JPS613082A - 放射線検出器素子 - Google Patents
放射線検出器素子Info
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- JPS613082A JPS613082A JP59123826A JP12382684A JPS613082A JP S613082 A JPS613082 A JP S613082A JP 59123826 A JP59123826 A JP 59123826A JP 12382684 A JP12382684 A JP 12382684A JP S613082 A JPS613082 A JP S613082A
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- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 56
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2002—Optical details, e.g. reflecting or diffusing layers
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、螢光体と螢光体からの光を電気信号に変換す
る光電変換素子との間に透光性物質を挾み込んでなるも
ので、Ｘ線ＣＴ装置のＸ線検出器などに好適する放射線
検出器素子に関するものである。
る光電変換素子との間に透光性物質を挾み込んでなるも
ので、Ｘ線ＣＴ装置のＸ線検出器などに好適する放射線
検出器素子に関するものである。
螢光体を光電変換素子と組合わせて使用する放射線検出
器素子では、螢光を効率良く光電変換素子に導くため、
螢光体は透明度が良好であることが必要である。しかし
螢光体の中には、単結晶だが不純物による曇りがあって
透明度が悪かったり大きな単結晶が得られない性質のた
め粉体しか得られず、仁のため螢光が散乱吸収されて透
明性に劣るものがある。本発明で主に扱う螢光体とは、
このような透明性に劣るものである。
器素子では、螢光を効率良く光電変換素子に導くため、
螢光体は透明度が良好であることが必要である。しかし
螢光体の中には、単結晶だが不純物による曇りがあって
透明度が悪かったり大きな単結晶が得られない性質のた
め粉体しか得られず、仁のため螢光が散乱吸収されて透
明性に劣るものがある。本発明で主に扱う螢光体とは、
このような透明性に劣るものである。
そこで、螢光体粒子を透明材料中に分散させた構造によ
り、螢光体の透明度を増す方法と、螢光体を薄片にして
薄片の間の空間から螢光を取出す方法が提案されている
（ Ｕ、Ｓ、 ＰＡＴ Ｎα４２４２２２１ ）。前者
の方法では、透明度は増すが、体積当たりの螢光効率は
低下するので総合的な特性低下を招く恐れがある。後者
の方法によれば、薄片の間の空間から螢光を外部へ取出
すまでの光の散乱９回数が多く、これに伴なう光の減衰
が多くなる可能性がある。
り、螢光体の透明度を増す方法と、螢光体を薄片にして
薄片の間の空間から螢光を取出す方法が提案されている
（ Ｕ、Ｓ、 ＰＡＴ Ｎα４２４２２２１ ）。前者
の方法では、透明度は増すが、体積当たりの螢光効率は
低下するので総合的な特性低下を招く恐れがある。後者
の方法によれば、薄片の間の空間から螢光を外部へ取出
すまでの光の散乱９回数が多く、これに伴なう光の減衰
が多くなる可能性がある。
第１図は、上のように複雑な構造とせずに、構成された
検出器素子の一例を示す斜視図である。
検出器素子の一例を示す斜視図である。
この例では、Ｘ線によって発生した螢光を、Ｘ線を照射
した側から検出している。（これを反射型検出器という
）Ｘ線は螢光体内でも減衰するから、照射側の面はどＸ
線の量（フルエンス量）が大きく、発生した螢光も１発
生した場所が表面に、近いほど減衰しにくいので、この
方式は、高いＸ線−電気信号変換効率を得ようとする目
的に適している。
した側から検出している。（これを反射型検出器という
）Ｘ線は螢光体内でも減衰するから、照射側の面はどＸ
線の量（フルエンス量）が大きく、発生した螢光も１発
生した場所が表面に、近いほど減衰しにくいので、この
