JPS61286763A - 磁気ヘツド評価方法 - Google Patents
磁気ヘツド評価方法Info
- Publication number
- JPS61286763A JPS61286763A JP12896585A JP12896585A JPS61286763A JP S61286763 A JPS61286763 A JP S61286763A JP 12896585 A JP12896585 A JP 12896585A JP 12896585 A JP12896585 A JP 12896585A JP S61286763 A JPS61286763 A JP S61286763A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- film
- magnetic head
- soft magnetic
- head
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- Pending
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- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁気ヘッドの漏洩磁界強度、磁界分布等の基
本特性を評価するための磁気ヘッド評価方法に関し、磁
気ヘッドからの漏洩磁界を、面に垂直な方向に磁化容易
軸を有する軟磁性膜に転写し、この軟磁性膜のドメイン
構造を磁気光学効果を利用して読取ることにより、磁気
ヘッドの実際の磁界強度及び磁界分布等を直接的に測定
できるようにしたものである。
本特性を評価するための磁気ヘッド評価方法に関し、磁
気ヘッドからの漏洩磁界を、面に垂直な方向に磁化容易
軸を有する軟磁性膜に転写し、この軟磁性膜のドメイン
構造を磁気光学効果を利用して読取ることにより、磁気
ヘッドの実際の磁界強度及び磁界分布等を直接的に測定
できるようにしたものである。
従来の技術
試作された磁気ヘッドを評価する従来技術としては、
（イ）Ｆｉ１気記録媒体と組合せて記録再生特性を測定
して評価する方法。
して評価する方法。
（ロ）磁気ヘッド拡大モデルを作成し、ガウスメータ等
によって磁界強度、磁界分布を測定し、その測定結果か
ら実際の磁気ヘッドの磁界強度、磁界分布等を推定する
方法。
によって磁界強度、磁界分布を測定し、その測定結果か
ら実際の磁気ヘッドの磁界強度、磁界分布等を推定する
方法。
（ハ）有限要素法等の理論計算によって算出する方法。
等が知られている。 ・
発明が解決しよとする問題点
しかしながら、上述した従来の磁気ヘッド評価技術は、
何れの場合にも、間接的手段によって磁気ヘッド特性を
評価する方法であり、現実の磁気ヘッド特性との間には
ズレを生じる。
何れの場合にも、間接的手段によって磁気ヘッド特性を
評価する方法であり、現実の磁気ヘッド特性との間には
ズレを生じる。
例えば、磁気記録媒体と組合せて記録再生特性で評価す
る方法の場合には、実際に測定しているのは、磁気記録
媒体と磁気ヘッドとを含めた総合特性であり、磁気ヘッ
ドだけの特性を、磁気記録媒体の特性から分離して測定
することはできない６また、拡大モデルは実際の磁気ヘ
ッドとは異なるから、当然に実際の磁気ヘッドの特性と
は異なるものとなる。理論計算の場合も実際の磁気ヘッ
ド特性を正確に算出するのは極めて困難である。
る方法の場合には、実際に測定しているのは、磁気記録
媒体と磁気ヘッドとを含めた総合特性であり、磁気ヘッ
ドだけの特性を、磁気記録媒体の特性から分離して測定
することはできない６また、拡大モデルは実際の磁気ヘ
ッドとは異なるから、当然に実際の磁気ヘッドの特性と
は異なるものとなる。理論計算の場合も実際の磁気ヘッ
ド特性を正確に算出するのは極めて困難である。
問題点を解決するための手段
上述する従来の問題点を解決するため、本発明に係る磁
気ヘッド評価方法は、磁気ヘッドからの漏洩磁界を１面
に垂直な方向に磁化容易軸を有する軟磁性膜に転写し、
その時の前記軟磁性膜のドメイン構造を磁気光学効果を
利用して読取るようにしたものである。
気ヘッド評価方法は、磁気ヘッドからの漏洩磁界を１面
に垂直な方向に磁化容易軸を有する軟磁性膜に転写し、
その時の前記軟磁性膜のドメイン構造を磁気光学効果を
