JPH0854452A - 磁場測定方法および磁場測定装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 磁気ヘッドなどの微小素子からの磁界強度
を、簡単な構造で高精度に測定できるようにする。 【構成】 磁気ヘッド１から発せられる磁界が磁性膜１
１に与えられる。磁気ヘッド１から発せられる測定すべ
き磁界方向が、磁性膜１１の磁化困難軸方向となる。発
光部２０の半導体レーザ２１から直線偏光の光が発せら
れ、集光レンズ２４により集光されて磁性膜１１に照射
される。磁気ヘッド１から磁界が与えられている部分の
磁性膜１１では、直線偏光の光の偏光面がファラデー効
果またはカー効果により回転させられる。磁性膜１１か
らの反射戻り光は、Ｐ波成分とＳ波成分とに分離され受
光素子３３と３４とで検出される。両受光素子からの受
光出力の差が偏光面の回転角に比例する。この回転角を
検出することにより、磁性膜１１に与えられる磁界の強
度が検出される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッドやその他の
電流を磁界に変換する素子などから生じる磁界の強度を
高精度に検出できるようにした磁場測定方法および磁場
測定装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気ヘッドなどの微小素子から発生する
磁界の強度を検出するのは従来より非常に困難とされて
いた。一方において、最近、磁界変調記録方式の光磁気
記録装置が製品化されており、この装置に使用される磁
気ヘッドの発生磁界の強度の測定が必要となっている。
また、その他の磁気を用いた各種記録装置においても記
録動作の精密性が求められており、発生磁界の強度を測
定して、製品検査などを高精度に行うことが求められて
いる。従来、磁気ヘッドなどの微小素子から発生する磁
界の強度を測定する手段として、Ｉターンコイルを用い
る測定方法や、電子線を用いた測定方法が報告されてい
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、Ｉターンコイ
ルを使用する磁界強度の測定では、検出感度が低く、ま
た空間分解能、特にスペーシング方向の分解能を十分に
確保できない欠点がある。また電子線を用いた測定で
は、測定に使用される装置が大がかりなものとなり設備
コストが高くなるのみならず、測定に時間がかかり、さ
らに測定しようとする磁気ヘッドなどと電子線との位置
合せが非常に難しい欠点がある。

【０００４】本発明は上記従来の課題を解決するもので
あり、磁気ヘッドやその他の微小素子から発せられる磁
界強度を高精度に測定することができ、且つ装置全体の
構造も簡単にできる磁場測定方法および磁場測定装置を
提供することを目的としている。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明による磁場測定方
法は、一軸異方性を有する磁性膜の磁化困難軸方向へ測
定すべき磁界を与え、磁界が与えられている磁性膜に直
線偏光の検出光を照射し、磁性膜を経た前記検出光の偏
光面の回転角を検出することにより前記磁界の強度を測
定することを特徴とするものである。

【０００６】また、本発明による磁場測定装置は、一軸
異方性を有する磁性膜と、磁性膜に磁界を与える磁界発
生部材と、磁性膜の磁界が与えられる部分に直線偏光の
検出光を照射する発光部と、磁性膜を経た前記検出光の
偏光面の回転角を検出する検出部とを有し、この検出部
にて検出される前記回転角により前記磁界発生部材から
磁性膜に与えられる磁界の強度が測定されることを特徴
とするものである。

【０００７】上記において、磁界発生部材から磁性膜に
与えられる被測定磁界の方向が、磁性膜の磁化困難軸方
向であることが好ましい。

【０００８】また、検出部により検出された回転角が信
号処理部により処理され、表示部に、磁性膜に与えられ
る磁界の強度が表示されるものである。

【０００９】上記において、磁界発生部材は、電流を磁
界に変換する素子により構成される。

【００１０】この場合に、検出部により検出された回転
角に対応する出力が信号処理部により処理され、磁界発
生部材に与えられた電流と、磁性膜に与えられる磁界の
強度との関係が表示部に表示されるものとすることが可
能である。

