JPS6131472Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は３層の電極構造でなる静電容量検出形
の透明スイツチの改良に係る。

互の層間が誘電体で絶縁された３層の電極から
なる透明スイツチは、下層の電極より第１、第
２、第３電極でなり、透明基板の下面の全面に形
成された第１電極と第３電極に高周波信号電源を
接続し、第１電極と第２電極とをスイツチ動作を
検知する検知回路の検知部としている。このよう
な第３電極と第２電極を対向配置した１対を、複
数個マトリクス状に配列接続したものを、例えば
電気光学的表示装置の表示パネルに載置して、発
光表示情報から所要事項を選択し、その一対の電
極部を指圧すると、その第３電極部と第２電極部
との間に指を介して静電容量回路が生じてスイツ
チ機能をはたす。

このような透明スイツチの動作原理を第１図に
示す。１と３は絶縁層、２は第１電極、３は第２
電極、５は第３電極である。スイツチOFF（指
先が指圧していない場合）の場合は静電結合容量
は回路パターンの交叉部に存在するC₀のみであ
るが、指圧すると人体との容量C₁，C₂が加わ
り、第１、第２電極間のインピーダンスが低下
し、第２電極の出力電圧は大きくなる。この出力
電圧の差によりスイツチングを行なうものであ
る。

従来のこの種の透明スイツチの斜視図を第２図
に、第２図の回路パターンの交叉部の拡大図平面
を第３図に、第３図のＡ−Ａ断面を第４図に示
す。

上記の図において、２は透明基板（例えばガラ
ス）１の下面の全面に蒸着形成された透明な第一
電極（例えば酸化インジウムの薄膜）であり、
４，４′，４″はそれぞれ透明基板１の上面に３個
づつ配設・蒸着形成された透明な第２電極の電極
部（例えば酸化インジウムの薄膜）である。突出
極４１と細巾の細線部４２は、横軸に平行に配設
された３個の第２電極部４を接続する透明な接続
回路パターン（例えば酸化インジウムの薄膜）
で、第２電極部４と同時に蒸着形成されて、第２
電極部群４が構成されている。同様に他の回路パ
ターンの突出極４１と細巾の細線部４２は第２電
極部群４′，４″を接続構成している。

３は透明な誘電体の絶縁層（例えば無水硅酸の
薄膜）で第２電極部４，４′，４″と第２電極の回
路パターンの突出極４１と細線部４２の上部、お
よび透明基板１の上面の全面に蒸着等により被着
されている。

５，５′，５″は絶縁層３の上面に３個づつ、第
２電極部４，４′，４″に重層せず、かつ対向配設
し、蒸着形成された透明な第３電極部（例えば酸
化インジウムの薄膜）である。突出極５１と細巾
の細線部５２は、縦軸に並行して配設された３個
の第３電極部５を接続する透明な接続回路パター
ン（例えば酸化インジウムの薄膜）で、第３電極
部５と同時に蒸着形成されて、第３電極部群５が
構成されている。同様に他の回路パターンの突出
極５１と細巾の細線部５２は第３電極部群５′，
５″を接続構成している。

このようにして、第２電極部４，４′，４″と第
３電極部５，５′，５″とは１対の電極対９箇所を
構成しこの９対個でもつてマトリツクス状にスイ
ツチ回路が形成されている。

従来のこのような構造のものでは、接続回路パ
ターンの交叉部に存在する静電結合容量C₀を極
力小さくするために交叉部の回路パターンの線路
巾を細くしていた。細巾のため断線のおそれがあ
り、また回路パターン抵抗の増加という問題があ
つた。

上記問題点に鑑み本考案はスイツチ特性（スイ
ツチONのときとスイツチOFFのときの電気的出
力比）の向上した透明スイツチを提供することを
目的とする。

このため本考案は第２電極と第３電極の接続回
路パターンの交叉する部分の絶縁層のみを、他の
部分の絶縁層より厚くしたことにより、スイツチ
ON時の静電結合容量は減少させることなく、ス
イツチOFF時の静電結合容量を減少することが
出来て、スイツチ特性を向上させたものであつ
て、以下図面を参照して実施例につき詳細に説明
する。

