JPS6154276B2 - - Google Patents
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- JPS6154276B2 JPS6154276B2 JP55040956A JP4095680A JPS6154276B2 JP S6154276 B2 JPS6154276 B2 JP S6154276B2 JP 55040956 A JP55040956 A JP 55040956A JP 4095680 A JP4095680 A JP 4095680A JP S6154276 B2 JPS6154276 B2 JP S6154276B2
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical compound [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 claims description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 3
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/652—Cyanine dyes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、特殊なメロシアニン系色素膜をｎ型
シリコン基体上に形成して成るｐ―ｎ接合型半導
体を用いた、エネルギー変換効率の高い、耐久性
のある太陽電池に関するものである。
シリコン基体上に形成して成るｐ―ｎ接合型半導
体を用いた、エネルギー変換効率の高い、耐久性
のある太陽電池に関するものである。
無限のエネルギー供給源といえる太陽が放出す
るエネルギーを利用し、これを電気エネルギーに
変換する太陽電池に寄せられる期待は大きく、そ
の開発が種々の分野で進められ、これまでに実用
的な数種の太陽電池が提案されているが、ｐ―ｎ
接合型のものは、その製造費用の点で問題があ
り、実用化されるに至つていない。
るエネルギーを利用し、これを電気エネルギーに
変換する太陽電池に寄せられる期待は大きく、そ
の開発が種々の分野で進められ、これまでに実用
的な数種の太陽電池が提案されているが、ｐ―ｎ
接合型のものは、その製造費用の点で問題があ
り、実用化されるに至つていない。
本発明者らは、簡単にしかも低廉に製造するこ
とができ、太陽エネルギーの吸収効率のよいｐ―
ｎ接合型半導体を用いて、エネルギー変換効率が
高く、寿命の長い太陽電池を開発するために鋭意
研究を重ねた結果、特定のメロシアニン系色素膜
をｎ型シリコン基体上に設けると、その界面にｐ
―ｎ接合が形成されることを見い出し、この知見
に基づいて本発明を成すに至つた。
とができ、太陽エネルギーの吸収効率のよいｐ―
ｎ接合型半導体を用いて、エネルギー変換効率が
高く、寿命の長い太陽電池を開発するために鋭意
研究を重ねた結果、特定のメロシアニン系色素膜
をｎ型シリコン基体上に設けると、その界面にｐ
―ｎ接合が形成されることを見い出し、この知見
に基づいて本発明を成すに至つた。
すなわち、本発明は、一般式
〔式中のＲは炭素数１〜20の直鎖状アルキル
基、R′は炭素数１〜20の直鎖状アルキル基又は
式―（CH2）ｎ・COOH・Ｚ（ただし、ｎは０又
は１〜４の整数、Ｚはアミンである）で表わされ
る基、Ｘ及びＹは酸素原子又は硫黄原子である〕 で表わされるメロシアニン色素膜を、ｎ型シリコ
ン基体上に形成して成るｐ―ｎ接合型半導体のメ
ロシアニン色素膜部とｎ型シリコン基体部とにそ
れぞれ電極を設けて成る太陽電池を提供するもの
である。
基、R′は炭素数１〜20の直鎖状アルキル基又は
式―（CH2）ｎ・COOH・Ｚ（ただし、ｎは０又
は１〜４の整数、Ｚはアミンである）で表わされ
る基、Ｘ及びＹは酸素原子又は硫黄原子である〕 で表わされるメロシアニン色素膜を、ｎ型シリコ
ン基体上に形成して成るｐ―ｎ接合型半導体のメ
ロシアニン色素膜部とｎ型シリコン基体部とにそ
れぞれ電極を設けて成る太陽電池を提供するもの
である。
本発明の半導体において用いられる前記一般式
で表わされるメロシアニン色素においてＲは炭素
数１〜20の直鎖状アルキル基であることを要し、
これら以外のものでは本発明の目的を満足に達成
できない。またR′は炭素数１〜20の直鎖状アル
キル基又はカルボキシル基、1′―カルボキシメチ
ル基、2′―カルボキシエチル基、3′―カルボキシ
プロピル基若しくは4′―カルボキシブチル基のア
ミン付加物であり、Ｘ及びＹは酸素原子又は硫黄
原子であつて、これが同種又異種のいずれであつ
てもよい。
