JPS61284986A - 半導体レ−ザと光フアイバとの結合装置 - Google Patents
半導体レ−ザと光フアイバとの結合装置Info
- Publication number
- JPS61284986A JPS61284986A JP12655185A JP12655185A JPS61284986A JP S61284986 A JPS61284986 A JP S61284986A JP 12655185 A JP12655185 A JP 12655185A JP 12655185 A JP12655185 A JP 12655185A JP S61284986 A JPS61284986 A JP S61284986A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- optical fiber
- laser
- light
- lens
- Prior art date
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- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光通信等の分野で用いられる半導体レーザと光
ファイバとの結合装置に関するものである。
ファイバとの結合装置に関するものである。
従来の技術
最近、半導体レーザと光ファイバとの結合装置は光通信
等の分野で盛んに利用されるようになってきた。この半
導体レーザと光ファイバとの結合装置は、例えば特開昭
５７−２１１２８８号公報の従来例に記載されている構
成が知られている。以下、第２図を参照して、従来の半
導体レーザと光ファイバとの結合装置について説明する
。
等の分野で盛んに利用されるようになってきた。この半
導体レーザと光ファイバとの結合装置は、例えば特開昭
５７−２１１２８８号公報の従来例に記載されている構
成が知られている。以下、第２図を参照して、従来の半
導体レーザと光ファイバとの結合装置について説明する
。
第２図に示す球レンズ１と焦束性ロッドレンズ２を用い
た共焦点複合レンズ系において、半導体レーザ３からの
モニタ光の取出しは半導体レーザ裏面後方に置かれた焦
束性ロッドレンズ４で半導体レーザ裏面からの出射光を
集光することにより行なわれている。
た共焦点複合レンズ系において、半導体レーザ３からの
モニタ光の取出しは半導体レーザ裏面後方に置かれた焦
束性ロッドレンズ４で半導体レーザ裏面からの出射光を
集光することにより行なわれている。
発明が解決しようとする問題点
しかし、以上のような構成では、高出力化を目的として
裏面に反射膜をコーティングした半導体レーザにおいて
は、裏面の反射率を１００％に近づけるほど半導体レー
ザの高出力化には有利であるが、裏面からの光出力がゼ
ロに近づくためモニタ光が取り出せなくなり、上記半導
体レーザを半導体レーザと光ファイバとの結合装置とし
て利用できないという問題点を有していた。
裏面に反射膜をコーティングした半導体レーザにおいて
は、裏面の反射率を１００％に近づけるほど半導体レー
ザの高出力化には有利であるが、裏面からの光出力がゼ
ロに近づくためモニタ光が取り出せなくなり、上記半導
体レーザを半導体レーザと光ファイバとの結合装置とし
て利用できないという問題点を有していた。
本発明は上記問題点を解決するもので、裏面の反射率を
１００％に近づけるように反射膜をコーティングした半
導体レーザからもモニタ光を取り出すことができて半導
体レーザと光ファイバとの結合装置として利用できるよ
うにするものである。
１００％に近づけるように反射膜をコーティングした半
導体レーザからもモニタ光を取り出すことができて半導
体レーザと光ファイバとの結合装置として利用できるよ
うにするものである。
問題点を解決するだめの手段
本発明は半導体レーザと光ファイバを結ぶ光路の途中で
半導体レーザからの出射光を分岐させてモニタ光を取り
出す構成にすることにより、上記目的を達成するもので
ある。
半導体レーザからの出射光を分岐させてモニタ光を取り
出す構成にすることにより、上記目的を達成するもので
ある。
作 用
本発明は上記構成により、半導体レーザ裏面からの光出
力がゼロであってもモニタ光の取り出しができるもので
あり、高出力化を目的として裏面への反射膜コーティン
グを行って裏面の反射率を１００％に近づけた半導体レ
ーザを、半導体レーザと光ファイバとの結合装置に利用
できるようにしたものである。
力がゼロであってもモニタ光の取り出しができるもので
あり、高出力化を目的として裏面への反射膜コーティン
グを行って裏面の反射率を１００％に近づけた半導体レ
ーザを、半導体レーザと光ファイバとの結合装置に利用
できるようにしたものである。
実施例
以下、本発明の一実施例を添付図面にもとづいて説明す
る。
る。
第１図において、３ａは裏面への反射膜コーティングを
行って裏面の反射率を１００％に近づけた半導体レーザ
で、この半導体レーザ３ａの前方ニ、球レンズ１ａ、焦
束性ロッドレンズ２ａおよび光ファイバ５の順で、それ
ぞれ同軸上に配置されており、さらに、球レンズ１ａと
焦束性ロッドレンズ２ａの間には、ビームスプリ、フタ
ロが同軸上に４６°傾けて配置されている。このビーム
スプリンタ６で分岐された光路上には、さらに、焦束性
ロッドレンズ７が配置されている。
行って裏面の反射率を１００％に近づけた半導体レーザ
で、この半導体レーザ３ａの前方ニ、球レンズ１ａ、焦
束性ロッドレンズ２ａおよび光ファイバ５の順で、それ
ぞれ同軸上に配置されており、さらに、球レンズ１ａと
焦束性ロッドレンズ２ａの間には、ビームスプリ、フタ
ロが同軸上に４６°傾けて配置されている。このビーム
