JPS6134917B2 - - Google Patents
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- JPS6134917B2 JPS6134917B2 JP11310881A JP11310881A JPS6134917B2 JP S6134917 B2 JPS6134917 B2 JP S6134917B2 JP 11310881 A JP11310881 A JP 11310881A JP 11310881 A JP11310881 A JP 11310881A JP S6134917 B2 JPS6134917 B2 JP S6134917B2
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- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 58
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 47
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 45
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 26
- 229910017116 Fe—Mo Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 13
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 12
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 4
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 4
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009760 electrical discharge machining Methods 0.000 description 1
- 229910001651 emery Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/30—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 1550 degrees C
- B23K35/3033—Ni as the principal constituent
- B23K35/304—Ni as the principal constituent with Cr as the next major constituent
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
この発明は、耐熱耐食合金として広く用いられ
ているNi−Cr−Fe−Mo系合金を一時的液相接合
(Transient Liquid Phase Bonding)によつて接
合するためのろう材に関するものである。 一時的液相接合(以下、TLP接合と略称す
る)法とは、米国特許第3678570号明細書に開示
されている接合法を称するものであり、まず、被
接合材である母材の接合面に特定の成分組成をも
つたろう材をはさみ、接合温度まで加熱すると、
ろう材が溶融し、液層となつて接合面のすき間を
満すが、この状態で液層と母材の間で元素の相互
の高速拡散が行なわれるようになり、これによつ
て液層の成分組成は変化し、母材の成分組成に近
づくことによつて等温凝固(温度が一定のまま成
分変化により固相となる)が起り、接合部は液層
が消失し、固相となり、さらに拡散が進むことに
より、接合部は、成分組成も組織も母材に一致す
るまで同化するようになるという接合法ある。 上述のようなTLP接合においては、特に、使
用するろう材が接合部の特性を決定する重要な因
子となることが知られており、このために通常は
ろう材として、母材の成分組成に融点低下元素で
あるB、Si、およびP等を添加してその融点を母
材の融点より50〜200℃程度低下させたものを使
用して、母材との調和を計つていた。 しかしながら、かかるTLP接合法をハステロ
イ(登録商標)Xとして知られるNi−Cr−Fe−
Mo系合金の接合に適用しようとすると、該Ni−
Cr−Fe−Mo系合金は、Cr:19〜24%(以下%は
重量%とする)、Co:0.1〜3.0%、Mo:7〜11
%、W:0.1〜1.2%、Fe:16〜21%、Mn:1.2%
