JPS6279376A - 半導体装置の耐湿性評価方法 - Google Patents
半導体装置の耐湿性評価方法Info
- Publication number
- JPS6279376A JPS6279376A JP21787485A JP21787485A JPS6279376A JP S6279376 A JPS6279376 A JP S6279376A JP 21787485 A JP21787485 A JP 21787485A JP 21787485 A JP21787485 A JP 21787485A JP S6279376 A JPS6279376 A JP S6279376A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- moisture resistance
- gold wire
- resin
- bonding electrode
- Prior art date
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- Pending
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Examining Or Testing Airtightness (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体素子をレジンで覆ってなる半導体装置
の耐湿性を短時間に感度よく評価するための評価方法に
関する。
の耐湿性を短時間に感度よく評価するための評価方法に
関する。
一般にレジンモールド半導体は第２図に示すように、半
導体素子１、金線２、リードフレーム３、エポキシ樹脂
等のレジン４から構成される。半導体素子１上には第３
図に示すようにアルミニウムを主成分とした配線５及び
金線２を接続するだめのボンディング用電極６が形成さ
れ、その上に更に保護膜７が施される。なお第３図（ａ
）は第２図の要部平面図、第３図（ｂ）は同図（ａ）の
Ａ Ａ’断面図である。
導体素子１、金線２、リードフレーム３、エポキシ樹脂
等のレジン４から構成される。半導体素子１上には第３
図に示すようにアルミニウムを主成分とした配線５及び
金線２を接続するだめのボンディング用電極６が形成さ
れ、その上に更に保護膜７が施される。なお第３図（ａ
）は第２図の要部平面図、第３図（ｂ）は同図（ａ）の
Ａ Ａ’断面図である。
この様な装置の最大の弱点は、外部からの水分侵入によ
り上記配線５やボンディング用電極６が腐食断線するこ
とである。近年、各材料や製造技術の進歩によシ耐湿性
は大きく向上し、保護膜７に覆われた配線５の腐食は殆
んど無くなり、不良の大部分はボンディング用電極６の
腐食になυつつある。上記ボンディング用電極６の腐食
を引き起す水分は、第２図において、リードフレーム３
とレジン４との界面及び金線２とレジン４との界面より
侵入すると考えられている。ところで上記した不良モー
ドを実際の製品で評価するには非常に長時間を要する。
り上記配線５やボンディング用電極６が腐食断線するこ
とである。近年、各材料や製造技術の進歩によシ耐湿性
は大きく向上し、保護膜７に覆われた配線５の腐食は殆
んど無くなり、不良の大部分はボンディング用電極６の
腐食になυつつある。上記ボンディング用電極６の腐食
を引き起す水分は、第２図において、リードフレーム３
とレジン４との界面及び金線２とレジン４との界面より
侵入すると考えられている。ところで上記した不良モー
ドを実際の製品で評価するには非常に長時間を要する。
そこで評価用の半導体装置を用いた短時間評価が種々試
みられている。代表的な従来技術の１例を第４図に示す
。半導体素子１上にはボンディング用電極６及び対向配
線８が形成され、両者間のリーク電流を測定することに
より侵入水分を検出しようとするものである。この技術
の欠点は侵入水分が上記ボンディング用電極６と対向配
線８０両者を覆うように分布する迄リークを流が増加し
ないため、金線２とレジン４の界面から侵入し、ボンデ
ィング用電極６に達した微量の水分の検出が困難な点に
ある。
みられている。代表的な従来技術の１例を第４図に示す
。半導体素子１上にはボンディング用電極６及び対向配
線８が形成され、両者間のリーク電流を測定することに
より侵入水分を検出しようとするものである。この技術
の欠点は侵入水分が上記ボンディング用電極６と対向配
線８０両者を覆うように分布する迄リークを流が増加し
ないため、金線２とレジン４の界面から侵入し、ボンデ
ィング用電極６に達した微量の水分の検出が困難な点に
ある。
更に従来技術の他の代表例を第５図に示す。本方法はア
ール・ピーーメレット（Ｒ，Ｐ、 Ｍｅｒｒｅｔｔ ）
等によるリライアビリティ・フィジックス・シンポジウ
