JPS6131975A - 耐湿性評価用半導体素子 - Google Patents

耐湿性評価用半導体素子

Info

Publication number
JPS6131975A
JPS6131975A JP15295484A JP15295484A JPS6131975A JP S6131975 A JPS6131975 A JP S6131975A JP 15295484 A JP15295484 A JP 15295484A JP 15295484 A JP15295484 A JP 15295484A JP S6131975 A JPS6131975 A JP S6131975A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire bonding
metal
wire
metallic
moisture
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP15295484A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaaki Muto
武藤 雅彰
Toru Yoshida
亨 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP15295484A priority Critical patent/JPS6131975A/ja
Publication of JPS6131975A publication Critical patent/JPS6131975A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、樹脂封止半導体素子の耐湿性を高感度で評価
できるようにした耐湿性評価用半導体素子に関する。
〔発明の背景〕
樹脂封止半導体素子(以下モールド素子という)は、セ
ラミック封止素子に比べて安価であるので需要が大であ
る。
然しなから、このモールド素子は、外部からの水の侵入
があシ、モールド素子内部の金属配線やボンディング用
金属電極が腐食し、信頼性が低いという難点がある。
最近において、金属配線上におけるパシベーション膜の
信頼性が同上するにつれて金属配線の腐食は少なくなっ
た。
然しなからモールド素子にあっては、外部のリードピン
と電気的に接続されるワイヤボンディング用金属電極は
、上記パシベーション膜を施すことができないので、腐
食の問題は解消されず、依然として腐食の問題が残存す
る。
従って、七−ルド素子にあっては、この腐食(水の侵入
)が問題であるので、腐食に対する検査(評価)が必要
である。
この評価手段で、一般によく行なわれている′のは、モ
ールド素子の外部1ノ一ドビン間の13 −ク電流を知
ることにより、腐食の程度を推定するとと゛返却られて
いる。
その原理は、半導体素子上に水分カニ付着すると、素子
上の電気抵抗が低下する。この性質を利用して、ワイヤ
ボンディング用金属電極や金属配線が腐食によって断線
する前K(正常な状態において)、電流の増加を検出し
、この電流の変化によりて、水分侵入の程度な推演13
するものである。
lt[リードピン間のリーク電流は、次式で表わされる
ことが一般に知られている。
この式において、hはリーク電流、Eは印加電圧、ρは
モールド素子表面汚染物質の抵抗車。
Aは表面汚染柳質の表面積、tは、御1定リードピン間
の距離である。この式がらも解る通ム半導体素子上に水
分が付着することによシρの値が低下し、リーク電流I
Iが増加することが判る。
従来の耐湿性評価用モールド素子は、第2図に示すよう
に構成されていた。図において、4は、半導体チップ6
に複数個配設され九ワイヤボンディング用金属電極であ
る。このワイヤボンディング用金属電極4は、金属配線
5によって1図のように電気的に接続されている。
即ち、相隣pのワイヤボンディング用金属電極4におい
て、金属配線5の一端は、ワイヤボンディング用金属電
極4に電気的に接続され、他端は、電気的に接続されな
い状態で、隣シのワイヤボンディング用金属電極4のま
わりに一定の隙間をもって近接した状態で対抗している
3は、樹脂封止外形2にそって等間隔に並設されたリー
ドビンである。このリードピン3と上記ワイヤボンディ
ング用金属電極4とは、それぞれ、金属ワイヤ1によっ
て、電気的に接続されている。
このように構成した従来の耐湿性評価用半導体素子にお
いて1例えば、ワイヤボンディング用金属電極4 a及
び4b間のリーク電流1st測定する場合は、それぞれ
金属ワイヤ1a、1bで接続されて隣接して並設された
り−ドピン3α、Bb間のリーク電流I、を測定するこ
とによシ行なわれる。
例えば、樹脂封止外形2t−通して、水分が内部まで浸
透した場合は、ワイヤボンディング用金属電極4aと金
属配線5bとの間の電気抵抗ρが低下して電流がリーク
し、このリーク電流I、は、リードビン3!、3b間で
測定され、水分が内部まで浸透していることが判断され
る。
然しなから、前記(1)式で解る通p、リードビン5a
、3b間の距離tが小さいために、ワイヤボンディング
用金属電極4aの表面汚染や、測定雰囲気中の湿気等に
