JPS61288078A - メツキ方法 - Google Patents
メツキ方法Info
- Publication number
- JPS61288078A JPS61288078A JP12926985A JP12926985A JPS61288078A JP S61288078 A JPS61288078 A JP S61288078A JP 12926985 A JP12926985 A JP 12926985A JP 12926985 A JP12926985 A JP 12926985A JP S61288078 A JPS61288078 A JP S61288078A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- water
- dissolved oxygen
- plating
- washing
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/08—Rinsing
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明はメッキ方法に関するものである。
〔発明の概要〕
この発明はメッキ被膜形成後、水洗工程を有するメッキ
方法において、 水洗工程に使用する水の溶存酸素を除去または減少させ
ることにより、。 メッキ被膜のシミや抵抗の増加を防止するものである。 〔従来の技術〕 一般に、メッキ工程においては、メッキ被膜形成後にメ
ッキ被膜の形成に供した溶液の除去等のため、純水等に
より水洗が行われている。 例えば、最近の光学ディスク装置等のいわゆるマスター
盤の製造工程においては、ガラス原板の上にフォトレジ
ストを塗布する工程からカッティング（信号記録）する
工程を経て、上記フォトレジストを現像し、無電解メッ
キの工程の後に、電解メッキ等の電鋳の工程が行われて
いるが、上記無電解メッキの後には、各種処理溶液の除
去等のため純水等により水洗が行われている。 また、無電解メッキ工程後の上記純水等による水洗工程
の次には、この無電解メッキしたマスター盤の一時的な
保存のため乾燥の工程が付加されることがある。 〔発明が解決しようとする問題点〕 このような無電解メッキの工程の後に通常の純水で水洗
する方法では、次のようなことが問題になっている。 先ず、水洗の工程の後に乾燥の工程を付加した場合にお
いて、無電解メッキを行った表面に、水分が残存したり
していると該無電解メッキ被膜上にシミが発生し、爾後
の製造工程に悪影響をおよぼす虞れがある。 また、無電解メッキ後の水洗の工程を上記通常の純水で
水洗する方法では、上記無電解メッキ被膜の抵抗が大き
くなり、その後、電鋳を行う際に良好な電鋳ができない
などの虞れがある。 また、上述したような乾燥の工程を付加する場合には一
般に濡れ性が悪くなるが、通常の純水を使用して水洗す
る場合には、マスター盤の保存のための乾燥工程を避け
ることができず、濡れ性の悪化を招くとともに作業上の
簡便性を欠くことになり、問題点となっている。 そこで、本発明は上述の問題点に鑑み、メッキ工程にお
いて、シミの発生を防止し、抵抗値の増加を防ぎ、更に
水に対する濡れ性も維持することのできるメッキ方法の
提供を目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 メッキ被膜形成工程後、溶存酸素を除去または減少させ
た水で水洗する工程を有することを特徴とするメッキ方
法により上述の問題点を解決する。 〔作用〕 水洗する水の溶存酸素を取り除くことにより無電解メッ
キ被膜の酸化等を防止する。 〔実施例〕 本発明の好適な実施例を図面を参照しながら説明する。 本発明のメッキ方法は、第１図に示すような水洗槽１を
使用することによっても実現可能であり、また、特に光
デイスク装置等の製造工程におけるメッキ工程に限定さ
れず応用することができる。 先ず、第１図に示すように、無電解メッキを施したマス
ター盤２を水洗槽１に浸漬する。この水洗槽１には、液
体が満たされており、この液体は、通常使用されるよう
な純水に窒素（Ｎ２）を用いて溶存酸素を除去あるいは
減少させた水洗水５である。 上記水洗水５は、溶存酸素を除去あるいは減少させた純
水で゛あって、窒素を通すことによって溶存酸素濃度を
低減させたものである。この窒素を通す方法は、いわゆ
るバブリング処理などによって行われ、図に示すように
窒素が送り込まれるパイプ３を水洗槽１の内部に配設し
、該パイプ３に配せられた複数個の孔６から各気泡４を
水洗水５の液中に送り込むようにしている。 このように窒素を用いて水洗水５の溶存酸素を除去ある
いは減少することによって、次に示すようにメッキ工程
でのシミの発生を防止し、抵抗値の増加を防ぎ、更に水
に対する濡れ性も維持することが可能である。 先ず、本発明のメッキ方法に基づいて実験を行ったデー
タを示す。 この実験は、溶存酸素の多いものと少ないものとを対比
