JPS6134669B2 - - Google Patents
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- JPS6134669B2 JPS6134669B2 JP12167279A JP12167279A JPS6134669B2 JP S6134669 B2 JPS6134669 B2 JP S6134669B2 JP 12167279 A JP12167279 A JP 12167279A JP 12167279 A JP12167279 A JP 12167279A JP S6134669 B2 JPS6134669 B2 JP S6134669B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/60—Substrates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は改良された電子デバイス用マスク基板
に関するものである。
に関するものである。
従来、各種電子デバイスの製作にあたつて用い
るフオトマスク基板は、ソーダ系ガラス、カリウ
ム系ガラス、ポロンシリケートガラス、溶融石英
等からなり、これは一般に板状とされ、その表面
は光の散乱および光路の偏倚をなくするように鏡
面研磨が施されている。
るフオトマスク基板は、ソーダ系ガラス、カリウ
ム系ガラス、ポロンシリケートガラス、溶融石英
等からなり、これは一般に板状とされ、その表面
は光の散乱および光路の偏倚をなくするように鏡
面研磨が施されている。
しかして、ソーダ系、カリウム系ガラスの場合
は、通常、溶湯から板状に引上げられたものを規
定の寸法に切断した後、その平面および端面を炭
化ケイ素粒子等で粗研磨した後、その平面にさら
に粒径の小さい炭化けい素、酸化セリウム、シリ
カ、アルミナ、ジルコニア等の研磨材を用いて境
面研磨を施し、また、溶融石英の場合は、通常、
溶湯からロツド状に引上げられたものを規定の寸
法に切断して柱状素材となし、ついでこれを一定
の厚さにスライスした後、粗研磨、精研磨を経て
鏡面に仕上げている。
は、通常、溶湯から板状に引上げられたものを規
定の寸法に切断した後、その平面および端面を炭
化ケイ素粒子等で粗研磨した後、その平面にさら
に粒径の小さい炭化けい素、酸化セリウム、シリ
カ、アルミナ、ジルコニア等の研磨材を用いて境
面研磨を施し、また、溶融石英の場合は、通常、
溶湯からロツド状に引上げられたものを規定の寸
法に切断して柱状素材となし、ついでこれを一定
の厚さにスライスした後、粗研磨、精研磨を経て
鏡面に仕上げている。
このようにして製作された板状マスク基板の表
面には、高真空中でクローム、アルミニウム、鉄
等の金属および金属化合物が薄膜状に蒸着、スパ
ツタリングまたはプレーテイングされ、さらに諸
工程を経て電子デバイス用のマスクとして使用さ
れている。
面には、高真空中でクローム、アルミニウム、鉄
等の金属および金属化合物が薄膜状に蒸着、スパ
ツタリングまたはプレーテイングされ、さらに諸
工程を経て電子デバイス用のマスクとして使用さ
れている。
しかしながら、このようにして製作された基板
は、その周縁部に切断加工時に生じた凹凸や微細
な裂溝が存在するため、研磨工程中に微細な研磨
材粒子が上記凹凸部ないし裂溝中に捕捉され、ま
た、研磨材を分散させている水または水と有機溶
剤との混合液等の液体が上記裂溝中に浸入するよ
うになる。これらの捕捉微粒子や液体は洗浄およ
び乾燥工程を経ても完全に除去することは極めて
困難であるため、このような基板が蒸着、スパツ
タリング、プレーテイングに際して、高真空下に
さらされるときは、上記した補捉微粒子や液体が
基因して、基板の表面に悪影響を及ぼし、その結
果、ピンホールの発生率を高めて製品の歩留りを
低下させるという難点があつた。
は、その周縁部に切断加工時に生じた凹凸や微細
な裂溝が存在するため、研磨工程中に微細な研磨
材粒子が上記凹凸部ないし裂溝中に捕捉され、ま
た、研磨材を分散させている水または水と有機溶
剤との混合液等の液体が上記裂溝中に浸入するよ
うになる。これらの捕捉微粒子や液体は洗浄およ
び乾燥工程を経ても完全に除去することは極めて
困難であるため、このような基板が蒸着、スパツ
タリング、プレーテイングに際して、高真空下に
さらされるときは、上記した補捉微粒子や液体が
基因して、基板の表面に悪影響を及ぼし、その結
果、ピンホールの発生率を高めて製品の歩留りを
低下させるという難点があつた。
本発明は上記した問題点を解決することのでき
る電子デバイス用マスク基板を提供するものであ
つて、これは側周縁部に境面研磨を施してなるこ
とを特徴とするものであり、好ましくは側周縁部
を面取り加工し、これに鏡面研磨を施してなるこ
とを特徴とするものであり、本発明のマスク基板
によれば、その表面に蒸着、スパツタリングある
いはプレーテイング処理を施すにあたりピンホー
ルの発生を効果的に抑えることができる。
る電子デバイス用マスク基板を提供するものであ
つて、これは側周縁部に境面研磨を施してなるこ
とを特徴とするものであり、好ましくは側周縁部
