JPS594670B2 - 磁場分布測定装置 - Google Patents
磁場分布測定装置Info
- Publication number
- JPS594670B2 JPS594670B2 JP51125266A JP12526676A JPS594670B2 JP S594670 B2 JPS594670 B2 JP S594670B2 JP 51125266 A JP51125266 A JP 51125266A JP 12526676 A JP12526676 A JP 12526676A JP S594670 B2 JPS594670 B2 JP S594670B2
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- magnetic field
- thin film
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は永久磁石、磁気記録媒体等から発生する磁場の
分布を磁気光学的に測定する装置に関するものである。
分布を磁気光学的に測定する装置に関するものである。
従来、磁気光学的に磁場分布を測定する装置としては（
１）パーマロイ薄膜を用いて磁気テープの転写を行い、
ロンジチユジナル・カー効果により検出する方法、（１
１）磁性流体を用いる方法がある。
１）パーマロイ薄膜を用いて磁気テープの転写を行い、
ロンジチユジナル・カー効果により検出する方法、（１
１）磁性流体を用いる方法がある。
（１）の方法を利用した装置の１例を図１に示す。これ
は反射率の悪い磁気テープ（テープ２１及び磁性体塗布
膜２２より成る）に記録された記録パターンを光学的に
読み出すために、一旦反射率の良いパーマイロ薄膜２３
に密着転写してその転写されたパターンを磁気カー効果
を利用して読み出す方式である。ここで用いているパー
マロイ薄膜２３の磁化容易軸は膜面に平行な面内にある
為、磁気カー効果としては膜面になるべく平行方向から
偏向光を入射させるいわゆるロンジチユジナル・カー効
果を用いる必要がある。この場合の磁気光学系において
は、レンズ２４によつて光源２５の光を平行光束にし、
ポーラライザー２６によつて偏向にし、転写膜２３で反
射させてアナライザー２７によつて偏光角を検知し、そ
れを集束して光量計２８ないしは目等によつて検出する
。この方式の欠点はパーマロイ薄膜の磁化容易軸が膜面
内にあるため、微小面積を磁化すると反磁場効果により
外部磁場に忠実なパターンが出来ないこと、及び、斜め
から像を観察するのでコントラストが悪く像が歪んでし
まう点である。（１１）の方法は磁性流体と呼ばれる強
磁性体の微粒子を溶液中に入れ、外部の磁場勾配に従つ
て微粒子が配列する性質を利用したもので、永久磁石、
磁気テープ等の観察が出来る。
は反射率の悪い磁気テープ（テープ２１及び磁性体塗布
膜２２より成る）に記録された記録パターンを光学的に
読み出すために、一旦反射率の良いパーマイロ薄膜２３
に密着転写してその転写されたパターンを磁気カー効果
を利用して読み出す方式である。ここで用いているパー
マロイ薄膜２３の磁化容易軸は膜面に平行な面内にある
為、磁気カー効果としては膜面になるべく平行方向から
偏向光を入射させるいわゆるロンジチユジナル・カー効
果を用いる必要がある。この場合の磁気光学系において
は、レンズ２４によつて光源２５の光を平行光束にし、
ポーラライザー２６によつて偏向にし、転写膜２３で反
射させてアナライザー２７によつて偏光角を検知し、そ
れを集束して光量計２８ないしは目等によつて検出する
。この方式の欠点はパーマロイ薄膜の磁化容易軸が膜面
内にあるため、微小面積を磁化すると反磁場効果により
外部磁場に忠実なパターンが出来ないこと、及び、斜め
から像を観察するのでコントラストが悪く像が歪んでし
まう点である。（１１）の方法は磁性流体と呼ばれる強
磁性体の微粒子を溶液中に入れ、外部の磁場勾配に従つ
て微粒子が配列する性質を利用したもので、永久磁石、
磁気テープ等の観察が出来る。
この方式の特長は、特に光学系を必要としないで磁石と
か磁気テープの発生する磁場に反応した状態を目で観察
出来る点にある。しかし欠点としては、磁場そのもので
はなくて磁場勾配に反応すること、磁場の極性が判断で
きないこと、微小な面積の観察が出来ないこと等がある
。本発明はこれらの欠点を除去し微小面積でもコントラ
スト良くしかも像の歪みなしに精密高感度で磁場分布が