ム・プロシーディングズ（Ｒｅ１ｉａｂｉｌｉｔｙＰｈ
）’５ｉｃｓ Ｓ７ｍｐｏｓｉｕｍ Ｐｒｏｃｅｅｄｉ
ｎｇｓ 、 ２１ 、１ 、１９８３）における［アン
・アブレイザル・オプ・ハイ・テンブリチュア・ヒュミ
ディティ・ストレス・テスラ・フォー・アセシング・グ
ラスチック−エンカブシュレイテッド・セミコンダクタ
ー・コンポーネンツＪ （ＡＮ ＡＰＰＲＡＩＳＡＬ
ＯＦ ＨＩＧＨＴＥＭＰＥＲ−ＡＴＵＲＥ ＨＵＭＩＤ
ＩＴＹ ５ＴＲＢＳＳ Ｔ１３ＳＴＳ ＦＯＲＡＳＳＢ
−８ＳＩＮＧ ＰＬＡＳＴＩＣｇＮｃＡＰｓＵＬＡＴＥ
Ｄ ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＣＯＭＰＯＮＥＮＴＳ
）と題する論文に発表されたもので、ボンディング用
電極６の下の酸化膜９の容量を測定することを基本とし
ている。水分が侵入し、ボンディング用電極乙の周囲に
まで水膜１０が形成されると、上記容量は等測的な電極
面積増大により増加するという原理に基づく。しかし本
方法も前記対向配線を用いた方法同様に、ボンディング
電極６上に分布した微量の水分検出は困難である。
ール・ピーーメレット（Ｒ，Ｐ、 Ｍｅｒｒｅｔｔ ）
等によるリライアビリティ・フィジックス・シンポジウ
ム・プロシーディングズ（Ｒｅ１ｉａｂｉｌｉｔｙＰｈ
）’５ｉｃｓ Ｓ７ｍｐｏｓｉｕｍ Ｐｒｏｃｅｅｄｉ
ｎｇｓ 、 ２１ 、１ 、１９８３）における［アン
・アブレイザル・オプ・ハイ・テンブリチュア・ヒュミ
ディティ・ストレス・テスラ・フォー・アセシング・グ
ラスチック−エンカブシュレイテッド・セミコンダクタ
ー・コンポーネンツＪ （ＡＮ ＡＰＰＲＡＩＳＡＬ
ＯＦ ＨＩＧＨＴＥＭＰＥＲ−ＡＴＵＲＥ ＨＵＭＩＤ
ＩＴＹ ５ＴＲＢＳＳ Ｔ１３ＳＴＳ ＦＯＲＡＳＳＢ
−８ＳＩＮＧ ＰＬＡＳＴＩＣｇＮｃＡＰｓＵＬＡＴＥ
Ｄ ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＣＯＭＰＯＮＥＮＴＳ
）と題する論文に発表されたもので、ボンディング用
電極６の下の酸化膜９の容量を測定することを基本とし
ている。水分が侵入し、ボンディング用電極乙の周囲に
まで水膜１０が形成されると、上記容量は等測的な電極
面積増大により増加するという原理に基づく。しかし本
方法も前記対向配線を用いた方法同様に、ボンディング
電極６上に分布した微量の水分検出は困難である。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくし、レ
ジンモールド半導体装置の耐湿信頼性を短時間に感度良
く評価するだめの方法を提供するにある。
ジンモールド半導体装置の耐湿信頼性を短時間に感度良
く評価するだめの方法を提供するにある。
本発明は、上記目的を達成するために、金線をボンディ
ングするボンディング用電極に多数の孔を設けるように
した。このような装置を用いて耐湿性試験を行い、ボン
ディング用電極部の下の酸化膜容量を測定すれば金線と
レジン界面よシ侵入した微量な水分がボンディング用電
極上に到達した時に上記容量の増加として短時間に検出
できる。
ングするボンディング用電極に多数の孔を設けるように
した。このような装置を用いて耐湿性試験を行い、ボン
ディング用電極部の下の酸化膜容量を測定すれば金線と
レジン界面よシ侵入した微量な水分がボンディング用電
極上に到達した時に上記容量の増加として短時間に検出
できる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。半導
体素子表面にはアルミニウムを主体とした配線５及びボ
ンディング用電極６が設けられるが、上記ボンディング
用電極６の一部は除去され、複数の孔１１が形成される
。その後保護膜７が施され５ リードフレームに固着さ
れた後、金線２がボンディングされ、全体をレジンでモ
ールドする。
体素子表面にはアルミニウムを主体とした配線５及びボ
ンディング用電極６が設けられるが、上記ボンディング
用電極６の一部は除去され、複数の孔１１が形成される
。その後保護膜７が施され５ リードフレームに固着さ
れた後、金線２がボンディングされ、全体をレジンでモ
ールドする。
保護膜７は必ずしも必要ではないが、配線５の腐食を防
止する目的で用いている。
止する目的で用いている。
上記した構成による耐湿性評価用半導体装置において、
金線２とレジンとの界面の接着性が悪い場合、耐湿性試
験によシ水分が侵入し、金線２の周囲からボンディング
用電極６上に水膜１０を形成し始める。この状態を電気
的に検出するためには、ボンディング用電極６の下の酸
化膜容量を経時的に測定する。水膜１０が形成され、孔
１１上に分布し始めると、ボンディング用電極６の面積
が実効的に増加したことになり、従って上記容量も増加