よシ、リーク電流1.が多くなる。このリーク電流I、
が、リードピン5α、5A間で測定されたリーク電流に
含まれることになり、真に半導体チップ6に到達した水
分によるリーク電流I#のみt−感度よく検出するのけ
、極めて困難でちゃ、耐湿性評価用半導体素子として信
頼性が低いという欠点があった。
〔発明の目的〕
本発明は、上記従来の欠点を解決するためになされたも
のであシ、半導体チップに到達した水分によるリーク電
流のみを高感度に検出できるようにした、耐湿性評価用
半導体素子を提供せんとするものである。
〔発明の概要〕
即ち、本発明は、測定疋寄与するリードビン相互間の距
離?できる限り大きくすることによυ感度を同上したも
のであって、金属配線と電気的に直接接続されないワイ
ヤボンディング用金属電極と、金属配線と電気的に直接
接続されたワイヤボンディング用金属電極とをできる限
シ離れた位置に配設し、これらワイヤボンディング用金
属電極の配置に対応して、外部のIJ −ドビンを配設
し、この双方上金属ワイヤにて電気的に接続したこと1
tI!#徴とする。
〔発明の実施例〕
以下本発明の一実施例について詳細に説明する。第1図
におりて、  4 、 ”4’は半導体チップ6の上に
形成されたワイヤボンディング用金属電極である。本実
施例では、5個のワイヤボンディング用金属電極4.4
′が、A、B、C,Dの4つのグループに分けて配設さ
れている。5及び5′は、金属配線であシ、このうち5
′は、ワイヤボンディング用金属電極4の囲シに一定の
隙間をもたせ近接して設けられている。この金属配線5
′ヲ介してブロックAとBのワイヤボンディング用金属
電極4が金属配線5によりワイヤボンディング用金属電
極4′に電気的に接続され。
一方ブロックCとDは、金属配線5′を介して、金属配
線5によシ、もう一つのワイヤボンディング用金属電極
4′に電気的に接続されている。
3は、外部リードビンであシ、上記ワイヤボンディング
用金属電極4及び4′に対応した位置に設けられ、金属
ワイヤ1によってそれぞれワイヤボンディング用金属電
極4及びal vc電気的に接続されている。なお2は
樹脂封止外形、7はタブ、8はリードフレームである。
又腐食を防止するために、半導体チップ6上には、最初
金属が全面に蒸着された後、フォトリソグラフによシ所
望のパターンを形成し、その後パシベーシ璽ン膜を全面
に被徨させ、ワイヤボンディング用金属電極4及び4′
と金属配線ダのパシペーシ冒ン膜を除去している。
以上のように構成した本実施例の作用について次に説明
する。
図において、仮シにワイヤボンディング4aについてリ
ーク電流?、を測定するものとする。
この場合は、金属ワイヤ1aにて接続され次外部リード
ピン3aと、ワイヤボンディング用金属電極4b K金
属ワイヤ1bによって接続された外部リードビン3h間
の電流を検出することによシ行なわれる。
この場合、外部リードビン3αと3bとの間の距離は光
分離れているので、前記した+11式のtの値を大きく
とることになる。このことは、水分以外の要素例えばワ
イヤボンディング用金属電極4の表面汚れや測定雰囲気
中の湿度によって起るリーク電流llPt−少なくする
ことになる。
例えば(1)式において、検出に寄与する外部リードピ
ン間の距離を従来の20倍にすれば、水分以外の原因に
ょシリークする電流Ir520分の1になる。この場合
、端的にいって、検出感度が20倍になったということ
に々る。   ゛ここで、ワイヤボンディング用金属電
極4αに水分が付着した場合は、金属配線ダとの間の抵
抗高ρが低下し、リーク電流I、の増加として検出され
る。
以上の説明は、ワイヤボンディング用金属電極4αを例
にして説明したが、ワイヤボンディング用金属電極4h
 に対しては、ブロックC9D、又他のワイヤポンディ
ング用金属電−極zに対しては、ブロックA、Hのそれ
ぞれワイヤボンディング用金属電極4についても同様に
評価する。
又ワイヤボンディング用金属電極4と半導体チップ6の
下部に設けたタブ7との間に、公知の半導体製造技術に
よってps接合を設ければ、リードフレーム8によって
金属配線1の断線チェックも行なえるので、腐食の確認
も行なうことが可能である。
〔発明の効果〕
以上詳述した通シ本発明による耐湿性評価用半導体素子
によれば、金属配線と直接電気的に接続されたワイヤボ
ンディング用金属電極と。
電気的に直接接続されないワイヤボンディング用金属電
極とをできる限シ離して配設し、との配設に対応して外
部リードビンを設け、それぞれ金属ワイヤで電気的に接
続したので、リーク電流の検出に寄与する外部リードピ
ン間の距離音長くすることかで゛き、その結果、水分以
外の原因によるリーク電流量を少なくして、水分のみK
よりリークする電流の検出全可能にして、耐湿性評価用
半導体素子の感度全大巾に向上することができた。
【図面の簡単な説明】
第1図は1本発明の一実施例であシ、耐湿性評価用半導
体素子の平面図である。第、2図は従来の耐湿性評価用
半導体の平面図である。 1・・・金属ワイヤ    2・・・樹脂封止外形3・
・・外部リードピン 4.4′・・・ワイヤボンディング用金属電極5.5′
・・・金属配線

