JPS61292526A - 静電型レ−ザパワ−メ−タ - Google Patents

静電型レ−ザパワ−メ−タ

Info

Publication number
JPS61292526A
JPS61292526A JP13458085A JP13458085A JPS61292526A JP S61292526 A JPS61292526 A JP S61292526A JP 13458085 A JP13458085 A JP 13458085A JP 13458085 A JP13458085 A JP 13458085A JP S61292526 A JPS61292526 A JP S61292526A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flat plate
electrodes
electrode
laser beam
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP13458085A
Other languages
English (en)
Inventor
Kin Nishikawa
欣 西川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP13458085A priority Critical patent/JPS61292526A/ja
Publication of JPS61292526A publication Critical patent/JPS61292526A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/4257Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to monitoring the characteristics of a beam, e.g. laser beam, headlamp beam

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、レーザビームパワーを測定する、レーザパワ
ーメータに関するものである。
従来の技術 従来のレーザビームパワーメータは、第2図に示すよう
に、絶縁基板13上に、蒸着等によりサーモカップル1
4を多数形成し、このサーモ力。
プルを直列接続しだサーモパイルを用いだ熱電堆型のも
のや、焦電性を有する薄膜エレメントを用いた焦電型の
ものがある。
発明が解決しようとする問題点 サーモバイルを用いた従来のパワーメータは、受光面に
黙示率の大きい金属を用いる必要があり、サーモカップ
ルとの間に絶縁膜を形成し々くてはならない。ところが
、この絶縁膜は熱に弱く、大パワーには適さない。
又、サーモカップルを多数形成することも容易でなく、
材料も比較的高価である。
焦電型のものは、高感度ではあるが微分型でありパワー
測定のだめに、光学系のチョ ノビング機構を必要とす
る。
問題点を解決するだめの手段 本発明は、パワーメータのレーザビーム受光面に、バイ
メタルを材料とする平板電極と、これと対向するように
金属平板電極を設けたものである。
作  用 レーザビーム受光面の温度が上昇すると、前記バイメタ
ル電極が変形し、前記電極間隙間の容量が変化する。そ
れにより、レーザビームバワーヲ知ることができる。
実施例 本発明の実施例を図面に基いて説明する。第1図におい
て、基板1はNi・Fe等の低膨張率材料から成り、中
央部はレーザビーム入射面2、周囲の厚肉の部分はヒー
トシンクの機能を有する。環状平板3はNi*CraF
e 等の高膨張率材料から成り、前記基板1の入射面側
に溶接され、バイメタル電極4を構成する。このバイメ
タル電極4にはパンチング孔があけられており、外周フ
ィン6a及び内周フィン5bはバイメタルのわん曲によ
り突出するようになっている。絶縁基板6上には環状の
銅箔電極7a及び7bが同心円上に設けられ、薄いスペ
ーサ8を介して、前記基板1に取りつけられフィン5a
及び5bと対向するようになっている。前記電極4,7
a、7bはそれぞれ、リード端子9,10,11と電気
的に接続されている。
前記レーザビーム入射面2にレーザビームが照射される
と、基板1の中央部から周辺部に向って負の温度勾配が
生じ、前記バイメタル電極4の温度が上昇し、前記フィ
ン5a及び5bはそれぞれ前記電極7a及びγb[接近
するように突出する。
その結果、前記バイメタル電極4と前記電極7a及び7
bとの間の静電容量が増加する。この静電容量変化の割
合は、それぞれ前記フィン5a及び5bの温度の関数に
なると考えられるので、2点間の温度差が知れ、レーザ
パワーが測定できる。
発明の効果 本発明のパワーメータは、サーモバイルを用いたパワー
メータのような絶縁膜を必要としないので、熱に強く、
大パワー測定も可能である。又蒸着等の工程がないため
製造が容易であり、材料コストも安くできる。しかも、
基板1と絶縁基板6との間隙距離を変えることによって
、測定レンジと感度とを広範囲に変えることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図a、b、cは本発明の一実施例におけるパワーメ
ータの平面図、断側面図および裏面図、第2図は従来例
におけるパワーメータの平面図である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・レーザビーム入射
面、3・・・・・・環状平板、4・・・・・・バイメタ
ル電極、sa、sb・・・・・・外周及び内周フィン、
6・・・・・・絶縁基板、7a。 7b・・・・・・銅箔電極、8・・・・・・スペーサ、
9〜11・・・・・・リード端子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)円形のレーザビーム受光面と、この外側に位置す
    る環状のバイメタル電極と、このバイメタル電極と対向
    する環状の平板電極とを同心円上に2組備え、かつ前記
    電極間の静電容量の変化を検知する検出回路とを備えた
    静電型レーザパワーメータ。
  2. (2)バイメタル電極に、コの字型の切り欠きによって
    形成される外周方向に向って自由度を持たせたフィン群
    を設けた特許請求の範囲第1項記載の静電型レーザパワ
    ーメータ。
JP13458085A 1985-06-20 1985-06-20 静電型レ−ザパワ−メ−タ Pending JPS61292526A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13458085A JPS61292526A (ja) 1985-06-20 1985-06-20 静電型レ−ザパワ−メ−タ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13458085A JPS61292526A (ja) 1985-06-20 1985-06-20 静電型レ−ザパワ−メ−タ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61292526A true JPS61292526A (ja) 1986-12-23

Family

ID=15131680

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13458085A Pending JPS61292526A (ja) 1985-06-20 1985-06-20 静電型レ−ザパワ−メ−タ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61292526A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001527644A (ja) サーモパイル・センサ及びサーモパイル・センサを備えた輻射温度計
JPS6122676A (ja) 熱電センサ
JPH07209089A (ja) 赤外線センサ
JP3580126B2 (ja) 赤外線センサ
JPH0590646A (ja) サーモパイル型赤外線センサおよびその製造方法
JP4084306B2 (ja) 熱流束コンパレーター
US4472594A (en) Method of increasing the sensitivity of thermopile
US3405271A (en) Detector having radiation collector supported on electrically insulating thermally conducting film
JPS61292526A (ja) 静電型レ−ザパワ−メ−タ
JP3217533B2 (ja) 赤外線センサ
JPS61259580A (ja) サ−モパイル
JP3775830B2 (ja) 赤外線検出素子
US3405272A (en) Film supported detector with low heat transfer impedance path from cold junctions tothermal sink
JPH0612493Y2 (ja) マイクロブリッジフローセンサ
JPH0394127A (ja) 赤外線センサ
US3436274A (en) Solid backed thermopile
US3054977A (en) Flake thermistor
JP3345695B2 (ja) 加速度センサ
JPH04360588A (ja) 複合型赤外線検出器
USRE23615E (en) Compensated thermopile
US12002894B2 (en) Photosensor
JPH11258040A (ja) サーモパイル型赤外線センサ
JPS5922502Y2 (ja) モル形放射照度計
JPH0643906B2 (ja) フローセンサ
JPH0812097B2 (ja) 流速センサ