JPS6131938B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6131938B2 JPS6131938B2 JP17269979A JP17269979A JPS6131938B2 JP S6131938 B2 JPS6131938 B2 JP S6131938B2 JP 17269979 A JP17269979 A JP 17269979A JP 17269979 A JP17269979 A JP 17269979A JP S6131938 B2 JPS6131938 B2 JP S6131938B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum chamber
- wheels
- wafer
- push bolt
- wafers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 19
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 14
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はイオン注入装置に関する。
半導体ウエハーにイオンを注入して半導体装置
を製作することはよく知られている。そのために
は半導体ウエハー（以下単にウエハーという。）
を真空管内にその表面がイオン飛行方向に相対す
るように配置することが必要である。この場合一
度に複数のウエハーを真空管内に配置し、各ウエ
ハーを順番にイオン飛行方向に相対するように移
動させるようにすると、真空室の１回の真空処理
によつて複数のウエハーをイオン処理することが
できて便利である。そして各ウエハーを順番にイ
オン飛行方向に相対するように移動させる構成と
して第１図に示すようにすると有利である。
を製作することはよく知られている。そのために
は半導体ウエハー（以下単にウエハーという。）
を真空管内にその表面がイオン飛行方向に相対す
るように配置することが必要である。この場合一
度に複数のウエハーを真空管内に配置し、各ウエ
ハーを順番にイオン飛行方向に相対するように移
動させるようにすると、真空室の１回の真空処理
によつて複数のウエハーをイオン処理することが
できて便利である。そして各ウエハーを順番にイ
オン飛行方向に相対するように移動させる構成と
して第１図に示すようにすると有利である。
同図において１，２はホイール、３は両ホイー
ル１，２にまたがつて張設されたベルトと示す。
ベルト３にはウエハー用のホルダー４の複数が支
持されてある。イオン注入に際し、各ホルダー４
にそれぞれ１枚づつウエハーをホールドさせる。
イオン飛行方向が矢印Ｐ方向であるとすると、ホ
イール１，２をドライブして各ホルダー４を順番
に矢印Ｐ方向に向かわせるようにする。このよう
にすれば複数のウエハーを一度に真空室内に収納
できるとともに、各ウエハーを順番にかつ容易に
イオン飛行方向に相対せしめることができるよう
になる。
ル１，２にまたがつて張設されたベルトと示す。
ベルト３にはウエハー用のホルダー４の複数が支
持されてある。イオン注入に際し、各ホルダー４
にそれぞれ１枚づつウエハーをホールドさせる。
イオン飛行方向が矢印Ｐ方向であるとすると、ホ
イール１，２をドライブして各ホルダー４を順番
に矢印Ｐ方向に向かわせるようにする。このよう
にすれば複数のウエハーを一度に真空室内に収納
できるとともに、各ウエハーを順番にかつ容易に
イオン飛行方向に相対せしめることができるよう
になる。
以上の例はウエハーの表面がイオン飛行方向に
対して90度となるようにした場合であるが、イオ
ンの注入に際しチヤンネリング効果をなくすた
め、ウエハーの表面をイオン飛行方向に対して傾
斜させる必要があることがある。通常はこのチヤ
ンネリング角は５〜７度程度である。このために
は第２図に示すように少くとも一方のホイールの
軸位置を変更しなければならず、そのためこれら
を収容している真空室を大気圧にもどしてから軸
位置を変更し、再び真空としなければならない。
このような作業は量産化への大きな障害となる。
対して90度となるようにした場合であるが、イオ
ンの注入に際しチヤンネリング効果をなくすた
め、ウエハーの表面をイオン飛行方向に対して傾
斜させる必要があることがある。通常はこのチヤ
ンネリング角は５〜７度程度である。このために
は第２図に示すように少くとも一方のホイールの
軸位置を変更しなければならず、そのためこれら
を収容している真空室を大気圧にもどしてから軸
位置を変更し、再び真空としなければならない。
このような作業は量産化への大きな障害となる。
この発明は真空室の真空度を保つたままチヤン
ネリング角を任意に切換できるようにすることを
目的とする。
ネリング角を任意に切換できるようにすることを
目的とする。
この発明の実施例を第３図によつて説明する。
１１はドライブホイール、１２，１３は従動する
ホイール、１４はベルト（チエーンを含む。以下
同じ。）で、各ホイール１１，１３にまたがつて
張設されてあり、ベルト１４の全長にわたつて等
間隔に被注入体たとえばウエハーを１枚ずつホー
ルドする多数のホールダ１５が設置されてある。
各ホルダー毎へのウエハーのホールドのためには