を面取り加工し、これに鏡面研磨を施してなるこ
とを特徴とするものであり、本発明のマスク基板
によれば、その表面に蒸着、スパツタリングある
いはプレーテイング処理を施すにあたりピンホー
ルの発生を効果的に抑えることができる。
以下、本発明を詳細に説明すると、本発明のマ
スク基板にはその周縁部に鏡面研磨が施されるの
であるが、この鏡面研磨はマスク用基材を板状に
加工する前の段階で行なうか、あるいは板状に加
工した後の段階で行なうか、いずれでもよいが、
しかし周縁部に面取り加工を施す場合は、この面
取り加工の後に鏡面研磨を行なうことが望まし
い。
スク基板にはその周縁部に鏡面研磨が施されるの
であるが、この鏡面研磨はマスク用基材を板状に
加工する前の段階で行なうか、あるいは板状に加
工した後の段階で行なうか、いずれでもよいが、
しかし周縁部に面取り加工を施す場合は、この面
取り加工の後に鏡面研磨を行なうことが望まし
い。
本発明になるマスク基板の鏡面研磨の方法につ
いては特に限定されるものではないが、これはた
とえば第１図に示すような装置を用いて行なわれ
る。
いては特に限定されるものではないが、これはた
とえば第１図に示すような装置を用いて行なわれ
る。
すなわち、第１図に示す装置は、所定の寸法に
切断加工され、かつその周縁部を面取り加工した
１枚のマスク基板、あるいは複数の基板１を平行
に配列した状態でセツトする固定ボツクス２の上
方に、研磨ボツクス３を配置し、この研磨ボツク
ス３を、回転機４およびアーム５とからなる駆動
機構によつて往復運動させ、第２図に示すよう
に、上記研磨ボツクス３の底面に設けた１〜複数
の平行溝６を、上記基板１の周縁部１ａに摺動接
触するようにしてなるものである。
切断加工され、かつその周縁部を面取り加工した
１枚のマスク基板、あるいは複数の基板１を平行
に配列した状態でセツトする固定ボツクス２の上
方に、研磨ボツクス３を配置し、この研磨ボツク
ス３を、回転機４およびアーム５とからなる駆動
機構によつて往復運動させ、第２図に示すよう
に、上記研磨ボツクス３の底面に設けた１〜複数
の平行溝６を、上記基板１の周縁部１ａに摺動接
触するようにしてなるものである。
上記装置にてマスク基板１の側周縁部１ａに鏡
面研磨を施すには、まず研磨ボツクス３の上方に
配置したノズル７を通じて該ボツクス３内に、水
または有機溶媒を含む混合溶液中に公知の研磨材
を分散させたものを供給し、これを該ボツクスの
小孔８を通じて基板の周縁部１ａに連続的または
間欠的に供給し、順次研磨材の種類および粒度を
粗大なものから微細なものへと変化させることに
よつて最終的に鏡面状態に仕上げるのである。
面研磨を施すには、まず研磨ボツクス３の上方に
配置したノズル７を通じて該ボツクス３内に、水
または有機溶媒を含む混合溶液中に公知の研磨材
を分散させたものを供給し、これを該ボツクスの
小孔８を通じて基板の周縁部１ａに連続的または
間欠的に供給し、順次研磨材の種類および粒度を
粗大なものから微細なものへと変化させることに
よつて最終的に鏡面状態に仕上げるのである。
なお、第１図、第２図には平面形状が四角形で
あるマスク基板の周縁部を鏡面に研磨する場合に
ついて例示したが、本発明のマスク基板の平面形
状については円形であつても差支えはなく、この
円形マスク基板の周縁部の鏡面研磨装置について
は特に図示してないが、これは例えば所望の円形
マスク基板と同一に形成した母型に倣つて相対的
に移動する砥石部材によつて容易に鏡面研磨する
ことができる。
あるマスク基板の周縁部を鏡面に研磨する場合に
ついて例示したが、本発明のマスク基板の平面形
状については円形であつても差支えはなく、この
円形マスク基板の周縁部の鏡面研磨装置について
は特に図示してないが、これは例えば所望の円形
マスク基板と同一に形成した母型に倣つて相対的
に移動する砥石部材によつて容易に鏡面研磨する
ことができる。
第３図は本発明になるマスク基板における周縁
部１ａの断面形状を例示するものであつて、同図
ａは周縁部端面を単に鏡面研磨したものであり、
同図ｂ，ｃはそれぞれ周縁部に傾斜面および彎曲
面となる面取り加工を施した後に鏡面研磨したも
のである。また、第４図ａ，ｂ，ｃはそれぞれそ
の周縁部１ａに面取り加工を施した後、鏡面研磨
したマスク基板の平面図である。
部１ａの断面形状を例示するものであつて、同図
ａは周縁部端面を単に鏡面研磨したものであり、
同図ｂ，ｃはそれぞれ周縁部に傾斜面および彎曲
面となる面取り加工を施した後に鏡面研磨したも
のである。また、第４図ａ，ｂ，ｃはそれぞれそ
の周縁部１ａに面取り加工を施した後、鏡面研磨
したマスク基板の平面図である。
つぎに本発明の実施例を挙げて説明するが、以
下の実施例は本発明を限定するものではない。
下の実施例は本発明を限定するものではない。
実施例 １
一辺が102mm、厚さ2.8mmの正方形のソーダ系ガ
ラス100枚を、その表面を粗研磨した後、第３図
ｂに示すように各周縁部を面取り加工し、ついで
第１図に示す装置にて周縁部につき、基板の表面
研磨を行なうときに使用する研磨材と同様の研磨
材を用いて３段階の研磨加工を施して鏡面状態に