利用して読取るようにしたものである。
作用
本発明に係る磁気ヘッド評価方法は、実際の磁気ヘッド
の磁界強度及び磁界分布を、軟磁性膜のドメイン構造の
変化として転写し、この軟磁性膜のドメイン構造を磁気
光学効果を利用して、即ち、光が軟磁性膜のドメインの
磁化方向に応じてファラデイ旋光を受けることを利用し
て光学的に読出すものである。従って、実際の磁気ヘッ
ドの基本特性を、直接的に測定することが可能になる。
の磁界強度及び磁界分布を、軟磁性膜のドメイン構造の
変化として転写し、この軟磁性膜のドメイン構造を磁気
光学効果を利用して、即ち、光が軟磁性膜のドメインの
磁化方向に応じてファラデイ旋光を受けることを利用し
て光学的に読出すものである。従って、実際の磁気ヘッ
ドの基本特性を、直接的に測定することが可能になる。
また、磁気ヘッドと軟磁性膜との離隔距離を、実際の磁
気記録再生時における磁気記録媒体に対する前記磁気ヘ
ッドの離隔距離に設定することにより、実際の磁気記録
再生状態と実質的に同じ状態で、磁気ヘッドの磁界強度
及び磁界分布等を直接的に観測できる。磁気ヘッドと軟
磁性膜との間の離隔距離は、例えば軟磁性膜に形成され
る反射膜の膜厚によって任意に設定できる。
気記録再生時における磁気記録媒体に対する前記磁気ヘ
ッドの離隔距離に設定することにより、実際の磁気記録
再生状態と実質的に同じ状態で、磁気ヘッドの磁界強度
及び磁界分布等を直接的に観測できる。磁気ヘッドと軟
磁性膜との間の離隔距離は、例えば軟磁性膜に形成され
る反射膜の膜厚によって任意に設定できる。
実施例
第１図は本発明に係る磁気ヘッド評価方法の構成を示す
図である６図において、１は評価しようとする磁気ヘッ
ドである。磁気ヘッド１は、軟磁性膜の磁気光学効果を
利用する読出ヘッド２に近接して配置する。該読出ヘッ
ド２は、例えば第２図に示すように、光学的に透明な薄
いＧｄＧａガーネー２ト基板２ａの磁気へラド１と対向
する面倒に、軟磁性膜２ｂを被着し、軟磁性膜２ｂの上
に反射膜２Ｃを被着させた構造となっている。前記軟磁
性膜２ｂは光学的に透明で軟磁性を有するもの、例えば
ＹＳａＣａＦｅＧｅ系ガーネットを使用して、膜面に垂
直な方向に磁化容易軸を有する薄膜として形成されてい
る。
図である６図において、１は評価しようとする磁気ヘッ
ドである。磁気ヘッド１は、軟磁性膜の磁気光学効果を
利用する読出ヘッド２に近接して配置する。該読出ヘッ
ド２は、例えば第２図に示すように、光学的に透明な薄
いＧｄＧａガーネー２ト基板２ａの磁気へラド１と対向
する面倒に、軟磁性膜２ｂを被着し、軟磁性膜２ｂの上
に反射膜２Ｃを被着させた構造となっている。前記軟磁
性膜２ｂは光学的に透明で軟磁性を有するもの、例えば
ＹＳａＣａＦｅＧｅ系ガーネットを使用して、膜面に垂
直な方向に磁化容易軸を有する薄膜として形成されてい
る。
読出ヘッド２に磁気へラド１を近接して配置すると、軟
磁性膜２ｂのドメインが、磁気へラド１から生じる漏洩
磁束の垂直成分によって、膜面に垂直となる方向に磁化
される。磁気へラドｌは、磁気ギャップの両側の磁極が
互いに逆向きの磁界を発生するから、軟磁性膜２ｂのド
メインの磁化方向は、磁気ギャップの両側で互いに逆方
向となる。このドメイン信号を磁気光学効果を利用して
読出す、この実施例では、光源発生装置３から発生した
レーザ光等を、偏光子４を通して直線偏光させてビーム
スプリッタ５に供給し、ビームスプリッタ５を通った光
を、対物レンズ６により軟磁性膜ｚｂ上に集光する。こ
の集光を反射膜２Ｃで反射させ、再び対物レンズ６を通
してビームスプリッタ５で直角に曲げ、検光子７に通す
、この間、光は軟磁性膜２ｂのドメインの磁化方向に応
じて右または左にファラデイ旋光を受ける。第３図はこ
のファラディ旋光を示す図で、軟磁性膜２ｂのドメイン
が膜の下面側をＳ極、上面側をＮ極とする方向に磁化さ
れている場合（以下ＳＮ方向磁化と称する）には、膜の
下側から上側に向って右方向に旋光角θの旋光を受け、
これとは反対方向に磁化されている場合（以下ＮＳ方向
磁化と称する）には左方向に旋光角０の旋光を受ける。
磁性膜２ｂのドメインが、磁気へラド１から生じる漏洩
磁束の垂直成分によって、膜面に垂直となる方向に磁化
される。磁気へラドｌは、磁気ギャップの両側の磁極が
互いに逆向きの磁界を発生するから、軟磁性膜２ｂのド
