JPS6130409B2 - - Google Patents
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- JPS6130409B2 JPS6130409B2 JP53006506A JP650678A JPS6130409B2 JP S6130409 B2 JPS6130409 B2 JP S6130409B2 JP 53006506 A JP53006506 A JP 53006506A JP 650678 A JP650678 A JP 650678A JP S6130409 B2 JPS6130409 B2 JP S6130409B2
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- conductive film
- substrate
- peripheral edge
- conductive
- plating
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- Expired
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は製造容易、安価にしてかつ耐電圧特性
のすぐれたセラミツク電子部品を製造する方法に
関するものである。
のすぐれたセラミツク電子部品を製造する方法に
関するものである。
従来、例えばコンデンサにおいては、基板面上
に電極を付与する手段として、無電解メツキ法や
導電塗料の塗布法等が専ら用いられている。上記
無電解メツキ法の場合には、メツキ後に基板周側
面上の被膜を研削除去して対向容量電極を形成す
るのであるが、この場合の浴面耐電圧距離は基板
の厚みのみであつて、電極周縁部における電界の
集中による破壊が起こり易すいため、基板を余り
薄くすることはできず、従つて小型で大容量のも
のが得難いという欠点があつた。またこのもので
は基板の周側面と電極周縁部とが面一に形成され
て稜部を形成するため、基板の周側面部に耐電圧
向上用絶縁物（樹脂等）を付着させようとして
も、その絶縁物の付着量が少なくかつ付着強度も
小さいという問題があり、さほど耐電圧向上の効
果を期待できないという欠点があつた。さらに一
度のメツキによつてのみ電極を形成しているの
で、場合によつては、その厚みは薄く、これにリ
ード線を半田付け等した場合には、電極（主とし
てAgの場合）が半田に拡散し強度劣化を起こし
たり、半田付性がよくなかつたり、周波数特性な
どに悪影響をおよぼす傾向があつた。また、上記
導電塗料を塗布する場合は、その塗布工程を少な
くとも表裏二度必要とし、最産性に適したものと
はいえなかつた。さらに、例えば正特性サーミス
タにようなものには、基板上に先づオーム性の
Ni無電解メツキ電極を形成し、この電極上にAg
電極を重層させたものが汎用されているが、この
場合はメツキ工程と二度の塗布工程を必要とし、
量産性に適さないものであつた。
に電極を付与する手段として、無電解メツキ法や
導電塗料の塗布法等が専ら用いられている。上記
無電解メツキ法の場合には、メツキ後に基板周側
面上の被膜を研削除去して対向容量電極を形成す
るのであるが、この場合の浴面耐電圧距離は基板
の厚みのみであつて、電極周縁部における電界の
集中による破壊が起こり易すいため、基板を余り
薄くすることはできず、従つて小型で大容量のも
のが得難いという欠点があつた。またこのもので
は基板の周側面と電極周縁部とが面一に形成され
て稜部を形成するため、基板の周側面部に耐電圧
向上用絶縁物（樹脂等）を付着させようとして
も、その絶縁物の付着量が少なくかつ付着強度も
小さいという問題があり、さほど耐電圧向上の効
果を期待できないという欠点があつた。さらに一
度のメツキによつてのみ電極を形成しているの
で、場合によつては、その厚みは薄く、これにリ
ード線を半田付け等した場合には、電極（主とし
てAgの場合）が半田に拡散し強度劣化を起こし
たり、半田付性がよくなかつたり、周波数特性な
どに悪影響をおよぼす傾向があつた。また、上記
導電塗料を塗布する場合は、その塗布工程を少な
くとも表裏二度必要とし、最産性に適したものと
はいえなかつた。さらに、例えば正特性サーミス
タにようなものには、基板上に先づオーム性の
Ni無電解メツキ電極を形成し、この電極上にAg
電極を重層させたものが汎用されているが、この
場合はメツキ工程と二度の塗布工程を必要とし、
量産性に適さないものであつた。
本発明は上述のような諸欠点に鑑みてなされた
もので、セラミツク基板外表面全域に先ず無電解
メツキによつて第１の導電被膜を形成し、この基
板の周側面上の第１の導電被膜を研削除去して対
向電極を形成し、その後前記基板の残余の第１の
導電被膜上に、この第１の導電被膜を覆い、かつ
周縁部が第１の導電被膜の周縁部より突出するよ
うに、電解メツキによつて第２の導電被膜を形成
し、少なくとも第１、第２の導電被膜の周縁部お
よび基板周側面に絶縁物を付着させることを特徴
とするセラミツク電子部品の製造方法を提供せん
とするものである。
もので、セラミツク基板外表面全域に先ず無電解
メツキによつて第１の導電被膜を形成し、この基