仕上げた。このようにして周縁部に鏡面研磨を施
したマスク基板について、最後にその表面を常法
にしたがつて鏡面仕上げした後、界面活性剤を含
む洗浄液および純水にて洗浄し、乾燥してからそ
の表面にクロム蒸着を行つた。
ラス100枚を、その表面を粗研磨した後、第３図
ｂに示すように各周縁部を面取り加工し、ついで
第１図に示す装置にて周縁部につき、基板の表面
研磨を行なうときに使用する研磨材と同様の研磨
材を用いて３段階の研磨加工を施して鏡面状態に
仕上げた。このようにして周縁部に鏡面研磨を施
したマスク基板について、最後にその表面を常法
にしたがつて鏡面仕上げした後、界面活性剤を含
む洗浄液および純水にて洗浄し、乾燥してからそ
の表面にクロム蒸着を行つた。
このようにして得られた電子デバイス用マスク
基板について、その表面状態を検査したところ、
ピンホールの数が、平均0.1個／cm2で全数が合格
するものであつた。
基板について、その表面状態を検査したところ、
ピンホールの数が、平均0.1個／cm2で全数が合格
するものであつた。
実施例 ２
面取り加工を施さなかつたほかは、実施例１と
ほゞ同様にして得られたマスク基板の100枚につ
いて、その表面状態を検査したところ、ピンホー
ルの数が平均0.3個／cm2であり、全数使用可能で
あつた。
ほゞ同様にして得られたマスク基板の100枚につ
いて、その表面状態を検査したところ、ピンホー
ルの数が平均0.3個／cm2であり、全数使用可能で
あつた。
比較例
比較のために、一辺が102mm、厚さ2.8mmの正方
系ソーダ系ガラス100枚を、常法に従つてその表
面だけを鏡面仕上げして、ついでその表面にクロ
ム蒸着を行なつて得られた電子デバイス用マスク
基板について、その表面形態を検査したところ、
ピンホールの数が平均７個／cm2で、100枚の内７
枚の不良品が存在した。
系ソーダ系ガラス100枚を、常法に従つてその表
面だけを鏡面仕上げして、ついでその表面にクロ
ム蒸着を行なつて得られた電子デバイス用マスク
基板について、その表面形態を検査したところ、
ピンホールの数が平均７個／cm2で、100枚の内７
枚の不良品が存在した。
第１図は本発明の電子デバイス用マスク基板の
周縁部を研磨加工する装置の概略構成を示す線図
であり、第２図はその要部拡大断面図である。第
３図ａ〜ｃはそれぞれ本発明になるマスク基板に
おける周縁部の異なる態様を示す断面図であり、
第４図ａ〜ｃはそれぞれ異なる面取り加工を施し
てなる本発明のマスク基板の平面図である。 １……マスク基板、１ａ……周縁部、２……固
定ボツクス、３……研磨ボツクス、４……回転
機、５……アーム、６……平行溝、７……ノズ
ル、８……小孔。
周縁部を研磨加工する装置の概略構成を示す線図
であり、第２図はその要部拡大断面図である。第
３図ａ〜ｃはそれぞれ本発明になるマスク基板に
おける周縁部の異なる態様を示す断面図であり、
第４図ａ〜ｃはそれぞれ異なる面取り加工を施し
てなる本発明のマスク基板の平面図である。 １……マスク基板、１ａ……周縁部、２……固
定ボツクス、３……研磨ボツクス、４……回転
機、５……アーム、６……平行溝、７……ノズ
ル、８……小孔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 側周縁部に鏡面研磨を施してなることを特徴
とする電子デバイス用マスク基板。 ２ 側周縁部を面取り加工してなる特許請求の範
囲第１項に記載の電子デバイス用マスク基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12167279A JPS5646227A (en) | 1979-09-21 | 1979-09-21 | Mask substrate for electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12167279A JPS5646227A (en) | 1979-09-21 | 1979-09-21 | Mask substrate for electronic device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5646227A JPS5646227A (en) | 1981-04-27 |
| JPS6134669B2 true JPS6134669B2 (ja) | 1986-08-08 |
Family
ID=14817030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12167279A Granted JPS5646227A (en) | 1979-09-21 | 1979-09-21 | Mask substrate for electronic device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5646227A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005316448A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-11-10 | Hoya Corp | マスクブランク用のガラス基板、マスクブランク、マスクブランク用のガラス基板の製造方法、及び研磨装置。 |