で表わされるメロシアニン色素においてＲは炭素
数１〜20の直鎖状アルキル基であることを要し、
これら以外のものでは本発明の目的を満足に達成
できない。またR′は炭素数１〜20の直鎖状アル
キル基又はカルボキシル基、1′―カルボキシメチ
ル基、2′―カルボキシエチル基、3′―カルボキシ
プロピル基若しくは4′―カルボキシブチル基のア
ミン付加物であり、Ｘ及びＹは酸素原子又は硫黄
原子であつて、これが同種又異種のいずれであつ
てもよい。
本発明における基体としては、単結晶シリコン
ｎ型半導体又はアモルフアスシリコンｎ型半導体
のいずれかが用いられる。
ｎ型半導体又はアモルフアスシリコンｎ型半導体
のいずれかが用いられる。
このｎ型シリコン基体の片面又は部分面に、該
メロシアニン色素膜を真空蒸着方式、スプレー方
式、溶媒除去方式、ブロジエツト（Blodgett）方
式などの手段によつて形成することにより本発明
のｐ―ｎ接合型半導体を得ることができる。
メロシアニン色素膜を真空蒸着方式、スプレー方
式、溶媒除去方式、ブロジエツト（Blodgett）方
式などの手段によつて形成することにより本発明
のｐ―ｎ接合型半導体を得ることができる。
このときに用いられるｎ型シリコン基体の形状
については、特に制限はなく、板状、波形状など
受光面積の大きい形状にすることが有利である。
については、特に制限はなく、板状、波形状など
受光面積の大きい形状にすることが有利である。
このようにして得られたｐ―ｎ接合型半導体の
メロシアニン色素膜部及びｎ型半導体基体部にそ
れぞれ電極を設けることにより本発明の太陽電池
が得られる。
メロシアニン色素膜部及びｎ型半導体基体部にそ
れぞれ電極を設けることにより本発明の太陽電池
が得られる。
本発明の太陽電池の電極として金属などの導体
を該膜部及び基体部の全面若しくは部分面又は点
状に設けることができる。ただし、全面又はほと
んどの面に電極を設ける場合には、メロシアニン
色素膜側の電極は透光性であることを要する。こ
の透光性を有する電極は、例えば金、銀などの金
属薄膜を真空蒸着方式などによつて形成すること
により得ることができる。
を該膜部及び基体部の全面若しくは部分面又は点
状に設けることができる。ただし、全面又はほと
んどの面に電極を設ける場合には、メロシアニン
色素膜側の電極は透光性であることを要する。こ
の透光性を有する電極は、例えば金、銀などの金
属薄膜を真空蒸着方式などによつて形成すること
により得ることができる。
本発明のｐ―ｎ接合型半導体及び太陽電池をよ
り具体的に、添付図面に例示したものについて説
明する。
り具体的に、添付図面に例示したものについて説
明する。
添付図面は、本発明の半導体及び電池の構造の
一例を示す断面図である。本発明の太陽電池は、
メロシアニン色素膜３を板状のｎ型シリコン基体
２の片面全部に形成したものから成り、この半導
体の外表面の全部に金属膜電極１及び半透明金属
膜電極４を設けたものから構成されている。この
ものの製造は、先ずｎ型シリコン基体２の片面
に、真空度10-5mmHg程度で金属を真空蒸着さ
せ、次いで、該基板の他面にメロシアニン色素膜
３を形成させたのち、このメロシアニン色素３の
表面に上記と同様の方法で電極４を設けることに
より行われる。この際、メロシアニン色素膜の形
成は、前記一般式におけるＲ又はR′が炭素数の
多いものである場合には、真空蒸着方式によれ
ば、高度の真空が要求されることとなるため、他
のスプレー方式、溶媒除去方式又はブロジエツト
方式によることが好ましい。
一例を示す断面図である。本発明の太陽電池は、
メロシアニン色素膜３を板状のｎ型シリコン基体
２の片面全部に形成したものから成り、この半導
体の外表面の全部に金属膜電極１及び半透明金属
膜電極４を設けたものから構成されている。この
ものの製造は、先ずｎ型シリコン基体２の片面
に、真空度10-5mmHg程度で金属を真空蒸着さ
せ、次いで、該基板の他面にメロシアニン色素膜
３を形成させたのち、このメロシアニン色素３の
表面に上記と同様の方法で電極４を設けることに
より行われる。この際、メロシアニン色素膜の形
成は、前記一般式におけるＲ又はR′が炭素数の
多いものである場合には、真空蒸着方式によれ
ば、高度の真空が要求されることとなるため、他
のスプレー方式、溶媒除去方式又はブロジエツト
方式によることが好ましい。
このようにして、容易にｐ―ｎ接合型半導体を
得ることができ、これを用いて簡単に優れた太陽
電池を得ることができる。
得ることができ、これを用いて簡単に優れた太陽
電池を得ることができる。
次に実施例により本発明をさらに詳細に説明す
る。
る。
実施例
式
で表わされるメロシアニン色素の厚さ10Åの膜状
