JPH01289060A - 半導体基板イオン注入装置 - Google Patents
半導体基板イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH01289060A JPH01289060A JP63119982A JP11998288A JPH01289060A JP H01289060 A JPH01289060 A JP H01289060A JP 63119982 A JP63119982 A JP 63119982A JP 11998288 A JP11998288 A JP 11998288A JP H01289060 A JPH01289060 A JP H01289060A
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- Japan
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- disk
- semiconductor substrate
- chamber
- substrate
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 239000007943 implant Substances 0.000 claims 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 2
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造プロセスにおいて使用されるイオン
注入装置に関する。
注入装置に関する。
従来のイオン注入装置の一例を第３図に示す。
第３図において、１はディスクチャンバであり、該ディ
スクチャンバ１にはモータ２により回転駆動される円板
１２が配置され、該ディスクチャンバ１はモータ３によ
る駆動にてボールネジ４でスライドプレート５に沿って
上下動される。従来、この種のイオン注入装置は注入処
理時に注入角度が固定された構造になっていた。
スクチャンバ１にはモータ２により回転駆動される円板
１２が配置され、該ディスクチャンバ１はモータ３によ
る駆動にてボールネジ４でスライドプレート５に沿って
上下動される。従来、この種のイオン注入装置は注入処
理時に注入角度が固定された構造になっていた。
上述した従来のイオン注入装置は注入角度が固定された
構造になっていたため、半導体基板のチャネリング効果
を抑制することを目的として、基板をある角度傾けで注
入した場合、基板上に形成されたマスク等の凹凸によっ
て影が生じ、イオンが注入されない領域が生じるという
欠点があった。
構造になっていたため、半導体基板のチャネリング効果
を抑制することを目的として、基板をある角度傾けで注
入した場合、基板上に形成されたマスク等の凹凸によっ
て影が生じ、イオンが注入されない領域が生じるという
欠点があった。
本発明の目的は前記課題を解決したイオン注入装置を提
供することにある。
供することにある。
上述した従来のイオン注入装置に対し、本発明は注入処
理時に注入角度を変化させるという相違点を有する。
理時に注入角度を変化させるという相違点を有する。
上記目的を達成するため１本発明の半導体基板イオン注
入装置は、半導体基板を円板上にセットし、該円板を回
転しつつ半導体基板に不純物の注入処理を行うイオン注
入装置において、注入処理時にイオンピースの注入角度
を変化させる機構を含むものである。
入装置は、半導体基板を円板上にセットし、該円板を回
転しつつ半導体基板に不純物の注入処理を行うイオン注
入装置において、注入処理時にイオンピースの注入角度
を変化させる機構を含むものである。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図は本発明の実施例１を示す側面図である。
図において、イオンビームＢを水平に誘導する導管１４
を水平に固定して設置する。一方、ディスクチャンバ１
を上下に案内保持するスライドプレート５を、導管１４
の軸芯に直交して水平に配置した角度回転軸９のまわり
に傾動可能に軸支する。
を水平に固定して設置する。一方、ディスクチャンバ１
を上下に案内保持するスライドプレート５を、導管１４
の軸芯に直交して水平に配置した角度回転軸９のまわり
に傾動可能に軸支する。
４はディスクチャンバ１をスライドプレート５に沿って
上下動させる上下動ボールネジ、３はボールネジ４を回
転駆動させるモータである。また、導管１４とディスク
チャンバ１とをベローズ８を介して真空状態を保って気
密に接続する。
上下動させる上下動ボールネジ、３はボールネジ４を回
転駆動させるモータである。また、導管１４とディスク
チャンバ１とをベローズ８を介して真空状態を保って気
密に接続する。
さらに、ステム１Ｂに水平に保持された角度可変ボール
ネジ７をスライドプレート５に軸受１３を介して連結し
、該ボールネジ７を角度可変モータ６に結合する。
ネジ７をスライドプレート５に軸受１３を介して連結し
、該ボールネジ７を角度可変モータ６に結合する。
また、円板回転モータ２により回転駆動される円板１２
をディスクチャンバ１内に配設する。円板１２には基板
台１２ａが同一円周上に配列して設けられ、該基板台１
２ａの上面は円板１２の中心側に向けて下傾されている
。
をディスクチャンバ１内に配設する。円板１２には基板
台１２ａが同一円周上に配列して設けられ、該基板台１
２ａの上面は円板１２の中心側に向けて下傾されている
。
実施例において、円板１２の基板台１２ａ上にはそれぞ
れ半導体基板１１が並べられ、円板１２はディスクチャ
ンバ１内にて円板回転モータ２により回転されている。
れ半導体基板１１が並べられ、円板１２はディスクチャ
ンバ１内にて円板回転モータ２により回転されている。
また上下動モータ３が上下動ボールネジ４を回し、ディ
スクチャンバ１がスライドプレート５をすべり上下動を
行っている。さらに。
スクチャンバ１がスライドプレート５をすべり上下動を
行っている。さらに。
角度可変モータ６が角度可変ボールネジ７を回し、ディ
スクチャンバ１全体の角度を動かし、イオンビームＢに
対する基板１１の姿勢を変化させてイオンビームの注入
角度を変化させる。この場合、導管１４に対してディス
クチャンバ１が傾動してもベローズでその角度変化分を
吸収し、真空はベローズ８で保たれる。この機構を用い
れば、例えば各上下動毎に±７°の範囲で注入角度を変
化させる動作も可能であり、また上下動中に連続して角
度を変化させることもできる。
スクチャンバ１全体の角度を動かし、イオンビームＢに
対する基板１１の姿勢を変化させてイオンビームの注入
角度を変化させる。この場合、導管１４に対してディス
クチャンバ１が傾動してもベローズでその角度変化分を
吸収し、真空はベローズ８で保たれる。この機構を用い
れば、例えば各上下動毎に±７°の範囲で注入角度を変
