JPS61292231A - 光ピツクアツプ装置 - Google Patents
光ピツクアツプ装置Info
- Publication number
- JPS61292231A JPS61292231A JP60131983A JP13198385A JPS61292231A JP S61292231 A JPS61292231 A JP S61292231A JP 60131983 A JP60131983 A JP 60131983A JP 13198385 A JP13198385 A JP 13198385A JP S61292231 A JPS61292231 A JP S61292231A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- beam splitter
- film
- laser
- transmitted
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、透過光量全増大させてＳ／Ｎ。
信号品質の向上を図った。光ピンクアップ装置に関する
。
。
従来の光ピックアップ装置として、第２図に示すような
ものが知らｎている。すなわち、レーザー光源１からの
レーザー光束２を、ビームスプリッタ３で反射して収束
光学系４を介して光ディスク５に入射させ、光ディスク
５からの反射レーザー光束を、収束光学系４を介してビ
ームスプリッタ乙に透過させて非点収差を生じた収束光
６とし、収束光６を４分割光センサ７に入射させたもの
である。
ものが知らｎている。すなわち、レーザー光源１からの
レーザー光束２を、ビームスプリッタ３で反射して収束
光学系４を介して光ディスク５に入射させ、光ディスク
５からの反射レーザー光束を、収束光学系４を介してビ
ームスプリッタ乙に透過させて非点収差を生じた収束光
６とし、収束光６を４分割光センサ７に入射させたもの
である。
この従来技術においてビームスプリッタ３は。
レーザー光源１からの発散レーザー光束中に光軸方向に
対して４５ｖに配置さｎ、レーザー光源１に対向する面
にレーザー光束２を略５対５め割付で透過光と反射光に
分割する・・−フミラー膜６Ａが形成さｎている平行平
面板である。
対して４５ｖに配置さｎ、レーザー光源１に対向する面
にレーザー光束２を略５対５め割付で透過光と反射光に
分割する・・−フミラー膜６Ａが形成さｎている平行平
面板である。
この従来技術においてノ・−７ミラー膜３Ａとして、金
属膜、または金属膜と誘電体多層膜の併用形が用いらｎ
ている。こｎらは、入射角度や波長の変ｆヒに対する特
性の変化が少ないという利点を持っているが、光の吸収
損失が大きいという欠点がある。吸収損失は、金属膜の
場合約７％、金属膜と誘電体多層膜の併用形の場合約４
係であり、これらが用いらｆ′Ｌだ場合のビームスプリ
ッタ乙の透過光量は、レーザー光源１の投影光量の２１
．６％、または２３％となる。
属膜、または金属膜と誘電体多層膜の併用形が用いらｎ
ている。こｎらは、入射角度や波長の変ｆヒに対する特
性の変化が少ないという利点を持っているが、光の吸収
損失が大きいという欠点がある。吸収損失は、金属膜の
場合約７％、金属膜と誘電体多層膜の併用形の場合約４
係であり、これらが用いらｆ′Ｌだ場合のビームスプリ
ッタ乙の透過光量は、レーザー光源１の投影光量の２１
．６％、または２３％となる。
このように透過光量が少ないので、Ｓ／Ｎが悪ｆヒし、
信号の品質が低下してしまうという欠点がある。また、
金属膜の場合には、酸化によって特性が劣ｆヒするとい
う欠点がある。
信号の品質が低下してしまうという欠点がある。また、
金属膜の場合には、酸化によって特性が劣ｆヒするとい
う欠点がある。
上記問題点を解決するための手段を、実施例に対応する
第１図を用いて以下説明する。この発明は、レーザー光
源１からのレーザー光束２を、ビームスプリッタ３で反
射して光ディスク５に入射させ、光ディスク５からの反
射レーザー光束をビームスプリッタ３に透過させて非点
収差を生じた収束光６として、収束光６全４分割光セン
サ７に入射させてなる光ピックアップ装置において、ビ
ームスプリッタ３のハーフミラ−膜３Ｂを誘電体多層膜
で形成１−だものである。
第１図を用いて以下説明する。この発明は、レーザー光
源１からのレーザー光束２を、ビームスプリッタ３で反
射して光ディスク５に入射させ、光ディスク５からの反
射レーザー光束をビームスプリッタ３に透過させて非点
収差を生じた収束光６として、収束光６全４分割光セン
サ７に入射させてなる光ピックアップ装置において、ビ
ームスプリッタ３のハーフミラ−膜３Ｂを誘電体多層膜
で形成１−だものである。
この工うに構成さｎたものにおいては、誘電体多層膜の
光吸収損失が少ないので、ビームスプリッタ乙の透過光
量は増大する。
光吸収損失が少ないので、ビームスプリッタ乙の透過光
量は増大する。
第１図はこの発明の一実施例を示す図である。
第１図において、１はレーザー光源、２はレーザー光源
からのレーザー光束、３はレーザー光束２全反射して偏
向するビームスプリッタ、４はレーザー光束２を収束す
る収束光学系、５は光ディスク、６は光ディスク５かも
の反射レーザー光束が収束光学系４．ビームスプリッタ
゛３全透過して非点収差を生じた収束光、７は収束光６
が入射する４分割光センサである。ビームスプリッタ３
ば、レーザー光束２中に光軸方向に対して４５度に配置
さｎており、レーザー光源１に対向する面にレーザー光
束２を略５対５の割合で透過光と反射光に分割するハー
フミラ−膜３Ｂが形成さｎている平行平面板である。
からのレーザー光束、３はレーザー光束２全反射して偏
向するビームスプリッタ、４はレーザー光束２を収束す
る収束光学系、５は光ディスク、６は光ディスク５かも