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  1個又は複数個のワイヤボンディング用金属電極と、
    このワイヤボンディング用金属電極に対応して設けた1
    本又は複数本の金属配線から成る半導体素子において、
    金属配線と電気的に直接接続されないワイヤボンディン
    グ用金属電極と、金属配線と電気的に直接接続したワイ
    ヤボンディング用金属電極とを離れた位置に配列し、こ
    れらワイヤボンディング用電極に対応した位置に外部リ
    ードピンを設け、該外部リードピンと上記ワイヤボンデ
    ィング用金属電極とをそれぞれ金属ワイヤで電気的に接
    続したことを特徴とする耐湿性評価用半導体素子。
JP15295484A 1984-07-25 1984-07-25 耐湿性評価用半導体素子 Pending JPS6131975A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15295484A JPS6131975A (ja) 1984-07-25 1984-07-25 耐湿性評価用半導体素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15295484A JPS6131975A (ja) 1984-07-25 1984-07-25 耐湿性評価用半導体素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6131975A true JPS6131975A (ja) 1986-02-14

Family

ID=15551790

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15295484A Pending JPS6131975A (ja) 1984-07-25 1984-07-25 耐湿性評価用半導体素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6131975A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6770906B2 (en) Semiconductor reliability test chip
JPS6131975A (ja) 耐湿性評価用半導体素子
JPH04199651A (ja) 半導体装置およびその製造方法
Sweet Integrated test chips improve IC assembly
CN113161322A (zh) 电性测试结构
JPH0519010A (ja) 樹脂封止半導体評価用チツプ
CN114280116B (zh) 具有基于cmos工艺的片上参比电极的传感芯片
JPH1167862A (ja) パッケージ評価用の半導体素子
JPS61188943A (ja) 樹脂封止半導体素子の耐湿性評価方法及び評価用素子
JPH11274247A (ja) 半導体装置
KR100248207B1 (ko) 반도체 소자의 테스트 패턴
JPS61102050A (ja) 半導体メモリ装置
JPH04368147A (ja) 半導体集積回路
US20030102474A1 (en) Semiconductor device for detecting gate defects
KR20000045895A (ko) 테스트패턴 형성방법
JP3726784B2 (ja) 半導体装置の評価方法
JPH06120307A (ja) 半導体装置
JPS62126648A (ja) 半導体装置及びその評価方法
JPS6219058B2 (ja)
JPS6225431A (ja) 半導体装置
JPH11211586A (ja) 半導体装置
JPS6279376A (ja) 半導体装置の耐湿性評価方法
JPH0237764A (ja) Mos型半導体装置
JP2001168241A (ja) 封止樹脂充填材の評価用半導体集積回路及び評価方法
JPS61220360A (ja) 半導体装置