| JP2005333124A (ja) * | 2004-04-22 | 2005-12-02 | Asahi Glass Co Ltd | 反射型マスク用低膨張硝子基板および反射型マスク |
| JP2014056261A (ja) * | 2013-11-07 | 2014-03-27 | Hoya Corp | マスクブランク及びその製造方法、並びにマスク |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2506123B2 (ja) * | 1987-09-29 | 1996-06-12 | シャープ株式会社 | 光ディスク |
| JP2003114501A (ja) * | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Konica Corp | ハロゲン化銀写真乾板及びその製造方法 |
| US7323276B2 (en) | 2003-03-26 | 2008-01-29 | Hoya Corporation | Substrate for photomask, photomask blank and photomask |
| JP4206850B2 (ja) | 2003-07-18 | 2009-01-14 | 信越化学工業株式会社 | 露光用大型合成石英ガラス基板の製造方法 |
| JP5085966B2 (ja) * | 2007-04-09 | 2012-11-28 | Ｈｏｙａ株式会社 | フォトマスクブランクの製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
| JP5365137B2 (ja) * | 2008-10-29 | 2013-12-11 | 東ソー株式会社 | フォトマスク用基板およびその製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50153871A (ja) * | 1974-05-30 | 1975-12-11 | ||
| JPS5311717A (en) * | 1976-07-12 | 1978-02-02 | Kubota Ltd | Cultivating machine |
| JPS5425A (en) * | 1977-06-03 | 1979-01-05 | Hitachi Ltd | Method of chamfering glass substrate |
| JPS55146928A (en) * | 1979-05-02 | 1980-11-15 | Ulvac Corp | Manufacturing of photomask substrate |
-
1979
- 1979-09-21 JP JP12167279A patent/JPS5646227A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50153871A (ja) * | 1974-05-30 | 1975-12-11 | ||
| JPS5311717A (en) * | 1976-07-12 | 1978-02-02 | Kubota Ltd | Cultivating machine |
| JPS5425A (en) * | 1977-06-03 | 1979-01-05 | Hitachi Ltd | Method of chamfering glass substrate |
| JPS55146928A (en) * | 1979-05-02 | 1980-11-15 | Ulvac Corp | Manufacturing of photomask substrate |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005316448A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-11-10 | Hoya Corp | マスクブランク用のガラス基板、マスクブランク、マスクブランク用のガラス基板の製造方法、及び研磨装置。 |
| JP2005333124A (ja) * | 2004-04-22 | 2005-12-02 | Asahi Glass Co Ltd | 反射型マスク用低膨張硝子基板および反射型マスク |
| JP2014056261A (ja) * | 2013-11-07 | 2014-03-27 | Hoya Corp | マスクブランク及びその製造方法、並びにマスク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5646227A (en) | 1981-04-27 |
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