nozzle
- substrate
- cvd
- raw material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
- C23C16/45589—Movable means, e.g. fans
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造工程において単結晶
シリコン基板等に酸化膜層等を気相成長によつて
形成させるためのCVD（chemical Vapour
Deposition）装置に関し、特に比較的温度を低く
して行ういわゆる低温CVD装置に関する。
シリコン基板等に酸化膜層等を気相成長によつて
形成させるためのCVD（chemical Vapour
Deposition）装置に関し、特に比較的温度を低く
して行ういわゆる低温CVD装置に関する。
半導体装置の製造工程において所定の基板上に
絶縁膜等を気相成長させるための装置の一つとし
て前記基板を担持して所定方向に移動するサセプ
タとこのサセプタに対向して設けられて前記基板
表面に酸化膜層や拡散物質を含む層を形成するた
めの原料ガスを供給するノズルとを有するCVD
装置がある。
絶縁膜等を気相成長させるための装置の一つとし
て前記基板を担持して所定方向に移動するサセプ
タとこのサセプタに対向して設けられて前記基板
表面に酸化膜層や拡散物質を含む層を形成するた
めの原料ガスを供給するノズルとを有するCVD
装置がある。
このCVD装置を用いて例えば単結晶シリコン
基板上にシリコン酸化膜層を形成する場合は、有
機オキシシラン（（RO）nR′mSi），モノシラン
（SiH4）等の反応性原料ガスを所定のキヤリアガ
スとともに所定のノズルを用いて基板上に供給す
る。このとき基板を保持するサセプタを介して基
板が所定の温度に加熱されているため基板表面に
供給された反応性の原料ガスは熱分解若しくは酸
化して基板表面に順次シリコン酸化膜層が被着さ
れる。
基板上にシリコン酸化膜層を形成する場合は、有
機オキシシラン（（RO）nR′mSi），モノシラン
（SiH4）等の反応性原料ガスを所定のキヤリアガ
スとともに所定のノズルを用いて基板上に供給す
る。このとき基板を保持するサセプタを介して基
板が所定の温度に加熱されているため基板表面に
供給された反応性の原料ガスは熱分解若しくは酸
化して基板表面に順次シリコン酸化膜層が被着さ
れる。
このような気相成長の工程においては酸化膜層
等の厚さを均一に保つことが特に重要であつてこ
のようなCVD層の精度は半導体装置の特性に対
する影響が非常に大である。
等の厚さを均一に保つことが特に重要であつてこ
のようなCVD層の精度は半導体装置の特性に対
する影響が非常に大である。
従来のCVD装置は原料ガス供給用のノズルが
固定された構造であり、基板表面に供給される原
料ガスの量は基板を担持するサセプタの移動速度
によつてのみ決定されていた。
固定された構造であり、基板表面に供給される原
料ガスの量は基板を担持するサセプタの移動速度
によつてのみ決定されていた。
このためサセプタの移動速度に変動が生じて一
定でなくなると基板の表面に供給される原料ガス
の量に差が生じて形成されたCVD膜の厚さが同
一の基板上において一様でなくなる欠点があつ
た。
定でなくなると基板の表面に供給される原料ガス
の量に差が生じて形成されたCVD膜の厚さが同
一の基板上において一様でなくなる欠点があつ
た。
本発明はサセプタの移動速度の変化による原料
ガス供給量の変動を減少させて常に均一なCVD
層を形成することが可能なCVD装置を提供する
ことを目的とする。
ガス供給量の変動を減少させて常に均一なCVD
層を形成することが可能なCVD装置を提供する
ことを目的とする。
本発明によるCVD装置は基板上にCVD層を成
長させるための原料ガスを供給するためのノズル
が基板を担持するサセプタの移動方向に往復運動
するように構成されていることが特徴であり望ま
しくはこのノズルはサセプタの移動方向にほぼ平
行に往復運動するとよい。
長させるための原料ガスを供給するためのノズル
が基板を担持するサセプタの移動方向に往復運動
するように構成されていることが特徴であり望ま
しくはこのノズルはサセプタの移動方向にほぼ平
行に往復運動するとよい。
このノズルの往復運動時の移動速度Ｖをサセプ
タの移動速度ｖに対して大にすると、基板に対し
て原料ガスが供給される部分は従来のCVD装置
の場合一点のみであつたのに対し、ノズルの往復
運動範囲に対応した一定の幅をもつた区間に拡大
させるこができる。このためサセプタの移動速度
に変動が生じた場合にもこれに対応して基板の表
面の一点において原料ガスの供給量が変化するこ
とが防止されて均一なCVD層の形成が可能にな
る。
タの移動速度ｖに対して大にすると、基板に対し
て原料ガスが供給される部分は従来のCVD装置
の場合一点のみであつたのに対し、ノズルの往復
運動範囲に対応した一定の幅をもつた区間に拡大
させるこができる。このためサセプタの移動速度
に変動が生じた場合にもこれに対応して基板の表
面の一点において原料ガスの供給量が変化するこ
とが防止されて均一なCVD層の形成が可能にな
る。
次に本発明によるCVD装置について図面を参
照しながら詳細に説明する。
照しながら詳細に説明する。
図面には本発明の一実施例が示されている。本
図においてシリコンウエハ等の基板１を担持しか
つ所定の温度に加熱するためのサセプタ２は図に
おける矢印方向に一定速度で移動するように構成
されている。このサセプタ２に対向して複数のス
リツト状の噴出口を有するノズル３が設けられて
いる。このノズル３はその上部においてサセプタ
２の上面に平行でかつサセプタ２の移動方向に垂
直な方向に設けられた軸を中心に支持されてお
