JPS6131670B2 - - Google Patents
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- JPS6131670B2 JPS6131670B2 JP52071545A JP7154577A JPS6131670B2 JP S6131670 B2 JPS6131670 B2 JP S6131670B2 JP 52071545 A JP52071545 A JP 52071545A JP 7154577 A JP7154577 A JP 7154577A JP S6131670 B2 JPS6131670 B2 JP S6131670B2
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- 230000004044 response Effects 0.000 claims 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
- H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
- H04N3/14—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、画像表示装置、特に、画素を構成
する発光点が横方向及び縦方向に多数配列された
XYマトリツクス型の画素表示装置に関する。
する発光点が横方向及び縦方向に多数配列された
XYマトリツクス型の画素表示装置に関する。
テレビジヨンの画像表示装置として、ブラウン
管を有しない扁平構造のものが要望されている。
管を有しない扁平構造のものが要望されている。
その一つとして、画素を構成する発光点が横方
向及び縦方向に多数配列されたXYマトリツクス
型のものが提案されている。
向及び縦方向に多数配列されたXYマトリツクス
型のものが提案されている。
第1図は、その一例の原理的構造で、導体
X1,X2、……Xnが縦方向に平行に配列されると
ともに、導体Y1,Y2、……Yoが横方向に平行に
配列され、例えば、導体X1〜Xnがカソードとさ
れ、導体Y1〜Yoがアノードとされて、各々の交
点において放電セルが形成され、この放電セルの
近傍に紫外線の励起によつて発光する螢光体がそ
れぞれ配されている。
X1,X2、……Xnが縦方向に平行に配列されると
ともに、導体Y1,Y2、……Yoが横方向に平行に
配列され、例えば、導体X1〜Xnがカソードとさ
れ、導体Y1〜Yoがアノードとされて、各々の交
点において放電セルが形成され、この放電セルの
近傍に紫外線の励起によつて発光する螢光体がそ
れぞれ配されている。
ところで、従来、このようなXYマトリツクス
型の画像表示装置は、線順次で点灯されるように
なつている。
型の画像表示装置は、線順次で点灯されるように
なつている。
例えば、第2図に示すように、カソードX1,
X2、……Xnには、一水平期間THごとに順次一
定の電位が与えられ、アノードY1,Y2、……Yo
には、各々の水平期間において、前の水平期間の
映像信号のそれぞれアノードY1,Y2、……Yoに
対応する点でのレベルに応じてパルス幅が変調さ
れたパルス電圧が与えられ、これにより、映像信
号の各点でのレベルに応じた時間、各放電セルに
電流が流れるようになつている。なお、Hは水平
同期信号である。
X2、……Xnには、一水平期間THごとに順次一
定の電位が与えられ、アノードY1,Y2、……Yo
には、各々の水平期間において、前の水平期間の
映像信号のそれぞれアノードY1,Y2、……Yoに
対応する点でのレベルに応じてパルス幅が変調さ
れたパルス電圧が与えられ、これにより、映像信
号の各点でのレベルに応じた時間、各放電セルに
電流が流れるようになつている。なお、Hは水平
同期信号である。
しかしながら、この従来の線順次で点灯される
ものは、各発光点が一水平期間内だけで点灯され
るので、点灯時間が短かい。このため、高輝度の
ものとされるためには、放電セルに流れる電流が
大きくされる必要がある。ところが、セルの電流
と発光の輝度との関係は、第3図の曲線で示すよ
うな関係にあり、セルの電流の増加率に対する輝
度の増加率は、セルの電流が大きくなるほど小さ
くなる。
ものは、各発光点が一水平期間内だけで点灯され
るので、点灯時間が短かい。このため、高輝度の
ものとされるためには、放電セルに流れる電流が
大きくされる必要がある。ところが、セルの電流
と発光の輝度との関係は、第3図の曲線で示すよ
うな関係にあり、セルの電流の増加率に対する輝
度の増加率は、セルの電流が大きくなるほど小さ
くなる。
即ち、セルの電流と効率との関係は、第4図の
曲線で示す関係になる。従つて、放電セルの電流
が大きくされて高輝度のものとされると、効率が
著しく悪くなつてしまう。
曲線で示す関係になる。従つて、放電セルの電流
が大きくされて高輝度のものとされると、効率が
著しく悪くなつてしまう。
しかも、この従来のものは、輝度の階調が一水
平期間内での点灯時間の段階により定まる。しか
しながら、一水平期間はきわめて短かい時間であ
るため、点灯時間が多数の段階に分けられても、
各々の段階の間で輝度に明確な差が生じにくい。
このため、実質的に輝度の階調を多くとることが
できない。
平期間内での点灯時間の段階により定まる。しか
しながら、一水平期間はきわめて短かい時間であ
るため、点灯時間が多数の段階に分けられても、
各々の段階の間で輝度に明確な差が生じにくい。
このため、実質的に輝度の階調を多くとることが
できない。
また、上述のように高輝度のものとされるべく
放電セルの電流が大きくされると、放電セルのカ
ソードのスパツタリングの量は電流の大きさの2
〜3乗に比例することから、カソードのスパツタ
リングの量が増加し、装置の寿命が短かくなつて
しまう。
放電セルの電流が大きくされると、放電セルのカ
ソードのスパツタリングの量は電流の大きさの2
〜3乗に比例することから、カソードのスパツタ
リングの量が増加し、装置の寿命が短かくなつて
しまう。
この発明の一の目的は、高輝度でかつ高効率の
画像表示装置を提供することにある。
画像表示装置を提供することにある。
この発明の他の目的は、輝度の階調が十分多く
とれる画像表示装置を提供することにある。
とれる画像表示装置を提供することにある。
この発明のさらに他の目的は、寿命の著しく長
い画像表示装置を提供することにある。
い画像表示装置を提供することにある。
この発明では、各々の発光点は、同一のフイー
ルドまたはフレーム内において、前の同一のフイ
ールドまたはフレームの映像信号の各々の発光点
に対応する点でのレベルに応じた時間だけ点灯さ
れる。即ち、あるフイールドまたはフレームの映
像信号の各発光点に対応する点でのレベルが検出
され、それぞれ次の同一のフイールドまたはフレ
ーム内において、この検出されたレベルに応じた
時間だけ、各発光点が点灯される。
ルドまたはフレーム内において、前の同一のフイ
ールドまたはフレームの映像信号の各々の発光点
に対応する点でのレベルに応じた時間だけ点灯さ
れる。即ち、あるフイールドまたはフレームの映
像信号の各発光点に対応する点でのレベルが検出
され、それぞれ次の同一のフイールドまたはフレ
ーム内において、この検出されたレベルに応じた
時間だけ、各発光点が点灯される。
この発明の実施例としては、次の2つがあげら
れる。
れる。
第一の例は、第5図に示すように、各発光点の
発光開始時点が同一の時点ないし規制性をもつて
接近した時点とされ、発光終了時点が映像信号の
各々の発光点に対応した点でのレベルに応じて変
えられる場合である。
発光開始時点が同一の時点ないし規制性をもつて
接近した時点とされ、発光終了時点が映像信号の
各々の発光点に対応した点でのレベルに応じて変
えられる場合である。
第二の例は、第6図に示すように、逆に、各発
光点の発光終了時点が同一の時点ないし規則性を
もつて接近した時点とされ、発光開始時点が映像
信号の各々の発光点に対応した点でのレベルに応
じて変えられる場合である。
光点の発光終了時点が同一の時点ないし規則性を
もつて接近した時点とされ、発光開始時点が映像
信号の各々の発光点に対応した点でのレベルに応
じて変えられる場合である。
なお、第5図及び第6図においてVは垂直同期
信号である。
信号である。
まず、第一の例について説明しよう。
第7図は、その全体の構成である。
1はアンテナ、2はチユーナ、3は映像中間周
波増幅回路、4は映像検波回路、5は映像増幅回
路、6は同期信号分離回路で、これらは通常のテ
レビジヨン受像機において用いられるものと同様
のものが用いられる。なお、同期信号分離回路6
からは、水平同期信号Hと垂直同期信号Vが得ら
れる。
波増幅回路、4は映像検波回路、5は映像増幅回
路、6は同期信号分離回路で、これらは通常のテ
レビジヨン受像機において用いられるものと同様
のものが用いられる。なお、同期信号分離回路6
からは、水平同期信号Hと垂直同期信号Vが得ら