第５図に本考案の一実施例の回路パターンの交
叉部の平面図を、第６図に第５図のＢ−Ｂ断面の
断面図を示す。第５図の回路パターンの全体の平
面図は図示していないが従来のものの第１図の第
３電極部５，５′，５″を７，７′，７″に接続回路
パターン５１，５２を７１，７２に記号を変えた
ものと同じである。

図において、１は透明基板、２は第１電極、４
は第２電極部、４１，４２はそれぞれ第２の電極
の接続回路パターンの突出極、細巾の細線部であ
る。３０は絶縁層、３１は細線部４２の上部の絶
縁層、７は第３電極部、７１と７２はそれぞれ第
３電極の接続回路パターンの突出極、細巾の細線
部である。

透明基板１、第１電極２、第２電極４、突出極
４１、細線部４２および第３電極部７の構造、接
続回路は従来のものと同じであるので、従来のも
のの改良部分についてのみ述べる。透明な誘電体
の絶縁層（例えば無水硅酸の薄膜）３０は第２電
極部４、第２電極の接続回路パターンの突出極４
１、細線部４２の上部および透明基板１の上面の
全面に蒸着等により被着されており、接続回路パ
ターンの細線部４２の上部で、第３電極７の接続
回路パターンの細線部７２が交叉する交叉絶縁部
３１の厚さT₂は、他の絶縁層３０の厚さT₁より
充分に厚くされている。このような絶縁層３０，
３１の上面に、透明な良導体（例えば酸化インジ
ウム）の第３電極７と接続回路パターンの突出極
７１、細線部７２が蒸着形成されている。

このように第３電極と第２電極の接続回路パタ
ーン細線部７２と４２が交叉する交叉絶縁部３１
の厚さを充分厚くすることにより、スイツチ
OFFのとき存在していた静電容量は非常に微小
になり、また第３電極部７と第２電極４との絶縁
層３０の厚さは薄いので、スイツチONのときの
静電容量は充分に大となつた。すなわちスイツチ
特性は大いに向上した。

さらにスイツチ特性が向上したことにより、多
接点化に伴なうスイツチのONレベル、OFFレベ
ルの出力電圧のバラツキが吸収でき、多接点化が
容易となつた。さらにまたノイズマージンが大き
くなり、ノイズカツト用のフイルター等が簡略化
できるといつた回路の安価化が出来た。

本考案の実施例の説明は、便宜上９箇所の１対
の電極について説明したが、電極対数は複数対で
何箇所であつても差支えなく適宜選定可能であ
る。

以上説明したように本考案はスイツチ特性が向
上され、さらに多接点化が容易となつたという実
用上優れた効果を発揮する透明スイツチである。

【図面の簡単な説明】

第１図は透明スイツチの動作原理図、第２図は
従来のものの斜視図、第３図は第１図の交叉部の
拡大平面図、第４図は第３図のＡ−Ａ断面図であ
る。第５図は本考案の一実施例の交叉部の拡大平
面図、第６図は第５図のＢ−Ｂ断面図である。 図中１は透明基板、２は第１電極、３，３０は
絶縁層、３１は交叉絶縁部、４，４′，４″は第２
電極部、４１は回路パターンの突出極、４２は回
路パターンの細線部、５，５′，５″は第３電極
部、５１は回路パターンの突出極、５２は回路パ
ターンの細線部、７は第３電極部、７１は回路パ
ターンの突出極、７２は回路パターンの細線部を
示す。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 互の層間が誘電体で絶縁され積層された、全面
   が透明導電体で形成された第一電極と、一方向に
   所定配置された第２電極と、該第２電極と並設し
   て対をなす第３電極とからなる静電容量検出形透
   明スイツチにおいて、前期第２電極部と前記第３
   電極との間の絶縁層の厚さより、該第２電極の接
   続回路パターンと該第３電極の接続回路パターン
   とが交叉する部分の絶縁層を厚くしたことを特徴
   とする透明スイツチ。