以下、Si:1.2%以下、C:0.03〜0.2%、B:
0.02%未満、およびNiと不可避不純物:残りから
構成される成分組成を有している関係上、その接
合用ろう材として上記Ni−Cr−Fe−Mo系合金の
組成にB、Si、およびPを添加したものを調製す
ることになるが、この結果のろう材は非常に脆
く、かつ硬いので、実用に際しては母材の接合面
に塗布した状態で使用しなければならず、このた
めに、粉砕して粉末とする必要が生ずる。そし
て、このようにろう材を粉末状とすると、接合作
業の際の酸化が著しくなり、その結果、接合部に
酸化物が残存しやすく、接合強度が劣る原因にな
るという不都合を生ずるものであつた。 そこで本発明者等は、このようにろう材を酸化
させることなく、良好な接合部を得るTLP接合
法を見出すべく研究を行なつた結果、マグネトロ
ンスパツタリング法によつてろう材を母材の接合
面に薄く被覆し、このような母材同志を加圧接触
させながら所定時間加熱保持すると、接合部に不
良を来たすことなくTLP接合を行なうことがで
きるという結論に到達した。 すなわち、第1図に概略図で示すように、溶製
したろう材を陰電極1とし、チヤンバ6内の希薄
Ar雰囲気中において磁石S、Nによつて形成さ
れた磁場2内に閉じ込められた電子により、ろう
材構成物質3をたたき出してこれを被接合材であ
る母材4の接合界面に付着させて、ろう層5を形
成する。ついで、このような蒸着法によつてろう
材を被覆された被接合材4は、第2図Aに示す様
式でTLP接合する。つまり、母材4の接合面に
被覆されたろう層5同志を接触加圧し、この状態
で所定時間加熱保持してTLP接合を行なつて、
接合部7を得るのである。また、別の接合様式と
して、第2図Bに示すように、インサートメタル
8の両面にろう材をマグネトロンスパツタリング
にて被覆してろう層5を得、このインサートメタ
ルを介して母材4をTLP接合して接合部7を得
るのも有効な方法である。 しかし、このようなマグネトロンスパツタリン
グ法を利用したTLP接合の試験を繰返すうち
に、この方法ではNi−Cr−Fe−Mo系合金であつ
ても良好な接合部を得ることができるけれども、
Ni−Cr−Fe−Mo系合金の場合にはその作業能率
が著しく悪いという問題点に直面したのである。
すなわち、Ni−Cr−Fe−Mo系合金を、マグネト
ロンスパツタリング法適用のTLP接合する際に
は、まずろう材として、Ni−Cr−Fe−Mo系合金
の合金組成のものに融点低下元素であるB、Si、
およびPを添加した合金を溶製し、このろう材イ
ンゴツトを放電加工によつてマグネトロンスパツ
タリング用電極としてスパツタリングに供する必
要があるが、この場合、スパツタリング速度が非
常に遅く、工業上問題があることが判明したので
ある。すなわち、通常のマグネトロンスパツタリ
ングにおいては、1.0×10-1μm/min程度のスパ
ツタリング速度が期待されるのであるが、前記ろ
う材において、5×10-3μm/min程度の速度し
か得られず、この速度では、TLP接合可能な被
覆ろう層を形成するのに非常に長時間のスパツタ
リングを行なうことが必要で、この点からみて工
業的に採用するには不可能であると結論されたの
である。 本発明者等は、上述のような観点から、Ni−
Cr−Fe−Mo系合金を能率良くTLP接合でき、し
かも建全な接合部を得ることのできる手段を見出
すべく、特にそのろう材に着目して、マグネトロ
ンスパツタリング速度の速いNi−Cr−Fe−Mo系
合金のTLP接合用ろう材を得るべく、さらに研
究を重ねた結果、以下(a)〜(d)に示す知見も得たの
である。すなわち、 (a) Ni−Cr−Fe−Mo系合金の合金組成のものに
B、Si、およびPを添加した合金からなるろう
材のマグネトロンスパツタリング速度が遅いの
は、このろう材が磁化されやすく、第1図にお
けるマグネトロンスパツタリング装置の磁石
S、Nによつて容易に磁性体になるため、陰電
極に形成される磁場内に電子が閉じ込められ
ず、したがつてろう材構成成分の蒸発が極度に
少なくなるためであること。 (b) 通常、母材のNi−Cr−Fe−Mo系合金は磁化
されないものであるが、これにホウ素(B)を添加
して行くと次第に磁化されやすくなること。す
なわち、一般にBはろう材の融点を低下させる
とともに、ろう付け中にろう材から母材へ急速
に拡散し、ろう材の融点を再び上昇させて、つ
いにはろう層が凝固するという、いわゆる等温
凝固現象を起こさせ、TLP接合を行なうため
の必須元素であり、TLP接合用ろう材には少
なくとも1.5%以上添加することが望ましいと
