JPS6129179A - 繊維状光電変換素子 - Google Patents

繊維状光電変換素子

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JPS6129179A
JPS6129179A JP59150285A JP15028584A JPS6129179A JP S6129179 A JPS6129179 A JP S6129179A JP 59150285 A JP59150285 A JP 59150285A JP 15028584 A JP15028584 A JP 15028584A JP S6129179 A JPS6129179 A JP S6129179A
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JP
Japan
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fibrous
light
photoelectric conversion
conductive substrate
incident
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JP59150285A
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English (en)
Inventor
Kazutami Kawamura
川村　和民
Masakazu Kato
雅一 加藤
Katsuaki Umibe
海部　勝晶
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
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    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
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    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は光電変換素子、特に軽量で可撓性を有する繊
維状光電変換素子に関する。
（従来の技術） 従来、繊維状光電変換素子として開発されたものとして
繊維状多結晶太陽電池か知られている（ＴＥＣＨＮＯＬ
ＯＧＹ　ＡＮＤ　ＭＡＲＫＥＴ　、■、　［＋］　、　
（１９８４）。
ｐ、４９〜５０）。
この従来の繊維状変換素子は、ニッケル金属線を芯とし
、この芯上に温度差法を用いてシリコン多結晶を析出さ
せ、さらに樹脂と錫とでコーティングを行ってシリコン
と錫とを加熱して、シリコンと錫の合金接合を形成した
構造となっている。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、この従来構造であると、芯にニッケルの
ような比重の大きな（８，９ｇ／ｃｍ　３）金属線を使
用するため、繊維状光電変換素子の重量が大となってし
まうため、その応用分野が限定されてしまうという欠点
があった。
この発明の目的は、このような従来の繊維状光電変換素
子の有する欠点に鑑み、軽量でしかも可撓性を有する繊
維状光電変換素子を提供することにある。
（問題点を解決するための手段） この目的の達成を図るため、この発明によれば、繊維状
の導電性基体上に光電変換部と電極部とを積層して成る
繊維状光電変換素子において、この導電性基体を導電性
を有する可撓性高分子材料で形成したことを特徴とする
。
（作用） このように、この発明は、導電性基体の材料として導電
性を有する可撓性高分子材料を用いている。この可撓性
高分子材料としては例えば比重が２．５以下でかつ導電
率も１（０ｃｍ）−’以上のものが得られるので、従来
使用されていたニッケル金属線その他の金属材料よりも
遥に軽量であり、また、導電率も実用上問題がない。従
って、この発明の繊維状光電変換素子は従来よりも遥に
軽量となり、しかも、可撓性を有する繊維状であるから
光センサとしての自動制御、情報処理分野への広範囲な
応用から、太陽電池として衣服や、帽子、携帯用品等に
織り込んだり装着したりすることによって、電源として
利用することが出来る。
（実施例） 以下、図面を参照してこの発明の実施例につき説明する
。
第１図（Ａ）はこの発明の繊維状光電変換素子の一実施
例の基本構造を説明するための部分的縦断面図であり、
第１図（Ｂ）はその横断面図である。
１１は横断面が円形形状の繊維状導電性基体であり、こ
の発明では可撓性を有し軽量の導電性高分子材料から成
るもので、例えば、ナイロンに金属粉体を混入して得ら
れた金属繊維充填ナイロン製の円筒状の繊維とすること
が出来る。例えば、黄銅＃に維を１５％充填したナイロ
ンの場合には、比重は２．２　となり、導電率は１〜１
０（Ωａｍ）−’となる。
１２はこの導電性基体１１上に設けられた光電変換部で
ある。この光電変換部１２としては従来より通常用いら
れている構造のものを適用することが出来る。この実施
例の場合には半導体層！３と、これとショトキバリヤ接
合を形成する半透明の金属膜１４とを順次に積層して形
成している。この半導体Ｍ１３として、蒸着法で膜形成
が可能なフタ、ロシアニン系有機半導体層を用い、金属
膜１４とし、例えばＮ或いはＩｎ金属とかを用いること
が出来る。
この光電変換部１２の上側に電極部１５を設ける。
この実施例では、電極部１５として蒸着法又はコーティ
ング法で膜形成の容易な、例えば、Ｉｎ２０３材料から
成る透明電極を形成する。
次に、このような構造の繊維状光電変換素子の動作につ
き説明する。
外部から光１５を入射させると、この光は透明電極Ｉ５
及び半透明金属膜１４を通過してフタロシアニン系有機
半導体層１３に入射する。このフタロシアニン系有機半
導体は可視領域から近赤外領域の光に強い吸収バンドを
持っているため、この吸収バンドの入射光はフタロシア
ニン系有機半導体層１３で吸収され、そこで電子−正孔
対が発生する。このため、周知の通り、これらの電荷が
、この半導体層１３と半透明金属膜１４とで形成された
ショットキバリヤ接合の作用を受けて、その間に起電力
を発生させる。この起電力は導電性基体１１と、透明電
極１５とから外部へ取り出すことが可能であるため、こ
の光電変換素子は光電変換の機能を果すことが出来る。
上述した実施例では、繊維状導電性基体１１を金属繊維
充填ナイロンで形成した例につき説明したが、これに限
定されるものではなく、例えば、高導電化されたポリア
セチレンとかポリチアジルとか、或いは、ＴＣＮＱと称
せられる７、７，８．８−テトラシアノ−ｐ−キノジメ
タン錯体とか、その他の可撓性を有する導電性高分子材
料で形成することが出来る。
これらの材料として、比重が２以下で、しかも、導電率
が１゛（ΩＣｍ）−’以上のものが得られるので、従来
のニッケル金属と比べて比重は約１７４以下となり、し
かも、導電性も実用に耐える充分の大きさを確保するこ
とが出来る。
また、この導電性基体の横断面形状は円形以外の他の形
状、例えば、三角又は四角以上の多角形状とか、楕円形
状とか、任意好適な形状とすることが出来る。
さらに、光電変換部は従来既知の材料で形成することが
出来、上述した以外の、例えば、ｐ−ｎ接合とか、或い
は、金属−絶縁体一半導体のにＩＳ構造接合、その他の
好適な構造とすることも出来る。
（発明の効果） 上述した説明からも明らかなように、この発明によれば
、導電性基体を導電性を有する可撓性高分子材料を用い
て形成しているので、従来の金属線からなる基体に比べ
て１／４以下に軽量化することが出来ると共に、任意の
形状にすることが容易であるという利点がある。
従って、この発明の繊維状光電変換素子は光センサとし
ての自動制御、情報処理分野への応用から太陽電池とし
て衣服、帽子、携帯用品等へ織り込んだり装着したりし
て、電源として利用することが出来る。
【図面の簡単な説明】
第１図（Ａ）及び（Ｂ）はこの発明の繊維状光電変換素
子の一実施例の基本構造を説明するための部分的縦断面
図及び横断面図である。 １１・・・繊維状導電性基体、　１２・・・光電変換部
１３・・・半導体層、　　　　　１４・・・金属膜１５
・・・電極部、　　　　　　１６・・・光。 廻　ｑミ凌

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　繊維状の導電性基体上に光電変換部と電極部とを積層
    して成る繊維上光電変換素子において、前記導電性基体
    を導電性を有する可撓性高分子材料で形成したことを特
    徴とする繊維状光電変換素子。
JP59150285A 1984-07-19 1984-07-19 繊維状光電変換素子 Pending JPS6129179A (ja)

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