れる。
100は表示パネル、200は1ラインメモ
リ、300は書き込み用の1フイールドメモリ、
400はスイツチ群、500は読み出し用の1フ
イールドメモリ、600は比較器群、700はカ
ソード駆動回路、800はアノード駆動回路群で
ある。また、7はクロツクパルス発生回路、8は
スイツチングパルス発生回路、9はレベル検出用
の基準信号発生回路、10は制御パルス発生回路
である。
リ、300は書き込み用の1フイールドメモリ、
400はスイツチ群、500は読み出し用の1フ
イールドメモリ、600は比較器群、700はカ
ソード駆動回路、800はアノード駆動回路群で
ある。また、7はクロツクパルス発生回路、8は
スイツチングパルス発生回路、9はレベル検出用
の基準信号発生回路、10は制御パルス発生回路
である。
表示パネル100は、扁平構造のもので、一例
として、第8図及び第9図に示すように構成され
る。
として、第8図及び第9図に示すように構成され
る。
即ち、2枚のガラス板110及び120が一定
の距離をおいて対向して設けられ、一方のガラス
板110の内側の面には、導体X1,X2、……Xn
が縦方向に平行に配列されて被着形成され、他方
のガラス板120の内側の面には、導体Y1,
Y2、……Yoが横方向に平行に配列されて被着形
成される。導体X1〜Xnはそのままカソードとな
る。ガラス板120の内側の面には、さらにそれ
ぞれ導体X1〜Xnと対向する位置において、それ
ぞれ導体Y1〜Yoに対応して別個のものとされた
抵抗体130が被着形成され、この抵抗体130
の一端が導体Y1〜Yoに接続される。そして、こ
の抵抗体130のそれぞれ他端の位置において電
極Aが被着形成される。この電極Aが各放電セル
のアノードとなる。導体Y1〜Yoと抵抗体130
は絶縁用ガラス140にて覆われ、各アノードA
を中心として螢光体150が被着形成される。ま
た、導体Y1〜Yoのそれぞれの位置においてバリ
アガラス160が設けられる。
の距離をおいて対向して設けられ、一方のガラス
板110の内側の面には、導体X1,X2、……Xn
が縦方向に平行に配列されて被着形成され、他方
のガラス板120の内側の面には、導体Y1,
Y2、……Yoが横方向に平行に配列されて被着形
成される。導体X1〜Xnはそのままカソードとな
る。ガラス板120の内側の面には、さらにそれ
ぞれ導体X1〜Xnと対向する位置において、それ
ぞれ導体Y1〜Yoに対応して別個のものとされた
抵抗体130が被着形成され、この抵抗体130
の一端が導体Y1〜Yoに接続される。そして、こ
の抵抗体130のそれぞれ他端の位置において電
極Aが被着形成される。この電極Aが各放電セル
のアノードとなる。導体Y1〜Yoと抵抗体130
は絶縁用ガラス140にて覆われ、各アノードA
を中心として螢光体150が被着形成される。ま
た、導体Y1〜Yoのそれぞれの位置においてバリ
アガラス160が設けられる。
この表示パネル100は、導体Y1〜Yoがその
ままアノードとされず、これが抵抗体130を介
してアノードAにそれぞれ接続されているので、
各放電セルにおいては、一旦放電が生じればその
状態を維持し、放電が停止すればやはりその状態
を維持するようなメモリ効果がある。
ままアノードとされず、これが抵抗体130を介
してアノードAにそれぞれ接続されているので、
各放電セルにおいては、一旦放電が生じればその
状態を維持し、放電が停止すればやはりその状態
を維持するようなメモリ効果がある。
即ち、この表示パネル100の各放電セルの放
電特性は第10図に示すようになるもので、VZ
は放電開始電圧、VNは最小放電維持電圧であ
る。そして、アノードとカソードとの間の印加電
圧が放電開始電圧VZ以上の電圧VSとされれば放
電が生じ、一旦放電が生じれば、印加電圧が図の
電圧VPに下がつても放電を維持する。また、印
加電圧が最小放電維持電圧VN以下の電圧VDとさ
れれば放電は停止し、一旦停止すれば、印加電圧
が電圧VPに戻されても停止の状態を維持する。
電特性は第10図に示すようになるもので、VZ
は放電開始電圧、VNは最小放電維持電圧であ
る。そして、アノードとカソードとの間の印加電
圧が放電開始電圧VZ以上の電圧VSとされれば放
電が生じ、一旦放電が生じれば、印加電圧が図の
電圧VPに下がつても放電を維持する。また、印
加電圧が最小放電維持電圧VN以下の電圧VDとさ
れれば放電は停止し、一旦停止すれば、印加電圧
が電圧VPに戻されても停止の状態を維持する。
表示パネル100は、m×n個の放電セル即ち
発光点を有する。実際上、例えば、mは200程
度、nは280程度とされる。
発光点を有する。実際上、例えば、mは200程
度、nは280程度とされる。
1ラインメモリ200は、n個のメモリ素子を
有している。書き込み用の1フイールドメモリ3
00及び読み出し用の1フイールドメモリ500
は、それぞれ、m×n個のメモリ素子を有してい
る。これらメモリ200,300及び500は、
アナログメモリでもデイジタルメモリでもよい。
スイツチ群400は、n個の電子スイツチで構成
され、各々のスイツチが図の状態に切り換えられ
るときは、メモリ300の情報がメモリ500に
転送され、各々のスイツチが図の状態とは逆の状
態に切り換えられるときは、メモリ500の出力
がメモリ500の入力として帰還される。
有している。書き込み用の1フイールドメモリ3
00及び読み出し用の1フイールドメモリ500
は、それぞれ、m×n個のメモリ素子を有してい
る。これらメモリ200,300及び500は、
アナログメモリでもデイジタルメモリでもよい。
スイツチ群400は、n個の電子スイツチで構成
され、各々のスイツチが図の状態に切り換えられ
るときは、メモリ300の情報がメモリ500に
転送され、各々のスイツチが図の状態とは逆の状
態に切り換えられるときは、メモリ500の出力
がメモリ500の入力として帰還される。
1ラインメモリ200、書き込み用の1フイー
ルドメモリ300、スイツチ群400及び読み出
し用の1フイールドメモリ500の部分は、一例
として、第11図に示すように構成される。ただ
し、図では、便宜上、m=4、n=5とされてい
る。
ルドメモリ300、スイツチ群400及び読み出
し用の1フイールドメモリ500の部分は、一例
として、第11図に示すように構成される。ただ
し、図では、便宜上、m=4、n=5とされてい
る。
即ち、1ラインメモリ200は、コンデンサ2
11〜215と、サンプリング及び転送用の
MOSトランジスタ221〜225と、書き込み
用の1フイールドメモリ300への転送用の
MOSトランジスタ231〜235からなる。書
き込み用の1フイールドメモリ300は、コンデ
ンサ311〜315、321〜325、331〜
335及び341〜345と、転送用のMOSト
ランジスタ351〜355、361〜365及び
371〜375からなる。さらに読み出し用の1
フイールドメモリ500は、コンデンサ511〜
515、521〜525、531〜535及び5
41〜545と、転送用のMOSトランジスタ5
51〜555、561〜565、571〜575
及び581〜585からなる。尚、図においては
説明の簡略化のために転送用のMOSトランジス
タの組を1単位として示してあるが、実際の回路
においてはBBDの分野で従来より周知のごと
く、コンデンサと転送用のMOSトランジスタの
組が2組で1単位となされる。
11〜215と、サンプリング及び転送用の
MOSトランジスタ221〜225と、書き込み
用の1フイールドメモリ300への転送用の
MOSトランジスタ231〜235からなる。書
き込み用の1フイールドメモリ300は、コンデ
ンサ311〜315、321〜325、331〜
335及び341〜345と、転送用のMOSト
ランジスタ351〜355、361〜365及び
371〜375からなる。さらに読み出し用の1
フイールドメモリ500は、コンデンサ511〜
515、521〜525、531〜535及び5
41〜545と、転送用のMOSトランジスタ5
51〜555、561〜565、571〜575
及び581〜585からなる。尚、図においては
説明の簡略化のために転送用のMOSトランジス
タの組を1単位として示してあるが、実際の回路
においてはBBDの分野で従来より周知のごと
く、コンデンサと転送用のMOSトランジスタの
組が2組で1単位となされる。
比較器群600は、n個の比較器C1,C2、…
…Coから構成される。これについては、後にア
ノード駆動回路群800の説明のところで一緒に
説明する。
…Coから構成される。これについては、後にア
ノード駆動回路群800の説明のところで一緒に
説明する。
カソード駆動回路700は、一例として、第1
2図に示すように構成される。ただし、ここで
も、便宜上、m=4とされている。
2図に示すように構成される。ただし、ここで
も、便宜上、m=4とされている。
即ち、PNP形トランジスタ711〜714のコ
レクタと、NPN形トランジスタ721,724
