JPH08233929A - 高感度磁気観察装置 - Google Patents
高感度磁気観察装置Info
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- JPH08233929A JPH08233929A JP7310835A JP31083595A JPH08233929A JP H08233929 A JPH08233929 A JP H08233929A JP 7310835 A JP7310835 A JP 7310835A JP 31083595 A JP31083595 A JP 31083595A JP H08233929 A JPH08233929 A JP H08233929A
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- magneto
- optical layer
- pattern
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/10—Plotting field distribution ; Measuring field distribution
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/032—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using magneto-optic devices, e.g. Faraday or Cotton-Mouton effect
- G01R33/0322—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using magneto-optic devices, e.g. Faraday or Cotton-Mouton effect using the Faraday or Voigt effect
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- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 弱磁性材料の磁場パターンを観察するための
高感度磁気観察装置を提供する。 【解決手段】 磁気光学層２２が１００エルステッドを
超えるＡＣ磁場で励起され、このＡＣ磁場を徐々にゼロ
に減じていく。この結果、低振幅の磁場パターンを磁気
光学層２２上にヒステリシス現象を起こすことなく転写
することができる。これは、ＡＣ磁場が、磁気光学層２
２の磁区を転換することができる大きさの限界より小さ
くなる時にその磁区のパターンが磁性材料２６の低振幅
の磁場パターンを複製することによる。ファラデー効果
により、磁気光学層２２の磁区が、層を通過する直線偏
光の偏光面を回転させる。これを偏光子１２に直交した
検光子３６を通して観察すると、磁場パターンを容易に
見ることができる。
高感度磁気観察装置を提供する。 【解決手段】 磁気光学層２２が１００エルステッドを
超えるＡＣ磁場で励起され、このＡＣ磁場を徐々にゼロ
に減じていく。この結果、低振幅の磁場パターンを磁気
光学層２２上にヒステリシス現象を起こすことなく転写
することができる。これは、ＡＣ磁場が、磁気光学層２
２の磁区を転換することができる大きさの限界より小さ
くなる時にその磁区のパターンが磁性材料２６の低振幅
の磁場パターンを複製することによる。ファラデー効果
により、磁気光学層２２の磁区が、層を通過する直線偏
光の偏光面を回転させる。これを偏光子１２に直交した
検光子３６を通して観察すると、磁場パターンを容易に
見ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁性材料の磁気パタ
ーンを観察する装置に関し、特に弱磁性材料から出る低
振幅の磁場を観察するための高感度磁気観察装置に関す
る。
ーンを観察する装置に関し、特に弱磁性材料から出る低
振幅の磁場を観察するための高感度磁気観察装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁性体を視覚的に検査してその磁
場分布を測定する方法として、少なくとも３つの方法が
知られている。第一の方法は、極微細鉄粉の水溶液を磁
性材料の表面に直接当てて、その材料に由来する磁場の
影響を受けた鉄がどこに集まるかを観察するものであ
る。この技術は、ビターテスト（Bitter test）として