されているが、Ni−Cr−Fe−Mo系合金におい
てはBの添加によつてろう材が磁化されやすく
なり、外部磁場により容易に磁性体となる恐れ
が生ずること。 (c) 良好なTLP接合を行なうためには、ろう材
中のB含有量を減らすことは好ましくなく、し
たがつて、B含有量を減らす以外の手段でろう
材の磁性を除去しなければ、マグネトロンスパ
ツタリング速度が速く、しかも接合性の良好な
ろう材を得ることができないこと。 (d) Ni−Cr−Fe−Mo系合金の合金組成のものに
B、Si、およびPを添加した合金から成るろう
材においては、B成分の他に、Fe成分がろう
材の磁化に大きな影響を及ぼしており、前記ろ
う材中のFe成分を減ずればろう材が磁化され
にくくなつて、スパツタリング速度が増大する
こと。 したがつて、この発明は上記知見にもとづいて
なされたもので、TLP接合用ろう材を、Ni−Cr
−Fe−Mo系合金の合金組成のうちのFe成分量を
減じたものにB、そしてSiおよびPを添加して構
成し、すなわち、 B:1.5〜4.0%、 Cr:19〜24%、 Co:0.1〜3.0%、 Mo:7〜11%、 W:0.1〜1.2%、 C:0.05〜1.0%、 Fe:10%以下、 Mn:1.5%以下、 Niおよび不可避不純物:残り、 で構成するか、あるいはさらに、 SiおよびPのうちの1種以上:3.5%以下、 を含有せしめて構成し、磁化されにくく、しかも
良好な接合部が得られるようにしたことに特徴を
有するものである。 ついで、この発明のろう材の組成成分を上記の
とおりに限定した理由を説明する。 (a) B B成分には、ろう材の融点を下げ、かつ等温
凝固を促進する作用があるが、その含有量が
1.5%未満では前記作用に所望の効果が得られ
ず、一方4.0%を越えて含有させると過共晶と
なつて等温凝固を起し難くなることから、その
含有量を1.5〜4.0%と限定した。 (b) Fe Fe成分は、Ni−Cr−Fe−Mo系合金の構成元
素であつて、かつ、接合部の伸びを向上させる
作用を有する成分であるが、その含有量が10%
を越えると、ろう材の磁化が強くな、マグネト
ロンスパツタリングが困難となることから、そ
の含有量を10%以下と限定した。なおFe成分
の含有量が低くなつても、接合部の伸びは低下
するものの、他の特性は何らそこなわれること
がないので、その含有量の下限値を定めること
をしなかつた (c) Cr、Co、Mo、W、C、およびMn Cr、Co、Mo、W、C、およびMn成分の含
有量を、接合部にNi−Cr−Fe−Mo系合金の特
性を維持するのに必要な含有量、すなわちNi
−Cr−Fe−Mo系合金の規格組成範囲たる、
Cr:19〜24%、Co:0.1〜3.0%、Mo:7〜11
%、W:0.1〜1.2%、C:0.05〜1.0%、および
Mn:1.5%以下に限定した。 (d) SiおよびP SiおよびP成分には、ろう材の融点を低下さ
せる作用があるので、B成分を含有するろう材
の融点をさらに低下させる必要がある場合に添
加されるが、その含有量の総和が3.5%を越え
ると、ろう材が極端に脆化し、また鋳造欠陥が
発生してマグネトロンスパツタリング電極の加
工ができなくなることから、その含有量の総和
を3.5%以下と限定した。 つぎに、この発明のろう材を実施例により比較
例と対比しながら説明する。 実施例 まず、通常の真空溶解法により第1表に示され
る成分組成をもつた溶湯をそれぞれ調製し、イン
ゴツトに鋳造し、このインゴツトを放電加工によ
り直径:150mmφ×厚さ:8mmの円板電極に成形
することによつて本発明ろう材1〜16および比較
ろう材1〜7をそれぞれ製造した。なお、比較ろ
う材1〜7は、いずれも構成成分のうちのいずれ
かの成分の含有量(第1表に※印を付して表示)
がこの発明の成分組成範囲から外れた組成をもつ
ものである。 つぎに、これらのろう材について、スパツタリ
ング速度およびTLP接合特性を測定した。 すなわちスパツタリング速度の測定は、第1表
に示される成分組成を有するNi−Cr−Fe−Mo系
合金の丸棒(寸法:直径10mmφ×長さ50mm)を用
意し、この丸棒の一方端面を1000番に至るエメリ
ーペーパーで研磨し、この研磨面に、放電電流:
3A、雰囲気:3×10-3torrの圧力のAr、電極間
距離:
ているNi−Cr−Fe−Mo系合金を一時的液相接合
(Transient Liquid Phase Bonding)によつて接
合するためのろう材に関するものである。 一時的液相接合(以下、TLP接合と略称す
る)法とは、米国特許第3678570号明細書に開示
されている接合法を称するものであり、まず、被