測定できる磁場分布測定装置を提供しようとするもので
ある。
か磁気テープの発生する磁場に反応した状態を目で観察
出来る点にある。しかし欠点としては、磁場そのもので
はなくて磁場勾配に反応すること、磁場の極性が判断で
きないこと、微小な面積の観察が出来ないこと等がある
。本発明はこれらの欠点を除去し微小面積でもコントラ
スト良くしかも像の歪みなしに精密高感度で磁場分布が
測定できる磁場分布測定装置を提供しようとするもので
ある。
以下本発明を詳細に説明する。
測定試料の発生する磁場を磁気光学的に観察する本発明
の磁場分布測定装置の１例を図２に示す。
の磁場分布測定装置の１例を図２に示す。
この実施例は大きく分けて５つの部分から成り立つてい
る。すなわち、測定用試料を支持しト下及び左右に移動
する為の機構（図２の９〜＠）、測定試料から発生する
磁場によつて磁化されるいわゆる転写膜６、転写膜６の
配置台８、転写膜６の磁化を消磁する消磁の部分（７，
［相］）、及び転与膜の磁区模様を観察する為の光学系
（１〜５）の５の部分である。本装置で重要なところは
測定用試料９から発生する磁場がどのような分布をして
いるかを転写膜６を磁化して調べるところにある。ここ
に用いている転写膜５は非晶質希土類遷移金属合金薄膜
である。この非晶質薄膜はフエリ磁性体で膜面に垂直方
向に磁化容易軸を有している為磁気光学的には膜面に垂
直方向から観察出来るポーラ一・力ー効果を利用するこ
とができる。その為像の歪がなくコントラストも良いの
が長所である。又フエリ磁性体で磁気モーメントが小さ
いので微小面積の磁化でも町能であり、いわゆるパーマ
ロイ薄膜の有する総ての欠点を除去出来る。垂直磁化容
易軸を有する金属膜としては非晶質薄膜以外に例えばＭ
ｎＢ系の膜があるが、保磁力Ｈｃが大きい為微弱な磁場
までを忠実に転写できない欠点を有する。従つて非晶質
薄膜がこの様な装置に適していると言える。さて前述の
如く試約９から発生した磁場は転写膜６を磁化するので
、磁区模様を観察することによりどの部分に試料９から
の磁場が存在するかを知ることができる。
る。すなわち、測定用試料を支持しト下及び左右に移動
する為の機構（図２の９〜＠）、測定試料から発生する
磁場によつて磁化されるいわゆる転写膜６、転写膜６の
配置台８、転写膜６の磁化を消磁する消磁の部分（７，
［相］）、及び転与膜の磁区模様を観察する為の光学系
（１〜５）の５の部分である。本装置で重要なところは
測定用試料９から発生する磁場がどのような分布をして
いるかを転写膜６を磁化して調べるところにある。ここ
に用いている転写膜５は非晶質希土類遷移金属合金薄膜
である。この非晶質薄膜はフエリ磁性体で膜面に垂直方
向に磁化容易軸を有している為磁気光学的には膜面に垂
直方向から観察出来るポーラ一・力ー効果を利用するこ
とができる。その為像の歪がなくコントラストも良いの
が長所である。又フエリ磁性体で磁気モーメントが小さ
いので微小面積の磁化でも町能であり、いわゆるパーマ
ロイ薄膜の有する総ての欠点を除去出来る。垂直磁化容
易軸を有する金属膜としては非晶質薄膜以外に例えばＭ
ｎＢ系の膜があるが、保磁力Ｈｃが大きい為微弱な磁場
までを忠実に転写できない欠点を有する。従つて非晶質
薄膜がこの様な装置に適していると言える。さて前述の
如く試約９から発生した磁場は転写膜６を磁化するので
、磁区模様を観察することによりどの部分に試料９から
の磁場が存在するかを知ることができる。
従つて試料９と転写膜６との距離をモータ＠又は把手◎
に制御される上下の移動機構◎によつて変えて、磁化さ
れた転写膜６の磁区模様を観察することにより試料９か
ら発生する磁場の立体的分布を知ることができる。測定
試料がある程度以上大きくて光学的に一度に観察出来な
いときの為の試料９を回転又は左右に移動することによ
り局所的磁場分布が測定出来るように試料９の移動台［
相］が設けてある。試料９から発生する磁場の極性は正
と負及び両方の共存が考えられるが、そのいずれをも識
別する為には転写膜の初期磁化状態はいわゆる消磁状態
になつていることが必要である。
に制御される上下の移動機構◎によつて変えて、磁化さ
れた転写膜６の磁区模様を観察することにより試料９か
ら発生する磁場の立体的分布を知ることができる。測定
試料がある程度以上大きくて光学的に一度に観察出来な
いときの為の試料９を回転又は左右に移動することによ
り局所的磁場分布が測定出来るように試料９の移動台［
