JPS6134608B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6134608B2
JPS6134608B2 JP14692777A JP14692777A JPS6134608B2 JP S6134608 B2 JPS6134608 B2 JP S6134608B2 JP 14692777 A JP14692777 A JP 14692777A JP 14692777 A JP14692777 A JP 14692777A JP S6134608 B2 JPS6134608 B2 JP S6134608B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
operational amplifier
output
circuit
amplifier
bias current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP14692777A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5479029A (en
Inventor
Tokuichi Tsunekawa
Tetsuya Taguchi
Fumio Ito
Isao Harigaya
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP14692777A priority Critical patent/JPS5479029A/ja
Publication of JPS5479029A publication Critical patent/JPS5479029A/ja
Publication of JPS6134608B2 publication Critical patent/JPS6134608B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/44Electric circuits

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Exposure Control For Cameras (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> 本発明は測光回路に関する。
<従来技術> 従来、カメラ等に使用される測光回路は第1図
に示すようになつている。すなわち入力段に
FET並びに出力段にバイボーラトランジスタを
備えた高入力インピーダンス演算増幅器1が電源
スイツチ2,3を介して電源電池4,5に接続さ
れており、この演算増幅器1の入力端子間に光起
電力型光電変換素子等の受光素子6が接続され、
演算増幅器1の出力端子と反転入力端子との間に
シリコンフオトダイオード等の対数圧縮用対数変
換素子7を接続し、演算増幅器1の出賄力端にメ
ータ8が接続されている。9は演算増幅器1の入
力端子に存在する浮遊容量で、この浮遊容量は受
光素子6の接合容量、演算増幅器1の入力段の
FETのゲートに存在する容量、プリント配線網
に生ずる容量等である。
したがつて、電源スイツチ2,3を閉成する
と、演算増幅器1の入力段のFETと出力段のバ
イボーラトランジスタとの過渡応答特性の差によ
り異常電流が対数変換素子7を通して流れ、前記
浮遊容量9への不必要なチヤージが瞬間的に行な
われる。
この不必要なチヤージは受光素子6に生ずる光
電流により徐々に解消されるが、完全に解消され
るまでにはかなりの時間を要して測光回路が安定
しにくいものである。特に微弱を測光する場合に
は光電流がピコアンペア(PA)オーダーのため
に不必要なチヤージを解消するために数秒程度の
時間が必要となるものである。
さらに従来の測光回路では暗黒状態において負
帰還回路に挿入した対数変換素子7への光電流が
断たれるために、演算増幅器1に負帰還がかから
なくなり、演算増幅器1の出力は低い側のレベル
に達する。すなわち演算増幅器1がラツチされる
ことになる。このため次の撮影時に演算増幅器1
のラツチ解除に時間を要し、入射光量に対する測
光回路の追従性が悪くなるものである。
<目的> 本発明は上述の事項に鑑みなされたもので、演
算増幅器(実施、第2図の12に相当する。)の入
力端子間に受光素子(実施例、第2図の11に相当
する。)を接続すると共にその入出力端子間に対
数圧縮用のダイオード機能のインピーダンス手段
(実施例、第2図の13に相当する。)を接続した測
光回路において、前記増幅器の受光素子と前記イ
ンピーダンス手段とが接続される一方の入力端に
第2のインピーダンス手段(実施例、第2図の22
に相当する。)の一端を接続し、かつ前記増幅器
の出力に応じて出力電位を第1の状態から第2の
状態へ変化させる電圧調定回路(実施例、第2図
の25に相当する。)を設け、更に該電圧調定回路
の出力を前記第2のインピーダンス手段の他端に
接続し、該第2のインピーダンス手段への印加電
位を第1の状態とすることにて増幅器に存在する
浮遊容量のチヤージを適正化し、又前記印加電位
を第2の状態とすることにて増幅器へ前記第2の
インピーダンス手段を介してバイアス電流を供給
することにて上述の問題を解消した測光回路を提
供せんとするものである。
即ち、本発明では上記の構成にて上記チヤージ
が発生し増幅器がラツチ状態にある時には上記第
2のインピーダンス手段を介して自動的に上記チ
ヤージを放電させると共にラツチ解除後は上記第
2のインピーダンス手段を介してバイアス電流を
増幅器に供給し以後増幅器がラツチ状態に移行す
ることを防止したものである。
<実施例> 第2図は本発明に係る測光回路の一実施例を示
す回路図である。
図において、11は光起電力型光電変換素子等
の受光素子である。
12は入力端子間に前記受光素子11を接続し
た高入力インピーダンス演算増幅器、13は演算
増幅器12の出力端子と反転入力端子との間に接
続されるシリコンフオトダイオード等の対数変換
素子、該対数変換素子13は受光素子11より生
ずる光電流を対数圧縮する。14は演算増幅器1
2の出力端子に接続される表示用メータ、15は
演算増幅器12の入力端子に存在する浮遊容量
で、この浮遊容量15は受光素子11の接合容
量、演算増幅器12の入力段のFETのゲートに
存在する容量、プリント配線網に生ずる容量等で
ある。18並びに19は電源スイツチ16,17
を介して演算増幅器12を接続した電源電池であ
る。25は測光回路の過渡応答特性改善用のスイ
ツチングトランジスタであり、このトランジスタ
25のベースは演算増幅器12の出力端に接続さ
れている。
26はトランジスタ25のエミツタに接続され
た抵抗であり、この抵抗26はバイアス電流供給
用抵抗22より十分に抵抗値の抵抗の低い抵抗で
ある。
上記構成において、電源スイツチ16及び17
をオンすると、対数変換素子13を通して異常チ
