SU1691796A1 - Способ неразрушающего контрол намагниченности насыщени магнитных пленок - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к технике измерени  магнитных параметров и может быть использовано дл  неразрушающего локального экспресс-контрол  намагниченности насыщени  пленок с осью легкого намагничивани , расположенной в плоскости пленки Цель изобретени  - повышение точности измерений - достигаетс  тем, что переменное магнитное поле направлено в плоскости пленки, а регистрацию переменной составл ющей оптического сигнала провод т при использовании тангенциального магнитооптического эффекта. 2 ил

Description

Изобретение относитс  к технике измерени  магнитных параметров материалов и может быть использовано дл  неразрушающего локального экспресс-контрол  намагниченности насыщени  пленок с осью легкого намагничивани  (ОЛН), расположенной в плоскости пленки

Целью изобретени   вл етс  повышение точности измерений.

Поставленна  цель достигаетс  тем, что в способе, заключающемс  в намагничивании пленки посто нным магнитным полем в нормальном к ее плоскости направлении, дополнительном воздействии переменным магнитным полем с амплитудой, меньшей намагниченности насыщени  материала пленки, и определении намагниченности насыщени  в момент равенства нулю регистрируемой переменной составл ющей сигнала , пропорционального магнитооптическому эффекту, дополнительное переменное магнитное поле прикладывают в плоскости пленки с амплитудой, в 2-3 раза превышающей коэрцитивную силу материала пленки, и регистрируют переменную составл ющую тангенциального магнитооптического эффекта - экваториального или меридионального эффекта Керра при использовании отраженного света или эффекта Фогта при использовании прошедшего света

Величина амплитуды модулирующего пол , в 2-3 раза превышающа  коэрцитив- ность материала, определ етс  необходимостью перемагничивани  пленки в ее плоскости дл  повышени  чувствительности регистрации.

На фиг. 1 представлена зависимость экватора зльного эффекта Керра в пленке с ОЛН, расположенной в ее плоскости от величины внешнего магнитного пол , на фиг, 2 - блок-схема устройства, реализующего способ.

(Л

С

о о

г

VJ

Ч)

а

Контролируют эпитаксиальную пленку феррограната иттри , выращенную на подложке гадолиний-галлиевого граната с ориентацией (III).

Образец освещают лучом лазера 1. Намагничивают образец посто нным магнитным полем Н. При этом вектор намагниченности ленки выходит из ее плоскости и разворачиваетс  по направлению внешнего пол . Одновременно воздействие слабого переменного пол  Н в плоскости пленки приводит к колебанию составл ющей вектора намагниченности в плоскости пленки, что регистрируетс  при помощи экваториального эффекта Керра с помощью фотоприемника 2. Когда посто нное магнитное поле развернет вектор намагниченности нормально к пленке, составл юща  намагниченности в плоскости образца 3 исчезнет, и эффект Керра будет равен нулю. Поле насыщени  определ ют в момент равенства нулю эффекта Керра.

Claims (1)

1. Формула изобретени  Способ неразрушающего контрол  намагниченности насыщени  магнитных пленок , включающий намагничивание пленки

   посто нным магнитным полем, перпендикул рным плоскости пленки, изменение величины этого пол , воздействие на пленку переменным магнитным полем с амплитудой , меньшей намагниченности насыщени 

   пленки, освещение пленки лучом пол ризованного света, регистрацию оптического сигнала и определение величины намагниченности насыщени  пленки в момент равенства нулю регистрирующей переменной

   составл ющей оптического сигнала, отличающийс  тем, что, с целью повышени  точности измерени , переменное магнитное поле направлено в плоскости пленки, а регистрацию переменной составл ющей

   оптического сигнала провод т при использовании тангенциального магнитооптического эффекта.

   &1 3

   №/./

   н

   н Шиг2