物を、予め真空蒸着方式によつて片面全部に膜状
に設けられたインジウム電極を有する単結晶シリ
コンｎ型半導体基体の他面に真空蒸着方式により
形成し、さらに、このメロシアニン色素膜の外表
面に上記と同様の方法により半透明銀電極を設
け、本発明の半導体を使用する太陽電池を製造し
た。
物を、予め真空蒸着方式によつて片面全部に膜状
に設けられたインジウム電極を有する単結晶シリ
コンｎ型半導体基体の他面に真空蒸着方式により
形成し、さらに、このメロシアニン色素膜の外表
面に上記と同様の方法により半透明銀電極を設
け、本発明の半導体を使用する太陽電池を製造し
た。
この太陽電池に、メロシアニン色素膜側から、
波長530mm、強度4.5ｍＷ／cm2の単色光を８時間連
続して照射し、その閉回路電流を測定すると、そ
の値は一定値0.15ｍＡ／cm2のままで変化しなかつ
た。またメロシアニン色素膜側から、強度4.5ｍ
Ｗ／cm2の白色光を８時間連続して照射し、そのと
きのエネルギー変換効率を求めたところ、その値
は一定値1.9％のままで変化しなかつた。
波長530mm、強度4.5ｍＷ／cm2の単色光を８時間連
続して照射し、その閉回路電流を測定すると、そ
の値は一定値0.15ｍＡ／cm2のままで変化しなかつ
た。またメロシアニン色素膜側から、強度4.5ｍ
Ｗ／cm2の白色光を８時間連続して照射し、そのと
きのエネルギー変換効率を求めたところ、その値
は一定値1.9％のままで変化しなかつた。
比較例
単結晶シリコンｎ型半導体基体の代りに、ゲル
マニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、硫化カドミウ
ムの各単結晶基体を用いる外は全く実施例と同様
にしてｐ―ｎ接合型太陽電池を製造した。
マニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、硫化カドミウ
ムの各単結晶基体を用いる外は全く実施例と同様
にしてｐ―ｎ接合型太陽電池を製造した。
これらの太陽電池に強度4.5ｍＷ／cm2の白色光
を照射してエネルギー変換効率を求めたところゲ
ルマニウムの場合0.3％、酸化亜鉛の場合0.3％、
酸化チタンの場合0.06％、硫化カドミウムの場合
0.1％であつた。
を照射してエネルギー変換効率を求めたところゲ
ルマニウムの場合0.3％、酸化亜鉛の場合0.3％、
酸化チタンの場合0.06％、硫化カドミウムの場合
0.1％であつた。
図は本発明のｐ―ｎ接合型半導体及び太陽電池
の構造を示す断面図であり、図中１は電極、２は
ｎ型シリコン基体、３はメロシアニン色素膜、４
は半透明電極をそれぞれ示す。
の構造を示す断面図であり、図中１は電極、２は
ｎ型シリコン基体、３はメロシアニン色素膜、４
は半透明電極をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 〔式中のＲは炭素数１〜20の直鎖状アルキル
基、R′は炭素数１〜20の直鎖状アルキル基又は
式―（CH2）ｎ・COOH・Ｚ（ただし、ｎは０又
は１〜４の整数、Ｚはアミンである）で表わされ
る基、Ｘ及びＹは酸素原子又は硫黄原子である〕 で表わされるメロシアニン色素膜を、ｎ型シリコ
ン基体上に形成して成るｐ―ｎ接合型半導体のメ
ロシアニン色素膜部及びｎ型シリコン基体部にそ
れぞれ電極を設けて成る太陽電池。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4095680A JPS56137683A (en) | 1980-03-29 | 1980-03-29 | Solar cell |
| US06/244,908 US4367369A (en) | 1980-03-29 | 1981-03-18 | Solar battery |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4095680A JPS56137683A (en) | 1980-03-29 | 1980-03-29 | Solar cell |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56137683A JPS56137683A (en) | 1981-10-27 |
| JPS6154276B2 true JPS6154276B2 (ja) | 1986-11-21 |
Family