【００１１】

【作用】上記磁場測定方法および磁場測定装置は、磁性
膜に直線偏光の検出光を与えると、磁性膜を経た光の偏
光面の回転角度が磁性膜の磁化の強さに応じて変化する
ことを利用している。直線偏光の検出光が磁性膜を透過
すると、ファラデー効果により、磁化の強さに比例して
偏光面の回転角が入射光の偏光面に対して回転する。入
射光に対する透過光の偏光面の回転角はθF（ファラデ
ー回転角）で表わされる。また、直線偏光の検出光が磁
性膜から反射されると、カー効果により、磁化の強さに
比例して偏光面の回転角が入射光の偏光面に対して回転
する。入射光に対する反射光の偏光面の回転角はθk
（カー回転角）で表わされる。

【００１２】上記手段では、測定すべき磁界、すなわち
被測定物となる磁界発生部材からの磁界を磁性膜に与え
て磁性膜を磁化させ、直線偏光の検出光を磁性膜の前記
磁界が与えられている部分に照射し、磁性膜の透過光あ
るいは磁性膜からの反射光に対し前記ファラデー回転角
θFまたはカー回転角θkを検出する。これにより、磁性
膜の磁化の強さ、すなわち磁性膜に与えられる磁界の強
度を測定することが可能となる。

【００１３】ここで、磁性膜としては一軸異方性を有す
るものが使用される。測定すべき磁界を磁性膜の磁化容
易軸方向へ与えると、比較的小さい磁界により磁性膜が
磁化される。ただし、この場合には磁性膜に保磁力が生
じて、外部から与えられる磁界と磁性膜の磁化との間に
ヒステリシス特性が生じ、磁性膜の保磁力により残留磁
化が生じる。

【００１４】これに対し、本発明の好ましい例では、測
定すべき磁界の方向を磁性膜の磁化困難軸方向とするこ
とを特徴としている。磁性膜の磁化困難軸方向へ測定す
べき磁界Ｈを与えた場合、与える磁界Ｈが磁性膜の異方
性磁界Ｈk以下では、磁性膜の磁化Ｍと、与えられる磁
界Ｈの強さとが比例する。また、磁界ＨがＨk以上とな
ると、磁性膜が飽和磁化Ｍｓとなり、磁化の強さは一定
になる。直線偏光の検出光が磁性膜に与えられると、そ
の透過光の偏光面の回転角θFまたは反射光の偏光面の
回転角θkは磁性膜の磁化の強さに比例する。したがっ
て、磁性膜に与える磁界がＨk以下であれば、磁界Ｈの
強さは、前記回転角θFまたはθkに比例する。

【００１５】上記手段では、検出部にて回転角θFまた
はθkを検出することにより、磁性膜に与えられる磁界
Ｈの強さを検出できることになる。この回転角の検出出
力を信号処理部にて処理し、これを表示することによ
り、被測定物となる磁界発生部材からの磁界の強度を高
精度に検出できることになる。

【００１６】また、磁性膜に磁界を与える磁界発生部材
が、例えば磁気ヘッドのように電流を磁界に変換する素
子である場合に、磁界発生部材に与えられる電流値に応
じて磁性膜に与えられる磁界Ｈが変化する。したがっ
て、磁性膜を経た検出光の偏光面の回転角θFまたはθk
は、磁界発生部材に与えられる電流に応じて変化するこ
とになる。信号処理部では前記回転角θFまたはθkに基
づいて磁性膜の磁化Ｍの強さを換算し、表示部において
磁界発生部材に与えられる電流値Ｉｉと磁性膜の磁化Ｍ
の強さ（磁性膜に与えられる磁界Ｈの強さ）との関係を
グラフなどにより表示することが可能である。