知られており感度の良いものではあるが、大まかであり
従って不便である。
場分布を測定する方法として、少なくとも３つの方法が
知られている。第一の方法は、極微細鉄粉の水溶液を磁
性材料の表面に直接当てて、その材料に由来する磁場の
影響を受けた鉄がどこに集まるかを観察するものであ
る。この技術は、ビターテスト（Bitter test）として
知られており感度の良いものではあるが、大まかであり
従って不便である。
【０００３】第二の方法は、液中に分散したニッケルフ
レークのカプセルを含むプラスチックシートを利用する
ものである。シートを磁気面に接触して置くと、フレー
クが磁場に合わせて回転し整列する。整列したフレーク
面から反射した光が磁場のパターンを描く。この技術は
強く磁化された面についてはよく感応する。しかし、従
来の磁気記録テープのようなふつうの強さの磁気層につ
いては磁場のパターンをよく描けない。このプラスチッ
クシートは、商品名「マグネビュー（Magneview ）」と
して市販されている。
レークのカプセルを含むプラスチックシートを利用する
ものである。シートを磁気面に接触して置くと、フレー
クが磁場に合わせて回転し整列する。整列したフレーク
面から反射した光が磁場のパターンを描く。この技術は
強く磁化された面についてはよく感応する。しかし、従
来の磁気記録テープのようなふつうの強さの磁気層につ
いては磁場のパターンをよく描けない。このプラスチッ
クシートは、商品名「マグネビュー（Magneview ）」と
して市販されている。
【０００４】第三の方法に係る装置は、水中に分散した
フェライトフレークを含む少容積物の底に張ってあるア
ルミニウムの薄膜からなる。この装置を使うと、線密度
の低い記録シグナルを持つ磁気テープの磁気パターンに
ついては描くことができる。しかし、ふつうの密度の磁
気テープの磁気パターンは描くことができない。なぜな
らばフェライト粒子層表面におけるテープからの磁場が
小さすぎるからである。この技術を組み込んだ観察装置
は、商品名「３Ｍビュアー（3M Viewer）」として市販
されている。
フェライトフレークを含む少容積物の底に張ってあるア
ルミニウムの薄膜からなる。この装置を使うと、線密度
の低い記録シグナルを持つ磁気テープの磁気パターンに
ついては描くことができる。しかし、ふつうの密度の磁
気テープの磁気パターンは描くことができない。なぜな
らばフェライト粒子層表面におけるテープからの磁場が
小さすぎるからである。この技術を組み込んだ観察装置
は、商品名「３Ｍビュアー（3M Viewer）」として市販
されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように先行技術で
実施されている技術では、磁場が磁気粒子を直接磁化し
機械的に配列する。その磁気粒子の空間的分布が磁場の
分布を複製し、その結果磁場パターンを視覚的に見るこ
とが可能となる。検出したい磁場の振幅が小さすぎて磁
気粒子を機械的に配列させるだけの影響を及ぼせないよ
うな場合、上記先行技術では役に立たない。
実施されている技術では、磁場が磁気粒子を直接磁化し
機械的に配列する。その磁気粒子の空間的分布が磁場の
分布を複製し、その結果磁場パターンを視覚的に見るこ
とが可能となる。検出したい磁場の振幅が小さすぎて磁
気粒子を機械的に配列させるだけの影響を及ぼせないよ
うな場合、上記先行技術では役に立たない。
【０００６】そこで本発明の目的は、低振幅の磁場を視
覚的に描写するのに、磁気粒子の配列を利用しない技術
を使用した観察装置を提供することにある。
覚的に描写するのに、磁気粒子の配列を利用しない技術
を使用した観察装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の実施にあたって
は、透明の薄い基板上に付着させたビスマス−ガーネッ
トの磁気光学層を利用して非常に低い振幅の磁場パター
ンを観察する。層に対して直角方向の比較的強い磁場が
存在しない場合、層はメアンダーパターンと呼ばれる一
連の逆磁区に分割されて自身の磁気エネルギーを低下さ
せる。観察するパターンの磁場の振幅が低すぎて（約１
エルステッド（Ｏｅ）以下）メアンダーパターンを直接
変化させることができないので、本発明では、大きな交
流（ＡＣ）磁場を用いて磁気光学層を励起することを行
っている。このＡＣ磁場はその後徐々にゼロに減じてい
く（同時に小さな直流（ＤＣ）バイアス磁場も印加して
観察磁場のバックグラウンドを調整し、地球磁場の垂直
成分を相殺する）。この結果、低振幅の磁場パターンを