スプリンタ６で分岐された光路上には、さらに、焦束性
ロッドレンズ７が配置されている。
上記構成において、半導体レーザ３＆からの出射光は球
レンズ１ａにより集光され平行光となってビームスプリ
ッタ６に入射する。このビームスプリッタ６によりレー
ザ光は分岐され、一方はそのまま直進し焦束性ロッドレ
ンズ２ａに入射し、焦束されて光ファイバ６に入射する
。他方、ビームスプリッタ６により、上記光路に対し直
角方向に分岐されたレーザ光は、焦束性ロッドレンズ７
により焦束されてモニタ光として取り出される。
レンズ１ａにより集光され平行光となってビームスプリ
ッタ６に入射する。このビームスプリッタ６によりレー
ザ光は分岐され、一方はそのまま直進し焦束性ロッドレ
ンズ２ａに入射し、焦束されて光ファイバ６に入射する
。他方、ビームスプリッタ６により、上記光路に対し直
角方向に分岐されたレーザ光は、焦束性ロッドレンズ７
により焦束されてモニタ光として取り出される。
以上のように本実施例によれば、半導体レーザ３ａ、球
レンズ１ａ、焦束性ロッドレンズ２ａおよび光ファイバ
６を結ぶ光路で、球レンズ１ａと焦束性ロッドレンズ２
ａの間にビームスプリッタ６を設けることにより、裏面
の反射率を１００％に近づけるように反射膜をコーティ
ングした半導体レーザ３ａからでもモニタ光を取り出す
ことができて、半導体レーザと光ファイバとの結合装置
として利用できるものである。
レンズ１ａ、焦束性ロッドレンズ２ａおよび光ファイバ
６を結ぶ光路で、球レンズ１ａと焦束性ロッドレンズ２
ａの間にビームスプリッタ６を設けることにより、裏面
の反射率を１００％に近づけるように反射膜をコーティ
ングした半導体レーザ３ａからでもモニタ光を取り出す
ことができて、半導体レーザと光ファイバとの結合装置
として利用できるものである。
発明の効果
以上のように本発明は、半導体レーザ裏面からの光出力
がゼロであってもモニタ光の取り出しができるものであ
り、高出力化を目的として裏面の反射率を１００％に近
づけるように反射膜をコーティングした半導体レーザを
、半導体レーザと光ファイバとの結合装置に利用するこ
とができ、その効果は大きい。
がゼロであってもモニタ光の取り出しができるものであ
り、高出力化を目的として裏面の反射率を１００％に近
づけるように反射膜をコーティングした半導体レーザを
、半導体レーザと光ファイバとの結合装置に利用するこ
とができ、その効果は大きい。
第１図は本発明の一実施例における半導体レーザと光フ
ァイバとの結合装置の構成図、第２図は従来の半導体レ
ーザと光ファイバとの結合装置の構成図である。 １ａ・・・・・・球レンズ、２ａ、了・・・・・・焦束
性ロッドレンズ、３ａ・・・・・・半導体レーザ、５ａ
・・・・・・光ファイバ、６１１１６１．ビームスプリ
ッタ。
ァイバとの結合装置の構成図、第２図は従来の半導体レ
ーザと光ファイバとの結合装置の構成図である。 １ａ・・・・・・球レンズ、２ａ、了・・・・・・焦束
性ロッドレンズ、３ａ・・・・・・半導体レーザ、５ａ
・・・・・・光ファイバ、６１１１６１．ビームスプリ
ッタ。
Claims (1)
- 半導体レーザからの出射光が光ファイバに入射するまで
の光路の途中で、レーザ光を分岐させることによりモニ
タ光を取り出す構造を具備する半導体レーザと光ファイ
バとの結合装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12655185A JPS61284986A (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | 半導体レ−ザと光フアイバとの結合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12655185A JPS61284986A (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | 半導体レ−ザと光フアイバとの結合装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61284986A true JPS61284986A (ja) | 1986-12-15 |
Family
ID=14937971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12655185A Pending JPS61284986A (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | 半導体レ−ザと光フアイバとの結合装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61284986A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5307369A (en) * | 1992-05-06 | 1994-04-26 | Electrox, Inc. | Laser beam combination system |
-
1985
- 1985-06-11 JP JP12655185A patent/JPS61284986A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5307369A (en) * | 1992-05-06 | 1994-04-26 | Electrox, Inc. | Laser beam combination system |
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