接合材である母材の接合面に特定の成分組成をも
つたろう材をはさみ、接合温度まで加熱すると、
ろう材が溶融し、液層となつて接合面のすき間を
満すが、この状態で液層と母材の間で元素の相互
の高速拡散が行なわれるようになり、これによつ
て液層の成分組成は変化し、母材の成分組成に近
づくことによつて等温凝固(温度が一定のまま成
分変化により固相となる)が起り、接合部は液層
が消失し、固相となり、さらに拡散が進むことに
より、接合部は、成分組成も組織も母材に一致す
るまで同化するようになるという接合法ある。 上述のようなTLP接合においては、特に、使
用するろう材が接合部の特性を決定する重要な因
子となることが知られており、このために通常は
ろう材として、母材の成分組成に融点低下元素で
あるB、Si、およびP等を添加してその融点を母
材の融点より50〜200℃程度低下させたものを使
用して、母材との調和を計つていた。 しかしながら、かかるTLP接合法をハステロ
イ(登録商標)Xとして知られるNi−Cr−Fe−
Mo系合金の接合に適用しようとすると、該Ni−
Cr−Fe−Mo系合金は、Cr:19〜24%(以下%は
重量%とする)、Co:0.1〜3.0%、Mo:7〜11
%、W:0.1〜1.2%、Fe:16〜21%、Mn:1.2%
以下、Si:1.2%以下、C:0.03〜0.2%、B:
0.02%未満、およびNiと不可避不純物:残りから
構成される成分組成を有している関係上、その接
合用ろう材として上記Ni−Cr−Fe−Mo系合金の
組成にB、Si、およびPを添加したものを調製す
ることになるが、この結果のろう材は非常に脆
く、かつ硬いので、実用に際しては母材の接合面
に塗布した状態で使用しなければならず、このた
めに、粉砕して粉末とする必要が生ずる。そし
て、このようにろう材を粉末状とすると、接合作
業の際の酸化が著しくなり、その結果、接合部に
酸化物が残存しやすく、接合強度が劣る原因にな
るという不都合を生ずるものであつた。 そこで本発明者等は、このようにろう材を酸化
させることなく、良好な接合部を得るTLP接合
法を見出すべく研究を行なつた結果、マグネトロ
ンスパツタリング法によつてろう材を母材の接合
面に薄く被覆し、このような母材同志を加圧接触
させながら所定時間加熱保持すると、接合部に不
良を来たすことなくTLP接合を行なうことがで
きるという結論に到達した。 すなわち、第1図に概略図で示すように、溶製
したろう材を陰電極1とし、チヤンバ6内の希薄
Ar雰囲気中において磁石S、Nによつて形成さ
れた磁場2内に閉じ込められた電子により、ろう
材構成物質3をたたき出してこれを被接合材であ
る母材4の接合界面に付着させて、ろう層5を形
成する。ついで、このような蒸着法によつてろう
材を被覆された被接合材4は、第2図Aに示す様
式でTLP接合する。つまり、母材4の接合面に
被覆されたろう層5同志を接触加圧し、この状態
で所定時間加熱保持してTLP接合を行なつて、
接合部7を得るのである。また、別の接合様式と
して、第2図Bに示すように、インサートメタル
8の両面にろう材をマグネトロンスパツタリング
にて被覆してろう層5を得、このインサートメタ
ルを介して母材4をTLP接合して接合部7を得
るのも有効な方法である。 しかし、このようなマグネトロンスパツタリン
グ法を利用したTLP接合の試験を繰返すうち
に、この方法ではNi−Cr−Fe−Mo系合金であつ
ても良好な接合部を得ることができるけれども、
Ni−Cr−Fe−Mo系合金の場合にはその作業能率
が著しく悪いという問題点に直面したのである。
すなわち、Ni−Cr−Fe−Mo系合金を、マグネト
ロンスパツタリング法適用のTLP接合する際に
は、まずろう材として、Ni−Cr−Fe−Mo系合金
の合金組成のものに融点低下元素であるB、Si、
およびPを添加した合金を溶製し、このろう材イ
ンゴツトを放電加工によつてマグネトロンスパツ
タリング用電極としてスパツタリングに供する必
要があるが、この場合、スパツタリング速度が非
常に遅く、工業上問題があることが判明したので
ある。すなわち、通常のマグネトロンスパツタリ
ングにおいては、1.0×10-1μm/min程度のスパ
ツタリング速度が期待されるのであるが、前記ろ
う材において、5×10-3μm/min程度の速度し
か得られず、この速度では、TLP接合可能な被
覆ろう層を形成するのに非常に長時間のスパツタ
リングを行なうことが必要で、この点からみて工
業的に採用するには不可能であると結論されたの
である。 本発明者等は、上述のような観点から、Ni−
Cr−Fe−Mo系合金を能率良くTLP接合でき、し