方式は、高いＸ線−電気信号変換効率を得ようとする目
的に適している。
第１図において、Ｘ線は矢印イ方向から入射し、図中ａ
Ｘｂの矩形領域に入射したＸ線のみが螢光体１に入射し
、螢光２ （２ａ 、２ｂ）を発生させる。
Ｘｂの矩形領域に入射したＸ線のみが螢光体１に入射し
、螢光２ （２ａ 、２ｂ）を発生させる。
螢光２＆、２ｂは光電変換素子３ （３ａ 、３ｂ）
に入射し、電気信号に変換される。
に入射し、電気信号に変換される。
ここで、螢光体１が三角柱形をしており２光電変換素子
３が両側に対称に配置場れているのは、螢光の伝達光路
長を短かくし、またｂ方向の感度分布の不均一をなだら
かにするためである。この不均一は第２図に示すように
、螢光体１と光電変換素子３を対向烙せることにより解
決可能に見えるが、ここで使用を想定している光電変換
素子３ｍ、３ｂのシリコン・フォトダイオード（ＳＰＤ
）がＸ線の照射をうけると雑音を発生するので、第２図
の構造を採用することはできない。
３が両側に対称に配置場れているのは、螢光の伝達光路
長を短かくし、またｂ方向の感度分布の不均一をなだら
かにするためである。この不均一は第２図に示すように
、螢光体１と光電変換素子３を対向烙せることにより解
決可能に見えるが、ここで使用を想定している光電変換
素子３ｍ、３ｂのシリコン・フォトダイオード（ＳＰＤ
）がＸ線の照射をうけると雑音を発生するので、第２図
の構造を採用することはできない。
また、螢光体１はＸ線の照射によって二次Ｘ＠（特性Ｘ
線）を放出するので、第１図の検出器素子の場合にも光
電変換素子３ａ、３ｂに特性Ｘ線が入射するのを防止し
、螢光だけを通過させるための透光材（例えばガラスま
たは透明結晶）４（ｉｉａ。
線）を放出するので、第１図の検出器素子の場合にも光
電変換素子３ａ、３ｂに特性Ｘ線が入射するのを防止し
、螢光だけを通過させるための透光材（例えばガラスま
たは透明結晶）４（ｉｉａ。
４ｂ） が使用されている。
第３図は、第２図と異なり、光電変換素子３を螢光体１
のＸ＠入射而面とは反対側に置き、それら相互間に透光
材４を挾み込んだ透過型放射線検出器素子を示す斜視図
である。これによれば、第１図の検出器素子に特有のｂ
方向の感度むらと、第２図の検出器素子に特有な光電変
換素子３へのＸ線入射とがいずれも防止され、光電変換
素子３も１個で済み、構成簡単かつ小型で密集配置に適
した検出器素子が得られるという利漬がある。
のＸ＠入射而面とは反対側に置き、それら相互間に透光
材４を挾み込んだ透過型放射線検出器素子を示す斜視図
である。これによれば、第１図の検出器素子に特有のｂ
方向の感度むらと、第２図の検出器素子に特有な光電変
換素子３へのＸ線入射とがいずれも防止され、光電変換
素子３も１個で済み、構成簡単かつ小型で密集配置に適
した検出器素子が得られるという利漬がある。
すでに、述べたように、反射型の検出器素子（第１図参
照）では、螢光２が検出される確率のｆｉも大きい点が
螢光体１０表面であるため、入射Ｘ＃の線質（エネルギ
ースペクトル）が変化してＸ線の透過率が多少変化して
も出力の螢光量は影響をうけＫくい。
照）では、螢光２が検出される確率のｆｉも大きい点が
螢光体１０表面であるため、入射Ｘ＃の線質（エネルギ
ースペクトル）が変化してＸ線の透過率が多少変化して
も出力の螢光量は影響をうけＫくい。
これに対し、透過型の検出器素子（第３図参照）では、
螢光の発生量が多いＸ線入射面に近い側はど、螢光を検
出する効率が低い。このため螢光体１中で、光電変換素
子３が螢光を検出する効率が最も高くなる螢光体１内で
の成る深−４ｔが存在することになり、この場合、螢光
は深さｔで全部が発生して、Ｌ−４（Ｌは螢光体ｌの厚
さ）の距離だけ螢光体１中を通った後、光電変換素子３
に入射すると、便宜上、単純化して考えろことができる
。
螢光の発生量が多いＸ線入射面に近い側はど、螢光を検
出する効率が低い。このため螢光体１中で、光電変換素
子３が螢光を検出する効率が最も高くなる螢光体１内で
の成る深−４ｔが存在することになり、この場合、螢光
は深さｔで全部が発生して、Ｌ−４（Ｌは螢光体ｌの厚
さ）の距離だけ螢光体１中を通った後、光電変換素子３
に入射すると、便宜上、単純化して考えろことができる
。
そして検出器素子からの出力の変化につき、検出器素子