磁気光学層上にヒステリシス現象を起こすことなく転写
することができる。これは、結果として生じる磁区のパ
ターンが低振幅の磁場パターンを複製することによる。
ファラデー効果により、磁気光学層の磁区が、層を通過
する直線偏光の偏光面を回転させる。これを直交した偏
光子を通して観察すると、低振幅の磁場パターンを複製
したメアンダーパターンを容易に見ることができる。
は、透明の薄い基板上に付着させたビスマス−ガーネッ
トの磁気光学層を利用して非常に低い振幅の磁場パター
ンを観察する。層に対して直角方向の比較的強い磁場が
存在しない場合、層はメアンダーパターンと呼ばれる一
連の逆磁区に分割されて自身の磁気エネルギーを低下さ
せる。観察するパターンの磁場の振幅が低すぎて（約１
エルステッド（Ｏｅ）以下）メアンダーパターンを直接
変化させることができないので、本発明では、大きな交
流（ＡＣ）磁場を用いて磁気光学層を励起することを行
っている。このＡＣ磁場はその後徐々にゼロに減じてい
く（同時に小さな直流（ＤＣ）バイアス磁場も印加して
観察磁場のバックグラウンドを調整し、地球磁場の垂直
成分を相殺する）。この結果、低振幅の磁場パターンを
磁気光学層上にヒステリシス現象を起こすことなく転写
することができる。これは、結果として生じる磁区のパ
ターンが低振幅の磁場パターンを複製することによる。
ファラデー効果により、磁気光学層の磁区が、層を通過
する直線偏光の偏光面を回転させる。これを直交した偏
光子を通して観察すると、低振幅の磁場パターンを複製
したメアンダーパターンを容易に見ることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】観察装置１０は一つの壁に偏光子
１２をもつ箱からなる。この偏光子１２を通して光源１
８からの通常の光線１４、１６が観察装置１０に入る。
この光線１４、１６は観察装置１０の中に斜方向に設置
された半銀メッキ鏡２０に反射して下方向へ進む。例え
ばビスマス−ガーネットを使用した磁気光学層２２は観
察装置１０の底部を形成する。この磁気光学層２２の底
面には反射面２４を付着させてある。銀ないしアルミニ
ウムが反射面２４を作るための付着物として適した材料
である。観察装置１０は弱磁性材料２６に接触して示さ
れている。これは記録されたディジタルビット、例えば
２８、３０をもつ磁気テープのようなものである。ここ
で、隣接するビットは反対方向の磁化、例えば３２、３
４をもつ。通常の光線１４、１６は磁気光学層２２を通
過し、底部の反射面２４に反射されて磁気光学層２２か
ら光線１４’、１６’として出てくる。その後光線１
４’、１６’は半銀メッキ鏡と検光子３６を通過する。
この検光子３６の光学軸は偏光子１２の光学軸に関して
直交している。説明のために光線１４、１６は磁気光学
層２２にビット２８、３０の境界でぶつかっているよう
に示してあるが、光線は実質的には磁気光学層２２の全
面から集められるということは理解されるであろう。ビ
ット、例えば２８、３０の境界部には垂直磁場成分があ
り、隣接するビットで向きが反対である。これらの垂直
成分が弱磁場成分で、以下に記載するように観察のため
に検出されるものである。
１２をもつ箱からなる。この偏光子１２を通して光源１
８からの通常の光線１４、１６が観察装置１０に入る。
この光線１４、１６は観察装置１０の中に斜方向に設置
された半銀メッキ鏡２０に反射して下方向へ進む。例え
ばビスマス−ガーネットを使用した磁気光学層２２は観
察装置１０の底部を形成する。この磁気光学層２２の底
面には反射面２４を付着させてある。銀ないしアルミニ
ウムが反射面２４を作るための付着物として適した材料
である。観察装置１０は弱磁性材料２６に接触して示さ
れている。これは記録されたディジタルビット、例えば
２８、３０をもつ磁気テープのようなものである。ここ
で、隣接するビットは反対方向の磁化、例えば３２、３
４をもつ。通常の光線１４、１６は磁気光学層２２を通
過し、底部の反射面２４に反射されて磁気光学層２２か
ら光線１４’、１６’として出てくる。その後光線１
４’、１６’は半銀メッキ鏡と検光子３６を通過する。
この検光子３６の光学軸は偏光子１２の光学軸に関して
直交している。説明のために光線１４、１６は磁気光学
層２２にビット２８、３０の境界でぶつかっているよう
に示してあるが、光線は実質的には磁気光学層２２の全
面から集められるということは理解されるであろう。ビ
ット、例えば２８、３０の境界部には垂直磁場成分があ
り、隣接するビットで向きが反対である。これらの垂直
成分が弱磁場成分で、以下に記載するように観察のため