する。
金線２とレジンとの界面の接着性が悪い場合、耐湿性試
験によシ水分が侵入し、金線２の周囲からボンディング
用電極６上に水膜１０を形成し始める。この状態を電気
的に検出するためには、ボンディング用電極６の下の酸
化膜容量を経時的に測定する。水膜１０が形成され、孔
１１上に分布し始めると、ボンディング用電極６の面積
が実効的に増加したことになり、従って上記容量も増加
する。
本実施例では上記したように、微量の水分がボンデイン
ク用電極に到達した時点で容量の増加として検出できる
ため、短時間に耐湿性の評価を行うことができる。
ク用電極に到達した時点で容量の増加として検出できる
ため、短時間に耐湿性の評価を行うことができる。
本発明によれば、レジンと金線との界面よシ侵入した水
分が、ボンディング用電極上に水膜を形成した時点でこ
れを電気的に検出できるので、レジンモールド半導体装
置の耐湿性を短時間に評価することができる。
分が、ボンディング用電極上に水膜を形成した時点でこ
れを電気的に検出できるので、レジンモールド半導体装
置の耐湿性を短時間に評価することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の詳細な説明する平面図、第２図は一般
的なレジンモールド半導体装置の断面図、第５図（ａ）
、 （ｂ）は従来技術によるボンディング電極部の平
面図及び断面図、第４図及び第５図は従来技術による評
価用装置の平面図及び断面図である。 ５・・・・・・配線 ６・・・・・・ボンディング用電極 ７・・・・・・保護膜 １０・・・・・水膜 １１ ・・・孔 （
、”。 代理人弁理士 小 川 勝 男 ・ 。
的なレジンモールド半導体装置の断面図、第５図（ａ）
、 （ｂ）は従来技術によるボンディング電極部の平
面図及び断面図、第４図及び第５図は従来技術による評
価用装置の平面図及び断面図である。 ５・・・・・・配線 ６・・・・・・ボンディング用電極 ７・・・・・・保護膜 １０・・・・・水膜 １１ ・・・孔 （
、”。 代理人弁理士 小 川 勝 男 ・ 。
Claims (1)
- レジンモールド半導体装置において、半導体素子上に形
成した金線ボンディング用電極に複数個の孔を設け、該
電極部の容量変化を検出するようにしたことを特徴とす
る半導体装置の耐湿性評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21787485A JPS6279376A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 半導体装置の耐湿性評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21787485A JPS6279376A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 半導体装置の耐湿性評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6279376A true JPS6279376A (ja) | 1987-04-11 |
Family
ID=16711122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21787485A Pending JPS6279376A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 半導体装置の耐湿性評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6279376A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02105550A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Nec Corp | 半導体装置の製造装置 |
| JPH0438047U (ja) * | 1990-07-30 | 1992-03-31 |
-
1985
- 1985-10-02 JP JP21787485A patent/JPS6279376A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02105550A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Nec Corp | 半導体装置の製造装置 |
| JPH0438047U (ja) * | 1990-07-30 | 1992-03-31 |
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