板の周側面上の第１の導電被膜を研削除去して対
向電極を形成し、その後前記基板の残余の第１の
導電被膜上に、この第１の導電被膜を覆い、かつ
周縁部が第１の導電被膜の周縁部より突出するよ
うに、電解メツキによつて第２の導電被膜を形成
し、少なくとも第１、第２の導電被膜の周縁部お
よび基板周側面に絶縁物を付着させることを特徴
とするセラミツク電子部品の製造方法を提供せん
とするものである。
以下本発明を実施例に基づいて詳述する。
先づ、セラミツク基板（誘電体、半導体）の外
表面全域に、無電解メツキによつて第１の導電被
膜を形成する。次いで、この基板の周側面をセン
タレス研磨等によつて研削し、この部分の第１の
導電被膜を除去し、対向電極を形成する。その後
対向電極が形成されている基板を、電解メツキす
ることによつて、第１の導電被膜上に第２の導電
被膜を形成する。この第２の導電被膜は、第１の
導電被膜を覆うとともに、周縁部が第１の導電被
膜の周縁部より突出するように形成される。な
お、電解メツキによつて、第２の導電被膜の周縁
部を第１の導電被膜の周縁部より突出させること
は、例えば、第１の誘電被膜の周縁部に電荷を集
中させメツキを加速させることにより達成され
る。
表面全域に、無電解メツキによつて第１の導電被
膜を形成する。次いで、この基板の周側面をセン
タレス研磨等によつて研削し、この部分の第１の
導電被膜を除去し、対向電極を形成する。その後
対向電極が形成されている基板を、電解メツキす
ることによつて、第１の導電被膜上に第２の導電
被膜を形成する。この第２の導電被膜は、第１の
導電被膜を覆うとともに、周縁部が第１の導電被
膜の周縁部より突出するように形成される。な
お、電解メツキによつて、第２の導電被膜の周縁
部を第１の導電被膜の周縁部より突出させること
は、例えば、第１の誘電被膜の周縁部に電荷を集
中させメツキを加速させることにより達成され
る。
このように第１、第２の導電被膜を形成した基
板１の構造は、第１図、第２図で示したとおり、
第２の導電被膜３の周縁部は、面一に研削されて
いる基板１周側面と第１の導電被膜２周縁部より
も突出した状態で形成される。そしてこの突出す
る周縁部は好ましくは円弧状に形成される。実験
によれば、第２の導電被膜３（例えばCu）の厚
みが２〜３μの場合には突出長は３〜８μ程度と
なつた。
板１の構造は、第１図、第２図で示したとおり、
第２の導電被膜３の周縁部は、面一に研削されて
いる基板１周側面と第１の導電被膜２周縁部より
も突出した状態で形成される。そしてこの突出す
る周縁部は好ましくは円弧状に形成される。実験
によれば、第２の導電被膜３（例えばCu）の厚
みが２〜３μの場合には突出長は３〜８μ程度と
なつた。
最後に前記構造の基板全体のエポキシやフエノ
ール等の樹脂外装を施し、セラミツク電子部品を
完成する。なお前記第２の導電被膜からは適宜リ
ード線等（図示せず）を引き出しておくことはい
うまでもない。
ール等の樹脂外装を施し、セラミツク電子部品を
完成する。なお前記第２の導電被膜からは適宜リ
ード線等（図示せず）を引き出しておくことはい
うまでもない。
本発明においては、上述のようにしてセラミツ
ク電子部品を製造するのであるが、次に本発明に
よつて得られる効果について述べる。
ク電子部品を製造するのであるが、次に本発明に
よつて得られる効果について述べる。
本発明においては、メツキを二度行ない、第２
の導電被膜の周縁部を、第１の導電被膜の周縁部
および基板の周側面より突出させて、実質的に段
部を形成しているので、この部分に付着させる絶
縁物の付着量を多くすることができ、これにより
特に基板周側面上に強固に付着させることができ
るので、導電被膜周縁部の電界の集中による破壊
電圧値を向上させることができる。また、第２の
導電被膜は、好ましくは周縁部が円弧状に形成で
きるので、この部分における電位傾度の集中をも
緩和させることができ、これまた耐電圧値を向上
させることができるという効果を有する。具体的
には直径12mm、厚さ0.2mmのTiO2の誘電体基板を
用い、フエノール樹脂を被覆したコンデンサにお
いては、従来の一度のNiメツキを施したものの
破壊電圧値がDC0.8KVであつたのに対し、Ni―
Cuの重層メツキ電極を施したものではDC1.7KV
と約２倍の向上をみることが確認できた。また、
本発明は二度の導電被膜の付与をいずれもメツキ
法により行ない、従来のような塗布法を全く用い
ないものであり、製造が簡単で量産性に適すると
ともに安価なセラミツク電子部品を提供できる。
さらに耐電圧値を向上できることにより基板の厚
みより薄くすることも可能となり、部品の小型化
にも適するという効果を有する。また、本発明で
は二度のメツキを施しているので、その導電被膜
の厚みも比較的厚くでき、周波数特性に影響を与
えることもない。
の導電被膜の周縁部を、第１の導電被膜の周縁部
および基板の周側面より突出させて、実質的に段
部を形成しているので、この部分に付着させる絶
縁物の付着量を多くすることができ、これにより
特に基板周側面上に強固に付着させることができ
るので、導電被膜周縁部の電界の集中による破壊
電圧値を向上させることができる。また、第２の
