JPS6129159A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6129159A JPS6129159A JP15150284A JP15150284A JPS6129159A JP S6129159 A JPS6129159 A JP S6129159A JP 15150284 A JP15150284 A JP 15150284A JP 15150284 A JP15150284 A JP 15150284A JP S6129159 A JPS6129159 A JP S6129159A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- filler
- shape
- active region
- semiconductor
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体装置に関し、特にその樹脂モールド
された半導体用プラスチックパッケージにおいて、半導
体素子活性領域におけるミクロストレスを低減させるた
めになされた、樹脂に充填されるフィラー形状に関する
ものである。
された半導体用プラスチックパッケージにおいて、半導
体素子活性領域におけるミクロストレスを低減させるた
めになされた、樹脂に充填されるフィラー形状に関する
ものである。
一般に、樹脂モールド半導体プラスチックパッケージは
、その中に埋め込まれている半導体素子を外的環境から
保護することを最大の目的としている。またこの他に、
半導体素子性能向上のために、通常、樹脂の中には天然
石英もしくは熔融石英からなるフィラーが重量パーセン
トで５０〜８０％含有されている。これは主として半導
体素子にかかるストレスを低減するために、該樹脂モー
ルドパッケージ部の熱膨張係数を半導体素子のそれにで
きるだけ合わせること、さらに半導体素子から発熱する
熱を有効に外部に伝達することを目的として含有させる
ものである。
、その中に埋め込まれている半導体素子を外的環境から
保護することを最大の目的としている。またこの他に、
半導体素子性能向上のために、通常、樹脂の中には天然
石英もしくは熔融石英からなるフィラーが重量パーセン
トで５０〜８０％含有されている。これは主として半導
体素子にかかるストレスを低減するために、該樹脂モー
ルドパッケージ部の熱膨張係数を半導体素子のそれにで
きるだけ合わせること、さらに半導体素子から発熱する
熱を有効に外部に伝達することを目的として含有させる
ものである。
第１図は従来の技術における半導体樹脂モールドパッケ
ージの断面図を示し、図において、１は半導体素子を固
定化し、外部との電気接続をする目的で設けられた金属
製リードフレーム、２は半導体素子、３は半導体素子２
とリードフレーム１との電気接続をするためのワイヤー
、４ばモールド樹脂、５はフィラーである。
ージの断面図を示し、図において、１は半導体素子を固
定化し、外部との電気接続をする目的で設けられた金属
製リードフレーム、２は半導体素子、３は半導体素子２
とリードフレーム１との電気接続をするためのワイヤー
、４ばモールド樹脂、５はフィラーである。
この図のように、モールド樹脂４中に充填されるフィラ
ー、５は多角形の形状をしているのが普通であり、小は
５μｍ前後から、大は数百μｍまでのバラツキを生じて
おり、上述のように半導体素子性能向上を目的として樹
脂重量に対し５０〜８０重量パーセントが含有されてい
る。そして図に示したように、マクロ的にはほぼ均一に
フィラーが分布し、信頼性ある半導体素子が製造されて
きた。
ー、５は多角形の形状をしているのが普通であり、小は
５μｍ前後から、大は数百μｍまでのバラツキを生じて
おり、上述のように半導体素子性能向上を目的として樹
脂重量に対し５０〜８０重量パーセントが含有されてい
る。そして図に示したように、マクロ的にはほぼ均一に
フィラーが分布し、信頼性ある半導体素子が製造されて
きた。
以上述べたようなフィラー形状を用いた従来の半導体装
置は、半導体素子の大きさも小さく、配線パターンも３
μｍ以上の比較的集積度の高くない場合には、信頼性も
高く何ら問題はなかった。
置は、半導体素子の大きさも小さく、配線パターンも３
μｍ以上の比較的集積度の高くない場合には、信頼性も
高く何ら問題はなかった。
ところで、近年半導体素子は高集積化に向い、ＶＬＳ
Ｉが中心を占めるに至り、半導体素子のチップサイズも
非常に大きく、５ミリ角を越え、配線パターンも３μｍ
をきるようになっている。従って半導体素子内の各種機
能サイズが非常に小さくなり、これまで活性領域に加わ
っていたのと同じストレスが、このようなサイズの小さ
な素子内の活性領域に及ぶと、電気特性に対し致命的な
不良を引き起こすようになった。
Ｉが中心を占めるに至り、半導体素子のチップサイズも
非常に大きく、５ミリ角を越え、配線パターンも３μｍ
をきるようになっている。従って半導体素子内の各種機
能サイズが非常に小さくなり、これまで活性領域に加わ
っていたのと同じストレスが、このようなサイズの小さ
な素子内の活性領域に及ぶと、電気特性に対し致命的な
不良を引き起こすようになった。
、これは、第２図（第１図の一点鎖線で囲んだＰ部）に
示すように、角をもった多角形のフィラー５が使用され
ているためである。即ちフィラー５の角が、ミクロ的に
見ればチップ２の活性領域６に接し、動作時の発熱５周
囲環境の温度変化により、該活性領域６に図中入方向の
大きなストレスを与えることになるからである。
示すように、角をもった多角形のフィラー５が使用され
ているためである。即ちフィラー５の角が、ミクロ的に
見ればチップ２の活性領域６に接し、動作時の発熱５周
囲環境の温度変化により、該活性領域６に図中入方向の
大きなストレスを与えることになるからである。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を除去する
ためになされたもので、樹脂モールドされた半導体用プ
ラスチックパッケージにおいて、その樹脂中に充填され
るフィラーの形状を球状にすることにより、素子の活性