【００１７】ここで、一定の強さの磁界を発生するもの
であって、発生磁界の強度がホール素子などを使用した
測定により予め解っている電磁石あるいは永久磁石など
の参照磁界発生体を使用し、この参照磁界を磁性膜に与
えて、磁性膜に与えられる磁界Ｈの強度と回転角θFま
たはθkすなわち磁性膜の磁化Ｍとの関係を求めてお
く。そして被測定物となる磁気ヘッド（電流を磁界に変
換する素子）から磁性膜に磁界Ｈを与え、そのときの回
転角θFまたはθkを測定する。この測定値と、一定の磁
界の電磁石などを使用したときのＨとθF，θkまたはＨ
とＭとの関係とから、磁気ヘッドなどに与えられる電流
値Ｉｉと、磁気ヘッドなどから発せられる磁界Ｈの強度
との関係を知ることができる。信号処理部において、こ
の演算を行い、表示部に磁気ヘッドなどに与えられる電
流値Ｉｉと、磁気ヘッドなどから発せられる磁界Ｈの強
度との関係として表示すれば、被測定物である磁気ヘッ
ドなどの素子の、供給電流と発生磁界との関係を測定す
ることが可能となる。

【００１８】

【実施例】以下、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明による磁場測定装置のブロック図であ
る。以下では、この磁場測定装置の構造および、磁場測
定装置を使用した磁場測定方法について説明する。図１
に示す例では、磁性膜に磁界Ｈを与える磁界発生部材と
して、電流を磁界に変換する素子すなわち磁気ヘッド１
が用いられ、磁場測定の被測定物が磁気ヘッド１となっ
ている。

【００１９】図１に示す磁気ヘッド１は、例えば光磁気
記録装置において光磁気ディスクに垂直方向の磁界を与
える垂直磁界型である。その構造は、図２に示すように
Ｉ型のセンターコア１ａの両側にＣ型のサイドコア１
ｂ，１ｂが接合されて一対の磁気ギャップＧが形成され
ている。コイル１ｃはＩ型コア１ａに巻かれている。光
磁気ディスクなどの記録媒体を用いた記録動作では、こ
の磁気ヘッド１から記録媒体に対して垂直方向（Ｚ方
向）への磁界が与えられる。磁場測定装置では、ガラス
基板などの透明基板１０の磁気ヘッド側の面に、磁性膜
１１が形成されている。磁性膜１１の膜厚は数１００オ
ングストローム程度である。磁性膜１１は例えばＣｏ−
Ｎｉ−Ｃｒ系合金膜などの面内磁化膜である。すなわち
磁性膜１１は面方向（Ｘ方向）に一軸異方性を有してお
り、面方向（Ｘ方向）が磁化容易軸方向となっている。
よって測定すべき磁気ヘッド１からの垂直磁界方向（Ｚ
方向）に対して、磁性膜１１は磁化困難軸方向となって
いる。

【００２０】磁性膜１１は数１００オングストローム程
度の薄いものである。薄い磁性膜１１の場合には、検出
光が磁性膜１１を透過し、ファラデー効果により、透過
した検出光の偏光面が入射光の偏光面に対して回転す
る。検出する偏光面の回転角をθFで示す。磁性膜１１
に対する透過光を検出するものであるために、磁性膜１
１の下面にはアルミニウム（Ａｌ）などの反射膜１２が
積層されている。この反射膜１２は、磁性膜１１の保護
膜としても機能する。反射膜１２の膜厚は数１００オン
グストロームである。

【００２１】図１に示すように、磁界発生部材（被測定
物）である磁気ヘッド１は、Ｘ−Ｙ−Ｚの三次元方向へ
の位置を変化できるステージ１５上に固定されている。
磁気ヘッド１上に対し、非磁性材料のスペーサ１４を介
して前記反射膜１２が密着して設けられる。スペーサ１
４の厚さを、磁気ヘッド１が光磁気記録装置などに搭載
されたときの記録媒体との実際のスペーシング量に対応
させておくことにより、磁気ヘッド１が記録動作に使用
される際の記録媒体に与えられる磁界Ｈを測定すること
が可能である。また、スペーシングを介しての磁界Ｈの
強度の測定を必要としない場合には、スペーサ１４を省
略してもよい。発光部２０には、直線偏光の光を発生す
る発光素子として半導体レーザ２１が設けられている。
この半導体レーザ２１は、ケース内に半導体チップが封
入されたものである。半導体レーザ２１から発せられる
発散光は、コリメートレンズ２２により平行光とされ、
ビームスプリッタ２３を経て、集光レンズ２４により集
束され透明基板１０を透過して磁性膜１１に検出光とし
て照射される。