真空室を大気に開放してから行なつてもよいが、
これでは真空室を再び真空としなければならな
い。そこで真空室にゲートバルブなどを介して予
備真空室を併設し、前記ウエハーのホールドに際
しては、ウエハーをいつたん予備真空室に入れ、
ゲートバルブの開閉操作と予備真空室の真空引き
操作により、真空室を大気に開放しないようにし
てホールドするようにしてもよい。なおこのよう
な操作はたとえば特開昭53−31962号、特開昭53
−97375号、特開昭54−144866号の各公報に記載
されているように周知のものであるから、詳細な
説明は省略する。
１１はドライブホイール、１２，１３は従動する
ホイール、１４はベルト（チエーンを含む。以下
同じ。）で、各ホイール１１，１３にまたがつて
張設されてあり、ベルト１４の全長にわたつて等
間隔に被注入体たとえばウエハーを１枚ずつホー
ルドする多数のホールダ１５が設置されてある。
各ホルダー毎へのウエハーのホールドのためには
真空室を大気に開放してから行なつてもよいが、
これでは真空室を再び真空としなければならな
い。そこで真空室にゲートバルブなどを介して予
備真空室を併設し、前記ウエハーのホールドに際
しては、ウエハーをいつたん予備真空室に入れ、
ゲートバルブの開閉操作と予備真空室の真空引き
操作により、真空室を大気に開放しないようにし
てホールドするようにしてもよい。なおこのよう
な操作はたとえば特開昭53−31962号、特開昭53
−97375号、特開昭54−144866号の各公報に記載
されているように周知のものであるから、詳細な
説明は省略する。
ドライブホイール１１はフレーム１６に軸Ａを
中心にして回転自在に支持されてあり、真空室の
外にあるモータなどによつて回転駆動される。こ
の回転によつてベルト１４が駆動されるようにな
つている。
中心にして回転自在に支持されてあり、真空室の
外にあるモータなどによつて回転駆動される。こ
の回転によつてベルト１４が駆動されるようにな
つている。
ホイール１２，１３はアーム１７に軸１８を中
心として回転自在に支持されている。そしてアー
ム１７はフレーム１６に軸１９を中心として揺動
自在に連結されてある。又フレーム１７には軸１
９を中心とする半円形状のギアー２０が固定され
てある。そしてこのギアー２０とかみ合うギアー
２１はフレーム１６に軸２２を中心として回転自
在に支持される。ギアー２１はこれとかみ合うラ
ツク２３の移動によつて回転する。ラツク２３の
一端は押びボルト２４の端部と当接するようにな
つており、この押しボルト２４はフレーム１６に
支持されているねじ枠２５に螺合しているので、
押しボルト２４の回転によつてラツク２３は復帰
バネ２６の弾力に抗して移動し、或いは復帰バネ
２６の弾力によつて反対方向に移動する。押しボ
ルト２４は真空室の外部からの操作によつて回転
される。そのために真空室壁２７にとりつけられ
たベローズシール部２８に押しボルト２４の端部
を連接し、操作ねじ２９の回転によつてこの押し
ボルト２４を回転するようにしてある。なお押し
ボルト２４に代えてたとえばノツクバーを用い、
これの移動によつてラツク２３を移動させるよう
にしてもよい。ノツクバーは真空室壁２７にとり
つけたベローズシール部を介して駆動するように
すればよい。
心として回転自在に支持されている。そしてアー
ム１７はフレーム１６に軸１９を中心として揺動
自在に連結されてある。又フレーム１７には軸１
９を中心とする半円形状のギアー２０が固定され
てある。そしてこのギアー２０とかみ合うギアー
２１はフレーム１６に軸２２を中心として回転自
在に支持される。ギアー２１はこれとかみ合うラ
ツク２３の移動によつて回転する。ラツク２３の
一端は押びボルト２４の端部と当接するようにな
つており、この押しボルト２４はフレーム１６に
支持されているねじ枠２５に螺合しているので、
押しボルト２４の回転によつてラツク２３は復帰
バネ２６の弾力に抗して移動し、或いは復帰バネ
２６の弾力によつて反対方向に移動する。押しボ
ルト２４は真空室の外部からの操作によつて回転
される。そのために真空室壁２７にとりつけられ
たベローズシール部２８に押しボルト２４の端部
を連接し、操作ねじ２９の回転によつてこの押し
ボルト２４を回転するようにしてある。なお押し
ボルト２４に代えてたとえばノツクバーを用い、
これの移動によつてラツク２３を移動させるよう
にしてもよい。ノツクバーは真空室壁２７にとり
つけたベローズシール部を介して駆動するように
すればよい。
以上の構成において、ホイール１２，１３間の
ベルト部分がイオン飛行方向Ｐと直交する方向に
のびている場合は、ホルダー１５にホールドされ
ているウエハーもイオン飛行方向Ｐと直交し、し
たがつて第１図と同じ状態でイオン注入されるこ
とになる。これに対し第２図に示すようにイオン
飛行方向Ｐに対して傾斜させてイオン注入を行な
う場合は、押しボルト２４を真空室外からの操作
によつて回転させる。するとラツク２３がその長
手方向にいずれかに沿つて移動するので、ギアー
２１，２０が回転し、ギアー２０と一体のアーム
１７が時計又は反時計方向に回動する。これによ
つてホイール１２，１３も軸１９を中心として同
方向に移動するのでしたがつてホイール１２，１
３間のベルト部分はイオン飛行方向Ｐに対して傾
斜し、これによつてホルダー１５、したがつてウ