の太き芒が寄与する因子は、Ｘ線が上記深さｔに浸透す
るまでの減衰ｅ−μｔと、深−Ｇｔで発生した螢光が深
さＬｉで透過する間の減衰ｅ−１’（Ｌ−ｊ）の積であ
られされる（μ、νはＸ線および螢光の螢光体１中での
減衰定数）。また、線質が変化することＫよってμ、ｔ
が変化し、づらに螢光体１の不均一性によってμ、シ、
ｔが変化する。これらの変化は、上記積 θ−μ′・ｅ
−Ｉ′（Ｌ−１）を通じて出力の変化をもたらす。変化
の方向は単純には決まらないが、線質変化と螢光体１の
不均一性とが出力に対して及はす影響け、透過型検出器
素子の方が反射型検出器素子より大きくなることは明ら
かであり、従来、この点についての改善が要望されてい
た。
の太き芒が寄与する因子は、Ｘ線が上記深さｔに浸透す
るまでの減衰ｅ−μｔと、深−Ｇｔで発生した螢光が深
さＬｉで透過する間の減衰ｅ−１’（Ｌ−ｊ）の積であ
られされる（μ、νはＸ線および螢光の螢光体１中での
減衰定数）。また、線質が変化することＫよってμ、ｔ
が変化し、づらに螢光体１の不均一性によってμ、シ、
ｔが変化する。これらの変化は、上記積 θ−μ′・ｅ
−Ｉ′（Ｌ−１）を通じて出力の変化をもたらす。変化
の方向は単純には決まらないが、線質変化と螢光体１の
不均一性とが出力に対して及はす影響け、透過型検出器
素子の方が反射型検出器素子より大きくなることは明ら
かであり、従来、この点についての改善が要望されてい
た。
本発明は上記のような要望に鑑みてなされたもので、比
較的透明度の低い螢光体を用いた透過型検出器素子にお
いても、線質変化や螢光体の不均一性による出力変化を
より小さく抑えることができ、量産される検出器素子間
の特性のばらつきを最少限にすることができ、しかもそ
の構成が極めて簡単な放射線検出器素子を提供すること
を目的とする。
較的透明度の低い螢光体を用いた透過型検出器素子にお
いても、線質変化や螢光体の不均一性による出力変化を
より小さく抑えることができ、量産される検出器素子間
の特性のばらつきを最少限にすることができ、しかもそ
の構成が極めて簡単な放射線検出器素子を提供すること
を目的とする。
本発明は放射線を受けて発光する螢光体と、この螢光体
からの光を電気信号に変換する光電変換素子との間に透
光性物質を挾み込んでなる放射線検出器素子において、
少なくとも前記螢光体の放射線入射面およびその反対側
の面のうちのいずれかの面に凹凸を形成して線質変化に
よる出力変動率を小さくし、量産される検出器素子間の
ばらつきをなくしたものである。
からの光を電気信号に変換する光電変換素子との間に透
光性物質を挾み込んでなる放射線検出器素子において、
少なくとも前記螢光体の放射線入射面およびその反対側
の面のうちのいずれかの面に凹凸を形成して線質変化に
よる出力変動率を小さくし、量産される検出器素子間の
ばらつきをなくしたものである。
以下、第４図〜第８図を参照して本発明の詳細な説明す
る。第４図は本発明による放射線検出器素子の一実施例
を示す斜視図で１図中イおよび３は各々第３図と同様で
ある。１および４も各々第３図と同様に螢光体および透
光材を示すが、ここでは螢光体１のＸ線入射面とは反対
側の面の長辺方向（図中左右方向）に３角波状の凹凸１
ａが形成され、またそれに応じて透光材４の前記凹凸１
８面側に、これと嵌まり合って密着すべく凹凸４ａが形
成され、螢光体ｌの厚みが放射線透過面上の場所によっ
て異なるようになされている。
る。第４図は本発明による放射線検出器素子の一実施例
を示す斜視図で１図中イおよび３は各々第３図と同様で
ある。１および４も各々第３図と同様に螢光体および透
光材を示すが、ここでは螢光体１のＸ線入射面とは反対
側の面の長辺方向（図中左右方向）に３角波状の凹凸１
ａが形成され、またそれに応じて透光材４の前記凹凸１
８面側に、これと嵌まり合って密着すべく凹凸４ａが形
成され、螢光体ｌの厚みが放射線透過面上の場所によっ
て異なるようになされている。
このような放射線検出器素子では、螢光体ｌＯＸ線入射
面（表面）からの螢光体１内同−深さで発生した光の光
電変換素子３に至るまでの光路長（光が取り出されるま
での減衰光路長）Ｌ−１が前記光の発生個所（螢光体１
内同−深さではあるが異なる個所）によって異なるため