のコレクタと、同じくNPN形トランジスタ73
1〜734のコレクタが共通に接続され、その接
続点がカソードX1〜X4に接続される。そして、
トランジスタ711〜714のエミツタには正の
電圧VDXが与えられ、トランジスタ721〜72
4のエミツタには負の電圧−VSXが与えられ、ト
ランジスタ731〜734のエミツタは接地され
る。
レクタと、NPN形トランジスタ721,724
のコレクタと、同じくNPN形トランジスタ73
1〜734のコレクタが共通に接続され、その接
続点がカソードX1〜X4に接続される。そして、
トランジスタ711〜714のエミツタには正の
電圧VDXが与えられ、トランジスタ721〜72
4のエミツタには負の電圧−VSXが与えられ、ト
ランジスタ731〜734のエミツタは接地され
る。
一方、後述するクロツクパルスPDとスタート
パルスSTがアンド回路741に供給され、アン
ド回路741の出力パルスNAがシフトレジスタ
742に供給される。また、スタートパルスST
はインバータ743に供給され、クロツクパルス
PDとインバータ743の出力パルスTがアンド
回路744に供給され、アンド回路744の出力
パルスNBが別のシフトレジスタ745に供給さ
れる。
パルスSTがアンド回路741に供給され、アン
ド回路741の出力パルスNAがシフトレジスタ
742に供給される。また、スタートパルスST
はインバータ743に供給され、クロツクパルス
PDとインバータ743の出力パルスTがアンド
回路744に供給され、アンド回路744の出力
パルスNBが別のシフトレジスタ745に供給さ
れる。
シフトレジスタ742及び745は、いずれも
mビツトで、即ち図では便宜上4ビツトで、シフ
トレジスタ742の各ビツトの出力パルスはイン
バータ751〜754に供給され、インバータ7
51〜754の出力パルスB1〜B4がトランジス
タ711〜714のベースに供給される。また、
シフトレジスタ745の各ビツトの出力パルス
D1〜D4はトランジスタ721〜724のベース
に供給される。さらに、シフトレジスタ745の
各ビツトの出力パルスD1〜D4はインバータ76
1〜764に供給され、インバータ751〜75
4の出力パルスB1〜B4とインバータ761〜7
64の出力パルス1〜4がアンド回路771〜
774に供給される。そして、アンド回路771
〜774の出力パルスF1〜F4がトランジスタ7
31〜734のベースに供給される。
mビツトで、即ち図では便宜上4ビツトで、シフ
トレジスタ742の各ビツトの出力パルスはイン
バータ751〜754に供給され、インバータ7
51〜754の出力パルスB1〜B4がトランジス
タ711〜714のベースに供給される。また、
シフトレジスタ745の各ビツトの出力パルス
D1〜D4はトランジスタ721〜724のベース
に供給される。さらに、シフトレジスタ745の
各ビツトの出力パルスD1〜D4はインバータ76
1〜764に供給され、インバータ751〜75
4の出力パルスB1〜B4とインバータ761〜7
64の出力パルス1〜4がアンド回路771〜
774に供給される。そして、アンド回路771
〜774の出力パルスF1〜F4がトランジスタ7
31〜734のベースに供給される。
アノード駆動回路群800は、n個のアノード
駆動回路A1,A2、……Aoからなる。それぞれの
アノード駆動回路A1〜Aoは、全く同様に構成さ
れる。
駆動回路A1,A2、……Aoからなる。それぞれの
アノード駆動回路A1〜Aoは、全く同様に構成さ
れる。
第13図はその一例で、導体Y1に対するアノ
ード駆動回路A1を示す。
ード駆動回路A1を示す。
即ち、PNP形トランジスタ801のコレクタと
NPN形トランジスタ802のコレクタが抵抗8
03を介して接続され、トランジスタ802のコ
レクタにダイオード804と抵抗805の直列回
路が接続され、トランジスタ802のコレクタが
導体Y1に接続される。そして、トランジスタ8
01のエミツタには正の電圧VSYが供給され、ト
ランジスタ802のエミツタには正の電圧VDYが
供給され、抵抗805の他端には正の電圧VPが
供給される。
NPN形トランジスタ802のコレクタが抵抗8
03を介して接続され、トランジスタ802のコ
レクタにダイオード804と抵抗805の直列回
路が接続され、トランジスタ802のコレクタが
導体Y1に接続される。そして、トランジスタ8
01のエミツタには正の電圧VSYが供給され、ト
ランジスタ802のエミツタには正の電圧VDYが
供給され、抵抗805の他端には正の電圧VPが
供給される。
一方、上述した比較器群600の、アノード駆
動回路A1に対応する比較器C1においては、読み
出し用の1フイールドメモリ500の対応する出
力端(第11図の一番左側の出力端)からの信号
が後述するレベル検出用の基準信号EVとレベル
比較され、前者が後者より大きいときは比較器
C1の出力I1は「0」となり、前者が後者より小さ
いときは比較器C1の出力I1は「1」となる。
動回路A1に対応する比較器C1においては、読み
出し用の1フイールドメモリ500の対応する出
力端(第11図の一番左側の出力端)からの信号
が後述するレベル検出用の基準信号EVとレベル
比較され、前者が後者より大きいときは比較器
C1の出力I1は「0」となり、前者が後者より小さ
いときは比較器C1の出力I1は「1」となる。
そして、後述するスタートパルスSTがトラン
ジスタ801のベースに供給され、比較器C1の
出力I1がトランジスタ802のベースに供給され
る。
ジスタ801のベースに供給され、比較器C1の
出力I1がトランジスタ802のベースに供給され
る。
他のアノード駆動回路A2〜Aoと比較器C2〜C
oの関係も同様とされる。
oの関係も同様とされる。
カソード駆動回路700における上述した電圧
VDX、−VSXや、アノード駆動回路A1〜Aoにお
ける上述した電圧VSY、VDY、VPは、第10図
に示すような関係に選ばれる。
VDX、−VSXや、アノード駆動回路A1〜Aoにお
ける上述した電圧VSY、VDY、VPは、第10図
に示すような関係に選ばれる。
即ち、
VZ>VSY>VP>VDY>VN>VDX ……(1)
の関係にある。また、
VS=VSY+VSX>VZ ……(2)
であり、かつ、
VD=VDY−VDX<VN ……(3)
である。さらに、
VP−VDX>VN ……(4)
であり、かつ
VDY+VSX<VS ……(5)
である。
映像増幅回路5から得られる映像信号SVは、
NTSC信号の場合であれば、1フイールドが
262.5個の水平期間から構成され、垂直帰線期間
は21個の水平期間からなつている。しかしなが
ら、ここでは、第14図に示すように、便宜上、
1フイールドが5個の水平期間から構成され、垂
直帰線期間TVBが1個の水平期間からなり、残り
の4個の水平期間が表示されるべき期間となるも
のとする。この表示されるべき4個の水平期間に
おける映像信号を、それぞれ、S1,S2,S3及びS4
とする。
NTSC信号の場合であれば、1フイールドが
262.5個の水平期間から構成され、垂直帰線期間
は21個の水平期間からなつている。しかしなが
ら、ここでは、第14図に示すように、便宜上、
1フイールドが5個の水平期間から構成され、垂
直帰線期間TVBが1個の水平期間からなり、残り
の4個の水平期間が表示されるべき期間となるも
のとする。この表示されるべき4個の水平期間に
おける映像信号を、それぞれ、S1,S2,S3及びS4
とする。
そして、この映像信号SVは、第11図に示す
ように、1ラインメモリ200に供給される。
ように、1ラインメモリ200に供給される。
スイツチングパルス発生回路8から得られるス
イツチングパルスSWは、第14図に示すよう
に、フイールド周期で、かつ、垂直帰線期間TVB
とその他の期間で状態が反転するものとされる。
イツチングパルスSWは、第14図に示すよう
に、フイールド周期で、かつ、垂直帰線期間TVB
とその他の期間で状態が反転するものとされる。
そして、このスイツチングパルスSWは、スイ
ツチ群400の各スイツチに供給され、垂直帰線
期間TVBでは各スイツチが図の状態に切り換えら
れ、その他の期間では各スイツチが図の状態とは
逆の状態に切り換えられるようにされる。
ツチ群400の各スイツチに供給され、垂直帰線
期間TVBでは各スイツチが図の状態に切り換えら
れ、その他の期間では各スイツチが図の状態とは
逆の状態に切り換えられるようにされる。
基準信号発生回路9より得られるレベル検出用
の基準信号EVは、第14図に示すように、1フ
イールドを一巡の周期とし、映像信号SVの表示
されるべき期間で、そのレベルが黒レベルから白
レベルにかけて段階的に変化する階段波信号とさ
れる。その段階の数は後述するように輝度の階調
を決定する。実際上は、mは例えば200前後に選
ばれ、即ち表示されるべき期間は例えば200個前
後の水平期間とされ、そして、例えば、基準信号
EVの同一レベルとされる一段当りの期間は10数
個の水平期間とされて、段階の数は全部で10数個
