JPS6134636Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 (a) 考案の技術分野 本考案は磁気バブル消去器の構成に関する。

(b) 技術の背景 磁気バブルメモリデバイス（以下メモリデバイ
ス）は磁気バブルメモリチツプ（以下メモリチツ
プ）にバイアス磁界および駆動磁界を与えるよう
に形成された電子素子である。すなわちアルミ
ナ、ポリイミドなどからなる多層配線基板の中央
凹部にメモリチツプを搭載してワイヤボンデング
接続した基板を中心として回転磁界を与えるため
の駆動コイルを巻回すると共にバイアス磁界を与
えるための永久磁石板および整磁板を上下より挾
着しデユアルインライン型パツケージ構造をとる
ケースに格納されている。さてかゝるメモリデバ
イスは記憶容量64Kビツト、256Kビツト等各種
のものが実用化されており、必要とする記憶容量
によりメモリデバイスの種類および個数を選定
し、コイル駆動回路、フアンクシヨン回路などの
直接周辺回路およびタイミング回路などと共にプ
リント配線基板上に装着して磁気バブルメモリカ
ードが作られている。一方メモリデバイスをカー
トリツジに収納して持ち運びおよび交換可能な形
とした磁気バブルメモリカセツト（以下カセツ
ト）があり、これはカセツト内に設けられている
コネクタを通じて直接周辺回路やタイミング回路
などが装着してあるカードのホルダに接続される
ようになつている。さて、このようにメモリデバ
イスは磁気バブルメモリカードの構成部品として
またこれに挿抜可能なカセツトの形で使用されて
いるが必要に応じて記憶情報を一時に消去したい
場合があり、この目的に磁気バブル消去器が使わ
れている。本考案はかゝる消去器の構成に関する
ものである。

(c) 従来技術と問題点 メモリデバイスに記憶されている情報を消去す
るには永久磁石によりメモリチツプに垂直に加え
られているバイアス磁界を増加して磁気バブルが
消滅するコラプス磁界値まで高めればよく、この
方法として電磁石を接近させて必要な磁界を加え
るか或はメモリデバイスの中に設けてある消去コ
イルに電流を通じてバイアス磁界値を高めるなど
の方法がとられている。一方メモリカセツトの場
合はコネクタ端子に消去用端子があつて予めメモ
リデバイスの消去コイルと結線されているので、
これに電流を通ずることにより消去が可能であ
る。さてメモリデバイスに電磁石を接近させて消
去を行う際に磁界強度は距離に比例して急激に減
少するためにメモリデバイスを完全に接触させた
状態で行わないと情報の不完全消去が起り易い。

本考案はかゝる危検性を無くするための構成に
関するものである。

(d) 考案の目的 本考案はメモリデバイスに完全に接触した状態
で消去スイツチが動作する機構とすると共にメモ
リカセツトの消去も行える構造を提供することを
目的とする。

(e) 考案の構成 本考案はメモリデバイスの外装面が電磁石に完
全接触してマイクロスイツチが動作して初めて情
報の消去が行われるようにすると共にメモリデバ
イスの消去を行う電磁石部が電源部より着脱可能
な形で設けられており、電磁石部を引抜いた後メ
モリカセツトを挿着可能な構造とすることにより
達成できる。

(f) 考案の実施例 第１図は本考案に係る磁気バブル消去器の構成
図であつて、Ａは電磁石部の断面図、Ｂ，Ｃは側
面図またＤは消去器の正面図である。

本考案に係る消去器は電源部１と電磁石部２と
がコネクタにより着脱可能な状態に構成されてい
る。

第２図は本考案に係る消去器の回路図であつて
一点鎖線によつて電源部１と電磁石部２とがコネ
クタ３により分離されているが、このコネクタは
メモリカセツトとカセツトホルダとの挿抜に使用
されるものと同種のものが用いられており、従つ
て電磁石部２の代りにメモリカセツトを挿着する
ことができる。さて第２図の電源部１には電源４
と大容量コンデンサ５が内蔵されており、電源ス
イツチ６を通してコンデンサが充電されるように
なつている。

本考案の特徴はメモリデバイスのバブル情報を
消去する場合に不完全消去を無くすることを本旨
とするものであつて、第１図Ａ〜Ｃにおいてメモ
リデバイスと接する面にはデバイスガイド７があ
りその中心には磁芯８にコイルが巻回された電磁
石１０があり、磁芯８の表面が僅かに突出して設
けてありこの面にメモリデバイスを突き当てると
電磁石１０が僅か移動してマイクロスイツチ１１
の接点が閉じコンデンサ５の放電々流により電磁
石が形成されこの磁界によりメモリデバイスの消
去が行われ、次に引上げると電磁石１０は元の位
置に復元してマイクロスイツチ１１の接点が開く
ようになつている。なおメモリカセツトの消去は
先に記したように電磁石部２を引抜いた後メモリ
カセツトをそのまゝ挿入することにより行うこと
ができる。

(g) 考案の効果 本考案は従来メモリデバイスに電磁石を接近さ
せてバブル情報の消去を行う場合にメモリデバイ
スへの接近が不充分のために磁界値がバブルの消
滅値にまで達せず、情報が不完全な形で残存する
欠点を無くするもので、電磁石を上下に可動の状
態とし電磁石の磁芯の表面にメモリデバイスが突
き当つて微動した状態でマイクロスイツチが動作
して電磁石が形成される構成をとることにより、
従来の不完全消去による障害を無くすることがで
きた。なおこの消去器はメモリカセツトについて
も消去が行われるため効率が向上した。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案に係る磁気バブル消去器の構成
図であつて同図Ａは電磁石部の断面図、Ｂ，Ｃは
側面図、Ｄは消去器の正面図また第２図は磁気バ
ブル消去器の回路図である。 図において、１は電源部、２は電磁石部、３は
コネクタ、４は電源、８は磁芯、１０は電磁石、
１１はマイクロスイツチ。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 磁気バブルメモリデバイスまたは磁気バブルメ
   モリカセツトに記憶されている情報を消去するた
   めに用いられる消去器において、磁気バブルメモ
   リデバイス用の消去器が着脱可能な形で磁気バブ
   ルメモリカセツト用消去器に連結して設けられて
   おり、情報の消去を行う磁気バブルメモリデバイ
   スの外装面が電磁石に完全接触して後に消去が行
   われるよう構成されていることを特徴とする磁気
   バブル消去器。