の反射レーザー光束が収束光学系４．ビームスプリッタ
゛３全透過して非点収差を生じた収束光、７は収束光６
が入射する４分割光センサである。ビームスプリッタ３
ば、レーザー光束２中に光軸方向に対して４５度に配置
さｎており、レーザー光源１に対向する面にレーザー光
束２を略５対５の割合で透過光と反射光に分割するハー
フミラ−膜３Ｂが形成さｎている平行平面板である。
・・−フミラー膜３Ｂは誘電体多層膜で形成さｎている
。誘電体多層膜の光吸収損失に２チ以下と小さいので、
ビームスプリッタ乙の透過光量は、レーザー光源１の投
影光量の約２４係となる。このように透過光量は、従来
技術に比べて約５〜１０％増大するので、Ｓ／Ｎ、信号
品質が向上する。
。誘電体多層膜の光吸収損失に２チ以下と小さいので、
ビームスプリッタ乙の透過光量は、レーザー光源１の投
影光量の約２４係となる。このように透過光量は、従来
技術に比べて約５〜１０％増大するので、Ｓ／Ｎ、信号
品質が向上する。
また、誘電体多層膜の場合には酸ｆヒによる特性の劣化
もないので、耐候性も優ｎでいる。
もないので、耐候性も優ｎでいる。
以上説明してき７？：Ｌうに、この発明は、ビームスプ
リッタのハーフミラ−膜全誘電体多層膜で形成したもの
である。それ故、ビームスプリッタの光吸収損失は少な
く、透過光量は増大する。また、耐候性も同上する。し
たがって、この発明にＬｆｌ、げ、Ｓ／Ｎ、信号品質の
向上が図ｎるという効果が得らｎる。
リッタのハーフミラ−膜全誘電体多層膜で形成したもの
である。それ故、ビームスプリッタの光吸収損失は少な
く、透過光量は増大する。また、耐候性も同上する。し
たがって、この発明にＬｆｌ、げ、Ｓ／Ｎ、信号品質の
向上が図ｎるという効果が得らｎる。
第１図はこの発明の一実施例を示す図、第２図に従来技
術を示す図である。 １・・・Ｌ／−ｆ−光源、３・・・ビームスプリッタ。 ５・・・光ディスク、７・・・４分割光センサ特許出願
人 赤井電機株式会社 第１図 第２図
術を示す図である。 １・・・Ｌ／−ｆ−光源、３・・・ビームスプリッタ。 ５・・・光ディスク、７・・・４分割光センサ特許出願
人 赤井電機株式会社 第１図 第２図
Claims (1)
- １、レーザー光源からのレーザー光束をビームスプリッ
タで反射して光ディスクに入射させ、該光ディスクから
の反射レーザー光束を該ビームスプリッタに透過させて
非点収差を生じた収束光とし、該収束光を４分割光セン
サに入射させてなる光ピックアップ装置において、該ビ
ームスプリッタのハーフミラー膜を誘電体多層膜で形成
したことを特徴とする光ピックアップ装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60131983A JPS61292231A (ja) | 1985-06-19 | 1985-06-19 | 光ピツクアツプ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60131983A JPS61292231A (ja) | 1985-06-19 | 1985-06-19 | 光ピツクアツプ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61292231A true JPS61292231A (ja) | 1986-12-23 |
Family
ID=15070808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60131983A Pending JPS61292231A (ja) | 1985-06-19 | 1985-06-19 | 光ピツクアツプ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61292231A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63200327A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-18 | Olympus Optical Co Ltd | 光ピツクアツプ装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5657013A (en) * | 1979-09-28 | 1981-05-19 | Philips Nv | Focus error detector |
| JPS58175149A (ja) * | 1982-04-07 | 1983-10-14 | Hitachi Ltd | 光ピツクアツプ装置 |
-
1985
- 1985-06-19 JP JP60131983A patent/JPS61292231A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5657013A (en) * | 1979-09-28 | 1981-05-19 | Philips Nv | Focus error detector |
| JPS58175149A (ja) * | 1982-04-07 | 1983-10-14 | Hitachi Ltd | 光ピツクアツプ装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63200327A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-18 | Olympus Optical Co Ltd | 光ピツクアツプ装置 |
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