相］が設けてある。試料９から発生する磁場の極性は正
と負及び両方の共存が考えられるが、そのいずれをも識
別する為には転写膜の初期磁化状態はいわゆる消磁状態
になつていることが必要である。
磁区模様は偏光を利用した磁気カー効果によつて観察す
るため正と負に磁化された領域は明、暗としてそれぞれ
区別される。すなわち消磁状態の光学的強度は中間状態
となり、正に磁化された部分はそれよりも明るい状態に
、負に磁化された部分は中間よりも暗い状態となつて識
別出来ることになる図３には消磁状態１１正、負の磁化
状態を磁気カー効果によつて観察した例を示してある。
測定試料９と転写膜６の相対的距離を変えるときにはコ
イル７により転写嘆６を消磁状態にすることが望ましい
。コイル７は転写膜を消磁状態にする為のもので、コイ
ル７に電源９から減幅交流電流を流すことにより交流消
磁状態にするという目的が達成される。又、測定試料９
からの発生磁場が弱い為、試料９と転写，膜６とを密着
させて試料９の磁区模様を転写膜６に転写した後、測定
試料９を充分遠くに離した後、転写膜６の全体の磁区模
様を詳細に観察するときの為に転写膜６の配置移動機構
８が設けてある。この移動機構によつて一度で視野に入
らない為に観察出来ない部分を観察出来ることになる。
消磁用コイル７は又バイアス磁場用コイルとしても利用
出来る。すなわち試料９からの磁場が微弱なときコイル
７により磁場を与えて転写を捉進させることが出来る。
最後に光学系であるが、これはいわゆるポーラ・カー効
果を利用した磁区観察装置であればどの様なものでもよ
く、原理的には光源１、観察筒２、偏光板３及び検光板
４、さらに半透明膜５があれば良いことになる。
るため正と負に磁化された領域は明、暗としてそれぞれ
区別される。すなわち消磁状態の光学的強度は中間状態
となり、正に磁化された部分はそれよりも明るい状態に
、負に磁化された部分は中間よりも暗い状態となつて識
別出来ることになる図３には消磁状態１１正、負の磁化
状態を磁気カー効果によつて観察した例を示してある。
測定試料９と転写膜６の相対的距離を変えるときにはコ
イル７により転写嘆６を消磁状態にすることが望ましい
。コイル７は転写膜を消磁状態にする為のもので、コイ
ル７に電源９から減幅交流電流を流すことにより交流消
磁状態にするという目的が達成される。又、測定試料９
からの発生磁場が弱い為、試料９と転写，膜６とを密着
させて試料９の磁区模様を転写膜６に転写した後、測定
試料９を充分遠くに離した後、転写膜６の全体の磁区模
様を詳細に観察するときの為に転写膜６の配置移動機構
８が設けてある。この移動機構によつて一度で視野に入
らない為に観察出来ない部分を観察出来ることになる。
消磁用コイル７は又バイアス磁場用コイルとしても利用
出来る。すなわち試料９からの磁場が微弱なときコイル
７により磁場を与えて転写を捉進させることが出来る。
最後に光学系であるが、これはいわゆるポーラ・カー効
果を利用した磁区観察装置であればどの様なものでもよ
く、原理的には光源１、観察筒２、偏光板３及び検光板
４、さらに半透明膜５があれば良いことになる。
観察筒２は一般的には顕微鏡が適しているが必要に応じ
て拡大投影器、テレビカメラ、写真機をそなえつけるこ
とも可能である。又その倍率は測定対象物によつても異
るが５〜２００倍程度が適当である。図２はいわゆる光
学系を固定して試料を移動する方式になつているが、こ
の逆すなわち光学系を試料に近づけて観察する構成も可
能である。
て拡大投影器、テレビカメラ、写真機をそなえつけるこ
とも可能である。又その倍率は測定対象物によつても異
るが５〜２００倍程度が適当である。図２はいわゆる光
学系を固定して試料を移動する方式になつているが、こ
の逆すなわち光学系を試料に近づけて観察する構成も可
能である。
図４ａはその一例である。すなわち光学系をピストル型
に組み、その先端に転写膜を取り付けてある。見取り図
を同図ｂに示してある。図４では３１が転写膜、３２は
消磁用コイル、３３は半透明膜、３４及び３５はそれぞ
れ偏光板及び検光板、３６は光源で電池４０をスイツチ
ボタン３８によつて０Ｎ−ＯＦＦする。３９は観測孔で
転写膜上の磁区パターンを観測する。
に組み、その先端に転写膜を取り付けてある。見取り図
を同図ｂに示してある。図４では３１が転写膜、３２は
消磁用コイル、３３は半透明膜、３４及び３５はそれぞ
れ偏光板及び検光板、３６は光源で電池４０をスイツチ