かも建全な接合部を得ることのできる手段を見出
すべく、特にそのろう材に着目して、マグネトロ
ンスパツタリング速度の速いNi−Cr−Fe−Mo系
合金のTLP接合用ろう材を得るべく、さらに研
究を重ねた結果、以下(a)〜(d)に示す知見も得たの
である。すなわち、 (a) Ni−Cr−Fe−Mo系合金の合金組成のものに
B、Si、およびPを添加した合金からなるろう
材のマグネトロンスパツタリング速度が遅いの
は、このろう材が磁化されやすく、第1図にお
けるマグネトロンスパツタリング装置の磁石
S、Nによつて容易に磁性体になるため、陰電
極に形成される磁場内に電子が閉じ込められ
ず、したがつてろう材構成成分の蒸発が極度に
少なくなるためであること。 (b) 通常、母材のNi−Cr−Fe−Mo系合金は磁化
されないものであるが、これにホウ素(B)を添加
して行くと次第に磁化されやすくなること。す
なわち、一般にBはろう材の融点を低下させる
とともに、ろう付け中にろう材から母材へ急速
に拡散し、ろう材の融点を再び上昇させて、つ
いにはろう層が凝固するという、いわゆる等温
凝固現象を起こさせ、TLP接合を行なうため
の必須元素であり、TLP接合用ろう材には少
なくとも1.5%以上添加することが望ましいと
されているが、Ni−Cr−Fe−Mo系合金におい
てはBの添加によつてろう材が磁化されやすく
なり、外部磁場により容易に磁性体となる恐れ
が生ずること。 (c) 良好なTLP接合を行なうためには、ろう材
中のB含有量を減らすことは好ましくなく、し
たがつて、B含有量を減らす以外の手段でろう
材の磁性を除去しなければ、マグネトロンスパ
ツタリング速度が速く、しかも接合性の良好な
ろう材を得ることができないこと。 (d) Ni−Cr−Fe−Mo系合金の合金組成のものに
B、Si、およびPを添加した合金から成るろう
材においては、B成分の他に、Fe成分がろう
材の磁化に大きな影響を及ぼしており、前記ろ
う材中のFe成分を減ずればろう材が磁化され
にくくなつて、スパツタリング速度が増大する
こと。 したがつて、この発明は上記知見にもとづいて
なされたもので、TLP接合用ろう材を、Ni−Cr
−Fe−Mo系合金の合金組成のうちのFe成分量を
減じたものにB、そしてSiおよびPを添加して構
成し、すなわち、 B:1.5〜4.0%、 Cr:19〜24%、 Co:0.1〜3.0%、 Mo:7〜11%、 W:0.1〜1.2%、 C:0.05〜1.0%、 Fe:10%以下、 Mn:1.5%以下、 Niおよび不可避不純物:残り、 で構成するか、あるいはさらに、 SiおよびPのうちの1種以上:3.5%以下、 を含有せしめて構成し、磁化されにくく、しかも
良好な接合部が得られるようにしたことに特徴を
有するものである。 ついで、この発明のろう材の組成成分を上記の
とおりに限定した理由を説明する。 (a) B B成分には、ろう材の融点を下げ、かつ等温
凝固を促進する作用があるが、その含有量が
1.5%未満では前記作用に所望の効果が得られ
ず、一方4.0%を越えて含有させると過共晶と
なつて等温凝固を起し難くなることから、その
含有量を1.5〜4.0%と限定した。 (b) Fe Fe成分は、Ni−Cr−Fe−Mo系合金の構成元
素であつて、かつ、接合部の伸びを向上させる
作用を有する成分であるが、その含有量が10%
を越えると、ろう材の磁化が強くな、マグネト
ロンスパツタリングが困難となることから、そ
の含有量を10%以下と限定した。なおFe成分
の含有量が低くなつても、接合部の伸びは低下
するものの、他の特性は何らそこなわれること
がないので、その含有量の下限値を定めること
をしなかつた (c) Cr、Co、Mo、W、C、およびMn Cr、Co、Mo、W、C、およびMn成分の含
有量を、接合部にNi−Cr−Fe−Mo系合金の特
性を維持するのに必要な含有量、すなわちNi
−Cr−Fe−Mo系合金の規格組成範囲たる、
Cr:19〜24%、Co:0.1〜3.0%、Mo:7〜11
%、W:0.1〜1.2%、C:0.05〜1.0%、および
Mn:1.5%以下に限定した。 (d) SiおよびP SiおよびP成分には、ろう材の融点を低下さ
せる作用があるので、B成分を含有するろう材
の融点をさらに低下させる必要がある場合に添
加されるが、その含有量の総和が3.5%を越え
ると、ろう材が極端に脆化し、また鋳造欠陥が
発生してマグネトロンスパツタリング電極の加
工ができなくなることから、その含有量の総和
を3.5%以下と限定した。 つぎに、この発明のろう材を実施例により比較
例と対比しながら説明する。 実施例 まず、通常の真空溶解法により第1表に示され