とされる。しかしながら、ここでは、上述のよう
に、便宜上、表示されるべき期間が4個の水平期
間とされることに対応して、図に示すように、基
準信号EVの同一レベルとされる一段当りの期間
は、便宜上、1個の水平期間となるものとする。
の基準信号EVは、第14図に示すように、1フ
イールドを一巡の周期とし、映像信号SVの表示
されるべき期間で、そのレベルが黒レベルから白
レベルにかけて段階的に変化する階段波信号とさ
れる。その段階の数は後述するように輝度の階調
を決定する。実際上は、mは例えば200前後に選
ばれ、即ち表示されるべき期間は例えば200個前
後の水平期間とされ、そして、例えば、基準信号
EVの同一レベルとされる一段当りの期間は10数
個の水平期間とされて、段階の数は全部で10数個
とされる。しかしながら、ここでは、上述のよう
に、便宜上、表示されるべき期間が4個の水平期
間とされることに対応して、図に示すように、基
準信号EVの同一レベルとされる一段当りの期間
は、便宜上、1個の水平期間となるものとする。
そして、このレベル検出用の基準信号EVは、
上述のように、比較器群600の各比較器C1〜
Coに供給される。
上述のように、比較器群600の各比較器C1〜
Coに供給される。
制御パルス発生回路10から得られる制御パル
スは、第一の例ではスタートパルスSTとされる
もので、これは、第14図に示すように、フイー
ルド周期で、かつ、映像信号SVの表示されるべ
き最初の水平期間において即ち信号S1の期間にお
いて「0」となり、他の期間において「1」とな
るようなものとされる。
スは、第一の例ではスタートパルスSTとされる
もので、これは、第14図に示すように、フイー
ルド周期で、かつ、映像信号SVの表示されるべ
き最初の水平期間において即ち信号S1の期間にお
いて「0」となり、他の期間において「1」とな
るようなものとされる。
そして、このスタートパルスSTは、上述のよ
うに、カソード駆動回路700と、アノード駆動
回路群800の各アノード駆動回路A1〜Aoに供
給される。
うに、カソード駆動回路700と、アノード駆動
回路群800の各アノード駆動回路A1〜Aoに供
給される。
クロツクパルス発生回路7からは、第14図に
示すように、4通りのクロツクパルスPA、PB、
PC及びPDが得られる。
示すように、4通りのクロツクパルスPA、PB、
PC及びPDが得られる。
第1のクロツクパルスPAは、表示されるべき
信号S1,S2,S3及びS4の各々の期間の、それぞれ
導体Y1〜Yoに対応する時点で得られる。従つ
て、信号S1〜S4の各々の期間においてn個のパル
スを有するが、図では、便宜上、n=5とされて
いる。
信号S1,S2,S3及びS4の各々の期間の、それぞれ
導体Y1〜Yoに対応する時点で得られる。従つ
て、信号S1〜S4の各々の期間においてn個のパル
スを有するが、図では、便宜上、n=5とされて
いる。
この第1のクロツクパルスPAは、1ラインメ
モリ200のトランジスタ221〜225のゲー
トに供給される。
モリ200のトランジスタ221〜225のゲー
トに供給される。
第2のクロツクパルスPBは、表示されるべき
信号S1〜S4の各々の期間の終りの時点において、
それぞれ1個づつ得られる。
信号S1〜S4の各々の期間の終りの時点において、
それぞれ1個づつ得られる。
この第2のクロツクパルスPBは、1ラインメ
モリ200のトランジスタ231〜235のゲー
トに供給される。
モリ200のトランジスタ231〜235のゲー
トに供給される。
第3のクロツクパルスPCは、第2のクロツク
パルスPBと同じく表示されるべき信号S1〜S4の
各々の期間の終りの時点において得られるパルス
PC1と、垂直帰線期間TVBにおいて得られるパル
スPC2からなる。パルスPC2は、m個のパルスを
有するが、図では、便宜上、m=4とされてい
る。
パルスPBと同じく表示されるべき信号S1〜S4の
各々の期間の終りの時点において得られるパルス
PC1と、垂直帰線期間TVBにおいて得られるパル
スPC2からなる。パルスPC2は、m個のパルスを
有するが、図では、便宜上、m=4とされてい
る。
この第3のクロツクパルスPCは、書き込み用
の1フイールドメモリ300のトランジスタ35
1〜355、361〜365及び371〜375
のゲートに供給される。
の1フイールドメモリ300のトランジスタ35
1〜355、361〜365及び371〜375
のゲートに供給される。
第4のクロツクパルスPDは、垂直帰線期間TV
Bにおいてm個得られるとともに、表示されるべ
き信号S1〜S4の各々の期間においてそれぞれm個
づつ得られる。ただし、図では、便宜上、m=4
とされている。
Bにおいてm個得られるとともに、表示されるべ
き信号S1〜S4の各々の期間においてそれぞれm個
づつ得られる。ただし、図では、便宜上、m=4
とされている。
この第4のクロツクパルスPDは、読み出し用
の1フイールドメモリ500のトランジスタ55
1〜555、561〜565、571〜575及
び581〜585のゲートに供給されるととも
に、上述のように、カソード駆動回路700に供
給される。
の1フイールドメモリ500のトランジスタ55
1〜555、561〜565、571〜575及
び581〜585のゲートに供給されるととも
に、上述のように、カソード駆動回路700に供
給される。
上述の構成によれば、以下に述べるような動作
によつて、第5図において説明したような点灯方
式による表示がなされる。
によつて、第5図において説明したような点灯方
式による表示がなされる。
ただし、以下の説明では、便宜上、m=4、n
=5とされている。
=5とされている。
まず、ある任意のフイールドにおける表示され
るべき信号S1の導体Y1〜Y5に対応する時点での
レベルは、1ラインメモリ200において、クロ
ツクパルスPAによつてトランジスタ221〜2
25がオンとなることにより、順次サンプリング
されて、コンデンサ211〜515に書き込まれ
る。そして、この1ラインメモリ200のコンデ
ンサ211〜215に書き込まれた信号S1のレベ
ル情報は、信号S1の期間の終りの時点において、
クロツクパルスPBによつてトランジスタ231
〜235がオンとなることにより、書き込み用の
1フイールドメモリ300のコンデンサ341〜
345に転送される。
るべき信号S1の導体Y1〜Y5に対応する時点での
レベルは、1ラインメモリ200において、クロ
ツクパルスPAによつてトランジスタ221〜2
25がオンとなることにより、順次サンプリング
されて、コンデンサ211〜515に書き込まれ
る。そして、この1ラインメモリ200のコンデ
ンサ211〜215に書き込まれた信号S1のレベ
ル情報は、信号S1の期間の終りの時点において、
クロツクパルスPBによつてトランジスタ231
〜235がオンとなることにより、書き込み用の
1フイールドメモリ300のコンデンサ341〜
345に転送される。
次いで、同じフイールドにおける表示されるべ
き信号S2の導体Y1〜Y5に対応する時点でのレベ
ル情報が、同様にして、1ラインメモリ200の
コンデンサ211〜215に書き込まれる。そし
て、信号S2の期間の終りの時点において、クロツ
クパルスPCによつて書き込み用の1フイールド
メモリ300のトランジスタ351〜355がオ
ンとなることにより、前述のようにメモリ300
のコンデンサ341〜345に書き込まれた信号
S1のレベル情報は、メモリ300のコンデンサ3
31〜335に転送される。同時に、クロツクパ
ルスPBによつて1ラインメモリ200のトラン
ジスタ231〜235がオンとなることにより、
上述のメモリ200のコンデンサ211〜215
に書き込まれたレベル情報は、書き込み用の1フ
イールドメモリ300のコンデンサ341〜34
5に転送される。
き信号S2の導体Y1〜Y5に対応する時点でのレベ
ル情報が、同様にして、1ラインメモリ200の
コンデンサ211〜215に書き込まれる。そし
て、信号S2の期間の終りの時点において、クロツ
クパルスPCによつて書き込み用の1フイールド
メモリ300のトランジスタ351〜355がオ
ンとなることにより、前述のようにメモリ300
のコンデンサ341〜345に書き込まれた信号
S1のレベル情報は、メモリ300のコンデンサ3
31〜335に転送される。同時に、クロツクパ
ルスPBによつて1ラインメモリ200のトラン
ジスタ231〜235がオンとなることにより、
上述のメモリ200のコンデンサ211〜215
に書き込まれたレベル情報は、書き込み用の1フ
イールドメモリ300のコンデンサ341〜34
5に転送される。
このようにして、このフイールドの信号S4の期
間の終りの時点においては、結局、信号S1,S2,
S3,S4のレベル情報が、書き込み用の1フイール
ドメモリ300のコンデンサ311〜315、3
21〜325、331〜335、341〜345
に、それぞれ書き込まれた状態となる。