に検出されるものである。
【０００９】前述したように、磁気光学層２２は層の磁
気エネルギーを最小限にするために生じる逆磁区によっ
て特徴づけられる。隣接磁区は反対方向に磁化され、そ
の結果隣接磁区について磁気光学層の偏光面を反対方向
に回転させる。ゆえに直交偏光子を通して層のメアンダ
ーを観察すると、交互に明暗が隣接した領域を見ること
ができる。
気エネルギーを最小限にするために生じる逆磁区によっ
て特徴づけられる。隣接磁区は反対方向に磁化され、そ
の結果隣接磁区について磁気光学層の偏光面を反対方向
に回転させる。ゆえに直交偏光子を通して層のメアンダ
ーを観察すると、交互に明暗が隣接した領域を見ること
ができる。
【００１０】観察装置１０には磁気光学層２２の位置
に、観察装置１０を取り巻くコイルが取り付けてある。
このコイル３８は、コイル３８を流れる電流が磁気光学
層２２の面に対して直角の磁場を生じるように配置され
ている。磁性材料２６からの磁場は弱すぎて層２２のメ
アンダーに直接影響を与えることはできない。ＡＣ電源
によりコイル３８に交流が供給される。この振幅はコン
トローラー４２を使って決められる。電流は磁気光学層
２２に約１００エルステッド（Ｏｅ）の初期磁場を供給
できるように調整される。これは磁気光学膜の飽和保磁
力を超えている。その後コントローラー４２を使って電
流を減少させ、結果としてＡＣ磁場はゼロになる。この
ＡＣ遷移磁場は磁気光学層２２を飽和するに十分大きい
が、磁性材料２６の磁化に影響を与えるほどは大きくな
い。磁気光学層２２におけるこの磁場の減少によって、
磁性材料２６の磁場パターンはヒステリシス現象を起こ
すことなく磁気光学層２２のメアンダーパターンに転写
される。コイル３８からの遷移磁場が層２２中の磁区を
転換させるのに必要なレベル未満に下がると、層２２
は、減少する遷移磁場を磁気源２６の磁場に加えること
によって生じた最後の磁場パターンを保持する。すなわ
ち、このパターンが磁気源２６の弱磁場パターンを複製
しているのである。
に、観察装置１０を取り巻くコイルが取り付けてある。
このコイル３８は、コイル３８を流れる電流が磁気光学
層２２の面に対して直角の磁場を生じるように配置され
ている。磁性材料２６からの磁場は弱すぎて層２２のメ
アンダーに直接影響を与えることはできない。ＡＣ電源
によりコイル３８に交流が供給される。この振幅はコン
トローラー４２を使って決められる。電流は磁気光学層
２２に約１００エルステッド（Ｏｅ）の初期磁場を供給
できるように調整される。これは磁気光学膜の飽和保磁
力を超えている。その後コントローラー４２を使って電
流を減少させ、結果としてＡＣ磁場はゼロになる。この
ＡＣ遷移磁場は磁気光学層２２を飽和するに十分大きい
が、磁性材料２６の磁化に影響を与えるほどは大きくな
い。磁気光学層２２におけるこの磁場の減少によって、
磁性材料２６の磁場パターンはヒステリシス現象を起こ
すことなく磁気光学層２２のメアンダーパターンに転写
される。コイル３８からの遷移磁場が層２２中の磁区を
転換させるのに必要なレベル未満に下がると、層２２
は、減少する遷移磁場を磁気源２６の磁場に加えること
によって生じた最後の磁場パターンを保持する。すなわ
ち、このパターンが磁気源２６の弱磁場パターンを複製
しているのである。
【００１１】ＡＣ電源４０によって供給されるＡＣ電流
のほかに、ＤＣ電源４１からの小さなＤＣ電流がコイル
３８に流れて、磁気光学層２２に小さなバイアス磁場を
発生させる。ＤＣバイアス磁場の振幅と方向によって、
観察磁場のバックグラウンドに現れるものを調整し、地
球磁場の垂直成分を相殺することができる。
のほかに、ＤＣ電源４１からの小さなＤＣ電流がコイル
３８に流れて、磁気光学層２２に小さなバイアス磁場を
発生させる。ＤＣバイアス磁場の振幅と方向によって、
観察磁場のバックグラウンドに現れるものを調整し、地
球磁場の垂直成分を相殺することができる。
【００１２】図２は、磁気光学層２２を半分覆っている
ディジタル記録されたテープについて観察された磁場の
様子を表している。磁気光学層２２の残り半分は内部磁
場によってのみ影響を受けている。領域４４は明帯４６
と暗帯４８が交互に現れている。これらの交互に現れる
明帯４６と暗帯４８は、観察しているディジタル記録さ
れた磁気テープの隣接した記録ビットの反対方向の磁場
に相応している。領域５０は外部磁場が印加されていな
いので、磁気光学層２２の内部磁場によって発生したラ
ンダムに配列したメアンダー５２からなる。
ディジタル記録されたテープについて観察された磁場の