る成分組成をもつた溶湯をそれぞれ調製し、イン
ゴツトに鋳造し、このインゴツトを放電加工によ
り直径:150mmφ×厚さ:8mmの円板電極に成形
することによつて本発明ろう材1〜16および比較
ろう材1〜7をそれぞれ製造した。なお、比較ろ
う材1〜7は、いずれも構成成分のうちのいずれ
かの成分の含有量(第1表に※印を付して表示)
がこの発明の成分組成範囲から外れた組成をもつ
ものである。 つぎに、これらのろう材について、スパツタリ
ング速度およびTLP接合特性を測定した。 すなわちスパツタリング速度の測定は、第1表
に示される成分組成を有するNi−Cr−Fe−Mo系
合金の丸棒(寸法:直径10mmφ×長さ50mm)を用
意し、この丸棒の一方端面を1000番に至るエメリ
ーペーパーで研磨し、この研磨面に、放電電流:
3A、雰囲気:3×10-3torrの圧力のAr、電極間
距離:
【表】
100mm、処理時間:60分の条件でマグネトロンス
パツタリング処理を施し、処理後、前記研磨面を
被覆したろう材の厚みを顕微鏡で拡大実測し、毎
分当りのスパツタリング厚みを算出することによ
り行なつた。 また、TLP接合特性の測定は、上記のスパツ
タリング速度の測定により得られた一方端面がろ
う材で被覆されたNi−Cr−Fe−Mo系合金の丸棒
を用い、これを第2図Aに示される状態にセツト
し、加熱温度:1250℃、加圧力:0.2Kg/mm2、雰囲
気真空度:10-5torr、保持時間:2.5minの条件で
TLP接合を行ない、引続いて温度:1200℃に10
時間保持の拡散熱処理を施し、これより平行部が
6mmφの寸法をもつた引張試験片を切出し、その
引張り特性を測定することにより行なつた。これ
らの測定結果をろう材の融点と共に第1表に併せ
て示した。 なお、上記の引張試験に際し、融点が1300℃以
上のろう材を用いた場合には接合部で破断した
が、その他の融点が1300℃以下のろう材を用いた
場合にはいずれも母材で破断した。 第1表に示される結果から、本発明ろう材1〜
16を用いた場合には、いずれもすぐれた接合特性
が得られるのに対して、成分組成がこの発明の範
囲から外れたろう材を用いた場合には、比較ろう
材1〜7に見られるように良好な接合特性を得る
ことはできないことが明らかである。 上述のように、この発明のろう材によれば、
Ni−Cr−Fe−Mo系合金を、作業能率良く、かつ
確実強固にTLP接合することができるのであ
る。
パツタリング処理を施し、処理後、前記研磨面を
被覆したろう材の厚みを顕微鏡で拡大実測し、毎
分当りのスパツタリング厚みを算出することによ
り行なつた。 また、TLP接合特性の測定は、上記のスパツ
タリング速度の測定により得られた一方端面がろ
う材で被覆されたNi−Cr−Fe−Mo系合金の丸棒
を用い、これを第2図Aに示される状態にセツト
し、加熱温度:1250℃、加圧力:0.2Kg/mm2、雰囲
気真空度:10-5torr、保持時間:2.5minの条件で
TLP接合を行ない、引続いて温度:1200℃に10
時間保持の拡散熱処理を施し、これより平行部が
6mmφの寸法をもつた引張試験片を切出し、その
引張り特性を測定することにより行なつた。これ
らの測定結果をろう材の融点と共に第1表に併せ
て示した。 なお、上記の引張試験に際し、融点が1300℃以
上のろう材を用いた場合には接合部で破断した
が、その他の融点が1300℃以下のろう材を用いた
場合にはいずれも母材で破断した。 第1表に示される結果から、本発明ろう材1〜
16を用いた場合には、いずれもすぐれた接合特性
が得られるのに対して、成分組成がこの発明の範
囲から外れたろう材を用いた場合には、比較ろう
材1〜7に見られるように良好な接合特性を得る
ことはできないことが明らかである。 上述のように、この発明のろう材によれば、
Ni−Cr−Fe−Mo系合金を、作業能率良く、かつ
確実強固にTLP接合することができるのであ
る。
第1図はマグネトロンスパツタリングの実施装
置を示す概略図、第2図AおよびBはTLP接合
態様を示す図である。
置を示す概略図、第2図AおよびBはTLP接合
態様を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 B:1.5〜4.0%、 Cr:19〜24%、 Co:0.1〜3.0%、 Mo:7〜11%、 W:0.1〜1.2%、 C:0.05〜1.0%、 Fe:10%以下、 Mn:1.5%以下、 を含有し、残りがNiと不可避不純物からなる組
成(以上重量%)と有することを特徴とするNi
−Cr−Fe−Mo系合金の一時的液相接合用ろう