間の終りの時点においては、結局、信号S1,S2,
S3,S4のレベル情報が、書き込み用の1フイール
ドメモリ300のコンデンサ311〜315、3
21〜325、331〜335、341〜345
に、それぞれ書き込まれた状態となる。
次いで、次の垂直帰線期間TVBになると、スイ
ツチングパルスSWが「1」となつてスイツチ群
400の各スイツチが第11図で示す状態に切り
換えられ、またクロツクパルスPDによつて読み
出し用の1フイールドメモリ500のトランジス
タ551〜555、561〜565、571〜5
75及び581〜585が4回オンとなることに
より、上述の信号S1,S2,S3,S4のレベル情報
は、この読み出し用の1フイールドメモリ500
のコンデンサ511〜515、521〜525、
531〜535、541〜545に、それぞれ転
送される。
ツチングパルスSWが「1」となつてスイツチ群
400の各スイツチが第11図で示す状態に切り
換えられ、またクロツクパルスPDによつて読み
出し用の1フイールドメモリ500のトランジス
タ551〜555、561〜565、571〜5
75及び581〜585が4回オンとなることに
より、上述の信号S1,S2,S3,S4のレベル情報
は、この読み出し用の1フイールドメモリ500
のコンデンサ511〜515、521〜525、
531〜535、541〜545に、それぞれ転
送される。
表示パネル100のカソードX1〜X4には、レ
ベル情報に無関係に、各フイールドにおいて、次
のような電圧が与えられる。
ベル情報に無関係に、各フイールドにおいて、次
のような電圧が与えられる。
即ち、クロツクパルスPDと、スタートパルス
STとの関係は、第15図に示すようになる。
STとの関係は、第15図に示すようになる。
従つて、第12図のカソード駆動回路700に
おいて、アンド回路741の出力パルスNA、イ
ンバータ751〜754の出力パルスB1〜B4、
インバータ743の出力パルスT、アンド回路
744の出力パルスNB、シフトレジスタ745
の各ビツトの出力パルスD1〜D4、インバータ7
61〜764の出力パルス1〜4、及びアンド
回路771〜774の出力パルスF1〜F4は、そ
れぞれ、第15図に示すようになる。
おいて、アンド回路741の出力パルスNA、イ
ンバータ751〜754の出力パルスB1〜B4、
インバータ743の出力パルスT、アンド回路
744の出力パルスNB、シフトレジスタ745
の各ビツトの出力パルスD1〜D4、インバータ7
61〜764の出力パルス1〜4、及びアンド
回路771〜774の出力パルスF1〜F4は、そ
れぞれ、第15図に示すようになる。
そして、出力パルスB1〜B4の「0」の区間に
おいて、トランジスタ711〜714がオンとな
る。また、出力パルスD1〜D4の「1」の区間に
おいて、トランジスタ721〜724がオンとな
る。そして、出力パルスB1〜B4の「0」の区間
と出力パルスD1〜D4の「1」の区間を除く区
間、即ち出力パルスF1〜F4の「1」の区間にお
いて、トランジスタ731〜734がオンとな
る。
おいて、トランジスタ711〜714がオンとな
る。また、出力パルスD1〜D4の「1」の区間に
おいて、トランジスタ721〜724がオンとな
る。そして、出力パルスB1〜B4の「0」の区間
と出力パルスD1〜D4の「1」の区間を除く区
間、即ち出力パルスF1〜F4の「1」の区間にお
いて、トランジスタ731〜734がオンとな
る。
従つて、カソードX1〜X4に与えられる電圧G1
〜G4は、第15図に示すように、出力パルスB1
〜B4の「0」の区間においてはVDXとなり、出
力パルスD1〜D4の「1」の区間においては−VS
Xとなり、その他の区間においては接地電位とな
る。
〜G4は、第15図に示すように、出力パルスB1
〜B4の「0」の区間においてはVDXとなり、出
力パルスD1〜D4の「1」の区間においては−VS
Xとなり、その他の区間においては接地電位とな
る。
上述のように、垂直帰線期間TVBの終りの時点
においては、前のフイールドにおける信号S1,
S2,S3,S4のレベル情報が、読み出し用の1フイ
ールドメモリ500のコンデンサ511〜51
5、521〜525、531〜535、541〜
545に、それぞれ記憶されている。
においては、前のフイールドにおける信号S1,
S2,S3,S4のレベル情報が、読み出し用の1フイ
ールドメモリ500のコンデンサ511〜51
5、521〜525、531〜535、541〜
545に、それぞれ記憶されている。
そして、次のフイールドで、スイツチングパル
スSWが「0」となつてスイツチ群400の各ス
イツチが第11図で示す状態と逆の状態に切り換
えられるようになると、読み出し用の1フイール
ドメモリ500から、上述の前のフイールドにお
ける信号S1,S2,S3,S4のレベル情報が読み出さ
れる。この場合、読み出し用の1フイールドメモ
リ500は、その出力が入力として帰還される構
成となるから、信号S1,S2,S3,S4のレベル情報
は、この順序で繰り返して読み出される。
スSWが「0」となつてスイツチ群400の各ス
イツチが第11図で示す状態と逆の状態に切り換
えられるようになると、読み出し用の1フイール
ドメモリ500から、上述の前のフイールドにお
ける信号S1,S2,S3,S4のレベル情報が読み出さ
れる。この場合、読み出し用の1フイールドメモ
リ500は、その出力が入力として帰還される構
成となるから、信号S1,S2,S3,S4のレベル情報
は、この順序で繰り返して読み出される。
即ち、次のフイールドにおける、スイツチング
パルスSWと、クロツクパルスPDと、スタートパ
ルスSTと、レベル検出用の基準信号EVとの関係
は、第16図に示すようになる。
パルスSWと、クロツクパルスPDと、スタートパ
ルスSTと、レベル検出用の基準信号EVとの関係
は、第16図に示すようになる。
そして、クロツクパルスPDによつて読み出し
用の1フイールドメモリ500のトランジスタ5
81〜585、571〜575、561〜565
及び551〜555がオンとなることにより、信
号S1,S2,S3,S4のレベル情報が、図において、
1,2,3,4として示すように、次にスイツチ
ングパルスSWが「1」となつてスイツチ群40
0の各スイツチが第11図で示す状態に切り換え
られる期間までにわたつて、順次、繰り返して読
み出される。
用の1フイールドメモリ500のトランジスタ5
81〜585、571〜575、561〜565
及び551〜555がオンとなることにより、信
号S1,S2,S3,S4のレベル情報が、図において、
1,2,3,4として示すように、次にスイツチ
ングパルスSWが「1」となつてスイツチ群40
0の各スイツチが第11図で示す状態に切り換え
られる期間までにわたつて、順次、繰り返して読
み出される。
ただし、図では、メモリ500の第11図にお
ける一番左側の出力端から得られる、信号S1〜S4
の導体Y1に対応する点でのレベルのみを示す。
ける一番左側の出力端から得られる、信号S1〜S4
の導体Y1に対応する点でのレベルのみを示す。
なお、この例では、基準信号EVの最高段のレ
ベルは白レベルより僅かに低くされ、たまたま信
号S4の導体Y1に対応する点でのレベルは白レベ
ルになつているものとして、示してある。
ベルは白レベルより僅かに低くされ、たまたま信
号S4の導体Y1に対応する点でのレベルは白レベ
ルになつているものとして、示してある。
信号S1〜S4の導体Y1に対応するレベルがこの
ように読み出されると、比較器群600の導体
Y1に対応する比較器C1の出力I1は、第16図に示
すようになる。
ように読み出されると、比較器群600の導体
Y1に対応する比較器C1の出力I1は、第16図に示
すようになる。
そして、第13図のアノード駆動回路A1にお
いては、スタートパルスSTの「0」の区間にお
いて、トランジスタ801がオンとなる。また、
比較器C1の出力I1の「1」の区間において、トラ
ンジスタ802がオンとなる。
いては、スタートパルスSTの「0」の区間にお
いて、トランジスタ801がオンとなる。また、
比較器C1の出力I1の「1」の区間において、トラ
ンジスタ802がオンとなる。
従つて、導体Y1に与えられる電圧J1は、第16
図に示すように、最初スタートパルスSTが
「0」となる期間においてはVSYとなり、その後
の期間においては、読み出されたレベルが、基準
信号EVより大きいところではVPとなり、基準信
号EVより小さいところではVDYとなる。
図に示すように、最初スタートパルスSTが
「0」となる期間においてはVSYとなり、その後
の期間においては、読み出されたレベルが、基準
信号EVより大きいところではVPとなり、基準信
号EVより小さいところではVDYとなる。
上述のカソードX1〜X4に与えられる電圧G1〜
G4は、各々、図に示すような時間関係で変化す
る。
G4は、各々、図に示すような時間関係で変化す
る。
そして、次のフイールドにおいて、表示パネル