メインの磁化方向は、磁気ギャップの両側で互いに逆方
向となる。このドメイン信号を磁気光学効果を利用して
読出す、この実施例では、光源発生装置３から発生した
レーザ光等を、偏光子４を通して直線偏光させてビーム
スプリッタ５に供給し、ビームスプリッタ５を通った光
を、対物レンズ６により軟磁性膜ｚｂ上に集光する。こ
の集光を反射膜２Ｃで反射させ、再び対物レンズ６を通
してビームスプリッタ５で直角に曲げ、検光子７に通す
、この間、光は軟磁性膜２ｂのドメインの磁化方向に応
じて右または左にファラデイ旋光を受ける。第３図はこ
のファラディ旋光を示す図で、軟磁性膜２ｂのドメイン
が膜の下面側をＳ極、上面側をＮ極とする方向に磁化さ
れている場合（以下ＳＮ方向磁化と称する）には、膜の
下側から上側に向って右方向に旋光角θの旋光を受け、
これとは反対方向に磁化されている場合（以下ＮＳ方向
磁化と称する）には左方向に旋光角０の旋光を受ける。
このファラディ旋光を受けた光の内、例えば右旋光だけ
を検光子７を通して受光系８に導く。
を検光子７を通して受光系８に導く。
受光系８は例えば干渉顕微鏡によって構成する。第４図
は干渉顕微鏡で見た軟磁性膜２ｂのドメイン構造であり
、ノイズドメインの中に、磁気ギャップＧの両側の磁極
から漏洩する磁界に依存した白領域（イ）及び黒領域（
ロ）のドメイン構造となっている。このドメイン構造は
、磁気へラド１が所定の磁界強度、磁界分布特性を持つ
場合には、この第４図または第５図に示すように、白黒
反転像（イ）、（ロ）として現われるが、磁気へラドｌ
が不良品である場合には、第６図に示すように、白黒反
転像が不明瞭で、メイズドメインだけとなる。従って、
ドメイン構造を観察することにより、磁気へラド１の磁
界強度及び磁界分布を視角的に直接的に測定することが
できる。磁気ヘッド１の漏洩磁束による軟磁性膜２ｂの
ドメイン構造は、前述のように、白黒反転像（イ）、（
ロ）として現われるので、受光系８を光−電気信号変換
系によって構成し、電気信号に変換された信号から、磁
気へラド１の特性を判定することもできる。
は干渉顕微鏡で見た軟磁性膜２ｂのドメイン構造であり
、ノイズドメインの中に、磁気ギャップＧの両側の磁極
から漏洩する磁界に依存した白領域（イ）及び黒領域（
ロ）のドメイン構造となっている。このドメイン構造は
、磁気へラド１が所定の磁界強度、磁界分布特性を持つ
場合には、この第４図または第５図に示すように、白黒
反転像（イ）、（ロ）として現われるが、磁気へラドｌ
が不良品である場合には、第６図に示すように、白黒反
転像が不明瞭で、メイズドメインだけとなる。従って、
ドメイン構造を観察することにより、磁気へラド１の磁
界強度及び磁界分布を視角的に直接的に測定することが
できる。磁気ヘッド１の漏洩磁束による軟磁性膜２ｂの
ドメイン構造は、前述のように、白黒反転像（イ）、（
ロ）として現われるので、受光系８を光−電気信号変換
系によって構成し、電気信号に変換された信号から、磁
気へラド１の特性を判定することもできる。
磁気へラドｌと軟磁性膜２ｂとの離隔距離は、実際の磁
気記録再生時における磁気記録媒体に対する磁気ヘッド
１の離隔距離に設定する。こうすることにより、実際の
磁気記録再生状態と実質的に同じ状態で、磁気へラド１
の磁界強度及び磁界分布等を直接的に観測できる０例え
ば、リジッドディスク装置等では、磁気へラド１は１ル
ｍ以下の一定の離隔距離を保って磁気記録媒体から浮上
して磁気記録再生が行なわれるから、磁気へラド１の評
価に当って、前記浮上高さに対応した離隔距離で、磁気
ヘッド１を軟磁性膜２ｂから離隔させるのである。
気記録再生時における磁気記録媒体に対する磁気ヘッド
１の離隔距離に設定する。こうすることにより、実際の
磁気記録再生状態と実質的に同じ状態で、磁気へラド１
の磁界強度及び磁界分布等を直接的に観測できる０例え
ば、リジッドディスク装置等では、磁気へラド１は１ル
ｍ以下の一定の離隔距離を保って磁気記録媒体から浮上
して磁気記録再生が行なわれるから、磁気へラド１の評
価に当って、前記浮上高さに対応した離隔距離で、磁気
ヘッド１を軟磁性膜２ｂから離隔させるのである。
磁気ヘッド１と軟磁性膜２ｂとの間の離隔距離は、軟磁
性膜２ｂに形成される反射膜２Ｃの膜厚の選定によって
任意に設定できる。反射膜２Ｃは真空蒸着、スパッタ等