、線質変化によって深さｔが変化しても光量を増す方向
と減少させる方向の影響が同時にあられれるので、出力
変動率はより不埒くなる。この効果は、螢光体１の空間
的不均一によるｔの変動の際にもその影響を拡大芒せな
い方に働くので、螢光体１の不均一による特性ばらつき
はより起こりにくくなる。
面（表面）からの螢光体１内同−深さで発生した光の光
電変換素子３に至るまでの光路長（光が取り出されるま
での減衰光路長）Ｌ−１が前記光の発生個所（螢光体１
内同−深さではあるが異なる個所）によって異なるため
、線質変化によって深さｔが変化しても光量を増す方向
と減少させる方向の影響が同時にあられれるので、出力
変動率はより不埒くなる。この効果は、螢光体１の空間
的不均一によるｔの変動の際にもその影響を拡大芒せな
い方に働くので、螢光体１の不均一による特性ばらつき
はより起こりにくくなる。
上述放射線検出器素子の感度分布を詳細に測定すると、
螢光体１の凹凸１ａの・ぐターンと一致した微少な感度
の高低が検出器れることになるが、上記凹凸・ンターン
を充分細かくすることにより、感度分布曲線は実用上問
題のない桿度までに平坦となる。
螢光体１の凹凸１ａの・ぐターンと一致した微少な感度
の高低が検出器れることになるが、上記凹凸・ンターン
を充分細かくすることにより、感度分布曲線は実用上問
題のない桿度までに平坦となる。
第５図〜第７図は各々他の実施例を示す図で、第５図に
示す例は螢光体１のＸ線入射面の長辺方向に３角波状の
凹凸ＩＡを形成し、その反対側の面を平坦面としたもの
である。これによれば、第４図のものと同様の効果が得
られる一方、透光材４に凹凸面４ａを形成しない分だけ
構成簡単となる。
示す例は螢光体１のＸ線入射面の長辺方向に３角波状の
凹凸ＩＡを形成し、その反対側の面を平坦面としたもの
である。これによれば、第４図のものと同様の効果が得
られる一方、透光材４に凹凸面４ａを形成しない分だけ
構成簡単となる。
第６図および第７図に示す例は、共に、第４図および第
５図の例を併用、すなわち、螢光体１のＸ線入射面およ
びその反対側の面の両方に凹凸１ａを形成したものであ
る。これらの例のうち、第６図に示す例は、第４図およ
び第５図の例と同様に、螢光体１に凹凸１ａを形成し、
その厚嘔ヲ変えることのみで前述光路長を不均一にした
もので、構成の簡単化を除き、第４図および第５図の例
と同様の効果がある。
５図の例を併用、すなわち、螢光体１のＸ線入射面およ
びその反対側の面の両方に凹凸１ａを形成したものであ
る。これらの例のうち、第６図に示す例は、第４図およ
び第５図の例と同様に、螢光体１に凹凸１ａを形成し、
その厚嘔ヲ変えることのみで前述光路長を不均一にした
もので、構成の簡単化を除き、第４図および第５図の例
と同様の効果がある。
一方第７図の例は、螢光体１の両面が平行に凹凸してい
るので、螢光体１の図中上下方向の厚さはどの個所でも
一定となり、上方からＸ線を入射烙せたのでは前述光路
長が不均一とならない。この場合には、例えば第８図に
示すようにＸ線イは螢光体１のＸ線入射面（表面）上の
点Ａに垂直方向から角度θだけ傾斜して入射している。
るので、螢光体１の図中上下方向の厚さはどの個所でも
一定となり、上方からＸ線を入射烙せたのでは前述光路
長が不均一とならない。この場合には、例えば第８図に
示すようにＸ線イは螢光体１のＸ線入射面（表面）上の
点Ａに垂直方向から角度θだけ傾斜して入射している。
この第８図において、いま、螢光体１の厚さをｄとする
とＸ線が螢光体１内のＸ線透過方向長ｇＡＢは、ＡＢ
−ｄ／可θ ・・・・・・・（１）となり、螢光
体１の厚さがｄでありなからｄ ／ｃｍａの厚さにした
効果が得られ、螢光発生量の増加に役立つ。
とＸ線が螢光体１内のＸ線透過方向長ｇＡＢは、ＡＢ
−ｄ／可θ ・・・・・・・（１）となり、螢光
体１の厚さがｄでありなからｄ ／ｃｍａの厚さにした
効果が得られ、螢光発生量の増加に役立つ。
一方、光電変換素子３へ入射する螢光量は、発生した螢
光が螢光体１のＸ線入射面とは反対側の面（裏面）に達
するまでの光路長（最短距離）の長短に左右される。例
えば図中点Ｐで発生した螢光が螢光体１の裏面、換唐す
れば透光材４の表面に達する率は、その面上の点Ｐまで
の光路長ＰＱの長短に左右される。ここで点Ｐは、成る