導電被膜は、好ましくは周縁部が円弧状に形成で
きるので、この部分における電位傾度の集中をも
緩和させることができ、これまた耐電圧値を向上
させることができるという効果を有する。具体的
には直径12mm、厚さ0.2mmのTiO2の誘電体基板を
用い、フエノール樹脂を被覆したコンデンサにお
いては、従来の一度のNiメツキを施したものの
破壊電圧値がDC0.8KVであつたのに対し、Ni―
Cuの重層メツキ電極を施したものではDC1.7KV
と約２倍の向上をみることが確認できた。また、
本発明は二度の導電被膜の付与をいずれもメツキ
法により行ない、従来のような塗布法を全く用い
ないものであり、製造が簡単で量産性に適すると
ともに安価なセラミツク電子部品を提供できる。
さらに耐電圧値を向上できることにより基板の厚
みより薄くすることも可能となり、部品の小型化
にも適するという効果を有する。また、本発明で
は二度のメツキを施しているので、その導電被膜
の厚みも比較的厚くでき、周波数特性に影響を与
えることもない。
本発明は上述のようなものであるが、導電被膜
の材質はメツキし得るものならいかなるものでも
よく、その適用するものによつて適宜選定すれば
よい。また、絶縁物は少なくとも基板周側面およ
び第１、第２の導電被膜の周縁部に付着されてい
ればよく、必ずしも全体を被覆しなくてもよい。
の材質はメツキし得るものならいかなるものでも
よく、その適用するものによつて適宜選定すれば
よい。また、絶縁物は少なくとも基板周側面およ
び第１、第２の導電被膜の周縁部に付着されてい
ればよく、必ずしも全体を被覆しなくてもよい。
第１図は本発明により得られるセラミツク電子
部品の構造例を示す側断面図、第２図はその一部
を拡大して示す図である。
部品の構造例を示す側断面図、第２図はその一部
を拡大して示す図である。
Claims (1)
- １ セラミツク基板外表面全域に無電解メツキに
よつて第１の導電被膜を形成し、この基板の周側
面上の第１の導電被膜を研削除去して対向電極を
形成し、その後、前記基板の残余の第１の導電被
膜上に、この第１の導電被膜を覆い、かつ周縁部
が第１の導電被膜の周縁部より突出するように、
電解メツキによつて、第２の導電被膜を形成し、
少なくとも第１、第２の導電被膜の周縁部および
基板周側面に絶縁物を付着させることを特徴とす
るセラミツク電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP650678A JPS5499963A (en) | 1978-01-23 | 1978-01-23 | Method of producing ceramic electronic components |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP650678A JPS5499963A (en) | 1978-01-23 | 1978-01-23 | Method of producing ceramic electronic components |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5499963A JPS5499963A (en) | 1979-08-07 |
| JPS6130409B2 true JPS6130409B2 (ja) | 1986-07-14 |
Family
ID=11640308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP650678A Granted JPS5499963A (en) | 1978-01-23 | 1978-01-23 | Method of producing ceramic electronic components |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5499963A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62205615A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-10 | 株式会社村田製作所 | セラミツクスの金属化方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4932182A (ja) * | 1972-07-26 | 1974-03-23 |
-
1978
- 1978-01-23 JP JP650678A patent/JPS5499963A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4932182A (ja) * | 1972-07-26 | 1974-03-23 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5499963A (en) | 1979-08-07 |
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