ボタン３８によつて０Ｎ−ＯＦＦする。３９は観測孔で
転写膜上の磁区パターンを観測する。
電池４０の出し入れは下部４１から行う。電池の代りに
いわゆる商用電源等の他の電源を用いても良い。３７は
消磁する時に用いるボタンである。
いわゆる商用電源等の他の電源を用いても良い。３７は
消磁する時に用いるボタンである。
この方式では測定したい部分に近づけて観察するので試
料の大小はあまり問題にならないという特長がある。図
５ないし図７に本発明による装置にて実際に測定した例
を示す。
料の大小はあまり問題にならないという特長がある。図
５ないし図７に本発明による装置にて実際に測定した例
を示す。
図５はＳｍｃＯ５マグネツトの磁極にＧｄＦｅ膜を密着
して観察した例である。
して観察した例である。
全体像を示したものでＳｍｃＯ５の直径は３ｍ７！ｌで
ある。６個の白・黒の扇形パターンが交互に配列された
ＮＳの磁極を示し、その外側の黒又は白の広がりは磁束
である。
ある。６個の白・黒の扇形パターンが交互に配列された
ＮＳの磁極を示し、その外側の黒又は白の広がりは磁束
である。
図６は図５の１部分を拡大してＳｍｃＯ５マグネツトを
遠くから近づけていつて密着させるまでの過程に得られ
たＧｄＦｅ膜への転写パターンである。図７は磁気テー
プの転写パターンである。
遠くから近づけていつて密着させるまでの過程に得られ
たＧｄＦｅ膜への転写パターンである。図７は磁気テー
プの転写パターンである。
連続した１，１，１・・・の記録パターンが鮮明に観測
されている。以上詳細に説明のように、本発明は各種の
磁気媒体に記録された磁気パターンを精密かつ高感度で
直視観測できるという著るしい利点を有するものであり
、材料の研究開発、製品の検査等磁気利用のあらゆる分
野での利用価置は極めて大きい。
されている。以上詳細に説明のように、本発明は各種の
磁気媒体に記録された磁気パターンを精密かつ高感度で
直視観測できるという著るしい利点を有するものであり
、材料の研究開発、製品の検査等磁気利用のあらゆる分
野での利用価置は極めて大きい。
図１は従来の磁場分布測定装置の例を示す断面図、図２
は本発明の実施例を示す系統図、図４は本発明の他の実
施例を示す断面図および斜視図、図３、図５、図６及び
図７は本発明装置による観測例を示す磁区パターン図で
ある。 １，３６・・・・・・光源、２・・・・・・観測筒、３
，３４・・・・・・偏光板、４，３５・・・・・・検光
板、５，３３・・・・・・半透明膜、６，３１・・・・
・・転写膜、７，３２・・・・・・消磁コイル、８・・
・・・・配置移動機構、９・・・・・・試料、１０・・
・・・・移動台、１１・・・・・・移動機構、１２・・
・・・・モータ、１３・・・・・・把手、１４・・・・
・・電源、３８・・・・・・スイツチボタン、３９・・
・・・・観測孔、４０・・・・・・電池、４１・・・・
・・電池取替口。
は本発明の実施例を示す系統図、図４は本発明の他の実
施例を示す断面図および斜視図、図３、図５、図６及び
図７は本発明装置による観測例を示す磁区パターン図で
ある。 １，３６・・・・・・光源、２・・・・・・観測筒、３
，３４・・・・・・偏光板、４，３５・・・・・・検光
板、５，３３・・・・・・半透明膜、６，３１・・・・
・・転写膜、７，３２・・・・・・消磁コイル、８・・
・・・・配置移動機構、９・・・・・・試料、１０・・
・・・・移動台、１１・・・・・・移動機構、１２・・
・・・・モータ、１３・・・・・・把手、１４・・・・
・・電源、３８・・・・・・スイツチボタン、３９・・
・・・・観測孔、４０・・・・・・電池、４１・・・・
・・電池取替口。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する非晶質希土類
遷移金属合金を主成分とする磁性体薄膜転写体と、該磁
性薄膜転写体の前記膜面に垂直の方向に光を入射させて
該磁性体薄膜転写体上の磁区パターンをポーラー・カー
効果を利用して磁気光学的に読み取るための光学系と、
前記磁性体薄膜転写体に被測定磁場を付与するための測
定用試料を配置する配置台と、前記磁性体薄膜転写体を
一度消磁するための消磁機構とを備えた磁場分布測定装
置。 ２ 前記配置台、前記磁性体薄膜転写体及び前記光学系
の少くとも一つを所望方向に移動しかつ任意位置に停止
せしめる機構を備えたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の磁場分布測定装置。 ３ 前記光学系が可搬型に形成されて前記磁性体薄膜転