様子を表している。磁気光学層２２の残り半分は内部磁
場によってのみ影響を受けている。領域４４は明帯４６
と暗帯４８が交互に現れている。これらの交互に現れる
明帯４６と暗帯４８は、観察しているディジタル記録さ
れた磁気テープの隣接した記録ビットの反対方向の磁場
に相応している。領域５０は外部磁場が印加されていな
いので、磁気光学層２２の内部磁場によって発生したラ
ンダムに配列したメアンダー５２からなる。
【００１３】本発明の実施の形態以外にも、本発明の範
囲内で多様な変形が可能であることはいうまでもない。
たとえば、装置を折りたたんでサイズを小さくするため
に半銀メッキ鏡を使用するかわりに、光源、偏光子、観
察する透明磁気フィルム、磁気光学層と関連するヒステ
リシス現象を防ぐ遷移磁場発生装置、光学分析器を直線
的に配列する。こうすることにより上記装置を通る光線
を直線的に透過させて発明を実施することができる。
囲内で多様な変形が可能であることはいうまでもない。
たとえば、装置を折りたたんでサイズを小さくするため
に半銀メッキ鏡を使用するかわりに、光源、偏光子、観
察する透明磁気フィルム、磁気光学層と関連するヒステ
リシス現象を防ぐ遷移磁場発生装置、光学分析器を直線
的に配列する。こうすることにより上記装置を通る光線
を直線的に透過させて発明を実施することができる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、磁
気光学層に印加される遷移磁場を減少させながら、磁性
材料の磁場パターンを磁気光学層に転写するので、磁気
粒子の機械的な配列を利用しなくてすみ、振幅の小さな
磁場パターンを観察することができる。
気光学層に印加される遷移磁場を減少させながら、磁性
材料の磁場パターンを磁気光学層に転写するので、磁気
粒子の機械的な配列を利用しなくてすみ、振幅の小さな
磁場パターンを観察することができる。
【図１】 本発明にかかる装置の概略図である。
【図２】 本発明の装置を用いて観察される磁場パター
ンの図である。
ンの図である。
１２ 偏光子、１８ 光源、２０ 半銀メッキ鏡、２２
磁気光学層、３６検光子、３８ コイル、４０ ＡＣ
電源、４１ ＤＣ電源。
磁気光学層、３６検光子、３８ コイル、４０ ＡＣ
電源、４１ ＤＣ電源。
Claims (12)
- 【請求項１】 磁化された面の磁場パターンを観察する
ための観察装置であって、 ａ）磁気光学層と、 ｂ）前記磁化された面の磁場パターンを、ヒステリシス
現象を起こすことなく前記磁気光学層に転写するための
手段と、 ｃ）前記磁場パターンを反映した前記磁気光学層の偏光
パターンを光学的に観察するための手段と、 を含むことを特徴とする観察装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の装置において、前記磁
気光学層は、ビスマス−ガーネット層であることを特徴
とする観察装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の観察装置において、前
記磁場パターンをヒステリシス現象を起こすことなく転
写するための前記手段は、前記磁気光学層に交流（Ａ
Ｃ）磁場を印加することであることを特徴とする観察装
置。 - 【請求項４】 請求項３に記載の観察装置において、前
記ＡＣ磁場を発生させる装置は、 ａ）前記磁場を発生させるために交流（ＡＣ）電流によ
って励起可能な、前記磁気光学層を取り巻く電気コイル
と、 ｂ）前記ＡＣ電流の大きさをコントロールすることによ
って、前記ＡＣ磁場の振幅を漸次減少できるコントロー
ラーと、 からなることを特徴とする観察装置。 - 【請求項５】 請求項４に記載の観察装置において、前
記磁気光学層における前記ＡＣ磁場の最大振幅は、前記
磁気光学装置を飽和するに十分大きいが、前記磁化され
た面における前記ＡＣ磁場の前記最大振幅は、前記磁化
された面の前記磁場パターンを実質的に変化させるほど
は大きくないことを特徴とする観察装置。 - 【請求項６】 請求項３に記載の観察装置において、前
記磁気光学層に直流（ＤＣ）バイアス磁場を印加する手
段を備えることを特徴とする観察装置。 - 【請求項７】 請求項１に記載の観察装置において、前
記偏光パターンを観察するための前記手段は、直交偏光
子であることを特徴とする観察装置。 - 【請求項８】 磁性材料の磁場パターンを観察するため
の装置であって、 ａ）第一の偏光軸をもつ第一の偏光透過部と、 ｂ）前記第一の偏光部を通過した光線が、入射し、一部
反射するように配置された半銀メッキ鏡と、 ｃ）上部平面と下部平面を有し、前記一部反射した光線