させ、そのメッキ被膜の表面の光沢度の経時的変化を調
べた実験である。
方法において、 水洗工程に使用する水の溶存酸素を除去または減少させ
ることにより、。 メッキ被膜のシミや抵抗の増加を防止するものである。 〔従来の技術〕 一般に、メッキ工程においては、メッキ被膜形成後にメ
ッキ被膜の形成に供した溶液の除去等のため、純水等に
より水洗が行われている。 例えば、最近の光学ディスク装置等のいわゆるマスター
盤の製造工程においては、ガラス原板の上にフォトレジ
ストを塗布する工程からカッティング（信号記録）する
工程を経て、上記フォトレジストを現像し、無電解メッ
キの工程の後に、電解メッキ等の電鋳の工程が行われて
いるが、上記無電解メッキの後には、各種処理溶液の除
去等のため純水等により水洗が行われている。 また、無電解メッキ工程後の上記純水等による水洗工程
の次には、この無電解メッキしたマスター盤の一時的な
保存のため乾燥の工程が付加されることがある。 〔発明が解決しようとする問題点〕 このような無電解メッキの工程の後に通常の純水で水洗
する方法では、次のようなことが問題になっている。 先ず、水洗の工程の後に乾燥の工程を付加した場合にお
いて、無電解メッキを行った表面に、水分が残存したり
していると該無電解メッキ被膜上にシミが発生し、爾後
の製造工程に悪影響をおよぼす虞れがある。 また、無電解メッキ後の水洗の工程を上記通常の純水で
水洗する方法では、上記無電解メッキ被膜の抵抗が大き
くなり、その後、電鋳を行う際に良好な電鋳ができない
などの虞れがある。 また、上述したような乾燥の工程を付加する場合には一
般に濡れ性が悪くなるが、通常の純水を使用して水洗す
る場合には、マスター盤の保存のための乾燥工程を避け
ることができず、濡れ性の悪化を招くとともに作業上の
簡便性を欠くことになり、問題点となっている。 そこで、本発明は上述の問題点に鑑み、メッキ工程にお
いて、シミの発生を防止し、抵抗値の増加を防ぎ、更に
水に対する濡れ性も維持することのできるメッキ方法の
提供を目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 メッキ被膜形成工程後、溶存酸素を除去または減少させ
た水で水洗する工程を有することを特徴とするメッキ方
法により上述の問題点を解決する。 〔作用〕 水洗する水の溶存酸素を取り除くことにより無電解メッ
キ被膜の酸化等を防止する。 〔実施例〕 本発明の好適な実施例を図面を参照しながら説明する。 本発明のメッキ方法は、第１図に示すような水洗槽１を
使用することによっても実現可能であり、また、特に光
デイスク装置等の製造工程におけるメッキ工程に限定さ
れず応用することができる。 先ず、第１図に示すように、無電解メッキを施したマス
ター盤２を水洗槽１に浸漬する。この水洗槽１には、液
体が満たされており、この液体は、通常使用されるよう
な純水に窒素（Ｎ２）を用いて溶存酸素を除去あるいは
減少させた水洗水５である。 上記水洗水５は、溶存酸素を除去あるいは減少させた純
水で゛あって、窒素を通すことによって溶存酸素濃度を
低減させたものである。この窒素を通す方法は、いわゆ
るバブリング処理などによって行われ、図に示すように
窒素が送り込まれるパイプ３を水洗槽１の内部に配設し
、該パイプ３に配せられた複数個の孔６から各気泡４を
水洗水５の液中に送り込むようにしている。 このように窒素を用いて水洗水５の溶存酸素を除去ある
いは減少することによって、次に示すようにメッキ工程
でのシミの発生を防止し、抵抗値の増加を防ぎ、更に水
に対する濡れ性も維持することが可能である。 先ず、本発明のメッキ方法に基づいて実験を行ったデー
タを示す。 この実験は、溶存酸素の多いものと少ないものとを対比
させ、そのメッキ被膜の表面の光沢度の経時的変化を調
べた実験である。
【実験例１】
無電解メッキに、コハク酸、グリシン、蟻酸ソーダ、次
亜燐酸ソーダ、硫酸ニッケルよりなるメッキ浴を用いた
場合において、２４時間後、７２時′間後のそれぞれメ
ッキ被膜の表面の光沢度（基準を１０００とした相対値
）を測定した。尚、溶存酸素の測定は、東亜電波工業製
、ＤＯ−ＩＢ溶存酸素計（商品名）を用いて測定し、上
記光沢度の測定は、日本重色工業製、マイクロマルチフ
ォトメータ ＭＭＰ−１００１０Ｐ （商品名）を用い
て測定した。 この測定の結果を表１に示す。 （以下、余白） 表１ この表１の実験結果からも明らかなように、溶存酸素が
少ない方が、光沢度が優れており、従ってメッキ被膜上
にシミ等を生ずる虞れが少なくなることを示している。
亜燐酸ソーダ、硫酸ニッケルよりなるメッキ浴を用いた
場合において、２４時間後、７２時′間後のそれぞれメ
ッキ被膜の表面の光沢度（基準を１０００とした相対値
）を測定した。尚、溶存酸素の測定は、東亜電波工業製
、ＤＯ−ＩＢ溶存酸素計（商品名）を用いて測定し、上
記光沢度の測定は、日本重色工業製、マイクロマルチフ