100の導体Y1と導体X1,X2,X3,X4の交点位
置における各放電セルのアノード・カソード間に
は、電圧J1と電圧G1,G2,G3,G4の差の電圧が
与えられ、この差の電圧M11,M21,M31,M41
は、各々同図に示すようになる。
100の導体Y1と導体X1,X2,X3,X4の交点位
置における各放電セルのアノード・カソード間に
は、電圧J1と電圧G1,G2,G3,G4の差の電圧が
与えられ、この差の電圧M11,M21,M31,M41
は、各々同図に示すようになる。
即ち、電圧M11,M21,M31,M41は、それぞ
れ、図において〇印を付して示すように、信信号
S1,S2,S3,S4の導体Y1に対応する点でのレベ
ルがメモリ500より最初に読み出される時点
で、VS(=VSY+VSX)となる。電圧VSは、前
述のように、放電開始電圧VZより大きい。従つ
て、導体Y1と導体X1,X2,X3,X4の交点位置に
おける放電セルは、それぞれ、この〇印を付して
示す時点で放電し始める。
れ、図において〇印を付して示すように、信信号
S1,S2,S3,S4の導体Y1に対応する点でのレベ
ルがメモリ500より最初に読み出される時点
で、VS(=VSY+VSX)となる。電圧VSは、前
述のように、放電開始電圧VZより大きい。従つ
て、導体Y1と導体X1,X2,X3,X4の交点位置に
おける放電セルは、それぞれ、この〇印を付して
示す時点で放電し始める。
また、電圧M11,M21,M31は、それぞれ、上記
の放電開始時点から1フイールドの期間T1,
T2,T3内の、それぞれ、図において×印を付し
て示すように、上記の放電開始時点から、信号
S1,S2,S3の導体Y1に対応する点でのレベルに
ほぼ比例した時間経た時点で、初めて、VD(=
VDY−VDX)となる。電圧VDは、前述のよう
に、最小放電維持電圧VNより小さい。従つて、
導体Y1と導体X1,X2,X3の交点位置における放
電セルは、それぞれ、この×印を付して示す時点
で放電を停止する。信号S4の導体Y1に対応する
点でのレベルは上述のようにたまたま白レベルに
なつているので、電圧M41は、上記の放電開始時
点から1フイールドの期間T4内において、電圧
VDまで下がることはなく、この1フイールドの
期間T4でずつと放電し続ける。
の放電開始時点から1フイールドの期間T1,
T2,T3内の、それぞれ、図において×印を付し
て示すように、上記の放電開始時点から、信号
S1,S2,S3の導体Y1に対応する点でのレベルに
ほぼ比例した時間経た時点で、初めて、VD(=
VDY−VDX)となる。電圧VDは、前述のよう
に、最小放電維持電圧VNより小さい。従つて、
導体Y1と導体X1,X2,X3の交点位置における放
電セルは、それぞれ、この×印を付して示す時点
で放電を停止する。信号S4の導体Y1に対応する
点でのレベルは上述のようにたまたま白レベルに
なつているので、電圧M41は、上記の放電開始時
点から1フイールドの期間T4内において、電圧
VDまで下がることはなく、この1フイールドの
期間T4でずつと放電し続ける。
即ち、導体Y1と導体X1,X2,X3,X4の交点位
置における発光点は、それぞれ、第16図の
L11,L21,L31,L41において斜線を付して示すよ
うに、それぞれクロツクパルスPDの一周期分づ
つ順次ずれた1フイールドの期間T1,T2,T3,
T4内において、その始めの時点から、前のフイ
ールドの映像信号の、それぞれ、この発光点に対
応した点でのレベルに応じた時間だけ経た時点ま
でにわたつて発光する。従つて、各々の発光点の
輝度は、各々の発光点での映像信号のレベルに応
じたものとなる。
置における発光点は、それぞれ、第16図の
L11,L21,L31,L41において斜線を付して示すよ
うに、それぞれクロツクパルスPDの一周期分づ
つ順次ずれた1フイールドの期間T1,T2,T3,
T4内において、その始めの時点から、前のフイ
ールドの映像信号の、それぞれ、この発光点に対
応した点でのレベルに応じた時間だけ経た時点ま
でにわたつて発光する。従つて、各々の発光点の
輝度は、各々の発光点での映像信号のレベルに応
じたものとなる。
前述のように、読み出し用の1フイールドメモ
リ500からは、前のフイールドにおける信号S1
〜S4の、導体Y1,Y2,Y3,Y4,Y5に対応する点
でのレベルが並列的に読み出される。
リ500からは、前のフイールドにおける信号S1
〜S4の、導体Y1,Y2,Y3,Y4,Y5に対応する点
でのレベルが並列的に読み出される。
従つて、導体Y2,Y3,Y4,Y5と導体X1〜X4の
交点位置における発光点も、上述と同様の態様
で、発光する。
交点位置における発光点も、上述と同様の態様
で、発光する。
この場合、カソードを共通とする複数の放電セ
ルにおける放電が互いに影響しあうことはない。
ルにおける放電が互いに影響しあうことはない。
即ち、比較器群600の例えば導体Y1,Y2に
対応する比較器C1,C2での、レベルの比較の状
態は、第17図においてY1,Y2として示すよう
になる。ただし、ここでは、いずれも信号S1のレ
ベル情報のみが1として示されている。
対応する比較器C1,C2での、レベルの比較の状
態は、第17図においてY1,Y2として示すよう
になる。ただし、ここでは、いずれも信号S1のレ
ベル情報のみが1として示されている。
従つて、第16図の説明から明らかなように、
比較器C1,C2の出力I1,I2と、アノード駆動回路
A1,A2より導体Y1,Y2に与えられる電圧J1,J2
は、それぞれ図に示すようになる。
比較器C1,C2の出力I1,I2と、アノード駆動回路
A1,A2より導体Y1,Y2に与えられる電圧J1,J2
は、それぞれ図に示すようになる。
一方、例えばカソードX1に与えられる電圧G1
は、図に示すような時間関係で変化する。
は、図に示すような時間関係で変化する。
従つて、導体Y1,Y2とカソードX1の交点位置
における各放電セルのアノード・カソード間に与
えられる電圧M11,M12は、各々、図に示すよう
になる。
における各放電セルのアノード・カソード間に与
えられる電圧M11,M12は、各々、図に示すよう
になる。
従つて、導体Y1,Y2とカソードX1の交点位置
における発光点は、それぞれ、同図のL11,L12に
おいて斜線を付して示す時間だけ発光する。
における発光点は、それぞれ、同図のL11,L12に
おいて斜線を付して示す時間だけ発光する。
即ち、カソードに同じ電圧が与えられても相互
に影響しあうことはない。
に影響しあうことはない。
このように、各々の発光点は、各々独立に、映
像信号の対応する点でのレベルに応じた時間だけ
発光する。
像信号の対応する点でのレベルに応じた時間だけ
発光する。
そして、上述の動作は、フイールドごとに繰り
返してなされる。
返してなされる。
従つて、表示パネル100にはテレビジヨン画
像が表示される。
像が表示される。
次に、第二の例について説明しよう。
全体のブロツク的な構成は、第一の例と同じ
で、第7図に示すようにされる。
で、第7図に示すようにされる。
ここで、表示パネル100、1ラインメモリ2
00、書き込み用の1フイールドメモリ300、
スイツチ群400、読み出し用の1フイールドメ
モリ500及び比較器群600は、第一の例の場
合と同じに構成される。
00、書き込み用の1フイールドメモリ300、
スイツチ群400、読み出し用の1フイールドメ
モリ500及び比較器群600は、第一の例の場
合と同じに構成される。
カソード駆動回路700も、第18図に示すよ
うに、第一の例の場合の第12図に示したそれと
同様に構成される。ただこの場合は、スタートパ
ルスSTの代わりに後述のリセツトパルスSRが供
給される。
うに、第一の例の場合の第12図に示したそれと
同様に構成される。ただこの場合は、スタートパ
ルスSTの代わりに後述のリセツトパルスSRが供
給される。
アノード駆動回路群800の、各アノード駆動
回路A1〜Aoは、一例として、第19図に示すよ
うに、構成される。
回路A1〜Aoは、一例として、第19図に示すよ
うに、構成される。
即ち、図は導体Y1に対するアノード駆動回路
A1を示すもので、第1の例における第13図に
示したそれと同じように、PNP形トランジスタ8
01、NPN形トランジスタ802、抵抗80
3、ダイオード804及び抵抗805が設けら
れ、電圧VSY、VDY及びVPが上述の例のように
供給されるが、さらに、この場合は、アンド回路
806が設けられる。そして、比較器C1の出力I1
がトランジスタ801のベースに供給され、後述
のリセツトパルスSRと比較器C1の出力I1がアン
ド回路806に供給され、アンド回路806の出
力がトランジスタ802のベースに供給される。
A1を示すもので、第1の例における第13図に
示したそれと同じように、PNP形トランジスタ8
01、NPN形トランジスタ802、抵抗80
3、ダイオード804及び抵抗805が設けら
れ、電圧VSY、VDY及びVPが上述の例のように
供給されるが、さらに、この場合は、アンド回路