ヤージ浮遊容量15に生ずる。このため演算増幅
器12の出力端子の電位は低い側の飽和レベルに
達するが、この時点に於いてはトランジスタ25
がオフになり、前記浮遊容量15に生じた異常チ
ヤージは抵抗22及び26を通し放電されて急速
に解消され、演算増幅器12の出力電位は正常作
動電位に急激に回復する。そして演算増幅器12
の出力電位が正常作動電位に戻るとトランジスタ
25はオンし該トランジスタ25のエミツタ電位
が上がり、バイアス電流供給用抵抗22の両端
子、間電位が下がる。これによりある一定のバイ
アス電流即ち測光限界以下のある一定のバイアス
電流が演算増幅器12の反転入力端子に加えられ
る。このため、たとえ被写体が暗黒状態になつて
も演算増幅器12はラツチすることなく、測光回
路は高速の応答特性を保持することができるもの
である。
即ち、トランジスター25のオン時における抵
抗22への印加電圧をVBとし、バイアス電流供
給用抵抗22の抵抗値をRBとすると、バイアス
電流IBは IB=V/R ……(1) となる。
被写体輝度に対応して受光素子11に生ずる光
電流をIPとし、対数変換素子13の逆方向飽和
電流をIOとすると、高入力インピーダンス演算
増幅器12の出力端子の電位VOは、該演算増幅
器12にオフセツト電圧がないものとして表わす
と次の式になる。
O=k/qn(I+I/I+1)……(
2) ここで、kはボルツマン定数、qは電荷素量、
Tは絶対温度である。
(2)式において、入射光が遮断されIP=0の場
合にはバイアス電流IBのみによる出力が生じ、
測光回路の演算増幅器12はラツチしなくなる。
よつて上述の如く被写体が暗黒状態となつても増
幅器のラツチは防止することが出来る。このバイ
アス電流IBを測光回路の測光限界より1段程度
下に設定すれば、測光回路の測光限界のクランプ
となる。
また、受光素子11並びに対数変換素子13の
極性が逆方向に接続されている場合には図示方向
と逆方向にバイアス電流を供給すれば良いことは
いうまでもない。
第3図は被写体輝度がある一定の明るさ以下の
場合にのみ演算増幅器のラツチ防止用のバイアス
電流を供給する回路を第2図の回路に付加したも
ので、70は定電圧回路、71は定電圧回路70
の出力と演算増幅器12の出力とを比較する比較
器で、この比較器71の出力はトランジスタ72
のベースに接続されている。しかして、比較器7
1が定電圧回路70の出力と演算増幅器12の出
力とを比較し、演算増幅器12の出力が定電圧回
路70の出力より大きくなると、比較器71は反
転しトランジスタ72をオンさせる。これにより
トランジスタ72のエミツタ電位がグランド、電
位にほぼ等しくなるので、バイアス電流供給用抵
抗22の両端子間電位がほぼ零ボルトになり不必
要時のバイアス電流が遮断される。逆に被写体輝
度が暗い場合には演算増幅器12の出力電圧は定
電圧回路70の出力電位より小さくなるのでトラ
ンジスタ72はオフし、第2図と同様にして演算
増幅器12のラツチ防止用のバイアス電流が流れ
る。
また、電源スイツチ16,17がオンした際に
浮遊容量への不必要なチヤージは第2図と同様に
して解消されることはいうまでもない。
第4図は本発明の過渡応答特性の改善を行つた
測光回路と従来の測光回路との応答特性の比較を
示したものであり、第4図Aは時刻t0〜t12の間の
被写体光の強さの変化を示したものである。
第4図Bは第1図に示す従来の測光回路の出力
電圧の追従性を示したものであり、この図では被
写体が暗黒状態であると、測光回路ではVDとい
う異常に低い出力電圧が生じ測光回路がラツチ
し、その後第4図AにP1として示す光が入射して
も回路のラツチ解除までにかなり時間がかかり、
追従性に問題が生ずることがわかる。
第4図Cは第2図、第3図に示す本発明の測光
回路の出力電圧の追従性を示したものである。
この図では時刻t0に於いて電源スイツチ16,
17をオンすると一旦異常チヤージが生じ、測光
回路の出力電圧がVDになるが、異常チヤージ解
消回路により、異常チヤージが強制的に短時間の
間に解消されるため、被写体の輝度変化に対する
測光回路の追従性が著しく改善される事がわか
る。
又、以後の時刻に於いては、被写体がたとえ暗
黒状態になつたとしてもバイアス電流により測光
回路のラツチが防止され、暗黒状態下でも被写体
の輝度変化に対する測光回路の追従性が改善され
る事がわかる。
<効果> 以上の如く本発明に係る測光回路にあつては、
異常チヤージ発生時には自動的に該チヤージを放
電、増幅器のラツチを解除し、更に以後増幅器の
バイアス電流を供給するものであるので、ラツチ
解除後たとえ暗黒状態となろうとも増幅器がラツ
チされることが防止されるものであり、測光回路
として極めて好適な応答性を有する測光回路を提
供し得るものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のカメラの測光回路図、第2図は
本発明の一実施例を示す測光回路図、第3図は本
発明の他の実施例を示す測光回路図、第4図Aは
時間の変化における被写体輝度の変化を示す図、
第4図Bは第1図に示す従来の測光回路の出力電
圧特性図、第4図Cは第2図、第3図に示す本発
明の測光回路の出力電圧特性図である。 11……受光素子、12……演算増幅器、13
……対数変換素子、15……浮遊容量、22……
バイアス電流供給用抵抗、25……スイツチング
トランジスタ、26……抵抗。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 演算増幅器の入力端子間に受光素子を接続す
    ると共にその入出力端子間に対数圧縮用のダイオ
    ード機能のインピーダンス手段を接続した測光回
    路において、 前記増幅器の受光素子と前記インピーダンス手
    段とが接続される一方の入力端に第2のインピー
    ダンス手段の一端を接続し、かつ前記増幅器の出
    力に応じて出力電位を第1の状態から第2の状態
    へ変化させる電圧調定回路を設け、更に該電圧調
    定回路の出力を前記第2のインピーダンス手段の
    他端に接続し、該第2のインピーダンス手段への
    印加電位を第1の状態とすることにて増幅器に存
    在する浮遊容量のチヤージを適正化し、又前記印
    加電圧を第2の状態とすることにて増幅器へ前記
    第2のインピーダンスを介してバイアス電流を供
    給することを特徴とする測光回路。
JP14692777A 1977-12-06 1977-12-06 Exposure controller of cameras Granted JPS5479029A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14692777A JPS5479029A (en) 1977-12-06 1977-12-06 Exposure controller of cameras