の手法により形成されるため、サブミクロンの膜厚制御
は容易である。測定しようとする磁気へラド１を、この
反射膜２Ｃに接触させて配置することにより、実際に浮
上した状態での磁気ヘッド−媒体量離隔距離に等しい状
態で、磁気へラド１と軟磁性膜２ｂのの離隔距離を設定
でき、その状態での磁界分布、磁界強度等を直接観測で
きることになる。
性膜２ｂに形成される反射膜２Ｃの膜厚の選定によって
任意に設定できる。反射膜２Ｃは真空蒸着、スパッタ等
の手法により形成されるため、サブミクロンの膜厚制御
は容易である。測定しようとする磁気へラド１を、この
反射膜２Ｃに接触させて配置することにより、実際に浮
上した状態での磁気ヘッド−媒体量離隔距離に等しい状
態で、磁気へラド１と軟磁性膜２ｂのの離隔距離を設定
でき、その状態での磁界分布、磁界強度等を直接観測で
きることになる。
測定しようとする磁気ヘッド浮上高さがＯｐｍの場合に
は、反射膜２Ｃは形成せず、軟磁性膜２ｂに磁気ヘッド
１を接触させる。レーザ光等は、軟磁性膜２ｂと磁気ヘ
ッド１の表面との屈折率の違いにより反射されるので、
白黒のドメイン構造の像が得られる。
は、反射膜２Ｃは形成せず、軟磁性膜２ｂに磁気ヘッド
１を接触させる。レーザ光等は、軟磁性膜２ｂと磁気ヘ
ッド１の表面との屈折率の違いにより反射されるので、
白黒のドメイン構造の像が得られる。
第５図は反射膜２Ｃの厚さを０．２５ｐｍとした場合、
つまり磁気ヘッド浮上高さ０．２５ＪＬｍに対応した磁
気ヘッド１の漏洩磁界による軟磁性膜２ｂの磁化パター
ンの観測例である。
つまり磁気ヘッド浮上高さ０．２５ＪＬｍに対応した磁
気ヘッド１の漏洩磁界による軟磁性膜２ｂの磁化パター
ンの観測例である。
発明の効果
以上述べたように、本発明によれば、軟磁性膜に実際の
磁気ヘッドの磁界強度、磁界分布特性を転写し、軟磁性
膜のドメイン構造を磁気光学効果を利用して読取ること
により、実際の磁気ヘッドの基本特性、つまり磁界強度
や磁界分布特性等を、実際の磁気記録再生状態と同じ状
態で、直接的に測定することが可能になる。
磁気ヘッドの磁界強度、磁界分布特性を転写し、軟磁性
膜のドメイン構造を磁気光学効果を利用して読取ること
により、実際の磁気ヘッドの基本特性、つまり磁界強度
や磁界分布特性等を、実際の磁気記録再生状態と同じ状
態で、直接的に測定することが可能になる。
第１図は本発明に係る磁気ヘッド評価方法の構成を示す
図、第２図は同じくその読出ヘッドの断面図、第３図は
同じくそのファラディ旋光を示す図、第４図、第５図及
び第６図は本発明に係る磁気ヘッド評価方法において干
渉顕微鏡を通して見た軟磁性膜のドメイン構造を示す図
である。 １−・−磁気へラド ２１１・・読出ヘッド２ａψ争
・基板 ２ｂ・・・軟融性膜特許出願人
ティーディーケー株式会社ノＪ−１ｔｌｌｌイ１１ｔ
；ｔ＾ａＡ〜−−１−＾−ｐｑ第１図 第２図 第３図 第４図
図、第２図は同じくその読出ヘッドの断面図、第３図は
同じくそのファラディ旋光を示す図、第４図、第５図及
び第６図は本発明に係る磁気ヘッド評価方法において干
渉顕微鏡を通して見た軟磁性膜のドメイン構造を示す図
である。 １−・−磁気へラド ２１１・・読出ヘッド２ａψ争
・基板 ２ｂ・・・軟融性膜特許出願人
ティーディーケー株式会社ノＪ−１ｔｌｌｌイ１１ｔ
；ｔ＾ａＡ〜−−１−＾−ｐｑ第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (3)
- （１）磁気ヘッドからの漏洩磁界を、面に垂直な方向に
磁化容易軸を有する軟磁性膜に転写し、前記軟磁性膜の
ドメイン構造を磁気光学効果を利用して読取ることを特
徴とする磁気ヘッド評価方法。 - （２）前記磁気ヘッドと前記軟磁性膜との離隔距離を、
磁気記録媒体に対する前記磁気ヘッドの離隔距離に対応
した距離に設定したことを特徴とする特許請求の範囲第
１項に記載の磁気ヘッド評価方法。 - （３）前記磁気ヘッドと前記軟磁性膜との離隔距離は、
前記軟磁性膜に形成される反射膜の膜厚によって設定す
ることを特徴とする特許請求の範囲第２項に記載の磁気