写体と結合していることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の磁場分布測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51125266A JPS594670B2 (ja) | 1976-10-19 | 1976-10-19 | 磁場分布測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51125266A JPS594670B2 (ja) | 1976-10-19 | 1976-10-19 | 磁場分布測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5350777A JPS5350777A (en) | 1978-05-09 |
| JPS594670B2 true JPS594670B2 (ja) | 1984-01-31 |
Family
ID=14905815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51125266A Expired JPS594670B2 (ja) | 1976-10-19 | 1976-10-19 | 磁場分布測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS594670B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5717875A (en) * | 1980-07-07 | 1982-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic field sensor |
| JPS58223076A (ja) * | 1982-06-18 | 1983-12-24 | Nakamichi Corp | 磁化強度測定方法 |
| JPS6053863A (ja) * | 1983-09-05 | 1985-03-27 | Sony Corp | 磁気記録媒体の磁化方向検出装置 |
| JPS62198776A (ja) * | 1986-02-27 | 1987-09-02 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体検査装置 |
| JPS62288585A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-15 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体の観察装置 |
| JPH0772747B2 (ja) * | 1987-06-23 | 1995-08-02 | 株式会社日立製作所 | 磁性体の磁化状態観察装置 |
| JPH0774821B2 (ja) * | 1987-10-02 | 1995-08-09 | 株式会社日立製作所 | 磁気記録媒体の計測方法 |
| JPH083519B2 (ja) * | 1988-02-08 | 1996-01-17 | 帝人製機株式会社 | 光センサ |
| JPH0390088U (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-13 | ||
| JPH0743417B2 (ja) * | 1990-03-17 | 1995-05-15 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | 超電導体の磁気的内部性状検出方法および検出装置 |
-
1976
- 1976-10-19 JP JP51125266A patent/JPS594670B2/ja not_active Expired
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN=1970 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5350777A (en) | 1978-05-09 |
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