線質のＸ線が入射したときに前述螢光体１内で螢光が発
生する率が最も高くなる螢光体１のＸ線入射点Ａからの
深−４ｔの点をいうが、いま、この深さくｔ＝ ＡＰ）
が線質の変化によりｔ’（＝ Ａ Ｐ’）に変化したと
きの螢光の光路長は、ＰＱからＰ′Ｑ′に変化する。
光が螢光体１のＸ線入射面とは反対側の面（裏面）に達
するまでの光路長（最短距離）の長短に左右される。例
えば図中点Ｐで発生した螢光が螢光体１の裏面、換唐す
れば透光材４の表面に達する率は、その面上の点Ｐまで
の光路長ＰＱの長短に左右される。ここで点Ｐは、成る
線質のＸ線が入射したときに前述螢光体１内で螢光が発
生する率が最も高くなる螢光体１のＸ線入射点Ａからの
深−４ｔの点をいうが、いま、この深さくｔ＝ ＡＰ）
が線質の変化によりｔ’（＝ Ａ Ｐ’）に変化したと
きの螢光の光路長は、ＰＱからＰ′Ｑ′に変化する。
このとき（Ｐ Ｑ −Ｐ Ｑ’）／（ｔ’−１） ＝□
□□θ は１より小さいので、螢光体ｌの表、裏面に凸
凹１＆を設けて螢光体表面を入射Ｘ線に対して傾けるこ
とは、Ｘ線の線質変化によりて前記床式ｔ （ｔ’）が
線質のちがいで変化したり、螢光体１内の光透過（吸収
）率のばらつきに工って前記深さｔ＜ｔ’）が空間的に
変化することによる出力変化の影響が軽減されることに
なる。
□□θ は１より小さいので、螢光体ｌの表、裏面に凸
凹１＆を設けて螢光体表面を入射Ｘ線に対して傾けるこ
とは、Ｘ線の線質変化によりて前記床式ｔ （ｔ’）が
線質のちがいで変化したり、螢光体１内の光透過（吸収
）率のばらつきに工って前記深さｔ＜ｔ’）が空間的に
変化することによる出力変化の影響が軽減されることに
なる。
なお、図示実施例では、螢光体１０面の凹凸を各々３角
波状に形成した場合全例示したが、これのみに限られず
、丸みをもった正弦波形状や矩形波形状であってもよい
。また、各々螢光体１の長辺方向（図中左右方向）のみ
波打った、いわゆる「洗濯板Ｊ形状としたが、短辺方向
にも波打たせた、いわゆる「おろし金」形状としてもよ
い。さらに、例示のＬうな繰り返し波形に限定されるこ
とはなく、波形の谷の深場や山と山との間隔を一定不変
とはせず、擬似ランダム波形にしてもよい。
波状に形成した場合全例示したが、これのみに限られず
、丸みをもった正弦波形状や矩形波形状であってもよい
。また、各々螢光体１の長辺方向（図中左右方向）のみ
波打った、いわゆる「洗濯板Ｊ形状としたが、短辺方向
にも波打たせた、いわゆる「おろし金」形状としてもよ
い。さらに、例示のＬうな繰り返し波形に限定されるこ
とはなく、波形の谷の深場や山と山との間隔を一定不変
とはせず、擬似ランダム波形にしてもよい。
以上述べたように本発明は、螢光体の面に凹凸を形成し
たので線質の変化による検出器素子の出力変化をエリ小
袋くシ、検出器素子出力の線質による変化のばらつきも
より小でくすることができる。従って、量産はれろ検出
器素子間の特性のばらつきも最小限に抑えられ、これに
より構成した検出器を用いたＣＴ像の画質の向上が計れ
るという効果がある。しかも、この効果達成のため必要
となる第３図に示す従来素子との間の変更は、形状変更
のみで、材質の変更や部品数の増大は伴わず、構成簡単
で安価に製造できるという効果もある。
たので線質の変化による検出器素子の出力変化をエリ小
袋くシ、検出器素子出力の線質による変化のばらつきも
より小でくすることができる。従って、量産はれろ検出
器素子間の特性のばらつきも最小限に抑えられ、これに
より構成した検出器を用いたＣＴ像の画質の向上が計れ
るという効果がある。しかも、この効果達成のため必要
となる第３図に示す従来素子との間の変更は、形状変更
のみで、材質の変更や部品数の増大は伴わず、構成簡単
で安価に製造できるという効果もある。
第１図〜第３図は各々従来素子を示す斜視図、第４図は
本発明による放射線検出器素子の一実施例を示す斜視図
、第５図〜第７図は各々他の実施例を示す図、第８図は
第７図の一部を拡大して示す図である。 １・・・螢光体、２ 、２ａ 、２ｂ−螢光、３，３ａ
。 ３ｂ・・・光電変換素子、４，１，４ｂ・・透光材、１
＆。 ４ａ・・・凹凸、イ・・・Ｘ線入射方向矢印。 特許出願人 株式会社 日立メデイコ代理人 弁理士
秋 本 正 実第１図 第３因 第４図 第５図 第７１！Ｉ 第８＠