エハーが同方向Ｐに対して傾斜するようになる。
なおこのチヤンネリング角は押しボルト２４の移
動距離したがつてラツク２３の移動距離によつて
定まるので、この移動距離を適宜調整することに
よつてチヤンネリング角を任意とすることができ
る。
ベルト部分がイオン飛行方向Ｐと直交する方向に
のびている場合は、ホルダー１５にホールドされ
ているウエハーもイオン飛行方向Ｐと直交し、し
たがつて第１図と同じ状態でイオン注入されるこ
とになる。これに対し第２図に示すようにイオン
飛行方向Ｐに対して傾斜させてイオン注入を行な
う場合は、押しボルト２４を真空室外からの操作
によつて回転させる。するとラツク２３がその長
手方向にいずれかに沿つて移動するので、ギアー
２１，２０が回転し、ギアー２０と一体のアーム
１７が時計又は反時計方向に回動する。これによ
つてホイール１２，１３も軸１９を中心として同
方向に移動するのでしたがつてホイール１２，１
３間のベルト部分はイオン飛行方向Ｐに対して傾
斜し、これによつてホルダー１５、したがつてウ
エハーが同方向Ｐに対して傾斜するようになる。
なおこのチヤンネリング角は押しボルト２４の移
動距離したがつてラツク２３の移動距離によつて
定まるので、この移動距離を適宜調整することに
よつてチヤンネリング角を任意とすることができ
る。
以上詳述したようにこの発明によればチヤンネ
リング角を真空室を大気圧にもどすことなく任意
に設定することができるようになり、したがつて
従来構成に比較してチヤンネリング角をもつイオ
ン注入作業が極めて簡便となり、もつてこの種作
業の量産化を大幅に改善できるといつた効果を奏
する。
リング角を真空室を大気圧にもどすことなく任意
に設定することができるようになり、したがつて
従来構成に比較してチヤンネリング角をもつイオ
ン注入作業が極めて簡便となり、もつてこの種作
業の量産化を大幅に改善できるといつた効果を奏
する。
第１図、第２図は従来装置の概略図、第３図は
この発明の実施例を示す平面図である。 １１……ドライブホイール、１２，１３……ホ
イール、１４……ベルト、１５……ホルダー、１
７……アーム、２０，２１……ギアー、２３……
ラツク、２４……押しボルト、２８……ベローズ
シール部、２９……操作ねじ。
この発明の実施例を示す平面図である。 １１……ドライブホイール、１２，１３……ホ
イール、１４……ベルト、１５……ホルダー、１
７……アーム、２０，２１……ギアー、２３……
ラツク、２４……押しボルト、２８……ベローズ
シール部、２９……操作ねじ。
Claims (1)
- １ 被注入体をホールドするホルダーの複数を長
手方向に沿つて多数支持し、かつ長手方向に沿つ
てドライブされるベルト類と、前記ベルト類が張
設される一対のホイールと、前記一対のホイール
を回転自在に支持する揺動自在にアームと、前記
アームを真空管の外側からの操作によつて揺動さ
せる駆動機構とからなるイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17269979A JPS5697953A (en) | 1979-12-31 | 1979-12-31 | Ion-injection device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17269979A JPS5697953A (en) | 1979-12-31 | 1979-12-31 | Ion-injection device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5697953A JPS5697953A (en) | 1981-08-07 |
| JPS6131938B2 true JPS6131938B2 (ja) | 1986-07-23 |
Family
ID=15946702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17269979A Granted JPS5697953A (en) | 1979-12-31 | 1979-12-31 | Ion-injection device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5697953A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2648642B2 (ja) * | 1990-04-17 | 1997-09-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 巾広ビームでイオンインプランテーションを行なう方法及び装置 |
| WO2021149207A1 (ja) * | 2020-01-23 | 2021-07-29 | 株式会社ハイテム | 多段家禽ケージの転倒防止構造 |
-
1979
- 1979-12-31 JP JP17269979A patent/JPS5697953A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5697953A (en) | 1981-08-07 |
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