【００２２】検出部３０は、反射膜１２から反射され、
さらにビームスプリッタ２３により直角方向へ反射され
た検出光の戻り光を集束させる集束レンズ３１を有して
いる。集束光の経路には、戻り光をＰ波成分とＳ波成分
とに分離する偏光ビームスプリッタ３２が設けられてい
る。また戻り光のＰ波成分とＳ波成分はそれぞれ受光素
子であるピンホトダイオード３３と３４により受光され
る。差分出力器３５では、ピンホトダイオード３３にて
光電変換された検出電流とピンホトダイオード３４にて
光電変換された検出電流との差となる検出電流Ｉ0が得
られる。この検出電流Ｉ0は、戻り光のＰ波成分の光電
変換出力とＳ波成分の光電変換出力の差であり、磁性膜
１１でのファラデー効果による回転角、すなわち入射光
の直線偏光の偏光面に対する磁性膜１１の透過光の偏光
面の回転角θFに比例したものとなる。また磁気ヘッド
１に設けられている前記コイル１ｃに電流を与える電流
供給部３６からは、コイル１ｃに与える電流値Ｉｉが検
出される。前記検出電流Ｉ0と、コイル１ｃに与えられ
る電流値Ｉｉは、信号処理部４１に与えられる。信号処
理部４１では、検出電流Ｉ0に基づいて、磁性膜１１の
磁化Ｍの強さ（磁性膜１１に与えられる磁界Ｈの強さ）
が検出される。

【００２３】次に、上記構造の磁場測定装置を用いた磁
場測定方法について説明する。Ｘ−Ｙ−Ｚステージ１５
上に、磁界発生部材（被測定部材）である磁気ヘッド１
を固定し、その上にスペーサ１４を設置し、さらにその
上に透明基板１０に磁性膜１１と反射膜１２とが積層さ
れたものを密着して設置する。ステージ１５をＸ−Ｙ−
Ｚ方向へ移動して、磁気ヘッド１の磁気ギャップＧの部
分を、集光レンズ２４からの検出光の照射領域に一致さ
せる。そして、半導体レーザ２１から発せられた直線偏
光の検出光を集束させて磁性膜１１に照射する。そし
て、磁気ヘッド１から磁性膜１１に磁界Ｈを与え、磁性
膜１１を透過し反射膜１２により反射された戻り光をピ
ンホトダイオード３３と３４とで受光する。

【００２４】この実施例では、磁界発生部材である磁気
ヘッド１から磁性膜１１に与えられる被検出磁界が垂直
磁界（Ｚ方向磁界）であるのに対し、磁性膜１１は面内
磁化膜であり、Ｚ方向が磁化困難軸となっている。この
場合、図３に示すように、磁性膜１１に与えられる磁界
Ｈの強さが磁性膜の異方性磁界Ｈk以下である場合に
は、磁性膜１１に与えられる磁界Ｈの強さは、磁性膜１
１の磁化Ｍの大きさに比例する。また、磁界ＨがＨk以
上となると、磁性膜１１は飽和磁化Ｍｓとなり一定の値
となる。よって磁界ＨがＨk以下の範囲では、磁気ヘッ
ド１からの垂直磁界Ｈの大きさと、磁性膜１１の磁化Ｍ
の大きさとが比例する。磁性膜１１の磁化Ｍの大きさ
は、磁化膜１１を透過する直線偏光の光での偏光面の回
転角（ファラデー回転角）θFに比例し、この回転角θF
は検出電流Ｉ0として得ることができる。よって、信号
処理部４１では、検出電流Ｉ0を検出することにより、
磁性膜１１の磁化Ｍの大きさ、およびこれに比例する磁
気ヘッド１からの磁界Ｈの大きさを認識できることにな
る。