本発明による放射線検出器素子の一実施例を示す斜視図
、第５図〜第７図は各々他の実施例を示す図、第８図は
第７図の一部を拡大して示す図である。 １・・・螢光体、２ 、２ａ 、２ｂ−螢光、３，３ａ
。 ３ｂ・・・光電変換素子、４，１，４ｂ・・透光材、１
＆。 ４ａ・・・凹凸、イ・・・Ｘ線入射方向矢印。 特許出願人 株式会社 日立メデイコ代理人 弁理士
秋 本 正 実第１図 第３因 第４図 第５図 第７１！Ｉ 第８＠
Claims (1)
- 放射線を受けて発光する螢光体と、この螢光体からの光
を電気信号に変換する光電変換素子との間に透光性物質
を挾み込んでなる放射線検出器素子において、少なくと
も前記螢光体の放射線入射面およびその反対側の面のう
ちのいずれかの面に凹凸を形成してなることを特徴とす
る放射線検出器素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59123826A JPS613082A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | 放射線検出器素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59123826A JPS613082A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | 放射線検出器素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS613082A true JPS613082A (ja) | 1986-01-09 |
Family
ID=14870319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59123826A Pending JPS613082A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | 放射線検出器素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS613082A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5012103A (en) * | 1988-10-28 | 1991-04-30 | Hamamatsu Photonics Kabushiki Kaisha | Radiation detector |
| JPH09243752A (ja) * | 1996-03-07 | 1997-09-19 | Toshiba Corp | 光ファイバ型大面積放射線モニタ |
| EP0908743A2 (de) * | 1997-10-01 | 1999-04-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Röntgendetektor |
-
1984
- 1984-06-18 JP JP59123826A patent/JPS613082A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5012103A (en) * | 1988-10-28 | 1991-04-30 | Hamamatsu Photonics Kabushiki Kaisha | Radiation detector |
| JPH09243752A (ja) * | 1996-03-07 | 1997-09-19 | Toshiba Corp | 光ファイバ型大面積放射線モニタ |
| EP0908743A2 (de) * | 1997-10-01 | 1999-04-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Röntgendetektor |
| EP0908743A3 (de) * | 1997-10-01 | 2001-09-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Röntgendetektor |
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