JPS6135523A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6135523A JPS6135523A JP59156893A JP15689384A JPS6135523A JP S6135523 A JPS6135523 A JP S6135523A JP 59156893 A JP59156893 A JP 59156893A JP 15689384 A JP15689384 A JP 15689384A JP S6135523 A JPS6135523 A JP S6135523A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- aluminum wiring
- polysilicon film
- polysilicon
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、アルミニウム配線処理が完了した半導体チッ
プの表面を保護するために形成される保護膜の部分につ
いて改良を施した半導体装置に関する。
プの表面を保護するために形成される保護膜の部分につ
いて改良を施した半導体装置に関する。
（従来技術）
従来から、半導体チップの表面は、そこに形成されたト
ランジスタや抵抗等の素子を、物理的・化学的・機械的
に外部から保護するために、酸化シリコン（Ｓｉ０２）
膜や窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４ ） Ｂ’Ａ等で成る保
護膜で覆われている。
ランジスタや抵抗等の素子を、物理的・化学的・機械的
に外部から保護するために、酸化シリコン（Ｓｉ０２）
膜や窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４ ） Ｂ’Ａ等で成る保
護膜で覆われている。
ところが、この保護膜は、アルミニウム配線の完了後に
低温で形成されるために、そのアルミニウム配線の下地
の酸化膜（Ｓ ｉ ０２ ）と反応せず、Ｖａｎ ｄｅ
ｒ Ｗａａｌｓの力のみによって弱く結合しているので
、接着強度が弱く、水分等の侵入に対してこれを十分阻
止することができず、また半導体チップを樹脂封止する
場合には、その樹脂の収縮によって保護膜を＃離する力
が働くため、はがれ易いという問題があった。
低温で形成されるために、そのアルミニウム配線の下地
の酸化膜（Ｓ ｉ ０２ ）と反応せず、Ｖａｎ ｄｅ
ｒ Ｗａａｌｓの力のみによって弱く結合しているので
、接着強度が弱く、水分等の侵入に対してこれを十分阻
止することができず、また半導体チップを樹脂封止する
場合には、その樹脂の収縮によって保護膜を＃離する力
が働くため、はがれ易いという問題があった。
（発明の目的）
本発明は斯かる点に鑑みて成されたもので、その目的は
、保護膜部分を強力に接着させて水分等の浸透を防止し
、また剥離等も生じないようにした半導体装置を提供す
ることである。
、保護膜部分を強力に接着させて水分等の浸透を防止し
、また剥離等も生じないようにした半導体装置を提供す
ることである。
（発明の構成）
このために本発明の半導体装置では、半導体基仮の上面
に直接或いは酸化１１Ｑを介在してアルミニウム配線を
形成し、該アルミニウム配線を含む上面に保護膜を形成
した半導体装置において、上記アルミニウム配線を含む
上面にポリシリコン膜を形成し、その上に上記保護膜を
連続して形成し、該ポリシリコン膜を上記アルミニウム
配線に焼結反応接着させて構成している。
に直接或いは酸化１１Ｑを介在してアルミニウム配線を
形成し、該アルミニウム配線を含む上面に保護膜を形成
した半導体装置において、上記アルミニウム配線を含む
上面にポリシリコン膜を形成し、その上に上記保護膜を
連続して形成し、該ポリシリコン膜を上記アルミニウム
配線に焼結反応接着させて構成している。
（実施例）
以下、本発明の実施例について説明する。第１図はその
一実施例の半導体装置の断面を示すものである。この例
は、ｐ型基板の上にｎ型エピタキシャル成長層を形成し
て、その成長層内に拡散或いはイオン打込等によってｎ
ｐｎ）ランジスタと抵抗が分離して形成された半導体基
板１についてのものである。
一実施例の半導体装置の断面を示すものである。この例
は、ｐ型基板の上にｎ型エピタキシャル成長層を形成し
て、その成長層内に拡散或いはイオン打込等によってｎ
ｐｎ）ランジスタと抵抗が分離して形成された半導体基
板１についてのものである。
２はこの半導体基板１の上面に形成された酸化膜（Ｓｉ
０２）、３１〜３６はアルミニウム配線である。このア
ルミニウム配線の内、３２はトランジスタのベース電極
、３３はエミッタ電極、３４はコレクタ電極、３５．３
６は抵抗の引出し電極である。３１ば半導体基板１の上
面周囲を囲むように形成された枠状電極である。この電
極３１は第１図に示すように必ずしも半導体基板１のア
イソレーションの上に形成する必要はない。この電極３
１の概要を第２図に示す。
０２）、３１〜３６はアルミニウム配線である。このア
ルミニウム配線の内、３２はトランジスタのベース電極
、３３はエミッタ電極、３４はコレクタ電極、３５．３
６は抵抗の引出し電極である。３１ば半導体基板１の上
面周囲を囲むように形成された枠状電極である。この電
極３１は第１図に示すように必ずしも半導体基板１のア
イソレーションの上に形成する必要はない。この電極３
１の概要を第２図に示す。
４はポリシリコン膜であり、高抵抗のものが１００〜３
０００人の厚さで形成されて、アルミニウム配線３１〜
３６及び酸化膜２の上面の全面を覆っている。
０００人の厚さで形成されて、アルミニウム配線３１〜
３６及び酸化膜２の上面の全面を覆っている。
そして、そのポリシリコン膜４の上面に、保護膜（Ｓ
ｉｏ２、Ｓ ｉ３Ｎ４等）５が全面に亘って形成されて
いる。
ｉｏ２、Ｓ ｉ３Ｎ４等）５が全面に亘って形成されて
いる。
上記ポリシリコン膜４の形成は、アルミニウム配線が完
了した後に例えば気相法によって形成する。
了した後に例えば気相法によって形成する。
即ち、上記半導体基板１を反応管内にセットし、キャリ
アガスに原料ガスとしてモニシラン（ＳｉＨ４）を供給
して、５ｉＨｎ→Ｓｔ＋２Ｈ２の反応により、酸化膜２
及ｑアルミニウム配線上にポリシリコン膜４を形成する
。また続けて、ＳＬＨ＊と０２或いはＮ Ｈ３とを反応
させることにより、連続して、即ち組成が連続して界面
がない状態で保護膜５としてのＳ ｉ ０３膜やＳｉ３
Ｈ４膜を形成する。この結果、ポリシリコン膜４と保ｌ
１ｆｉ膜５とは一体となる。