が直角に入射するように配置された磁気光学層と、 ｄ）前記下部平面に接し、前記一部反射した光線が反射
するための反射層と、 ｅ）前記磁性材料を前記反射層に隣接して配置すること
により、前記磁性材料の磁場パターンが前記磁気光学層
上に投じられるような手段と、 ｆ）前記磁場パターンをヒステリシス現象を起こすこと
なく前記磁気光学層に転写させるために前記磁気光学層
にかける可変遷移磁場と、 ｇ）前記第一の偏光軸に対して直角に配置された第二の
偏光軸をもつ第二の偏光透過部と、 を備え、 前記反射層から反射した前記光線は、前記磁気光学層と
前記半銀メッキ鏡とを通過し、これによって前記光線が
前記磁場パターンに応じて回転した偏光面を有すること
を特徴とする観察装置。 - 【請求項９】 請求項８に記載の装置において、前記磁
気光学層は、ビスマス−ガーネット層であることを特徴
とする観察装置。 - 【請求項１０】 請求項８に記載の観察装置において、
前記可変遷移磁場を発生させる装置は、 ａ）前記磁気光学層を取り巻き、前記磁場を発生させる
ためにＡＣ電流によって励起可能な電気コイルと、 ｂ）前記ＡＣ電流の大きさをコントロールすることによ
って、前記ＡＣ磁場の振幅を減少できるコントローラー
と、 からなることを特徴とする観察装置。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載の観察装置におい
て、前記磁気光学層における前記ＡＣ磁場の最大振幅
は、前記磁気光学装置を飽和するに十分大きいが、前記
磁性材料における前記ＡＣ磁場の前記最大振幅は、前記
磁性材料の前記磁場パターンを本質的に変化させるほど
は大きくないことを特徴とする観察装置。 - 【請求項１２】 請求項１０に記載の観察装置におい
て、前記磁気光学層にＤＣバイアス磁場を印加する手段
を備えることを特徴とする観察装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US346961 | 1994-11-30 | ||
| US08/346,961 US5565772A (en) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | High sensitivity magnetic viewer using anhysteretic transfer for viewing weak magnetic patterns |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08233929A true JPH08233929A (ja) | 1996-09-13 |
Family
ID=23361754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7310835A Ceased JPH08233929A (ja) | 1994-11-30 | 1995-11-29 | 高感度磁気観察装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5565772A (ja) |
| EP (1) | EP0724162A3 (ja) |
| JP (1) | JPH08233929A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6939376B2 (en) | 2001-11-05 | 2005-09-06 | Sun Biomedical, Ltd. | Drug-delivery endovascular stent and method for treating restenosis |
| US7239332B1 (en) | 2004-12-17 | 2007-07-03 | The U.S. Government As Represented By The National Security Agency | Device for and method of viewing magnetic pattern recorded on magnetic media |
| US8523236B2 (en) | 2011-02-07 | 2013-09-03 | Jenny Leary | Magnetic field surface image method, kit and product |
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