ォトメータ ＭＭＰ−１００１０Ｐ （商品名）を用い
て測定した。 この測定の結果を表１に示す。 （以下、余白） 表１ この表１の実験結果からも明らかなように、溶存酸素が
少ない方が、光沢度が優れており、従ってメッキ被膜上
にシミ等を生ずる虞れが少なくなることを示している。
【実験例２】
無電解メッキに、日本カニゼン社製、シューマー ５Ｋ
−１００（商品名）のメッキ浴を用し）た場合の実験結
果を表２に示す。尚、測定装置等しま実験例１と同様で
ある。 （以下、余白） 表２ この表２の実験結果からも同様に溶存酸素の少ない水洗
水の方が優れていることがわかる。
−１００（商品名）のメッキ浴を用し）た場合の実験結
果を表２に示す。尚、測定装置等しま実験例１と同様で
ある。 （以下、余白） 表２ この表２の実験結果からも同様に溶存酸素の少ない水洗
水の方が優れていることがわかる。
【実験例３】
次に溶存酸素の多いものと少ないものとの抵抗値をそれ
ぞれ測定した結果を示す。 これは、無電解メッキを施した後、５分程度、次に示す
各個の溶存酸素の水洗水で水洗し、該水洗後のマスター
盤の表面抵抗を測定した場合であって、この表面抵抗の
測定値において、８．４ ｐｐｍの溶存酸素の場合
２〜３のような比率の測定結果になった。このよう
に溶存酸素の多いものと少ないものとの抵抗値は、溶存
酸素の少ないものが低抵抗になり、従って、この後の電
鋳の工程の際にも、メッキ被膜の形成を容易に行うこと
ができる。′ また、上述の実験結果からも明らかなように、溶存酸素
を除去あるいは減少させた水洗水を使用する場合には、
溶存酸素を除去あるいは減少させた水洗水のメッキ被膜
に対する影響が少ないため、例えば一時的に、無電解メ
ッキ後電鋳工程に入る前に、ストックしておく必要があ
る場合でも、この溶存酸素を除去あるいは減少させた水
洗水に漬けておくことができる。この場合には、従来の
ように乾燥の工程を付加する必要はなく、従って、作業
上の不便さを除くことができるだけでなく、更に、水の
濡れ性の維持も可能であり、作業上のみならず製品の品
質上も優れた製品を供給できることになる。 尚、上述の実施例においては、溶存酸素の減少を窒素を
吹き込んで行った例を説明したが、これ゛に限定されず
水洗水の溶存酸素の減少あるいは除去を行うことのでき
る手段であればいかなる手段を用いてもよい。例えば、
希ガス類を吹き込んで脱気したり、亜硫酸ソーダを溶解
して溶存酸素を除去あるいは減少させてもよい。 〔発明の効果〕 。 本発明のメッキ方法を用いることにより、シミの発生を
防止して爾後の工程に悪影響を与えることなく工程を進
めることができる。また、抵抗値の増加を防ぎ、従って
電鋳等の工程に際しても良好な電鋳を形成することがで
き、更に、乾燥工程が不要になることから、作業性を向
上させ、水に対する濡れ性も維持することができる。
ぞれ測定した結果を示す。 これは、無電解メッキを施した後、５分程度、次に示す
各個の溶存酸素の水洗水で水洗し、該水洗後のマスター
盤の表面抵抗を測定した場合であって、この表面抵抗の
測定値において、８．４ ｐｐｍの溶存酸素の場合
２〜３のような比率の測定結果になった。このよう
に溶存酸素の多いものと少ないものとの抵抗値は、溶存
酸素の少ないものが低抵抗になり、従って、この後の電
鋳の工程の際にも、メッキ被膜の形成を容易に行うこと
ができる。′ また、上述の実験結果からも明らかなように、溶存酸素
を除去あるいは減少させた水洗水を使用する場合には、
溶存酸素を除去あるいは減少させた水洗水のメッキ被膜
に対する影響が少ないため、例えば一時的に、無電解メ
ッキ後電鋳工程に入る前に、ストックしておく必要があ
る場合でも、この溶存酸素を除去あるいは減少させた水
洗水に漬けておくことができる。この場合には、従来の
ように乾燥の工程を付加する必要はなく、従って、作業
上の不便さを除くことができるだけでなく、更に、水の
濡れ性の維持も可能であり、作業上のみならず製品の品
質上も優れた製品を供給できることになる。 尚、上述の実施例においては、溶存酸素の減少を窒素を
吹き込んで行った例を説明したが、これ゛に限定されず
水洗水の溶存酸素の減少あるいは除去を行うことのでき
る手段であればいかなる手段を用いてもよい。例えば、
希ガス類を吹き込んで脱気したり、亜硫酸ソーダを溶解
して溶存酸素を除去あるいは減少させてもよい。 〔発明の効果〕 。 本発明のメッキ方法を用いることにより、シミの発生を
防止して爾後の工程に悪影響を与えることなく工程を進
めることができる。また、抵抗値の増加を防ぎ、従って
電鋳等の工程に際しても良好な電鋳を形成することがで
き、更に、乾燥工程が不要になることから、作業性を向
上させ、水に対する濡れ性も維持することができる。
第１図は本発明の詳細な説明するための水洗槽の模式図
である。 １・・、・水洗槽 ２・・・マスター盤 ５・・・水洗水 特 許 出 願 人 ソニー株式会社代理人 弁