【００２５】信号処理部４１は、マイクロコンピュータ
などデジタル演算が可能なものが好ましく使用される。
信号処理部４１がデジタル演算部である場合、検出電流
Ｉ0とコイル１ｃへ供給される電流値Ｉｉはアナログ／
デジタル変換部によりデジタル値に変換されてから演算
がなされる。または電流値Ｉ0とＩｉは、電流／電圧変
換部により電圧値に変換され、さらにデジタル値に変換
されてからデジタル演算される。または、ピンホトダイ
オード３３と３４の検出電流を電流／電圧変換部により
電圧値に変換し、差分出力器３５により両検出電圧の差
を出力させ、さらにこれをデジタル変換してから信号処
理部４１にてデジタル演算してもよい。これらの演算結
果はディスプレイを備えた表示部４３により表示され
る。または検出された電流Ｉ0とＩｉに対し、信号処理
部４１においてアナログ回路により処理し、これをシン
クロスコープなどの表示部４３に直接表示してもよい。

【００２６】信号処理部４１による処理方法と表示部４
３での表示方法として、まず単純に磁気ヘッド１のコイ
ル１ｃに与えられる電流値Ｉｉを予め決められていた比
例直線に基づいて連続的に増加させていき、このときの
検出電流Ｉ0を表示部４３の画面上にてレベル表示しま
たは表示部４３にて数値表示することが可能である。こ
れにより、コイル１ｃに与えられる電流値Ｉｉの増加に
対する磁性膜１１の磁化Ｍの増加傾向（発生磁界Ｈの増
加傾向）を知ることができる。

【００２７】また、磁性膜１１に与えられる磁界Ｈに対
する磁性膜１１の磁化Ｍの応答性が非常に速いものであ
るため、コイル１ｃに交流電流を与え、磁気ヘッド１に
より交流磁界Ｈを発生させると、高い応答性で検出電流
Ｉ0を変化させることができる。よって、交流により検
出される電流Ｉ0を、信号処理部４１によりデジタル処
理あるいはアナログ処理して、表示部４３の画面（アナ
ログ処理の場合にはシンクロスコープ画面など）に表示
すれば、交流磁界Ｈの強度変化を知ることができ、また
交流磁界の強度（振幅）を測定することも可能である。
さらに、予め磁界強度が解っている参照磁界を使用する
ことにより、コイル１ｃに供給される電流値Ｉｉに対す
る磁気ヘッド１の発生磁界Ｈの関係を知ることが可能で
ある。

【００２８】この場合の参照磁界発生体としては、一定
強度の磁界を発生するものであって、且つホール素子な
どを用いた測定によって予め前記磁界の大きさが解って
いる電磁石や永久磁石などが使用される。この参照磁界
発生体を図１に示す磁気ヘッド１の代わりに設置し、磁
性膜１１に一定の磁界を与える。このとき、磁界強度を
比例的に変えた複数段の強度の参照磁界を磁性膜１１に
与えることが好ましい。この参照磁界を磁性膜１１に与
えて、検出電流Ｉ0を得る。予め解っている参照磁界発
生体の参照磁界Ｈと、検出電流Ｉ0とから、図５（イ）
に示すように、磁性膜１１に与えられる磁界Ｈの大きさ
と検出電流Ｉ0との関係線図が得られる。

【００２９】この磁界Ｈの大きさと検出電流Ｉ0との関
係（図５の（イ））をデジタル値として記憶部４２に記
憶させておく。次に、被測定物（磁界発生部材）である
磁気ヘッド１を図１に示すように設置し、磁気ヘッド１
のコイル１ｃに与える電流値Ｉｉを直線的に増加してい
き、そのときの検出電流Ｉ0の変化を検出する。信号処
理部４１によりデジタル演算処理することにより、図５
（ロ）に示すように、コイル１ｃへの供給電流値Ｉｉと
回転角θFに基づく検出電流Ｉ0との関係が求められる。
ここで記憶部４２に記憶されている図５（イ）で示す検
出電流Ｉ0と磁界Ｈとの関係を参照する。磁気ヘッド１
を設置して検出された図５（ロ）の検出電流Ｉ0に対
し、図５（イ）での磁界Ｈを当てはめることにより、図
５（ハ）で示す電流Ｉｉと磁界Ｈとの関係を求めること
ができる。