材。 2 B:1.5〜4.0%、 Cr:19〜24%、 Co:0.1〜3.0%、 Mo:7〜11%、 W:0.1〜1.2%、 C:0.05〜1.0%、 Fe:10%以下、 Mn:1.5%以下、 を含有し、さらに、 SiおよびPのうちの1種以上:3.5%以下、 を含有し、残りがNiと不可避不純物からなる組
成(以上重量%)と有することを特徴とするNi
−Cr−Fe−Mo系合金の一時的液相接合用ろう
材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11310881A JPS5816794A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | Ni−Cr−Fe−Mo系合金の一時的液相接合用ろう材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11310881A JPS5816794A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | Ni−Cr−Fe−Mo系合金の一時的液相接合用ろう材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5816794A JPS5816794A (ja) | 1983-01-31 |
JPS6134917B2 true JPS6134917B2 (ja) | 1986-08-09 |
Family
ID=14603695
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11310881A Granted JPS5816794A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | Ni−Cr−Fe−Mo系合金の一時的液相接合用ろう材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5816794A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012035829A1 (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | 福田金属箔粉工業株式会社 | ろう接用ニッケル基塩酸耐食合金 |
KR20200048787A (ko) * | 2018-10-30 | 2020-05-08 | 한국전기연구원 | 전극, 이의 제조방법 및 이를 이용하는 슈퍼커패시터 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007049508B4 (de) * | 2007-10-15 | 2022-12-01 | Vacuumschmelze Gmbh & Co. Kg | Hartlotfolie auf Nickel-Basis sowie Verfahren zum Hartlöten |
CN105598543B (zh) * | 2016-03-25 | 2018-01-02 | 中国科学院金属研究所 | 一种镍基高温合金或不锈钢连接用含硅硼的中间层合金及其应用 |
CN107824995B (zh) * | 2017-09-12 | 2020-04-10 | 青岛理工大学 | 一种应用于含铝的氧化物弥散强化铁素体/马氏体钢的焊接方法 |
-
1981
- 1981-07-20 JP JP11310881A patent/JPS5816794A/ja active Granted
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012035829A1 (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | 福田金属箔粉工業株式会社 | ろう接用ニッケル基塩酸耐食合金 |
JP5783641B2 (ja) * | 2010-09-13 | 2015-09-24 | 福田金属箔粉工業株式会社 | ろう接用ニッケル基塩酸耐食合金 |
KR20200048787A (ko) * | 2018-10-30 | 2020-05-08 | 한국전기연구원 | 전극, 이의 제조방법 및 이를 이용하는 슈퍼커패시터 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5816794A (ja) | 1983-01-31 |
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