領域に与えるミクロストレスを低減することのできる半
導体装置を提供することを目的としている。
ためになされたもので、樹脂モールドされた半導体用プ
ラスチックパッケージにおいて、その樹脂中に充填され
るフィラーの形状を球状にすることにより、素子の活性
領域に与えるミクロストレスを低減することのできる半
導体装置を提供することを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第３
図は本発明の一実施例による半導体装置の要部断面図を
示し、図において、２はチップ、６はその活性領域、７
はこの実施例で用いられる数μから数百μの球状のフィ
ラーを示す。
図は本発明の一実施例による半導体装置の要部断面図を
示し、図において、２はチップ、６はその活性領域、７
はこの実施例で用いられる数μから数百μの球状のフィ
ラーを示す。
このような球状のフィラーを用いた場合の具体的効果を
示すと、該球状フィラーをエポキシ樹脂
１に７０重量パーセント含有させ、６４にスタティック
ＲＡＭに適用したところ、従来高温保存、ヒートサイク
ルの信頼性試験において発生していた電気的不良が激減
した。
示すと、該球状フィラーをエポキシ樹脂
１に７０重量パーセント含有させ、６４にスタティック
ＲＡＭに適用したところ、従来高温保存、ヒートサイク
ルの信頼性試験において発生していた電気的不良が激減
した。
これは従来のフィラーの形状における角をなくし球形に
することにより、樹脂全体の収縮、膨張が均一になると
ともに、ミクロな領域においてもエツジストレスがなく
なり、活性領域に与えるストレスが減少したためである
。
することにより、樹脂全体の収縮、膨張が均一になると
ともに、ミクロな領域においてもエツジストレスがなく
なり、活性領域に与えるストレスが減少したためである
。
以上のように、この発明によれば、樹脂モールドされた
半導体用プラスチックパンケージにおいて、樹脂に充填
されるフィラー形状を、角のない球状にしたので、半導
体素子の活性領域に与えるミクロストレスを大きく減少
させることができ、電気的特性の良好な半導体装置が得
られる効果がある。またこの発明は、今後のＶＬＳＩに
おけるすべてのプラスチックモールドの半導体装置に対
して適用でき、その実用的価値は非常に大きいものであ
る。
半導体用プラスチックパンケージにおいて、樹脂に充填
されるフィラー形状を、角のない球状にしたので、半導
体素子の活性領域に与えるミクロストレスを大きく減少
させることができ、電気的特性の良好な半導体装置が得
られる効果がある。またこの発明は、今後のＶＬＳＩに
おけるすべてのプラスチックモールドの半導体装置に対
して適用でき、その実用的価値は非常に大きいものであ
る。
第１図は従来の樹脂モールド半導体プラスチックパッケ
ージの断面図、第２図は第１図の一部拡大図、第３図は
本発明の一実施例に用いられた球状フィラーを有する半
導体装置の断面拡大図である。 ｌ・・・リードフレーム、２・・・半導体素子、４・・
・モールド樹脂、５・・・フィラー。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
ージの断面図、第２図は第１図の一部拡大図、第３図は
本発明の一実施例に用いられた球状フィラーを有する半
導体装置の断面拡大図である。 ｌ・・・リードフレーム、２・・・半導体素子、４・・
・モールド樹脂、５・・・フィラー。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）樹脂モールドされた半導体用プラスチックパッケ
ージを有する半導体装置において、上記樹脂に充填され
るフィラーの形状を球状にしたことを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15150284A JPS6129159A (ja) | 1984-07-19 | 1984-07-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15150284A JPS6129159A (ja) | 1984-07-19 | 1984-07-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6129159A true JPS6129159A (ja) | 1986-02-10 |
Family
ID=15519909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15150284A Pending JPS6129159A (ja) | 1984-07-19 | 1984-07-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6129159A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2735283A1 (fr) * | 1995-06-09 | 1996-12-13 | Solaic Sa | Module a circuit integre |
| US5698904A (en) * | 1993-09-03 | 1997-12-16 | Rohm Co., Ltd. | Packaging material for electronic components |
-
1984
- 1984-07-19 JP JP15150284A patent/JPS6129159A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5698904A (en) * | 1993-09-03 | 1997-12-16 | Rohm Co., Ltd. | Packaging material for electronic components |
| FR2735283A1 (fr) * | 1995-06-09 | 1996-12-13 | Solaic Sa | Module a circuit integre |
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