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14692777A JPS5479029A (en) 1977-12-06 1977-12-06 Exposure controller of cameras

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5479029A JPS5479029A (en) 1979-06-23
JPS6134608B2 true JPS6134608B2 (ja) 1986-08-08

Family

ID=15418711

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14692777A Granted JPS5479029A (en) 1977-12-06 1977-12-06 Exposure controller of cameras

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5479029A (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5479029A (en) 1979-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4085411A (en) Light detector system with photo diode and current-mirror amplifier
US3626825A (en) Radiation-sensitive camera shutter and aperture control systems
US4100407A (en) Photoelectric conversion circuit
US4188551A (en) Amplifier circuit having photoelectric converter
US4065668A (en) Photodiode operational amplifier
US3911268A (en) Photodiode biasing circuit
US4789777A (en) Photelectric amplifier having plural actuable feedback paths
JPS6134608B2 (ja)
US4498753A (en) Photometric apparatus for cameras
US4160160A (en) Circuit for integrating a quantity of light in an automatic control type flash unit
US3952318A (en) Shutter control circuit for cameras
US4020363A (en) Integration circuit with a positive feedback resistor
US4037237A (en) Exposure control apparatus
JPS622294B2 (ja)
US4444481A (en) Exposure control circuit for a camera
US3597095A (en) Photographic exposure meter
JPS6111698Y2 (ja)
JPS609707Y2 (ja) 光電変換回路
JPS6142094Y2 (ja)
JPH0381090B2 (ja)
JPS6034848B2 (ja) 光電流増幅回路
JPS5853294B2 (ja) ソクコウカイロ
JPS634124B2 (ja)
JP3176681B2 (ja) 測光回路
JPH036894Y2 (ja)