806が設けられる。そして、比較器C1の出力I1
がトランジスタ801のベースに供給され、後述
のリセツトパルスSRと比較器C1の出力I1がアン
ド回路806に供給され、アンド回路806の出
力がトランジスタ802のベースに供給される。
他のアノード駆動回路A2〜Aoと比較器C2〜C
oの関係も同様とされる。
oの関係も同様とされる。
第20図、第21図及び第22図は、この例に
おける動作の説明のためのもので、第一の例にお
ける第14図、第15図及び第16図にそれぞれ
対応するものである。
おける動作の説明のためのもので、第一の例にお
ける第14図、第15図及び第16図にそれぞれ
対応するものである。
この例においては、基準信号発生回路9より得
られるレベル検出用の基準信号EVは、第20図
に示すように、第一の例のそれと逆に、そのレベ
ルが白レベルから黒レベルにかけて段階的に変化
する階段波信号とされる。
られるレベル検出用の基準信号EVは、第20図
に示すように、第一の例のそれと逆に、そのレベ
ルが白レベルから黒レベルにかけて段階的に変化
する階段波信号とされる。
ただし、この例においても、便宜上、1フイー
ルドが5個の水平期間から構成され、垂直帰線期
間TVBが1個の水平期間からなり、残りの4個の
水平期間が表示されるべき期間となるものとされ
ている。
ルドが5個の水平期間から構成され、垂直帰線期
間TVBが1個の水平期間からなり、残りの4個の
水平期間が表示されるべき期間となるものとされ
ている。
制御パルス発生回路10から得られる制御パル
スは、第二の例ではリセツトパルスSRとされる
もので、これは、第20図に示すように、第一の
例のスタートパルスSTとは逆の極性のものとさ
れる。
スは、第二の例ではリセツトパルスSRとされる
もので、これは、第20図に示すように、第一の
例のスタートパルスSTとは逆の極性のものとさ
れる。
この構成によれば、以下に述べるような動作に
よつて、第6図において説明したような点灯方式
による表示がなされる。
よつて、第6図において説明したような点灯方式
による表示がなされる。
ただし、この場合も、便宜上、m=4、n=5
とされている。
とされている。
第18図のカソード駆動回路700において、
アンド回路741の出力パルスNA、インバータ
751〜754の出力パルスB1〜B4、インバー
タ743の出力パルスR、アンド回路744の
出力パルスNB、シフトレジスタ745の各ビツ
トの出力パルスD1〜D4、インバータ761〜7
64の出力パルス1〜4及びアンド回路771
〜774の出力パルスF1〜F4は、それぞれ、第
21図に示すようになる。
アンド回路741の出力パルスNA、インバータ
751〜754の出力パルスB1〜B4、インバー
タ743の出力パルスR、アンド回路744の
出力パルスNB、シフトレジスタ745の各ビツ
トの出力パルスD1〜D4、インバータ761〜7
64の出力パルス1〜4及びアンド回路771
〜774の出力パルスF1〜F4は、それぞれ、第
21図に示すようになる。
従つて、カソードX1〜X4に与えられる電圧G1
〜G4は、同図に示すようになる。
〜G4は、同図に示すようになる。
第22図においてY1で示すように、読み出し
用の1フイールドメモリ500から、前のフイー
ルドにおける信号S1,S2,S3,S4のレベル情報
が、第一の例の場合と全く態様で、読み出され
る。ただし、ここでも、信号S1〜S4の導体Y1に
対応する点でのレベルのみを示す。
用の1フイールドメモリ500から、前のフイー
ルドにおける信号S1,S2,S3,S4のレベル情報
が、第一の例の場合と全く態様で、読み出され
る。ただし、ここでも、信号S1〜S4の導体Y1に
対応する点でのレベルのみを示す。
従つて、比較器群600の導体Y1に対応する
比較器C1の出力I1は、同図に示すようになる。
比較器C1の出力I1は、同図に示すようになる。
そして、第19図のアノード駆動回路A1にお
いては、比較器C1の出力I1の「0」の区間におい
て、トランジスタ801がオンとなる。また、リ
セツトパルスSRの「1」の区間において比較器
C1の出力I1が「1」であれば、アンド回路806
の出力が「1」となつてトランジスタ802がオ
ンとなる。
いては、比較器C1の出力I1の「0」の区間におい
て、トランジスタ801がオンとなる。また、リ
セツトパルスSRの「1」の区間において比較器
C1の出力I1が「1」であれば、アンド回路806
の出力が「1」となつてトランジスタ802がオ
ンとなる。
従つて、導体Y1に与えられる電圧J1は、第22
図に示すようになり、導体Y1と導体X1,X2,
X3,X4の交点位置における各放電セルのアノー
ド・カソード間に与えられる電圧M11,M21,
M31,M41は、各々同図に示すようになる。
図に示すようになり、導体Y1と導体X1,X2,
X3,X4の交点位置における各放電セルのアノー
ド・カソード間に与えられる電圧M11,M21,
M31,M41は、各々同図に示すようになる。
そして、この場合も、導体Y1と導体X1,X2,
X3,X4の交点位置における放電セルは、それぞ
れ、電圧M11,M21,M31,M41が、前述の電圧VS
になる時点で放電し始め、勢述の電圧VDになる
時点で放電を停止する。
X3,X4の交点位置における放電セルは、それぞ
れ、電圧M11,M21,M31,M41が、前述の電圧VS
になる時点で放電し始め、勢述の電圧VDになる
時点で放電を停止する。
従つて、導体Y1と導体X1,X2,X3,X4の交点
位置における発光点は、それぞれ、第22図の
L11,L21,L31,L41において斜線を付して示す期
間、発光する。
位置における発光点は、それぞれ、第22図の
L11,L21,L31,L41において斜線を付して示す期
間、発光する。
即ち、この例では、発光終了時点が上述の1フ
イールドの期間T1,T2,T3,T4の終りの時点と
なり、発光開始時点は、この期間T1,T2,T3,
T4内の、それぞれ上記の発光終了時点から、映
像信号のそれぞれの発光点に対応した点でのレベ
ルに応じた時間だけ前の時点となる。
イールドの期間T1,T2,T3,T4の終りの時点と
なり、発光開始時点は、この期間T1,T2,T3,
T4内の、それぞれ上記の発光終了時点から、映
像信号のそれぞれの発光点に対応した点でのレベ
ルに応じた時間だけ前の時点となる。
ただし、この場合は、ある発光点に対応した点
でのレベルが次のフイールドにおいて白レベルと
なるときは、図において△印を付して示すよう
に、期間T1〜T4の終りの時点においても一旦放
電が停止することはなく、そのまま次のフイール
ドにまたがつて放電し続けるようになる。
でのレベルが次のフイールドにおいて白レベルと
なるときは、図において△印を付して示すよう
に、期間T1〜T4の終りの時点においても一旦放
電が停止することはなく、そのまま次のフイール
ドにまたがつて放電し続けるようになる。
上述の二つの例においては、第16図あるいは
第22図から明らかなように、いずれも、黒レベ
ルの点では最小単位の時間だけ放電発光し、白レ
ベルの点では1フイールドの期間いつぱいに放電
発光する。
第22図から明らかなように、いずれも、黒レベ
ルの点では最小単位の時間だけ放電発光し、白レ
ベルの点では1フイールドの期間いつぱいに放電
発光する。
しかしながら、基準信号EVのレベルの選び方
や、アノード駆動回路A1〜Aoの構成によつて
は、黒レベルの点では1フイールドの期間内で全
く放電発光せず、あるいはまた白レベルの点では
1フイールドより最小単位の時間だけ少ない時間
放電発光するようなものとすることもできる。
や、アノード駆動回路A1〜Aoの構成によつて
は、黒レベルの点では1フイールドの期間内で全
く放電発光せず、あるいはまた白レベルの点では
1フイールドより最小単位の時間だけ少ない時間
放電発光するようなものとすることもできる。
この発明は、カラーテレビジヨンの画像を表示
する場合にも適用することができる。
する場合にも適用することができる。
第23図は、その場合の一例の全体の構成であ
る。
る。
この場合、表示パネル100しては、上述の導
体Y1、……Yoの代わりに、赤、緑及び青用の3
本の導体の組YR1,YG1,YB1、……YRo、YG
o、YBoが設けられたものが、用いられる。そし
て、図には示してないが、上述と同様に、各々の
導体YR1、YG1、YB1、……YRo、YGo、YBoに
は、それぞれその導体X1,X2、……Xnと対向す
る位置において抵抗体が接続され、この抵抗体の
他端にそれぞれアノード電極が接続される。そし
て、このアノード電極を中心として、赤、緑ある
いは青の螢光体が設けられる。
体Y1、……Yoの代わりに、赤、緑及び青用の3
本の導体の組YR1,YG1,YB1、……YRo、YG
o、YBoが設けられたものが、用いられる。そし
て、図には示してないが、上述と同様に、各々の
導体YR1、YG1、YB1、……YRo、YGo、YBoに