ヘッド評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12896585A JPS61286763A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | 磁気ヘツド評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12896585A JPS61286763A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | 磁気ヘツド評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61286763A true JPS61286763A (ja) | 1986-12-17 |
Family
ID=14997792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12896585A Pending JPS61286763A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | 磁気ヘツド評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61286763A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03267782A (ja) * | 1990-03-17 | 1991-11-28 | Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center | 超電導体の磁気的内部性状検出方法および検出装置 |
| JPH0599900A (ja) * | 1991-10-11 | 1993-04-23 | Nippon Steel Corp | 光磁界探傷方法 |
| US6166807A (en) * | 1995-11-16 | 2000-12-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of urinalysis, urinalysis apparatus, method of measuring angle of rotation and polarimeter |
| JP2008128664A (ja) * | 2006-11-16 | 2008-06-05 | Fujitsu Ltd | 磁区観察方法、磁区観察装置および磁区観察プログラム |
-
1985
- 1985-06-13 JP JP12896585A patent/JPS61286763A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03267782A (ja) * | 1990-03-17 | 1991-11-28 | Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center | 超電導体の磁気的内部性状検出方法および検出装置 |
| JPH0599900A (ja) * | 1991-10-11 | 1993-04-23 | Nippon Steel Corp | 光磁界探傷方法 |
| US6166807A (en) * | 1995-11-16 | 2000-12-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of urinalysis, urinalysis apparatus, method of measuring angle of rotation and polarimeter |
| US6466320B1 (en) | 1995-11-16 | 2002-10-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of urinalysis, urinalysis apparatus, method of measuring angle of rotation and polarimeter |
| JP2008128664A (ja) * | 2006-11-16 | 2008-06-05 | Fujitsu Ltd | 磁区観察方法、磁区観察装置および磁区観察プログラム |
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