アガスに原料ガスとしてモニシラン（ＳｉＨ４）を供給
して、５ｉＨｎ→Ｓｔ＋２Ｈ２の反応により、酸化膜２
及ｑアルミニウム配線上にポリシリコン膜４を形成する
。また続けて、ＳＬＨ＊と０２或いはＮ Ｈ３とを反応
させることにより、連続して、即ち組成が連続して界面
がない状態で保護膜５としてのＳ ｉ ０３膜やＳｉ３
Ｈ４膜を形成する。この結果、ポリシリコン膜４と保ｌ
１ｆｉ膜５とは一体となる。
そして、上記のようにして形成された半導体装置をアル
ミニウム配線が溶融しない温度、例えば５６０℃或いは
それ以下の温度（はぼ５０膜程度までの温度）で熱処理
すると、ポリシリコン膜４がアルミニウム配線と焼結反
応を起して、その界面が反応接着するようになる。
ミニウム配線が溶融しない温度、例えば５６０℃或いは
それ以下の温度（はぼ５０膜程度までの温度）で熱処理
すると、ポリシリコン膜４がアルミニウム配線と焼結反
応を起して、その界面が反応接着するようになる。
この結果、保護膜５と一体化したポリシリコン膜４がア
ルミニウム配線と強力に接着し、半導体装置の周囲の応
力の強くかかる部分からの保護膜５のはがれを防ぐこと
ができる。
ルミニウム配線と強力に接着し、半導体装置の周囲の応
力の強くかかる部分からの保護膜５のはがれを防ぐこと
ができる。
なお、上記熱処理は、ポリシリコン膜４や保護ＨｆＡ３
の形成中に行うこともでき、また、上記保護膜５として
は、酸化物、窒化物の以外にシリコンカーバイド等の炭
化物を使用することもできる。
の形成中に行うこともでき、また、上記保護膜５として
は、酸化物、窒化物の以外にシリコンカーバイド等の炭
化物を使用することもできる。
（発明の効果）
以上から本発明によれば、表面の保護膜部分が強固に接
着されるので、水分の侵入の阻止を確実に行うことがで
きることはもとより、樹脂封止の際のその樹脂の収縮に
よる剥離も効果的に防止することができるという特徴が
ある。
着されるので、水分の侵入の阻止を確実に行うことがで
きることはもとより、樹脂封止の際のその樹脂の収縮に
よる剥離も効果的に防止することができるという特徴が
ある。
第１図は本発明の一実施例の半導体装置の断面図、第２
図は枠状電極の説明図である。 ｌ・・・半導体基板、２・・・酸化膜、３１〜３６・・
・アルミニウム配線、４・・・ポリシリコン膜、５・・
・保護膜。
図は枠状電極の説明図である。 ｌ・・・半導体基板、２・・・酸化膜、３１〜３６・・
・アルミニウム配線、４・・・ポリシリコン膜、５・・
・保護膜。
Claims (1)
- （１）、半導体基板の上面に直接或いは酸化膜を介在し
てアルミニウム配線を形成し、該アルミニウム配線を含
む上面に保護膜を形成した半導体装置において、上記ア
ルミニウム配線を含む上面にポリシリコン膜を形成し、
その上に上記保護膜を連続して形成し、該ポリシリコン
膜を上記アルミニウム配線に焼結反応接着させて成るこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59156893A JPH067550B2 (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59156893A JPH067550B2 (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6135523A true JPS6135523A (ja) | 1986-02-20 |
| JPH067550B2 JPH067550B2 (ja) | 1994-01-26 |
Family
ID=15637696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59156893A Expired - Lifetime JPH067550B2 (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH067550B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6387833U (ja) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 | ||
| JPH0245932A (ja) * | 1988-08-06 | 1990-02-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置におけるパッシベーション構造 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5726443A (en) * | 1980-06-04 | 1982-02-12 | Siemens Ag | Method of stabilizing surface of silicon device |
| JPS5788734A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-02 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
-
1984
- 1984-07-27 JP JP59156893A patent/JPH067550B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5726443A (en) * | 1980-06-04 | 1982-02-12 | Siemens Ag | Method of stabilizing surface of silicon device |
| JPS5788734A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-02 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6387833U (ja) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 | ||
| JPH0245932A (ja) * | 1988-08-06 | 1990-02-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置におけるパッシベーション構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH067550B2 (ja) | 1994-01-26 |
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