【００３０】以上の演算処理は、例えば参照磁界発生体
を用いたときの測定で、検出電流Ｉ0を磁界Ｈの関数と
して求める。次に被測定物である磁気ヘッド１を設置し
て検出電流Ｉ0を得たとき、Ｉ0をＩｉの関数として求め
る。両関数からＩ0を消去することにより、コイル１ｃ
への電流値Ｉｉと磁界Ｈとの関係を算出できる。これを
表示部４３の画面に表示したのが図５（ハ）である。図
５（ハ）に示すように、コイル１ｃに与える電流値Ｉｉ
と磁気ヘッド１から発せられる磁界Ｈとの関係を知るこ
とにより、磁気ヘッドそのものの電流−磁界特性を知る
ことができ、磁気ヘッドの磁気特性の評価が可能にな
る。

【００３１】また、参照磁界発生体を用いることによ
り、図５（ハ）に示すように、電流値Ｉｉの直線的な変
化に対する発生磁界Ｈの変化を知ることができるのみな
らず、コイル１ｃに交流電流Ｉｉを与えたときの、この
交流電流Ｉｉに対する発生磁界Ｈの変化の関係を知るこ
とも可能である。また、磁性膜１１の飽和磁界Ｍｓを、
磁気ヘッド１のコアの飽和磁界よりも大きくしておく
と、図４に示すように、コイルへの電流値Ｉｉに対する
磁気ヘッド１からの発生飽和磁界Ｈｓを知ることも可能
である。コイルへの電流値Ｉｉに対する発生磁界Ｈの変
化、および飽和磁界Ｈｓを知ることにより、磁気ヘッド
の特性を十分に把握できる。

【００３２】この磁場測定装置および測定方法では、検
出できる磁界Ｈの空間分解能が、集光レンズ２４により
集束されて磁性膜１１に照射される検出光のスポット径
とスペーサ１４の厚さの精度とで決められる。スポット
サイズは半導体レーザ２１の発光波長に比例し、集光レ
ンズ２４の開口数ＮＡに反比例するが、スポット径を１
μｍ程度とすることは可能である。スペーサ１４の厚さ
は数μｍであるため、磁界Ｈはμｍ立方程度の空間内で
の分解能にて検出することができる。

【００３３】次に、図１に示したのと逆に、磁界発生部
材である磁気ヘッドあるいはその他の素子の面内磁界成
分（Ｘ方向の磁界成分）を検出する場合には、磁性膜１
１として垂直磁化膜が使用され、磁界測定方向であるＸ
方向が磁化困難軸とされる。この垂直磁化膜としては、
Ｇｄ−Ｃｏ系磁性膜、またはＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系磁性膜
などが使用される。また、磁性膜１１が検出光を反射す
るものである場合には、反射膜１２は不要であり、また
偏光面の回転角はカー回転角θkとして検出される。た
だし検出電流Ｉ0は図１と同様に、ピンホトダイオード
３３と３４との出力値の差から求めることができる。

【００３４】以上のように、本発明の磁場測定装置およ
び磁場測定方法では、磁気ヘッドなどの微小素子から発
せられる磁界の強度を高精度にて測定することが可能で
ある。また、この磁場測定装置を使用して、電流変換器
を構成することが可能である。この電流変換器は、磁気
ヘッド１などのような電流を磁界に変換する素子と、こ
の素子からの磁界が与えられる一軸異方性の磁性膜１１
と、この磁性膜１１に直線偏光の検出光を与える発光部
２０と、磁性膜１１を透過したまたは磁性膜１１から反
射された光の偏光面の入射光の偏光面に対する回転角
（θFまたはθk）を検出し回転角に応じた検出電流Ｉ0
を得る検出部３０とから構成される。