り、この軸を中心として例えば所定の周期で揺動
する構造になつている。このノズル３の揺動時の
ノズル先端の線速度の最大値をＶとし、サセプタ
２の移動速度をｖとすると基板１とノズル３との
相対速度はｖ＋Ｖとなり、ノズル３の揺動速度Ｖ
をサセプタ２の移動速度ｖより大にすることでサ
セプタ２の移動速度の変動の影響は殆んど無視す
ることができる。このように本実施例の場合ノズ
ル３を所定の軸を中心として揺動させることによ
り基板１に対する原料ガスの供給を均一化し、形
成されたCVD層の厚さに変動が生じることが防
止されている。
図においてシリコンウエハ等の基板１を担持しか
つ所定の温度に加熱するためのサセプタ２は図に
おける矢印方向に一定速度で移動するように構成
されている。このサセプタ２に対向して複数のス
リツト状の噴出口を有するノズル３が設けられて
いる。このノズル３はその上部においてサセプタ
２の上面に平行でかつサセプタ２の移動方向に垂
直な方向に設けられた軸を中心に支持されてお
り、この軸を中心として例えば所定の周期で揺動
する構造になつている。このノズル３の揺動時の
ノズル先端の線速度の最大値をＶとし、サセプタ
２の移動速度をｖとすると基板１とノズル３との
相対速度はｖ＋Ｖとなり、ノズル３の揺動速度Ｖ
をサセプタ２の移動速度ｖより大にすることでサ
セプタ２の移動速度の変動の影響は殆んど無視す
ることができる。このように本実施例の場合ノズ
ル３を所定の軸を中心として揺動させることによ
り基板１に対する原料ガスの供給を均一化し、形
成されたCVD層の厚さに変動が生じることが防
止されている。
本発明によるCVD装置を使用することによつ
てシリコンウエハ等には従来のCVD装置の場合
に比較し遥かに均一な酸化膜層を形成することが
可能であり、製造工程における歩留りが向上する
とともに半導体装置の性能を高めることができ
る。またノズル３を移動させるためには上記の実
施例以外にも各種の支持機構を用いることがで
き、このノズル３の移動速度は各々のCVD装置
において好ましい値に決定することができる。
てシリコンウエハ等には従来のCVD装置の場合
に比較し遥かに均一な酸化膜層を形成することが
可能であり、製造工程における歩留りが向上する
とともに半導体装置の性能を高めることができ
る。またノズル３を移動させるためには上記の実
施例以外にも各種の支持機構を用いることがで
き、このノズル３の移動速度は各々のCVD装置
において好ましい値に決定することができる。
図面は本発明によるCVD装置の一実施例を示
す図である。 主要部分の符号の説明、１……基板、２……サ
セプタ、３……ノズル。
す図である。 主要部分の符号の説明、１……基板、２……サ
セプタ、３……ノズル。
Claims (1)
- １ 半導体基板を担持して所定方向に定速移動す
るサセプタと前記サセプタに対向して設けられて
前記半導体基板表面に所定の原料ガス及びキヤリ
アガスを供給するノズルを含み、前記ノズルは前
記サセプタの移動方向に垂直に設けられた軸を中
心として所定の周期で揺動するように成されてお
りかつ前記ノズルの揺動速度は前記サセプタの移
動速度より大であることを特徴とするCVD装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2797679A JPS55120142A (en) | 1979-03-10 | 1979-03-10 | Cvd device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2797679A JPS55120142A (en) | 1979-03-10 | 1979-03-10 | Cvd device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55120142A JPS55120142A (en) | 1980-09-16 |
| JPS6136698B2 true JPS6136698B2 (ja) | 1986-08-20 |
Family
ID=12235888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2797679A Granted JPS55120142A (en) | 1979-03-10 | 1979-03-10 | Cvd device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55120142A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3869793D1 (de) * | 1987-01-27 | 1992-05-14 | Asahi Glass Co Ltd | Gaszufuehrungsrohr fuer die reaktive abscheidung aus der gasphase. |
| FI20105903A0 (fi) * | 2010-08-30 | 2010-08-30 | Beneq Oy | Laite |
| FI125341B (en) | 2012-07-09 | 2015-08-31 | Beneq Oy | Apparatus and method for treating substrate |
-
1979
- 1979-03-10 JP JP2797679A patent/JPS55120142A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55120142A (en) | 1980-09-16 |
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