ID=12594933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4095680A Granted JPS56137683A (en) | 1980-03-29 | 1980-03-29 | Solar cell |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4367369A (ja) |
| JP (1) | JPS56137683A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH045016Y2 (ja) * | 1987-03-27 | 1992-02-13 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4514584A (en) * | 1982-12-09 | 1985-04-30 | University Of Miami | Organic photovoltaic device |
| JP2588773B2 (ja) * | 1989-02-28 | 1997-03-12 | 富士写真フイルム株式会社 | 新規なメチン化合物及びメチン染料 |
| US5600172A (en) * | 1993-03-31 | 1997-02-04 | Electric Power Research Institute | Hybrid, dye antenna/thin film superconductor devices and methods of tuned photo-responsive control thereof |
| AU739903B2 (en) * | 1997-06-23 | 2001-10-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photoelectric material using organic photosensitising dyes and manufacturing method thereof |
| US5986206A (en) * | 1997-12-10 | 1999-11-16 | Nanogram Corporation | Solar cell |
| KR100658730B1 (ko) * | 2005-11-30 | 2006-12-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양 전지 |
| US20120285521A1 (en) * | 2011-05-09 | 2012-11-15 | The Trustees Of Princeton University | Silicon/organic heterojunction (soh) solar cell and roll-to-roll fabrication process for making same |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4127738A (en) * | 1976-07-06 | 1978-11-28 | Exxon Research & Engineering Company | Photovoltaic device containing an organic layer |
| US4106951A (en) * | 1976-08-12 | 1978-08-15 | Uce, Inc. | Photovoltaic semiconductor device using an organic material as an active layer |
| JPS55154780A (en) * | 1979-05-22 | 1980-12-02 | Showa Denko Kk | P-n hetero junction type solar battery |
-
1980
- 1980-03-29 JP JP4095680A patent/JPS56137683A/ja active Granted
-
1981
- 1981-03-18 US US06/244,908 patent/US4367369A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH045016Y2 (ja) * | 1987-03-27 | 1992-02-13 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4367369A (en) | 1983-01-04 |
| JPS56137683A (en) | 1981-10-27 |
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