【００３５】この電流変換器では、磁気ヘッド１などの
磁界発生素子１のコイルなどに所定の電流値Ｉｉを与え
ると、この電流値Ｉｉに関連した検出電流Ｉ0が得られ
る。ＩｉとＩ0との関係は、磁気ヘッド１などの磁界発
生素子の磁気特性と、磁性膜１１の磁化特性に応じたも
のとなる。また電流ＩｉとＩ0から、電流値に比例する
電圧ＶｉとＶ0との関係を得る変換器とすることも可能
である。この変換器において、Ｉｉを入力信号、Ｉ0を
出力信号とすると、ノイズカットフィルタとして使用す
ることができる。または磁気ヘッド１などの磁界発生素
子のインピーダンスを加味した高周波信号の変換装置、
あるいは高周波信号のノイズフィルタなどとして使用す
ることが可能となる。

【００３６】

【発明の効果】以上のように、本発明による磁場測定方
法および磁場測定装置では、磁気ヘッドなどの微小素子
から発せられる磁界の強さの変化を高精度な電気信号と
して検出することが可能である。特に、磁性膜の磁化困
難軸方向を、測定すべき磁界方向とすることにより、磁
性膜に与えられる磁界の強度と偏光面の回転角に基づく
出力とを比例関係にすることができる。

【００３７】また信号処理部と表示部を設けることによ
り、磁性膜に与えられる磁界の強度や磁性膜の磁化状態
を表示できるのみならず、磁界発生部材に与えられる電
流と、磁界発生部材から磁性膜に与えられる磁界の大き
さとの関係などを表示することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による磁場測定方法を示す構成ブロック
図、

【図２】磁界発生部材である磁気ヘッドと磁性膜との関
係を示す拡大正面図、

【図３】磁性膜に与えられる磁界と磁性膜の磁化との関
係を示す線図、

【図４】磁界発生部材である磁気ヘッドに与えられる電
流と磁性膜に与えられる磁界との関係を示す線図、

【図５】（イ）（ロ）（ハ）は、表示部に表示された測
定線図の説明図、

【符号の説明】

１ 磁界発生部材（磁気ヘッド） １０ 透明基板 １１ 磁性膜 １２ 反射膜 ２０ 発光部 ３０ 検出部 ３５ 差分出力器 ４１ 信号処理部 ４３ 表示部

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一軸異方性を有する磁性膜の磁化困難軸
   方向へ測定すべき磁界を与え、磁界が与えられている磁
   性膜に直線偏光の検出光を照射し、磁性膜を経た前記検
   出光の偏光面の回転角を検出することにより前記磁界の
   強度を測定することを特徴とする磁場測定方法。
2. 【請求項２】 一軸異方性を有する磁性膜と、磁性膜に
   磁界を与える磁界発生部材と、磁性膜の磁界が与えられ
   る部分に直線偏光の検出光を照射する発光部と、磁性膜
   を経た前記検出光の偏光面の回転角を検出する検出部と
   を有し、この検出部にて検出される前記回転角により前
   記磁界発生部材から磁性膜に与えられる磁界の強度が測
   定されることを特徴とする磁場測定装置。
3. 【請求項３】 磁界発生部材から磁性膜に与えられる被
   測定磁界の方向が、磁性膜の磁化困難軸方向である請求
   項２記載の磁場測定装置。
4. 【請求項４】 検出部により検出された回転角が信号処
   理部により処理され、表示部に磁性膜に与えられる磁界
   の強度が表示される請求項２または３記載の磁場測定装
   置。
5. 【請求項５】 磁界発生部材が、電流を磁界に変換する
   素子である請求項２または３記載の磁場測定装置。
6. 【請求項６】 検出部により検出された回転角に対応す
   る出力が信号処理部により処理され、磁界発生部材に与
   えられた電流と、磁性膜に与えられる磁界の強度との関
   係が表示部に表示される請求項５記載の磁場測定装置。