理士 小泡 見回 田村榮
− 十発ＢＱ東施４列の水洗槽 第１図
である。 １・・、・水洗槽 ２・・・マスター盤 ５・・・水洗水 特 許 出 願 人 ソニー株式会社代理人 弁
理士 小泡 見回 田村榮
− 十発ＢＱ東施４列の水洗槽 第１図
Claims (1)
- メッキ被膜形成工程後、溶存酸素を除去または減少させ
た水で水洗する工程を有することを特徴とするメッキ方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12926985A JPS61288078A (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | メツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12926985A JPS61288078A (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | メツキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61288078A true JPS61288078A (ja) | 1986-12-18 |
Family
ID=15005404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12926985A Pending JPS61288078A (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | メツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61288078A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02251275A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-10-09 | Yamaha Corp | ウェハの洗浄方法 |
| JPH0598466A (ja) * | 1991-10-08 | 1993-04-20 | Ebara Yuujiraito Kk | ニツケル−クロムめつき方法およびこれに用いる装置 |
| JP2003041377A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-13 | Showa Denko Kk | Ｎｉ−Ｐめっき基材の洗浄方法、ならびに磁気ディスク基板のの製造方法および磁気ディスク基板 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5816071A (ja) * | 1981-07-22 | 1983-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | アルミニウム又はアルミニウム合金に異金属を形成させる方法 |
| JPS59219458A (ja) * | 1983-05-27 | 1984-12-10 | Nec Corp | 無電解銅メツキ膜の活性保持溶液 |
-
1985
- 1985-06-14 JP JP12926985A patent/JPS61288078A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5816071A (ja) * | 1981-07-22 | 1983-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | アルミニウム又はアルミニウム合金に異金属を形成させる方法 |
| JPS59219458A (ja) * | 1983-05-27 | 1984-12-10 | Nec Corp | 無電解銅メツキ膜の活性保持溶液 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02251275A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-10-09 | Yamaha Corp | ウェハの洗浄方法 |
| JPH0598466A (ja) * | 1991-10-08 | 1993-04-20 | Ebara Yuujiraito Kk | ニツケル−クロムめつき方法およびこれに用いる装置 |
| JP2003041377A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-13 | Showa Denko Kk | Ｎｉ−Ｐめっき基材の洗浄方法、ならびに磁気ディスク基板のの製造方法および磁気ディスク基板 |
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