は、それぞれその導体X1,X2、……Xnと対向す
る位置において抵抗体が接続され、この抵抗体の
他端にそれぞれアノード電極が接続される。そし
て、このアノード電極を中心として、赤、緑ある
いは青の螢光体が設けられる。
一方、上述の1ラインメモリ200、書き込み
用の1フイールドメモリ300、スイツチ群40
0、読み出し用の1フイールドメモリ500、比
較器群600及びアノード駆動回路群800が、
それぞれ、赤、緑及び青用の導体YR1〜YRo、Y
G1〜YGo及びYB1〜YBoに対して各別に設けられ
る。図では、これを、添字R、GあるいはBを付
して示す。
用の1フイールドメモリ300、スイツチ群40
0、読み出し用の1フイールドメモリ500、比
較器群600及びアノード駆動回路群800が、
それぞれ、赤、緑及び青用の導体YR1〜YRo、Y
G1〜YGo及びYB1〜YBoに対して各別に設けられ
る。図では、これを、添字R、GあるいはBを付
して示す。
そして、映像増幅回路5から得られるカラー映
像信号は色信号再生回路11に供給されて、赤、
緑及び青の各色信号が得られ、これが上述の映像
信号SVの代わりに、1ラインメモリ200R,
200G及び200Bに供給される。
像信号は色信号再生回路11に供給されて、赤、
緑及び青の各色信号が得られ、これが上述の映像
信号SVの代わりに、1ラインメモリ200R,
200G及び200Bに供給される。
クロツクパルス発生回路7、スイツチングパル
ス発生回路8、基準信号発生回路9及び制御パル
ス発生回路10から得られる上述の各種のパルス
ないし信号は、各色用の回路にそれぞれ供給され
る。
ス発生回路8、基準信号発生回路9及び制御パル
ス発生回路10から得られる上述の各種のパルス
ないし信号は、各色用の回路にそれぞれ供給され
る。
従つて、表示パネル100において、赤、緑及
び青の螢光体が設けられた発光点は、各々、赤、
緑及び青の色信号により制御されて発光し、カラ
ーテレベジヨン画像が表示される。
び青の螢光体が設けられた発光点は、各々、赤、
緑及び青の色信号により制御されて発光し、カラ
ーテレベジヨン画像が表示される。
上述の例は、1フイールドが単位とされたが、
1フレームが単位とされてもよい。
1フレームが単位とされてもよい。
この発明によれば、次のような顕著な効果があ
る。
る。
第1に、この発明によれば、高輝度でかつ高効
率の画像表示装置を得ることができる。即ち、こ
の発明によれば、各発光点は1フイールドまたは
1フレーム内で点灯され、従来の線順次で点灯さ
れるものに比べて点灯時間が著しく長くなる。従
つて、放電セルに流れる電流が小さくても高輝度
のものとすることができる。そして、このように
放電セルに流れる電流を小さくできるから、第4
図から明らかなように効率が著しく高くなる。具
体的には、従来の線順次で点灯されるものに比べ
て、10倍ないしそれ以上、効率が高くなる。
率の画像表示装置を得ることができる。即ち、こ
の発明によれば、各発光点は1フイールドまたは
1フレーム内で点灯され、従来の線順次で点灯さ
れるものに比べて点灯時間が著しく長くなる。従
つて、放電セルに流れる電流が小さくても高輝度
のものとすることができる。そして、このように
放電セルに流れる電流を小さくできるから、第4
図から明らかなように効率が著しく高くなる。具
体的には、従来の線順次で点灯されるものに比べ
て、10倍ないしそれ以上、効率が高くなる。
第2に、この発明によれば、輝度の階調を十分
多くとることができる。即ち、この発明によれ
ば、輝度の階調は階段波状の基準信号のレベルの
段階の数により決まり、その一段当りの期間は1
水平周期ないしその整数倍というように、段階の
数を多くとつた場合でも、十分に長い。従つて、
点灯時間が多数の段階に分けられても、各々の段
階の間で輝度に明確な差が生じる。
多くとることができる。即ち、この発明によれ
ば、輝度の階調は階段波状の基準信号のレベルの
段階の数により決まり、その一段当りの期間は1
水平周期ないしその整数倍というように、段階の
数を多くとつた場合でも、十分に長い。従つて、
点灯時間が多数の段階に分けられても、各々の段
階の間で輝度に明確な差が生じる。
第3に、この発明によれば、寿命の著しく長い
画像表示装置を得ることができる。即ち、前述の
ように、放電セルのカソードのスパツタリングの
量は電流の大きさの2〜3乗に比例する。この発
明では、上述のように、高輝度のものとしても、
放電セルに流れる電流を小さくできる。従つて、
カソードのスパツタリングの量は著しく減少し、
装置の寿命は著しく長くなる。
画像表示装置を得ることができる。即ち、前述の
ように、放電セルのカソードのスパツタリングの
量は電流の大きさの2〜3乗に比例する。この発
明では、上述のように、高輝度のものとしても、
放電セルに流れる電流を小さくできる。従つて、
カソードのスパツタリングの量は著しく減少し、
装置の寿命は著しく長くなる。
第1図はXYマトリツクス型の画像表示装置の
一例の表示パネルの構造を示す図、第2図は、そ
の従来の点灯方法を説明するための図、第3図は
放電セルに流れる電流と輝度の関係を示す図、第
4図は放電セルに流れる電流と効率の関係を示す
図である。第5図及び第6図はこの発明の第一の
例及び第二の例における点灯方法を概略的に説明
するための波形図、第7図はこの発明による画像
表示装置の一例の全体の構成を示す図、第8図及
び第9図はこの発明による画像表示装置の表示パ
ネルの一例の構造を示すもので、第8図は一部の
断面図、第9図は一部の平面図、第10図はその
表示パネルの各放電セルの放電特性を示す図、第
11図はこの発明による画像表示装置のメモリ部
の一例を示す接続図である。第12図及び第13
図は第一の点灯方式をとる場合の一部の構成を示
す接続図、第14図〜第17図は第一の点灯方式
をとる場合の動作の説明のための波形図、第18
図及び第19図は第二の点灯方式をとる場合の一
部の構成を示す接続図、第20図〜第22図は第
二の点灯方式をとる場合の動作の説明のための波
形図である。さらに、第23図はカラー用の画像
表示装置の場合の一例の全体の構成を示す図であ
る。 5は映像増幅回路、6は同期信号分離回路、7
はクロツクパルス発生回路、8はスイツチングパ
ルス発生回路、9は基準信号発生回路、10は制
御パルス発生回路、100は表示パネル、200
は1ラインメモリ、300は書き込み用の1フイ
ールドメモリ、400はスイツチ群、500は読
み出し用の1フイールドメモリ、600は比較器
群、700はカソード駆動回路、800はアノー
ド駆動回路群である。
一例の表示パネルの構造を示す図、第2図は、そ
の従来の点灯方法を説明するための図、第3図は
放電セルに流れる電流と輝度の関係を示す図、第
4図は放電セルに流れる電流と効率の関係を示す
図である。第5図及び第6図はこの発明の第一の
例及び第二の例における点灯方法を概略的に説明
するための波形図、第7図はこの発明による画像
表示装置の一例の全体の構成を示す図、第8図及
び第9図はこの発明による画像表示装置の表示パ
ネルの一例の構造を示すもので、第8図は一部の
断面図、第9図は一部の平面図、第10図はその
表示パネルの各放電セルの放電特性を示す図、第
11図はこの発明による画像表示装置のメモリ部
の一例を示す接続図である。第12図及び第13
図は第一の点灯方式をとる場合の一部の構成を示
す接続図、第14図〜第17図は第一の点灯方式
をとる場合の動作の説明のための波形図、第18
図及び第19図は第二の点灯方式をとる場合の一
部の構成を示す接続図、第20図〜第22図は第
二の点灯方式をとる場合の動作の説明のための波
形図である。さらに、第23図はカラー用の画像
表示装置の場合の一例の全体の構成を示す図であ
る。 5は映像増幅回路、6は同期信号分離回路、7
はクロツクパルス発生回路、8はスイツチングパ
ルス発生回路、9は基準信号発生回路、10は制
御パルス発生回路、100は表示パネル、200
は1ラインメモリ、300は書き込み用の1フイ
ールドメモリ、400はスイツチ群、500は読
み出し用の1フイールドメモリ、600は比較器
群、700はカソード駆動回路、800はアノー
ド駆動回路群である。
Claims (1)
- 1 入力映像信号をフイールド又はフレーム単位
で順次書き込むメモリ回路と、画素を形成する発
光点が横方向及び縦方向に多数配列された表示パ
ネルと、上記メモリ回路からの読出し出力を上記
表示パネルに供給する駆動回路とを有し、上記駆
動回路が上記メモリ回路の出力に応答して、上記
表示パネルの上記発光点の各々を、同一のフイー
ルドまたはフレーム内において、前の同一のフイ
ールドまたはフレームの映像信号の各々の発光点
に対応する点でのレベルに応じた時間だけ点灯さ
せ、上記表示パネルの上記発光点の各々をフイー
ルドまたはフレーム単位で輝度変調するようにし
たことを特徴とする画像表示装置。
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