化させる動作も可能であり、また上下動中に連続して角
度を変化させることもできる。
（実施例２）
第２図は本発明の実施例２を示す側面図である。
本実施例は第１図の角度回転軸に角度可変モータ１０を
連結し、ディスクチャンバ１の角度変化をモータ１０に
よりダイレクトに行うものである。この実施例ではダイ
レクトに角度回転軸を動かすため、第１図に示したボー
ルネジ７等が不要になり、構造がシンプルになるという
利点がある。
連結し、ディスクチャンバ１の角度変化をモータ１０に
よりダイレクトに行うものである。この実施例ではダイ
レクトに角度回転軸を動かすため、第１図に示したボー
ルネジ７等が不要になり、構造がシンプルになるという
利点がある。
以上説明したように本発明は注入処理時に注入角度を変
化させることにより、半導体基板にまんべんなくイオン
注入ができ、結果として製品の品質を向上できる効果を
有する。
化させることにより、半導体基板にまんべんなくイオン
注入ができ、結果として製品の品質を向上できる効果を
有する。
第１図は本発明の実施例１を示す側面図、第２図は本発
明の実施例２を示す側面図、第３図は従来例を示す断面
図である。 １・・・ディスクチャンバ ２・・・円板回転モータ
３・・・上下動モータ ４・・・上下動ボールネ
ジ５・・・スライドプレート６．１０・・・角度可変モ
ータ７・・・角度可変ボールネジ ８・・・ベローズ９
・・・角度回転軸 １１・・・半導体基板１２
・・・円板 特許出願人 九州日本電気株式会社 第１ｍ −９−一一一一一へ、 第２図
明の実施例２を示す側面図、第３図は従来例を示す断面
図である。 １・・・ディスクチャンバ ２・・・円板回転モータ
３・・・上下動モータ ４・・・上下動ボールネ
ジ５・・・スライドプレート６．１０・・・角度可変モ
ータ７・・・角度可変ボールネジ ８・・・ベローズ９
・・・角度回転軸 １１・・・半導体基板１２
・・・円板 特許出願人 九州日本電気株式会社 第１ｍ −９−一一一一一へ、 第２図
Claims (1)
- （１）半導体基板を円板上にセットし、該円板を回転し
つつ半導体基板に不純物の注入処理を行うイオン注入装
置において、注入処理時にイオンピースの注入角度を変
化させる機構を含むことを特徴とする半導体基板イオン
注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63119982A JP2716142B2 (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | 半導体基板イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63119982A JP2716142B2 (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | 半導体基板イオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01289060A true JPH01289060A (ja) | 1989-11-21 |
| JP2716142B2 JP2716142B2 (ja) | 1998-02-18 |
Family
ID=14774981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63119982A Expired - Fee Related JP2716142B2 (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | 半導体基板イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2716142B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970023699A (ko) * | 1995-10-24 | 1997-05-30 | 김주용 | 이온 주입기의 이온 빔 스캐닝장치 |
| GB2426625A (en) * | 2005-05-24 | 2006-11-29 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | Ion beam irradiation apparatus |
| JP2009170062A (ja) * | 2008-01-21 | 2009-07-30 | Ulvac Japan Ltd | 磁性膜へのイオン注入方法およびイオン注入装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58201241A (ja) * | 1982-05-19 | 1983-11-24 | Hitachi Ltd | イオン打込角制御法 |
-
1988
- 1988-05-17 JP JP63119982A patent/JP2716142B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58201241A (ja) * | 1982-05-19 | 1983-11-24 | Hitachi Ltd | イオン打込角制御法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970023699A (ko) * | 1995-10-24 | 1997-05-30 | 김주용 | 이온 주입기의 이온 빔 스캐닝장치 |
| GB2426625A (en) * | 2005-05-24 | 2006-11-29 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | Ion beam irradiation apparatus |
| GB2426625B (en) * | 2005-05-24 | 2008-10-01 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | Ion Beam Irradiation Apparatus |
| US7439527B2 (en) | 2005-05-24 | 2008-10-21 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Ion beam irradiation apparatus |
| JP2009170062A (ja) * | 2008-01-21 | 2009-07-30 | Ulvac Japan Ltd | 磁性膜へのイオン注入方法およびイオン注入装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2716142B2 (ja) | 1998-02-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |