JPS61284733A - Optical modulator - Google Patents

Optical modulator

Info

Publication number
JPS61284733A
JPS61284733A JP12642685A JP12642685A JPS61284733A JP S61284733 A JPS61284733 A JP S61284733A JP 12642685 A JP12642685 A JP 12642685A JP 12642685 A JP12642685 A JP 12642685A JP S61284733 A JPS61284733 A JP S61284733A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
monomolecular
light
heating
optical element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12642685A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yukio Nishimura
征生 西村
Toshiaki Kimura
木村 稔章
Kunihiro Sakai
酒井 邦裕
Takashi Nakagiri
孝志 中桐
Kenji Saito
謙治 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP12642685A priority Critical patent/JPS61284733A/en
Publication of JPS61284733A publication Critical patent/JPS61284733A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
  • Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)

Abstract

PURPOSE:To display an image having good quality with high resolution by providing an optical element having a heating element for heating a molecular film consisting of org. compd. molecules having a hydrophilic part and hydrophobic part and driving means for driving said heating element. CONSTITUTION:The optical element OE of a transmission type consists of a substrate 1, the heating element 2, a monomolecular film or cumulative film 3 of monomolecular layers and a substrate sheet 4 for protection. the desired position of the element 2 is heated to generate a property change in the heated part 5 of the film 3. The optical path is changed or scattering is generated by the light passing through the part except the heated part 5 and the light passing through the heated part 6 if illuminating light 7 which is parallel light is made incident on the optical element 1 from the substrate 1 side thereof. The change is directly and indirectly detected and is displayed. A wide range of org. compds. having the hydrophobic part and hydrophilic part in the molecules are usable for the molecules constituting the monomolecular film or the cumulative film of the monomolecular layers.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、有機化合物の化学的及び物理的変化を利用し
た新規な光変調装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a novel light modulation device that utilizes chemical and physical changes in organic compounds.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

現在、各種の事務用機器や計測用機器に置ける端末表示
器、或は、テレビやビデオカメラ用モニターに於ける表
示器として、陰極線管(所謂CRT)が広く利用されて
いる。しかし、このCRTに就いては1画質、解像度1
表示容量の面で銀塩若しくは電子写真法を用いたハード
コピー程度のレベルに達していないと言う不満が残され
ている。又、CRTに代わるものとして、液晶によりド
ツトマトリックス表示する所謂、液晶パネルの実用化の
試みも為されているが、この液晶パネルに就いても、駆
動性、信頼性、生産性、耐久性の面で未だ満足できるも
のは得られていない。
Currently, cathode ray tubes (so-called CRTs) are widely used as terminal displays in various office equipment and measuring instruments, or as displays in monitors for televisions and video cameras. However, this CRT has 1 image quality and 1 resolution.
There is still some dissatisfaction that the display capacity does not reach the same level as hard copies using silver halide or electrophotography. In addition, as an alternative to CRT, attempts have been made to commercialize so-called liquid crystal panels that display dot matrix images using liquid crystals, but even with these liquid crystal panels, there are problems with drive performance, reliability, productivity, and durability. I haven't been able to get anything that I'm satisfied with yet.

液晶はさらに光スイツチング素子としても利用されてい
るが、一般的に応答速度が遅い、これを改善しようとす
ると用いる液晶の種類が限られてくるが、それでも使用
温度が限定されるという液晶自体の問題点もあるため、
汎用性に乏しい。
Liquid crystals are also used as optical switching elements, but they generally have slow response speeds. If you try to improve this, the types of liquid crystals that can be used will be limited, but the liquid crystals themselves will still have a limited operating temperature. Because there are some problems,
It lacks versatility.

上記の問題点を克服し、汎用性に優れた光学素子ならび
にそれを利用した光変調装置は未だ得られていないのが
現状である。
At present, an optical element that overcomes the above problems and has excellent versatility and a light modulation device using the same have not yet been obtained.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

本発明は、かかる技術分野における従来技術の解決し得
なかった課題を解決することを目的とする。
The present invention aims to solve problems that could not be solved by the conventional techniques in this technical field.

つまり1本発明の目的は、高解像度で良質の画像を表示
する、駆動性、生産性、耐久性、信頼性に優れた表示装
置、記録装置、記憶装置等に利用する新規な光変調装置
を提供することにある。さらに有機化合物の単分子膜又
は単分子累積膜からなる光学素子を利用した新規な光変
調装置を提供することにある。
In other words, one object of the present invention is to provide a novel light modulation device for use in display devices, recording devices, storage devices, etc. that display high-resolution, high-quality images and have excellent drive performance, productivity, durability, and reliability. It is about providing. Another object of the present invention is to provide a novel light modulation device using an optical element made of a monomolecular film or a monomolecular cumulative film of an organic compound.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

上記の目的は、以下の本発明によって達成される。 The above object is achieved by the present invention as follows.

すなわち本発明は、少なくとも親水性部位と疎水性部位
とを有する有機化合物分子からなる単分子膜又は単分子
累積膜及び前記単分子膜又は単分子累積膜を加熱するた
めの発熱要素とを具備する光学素子と、該発熱要素を駆
動させるための駆動手段とを備えたことを特徴とする光
変調装置である。
That is, the present invention comprises a monomolecular film or a monomolecular cumulative film made of organic compound molecules having at least a hydrophilic site and a hydrophobic site, and a heating element for heating the monomolecular film or monomolecular cumulative film. A light modulation device characterized by comprising an optical element and a driving means for driving the heat generating element.

〔作 用〕[For production]

本発明の光変調装置に利用する光学素子の作成方法は、
少なくとも疎水部分と親水部分とを有する有機化合物分
子からなる単分子膜又は単分子層累積膜および該単分子
膜又は該単分子層累積膜を加熱するための発熱要素とを
具備する光学素子を作成する方法において、該単分子膜
又は該単分子層累積膜をラングミュア・プロジェット法
により作成することを特徴とする。
The method for producing an optical element used in the light modulation device of the present invention is as follows:
An optical element is produced that includes a monomolecular film or a monomolecular layer stack made of organic compound molecules having at least a hydrophobic part and a hydrophilic part, and a heating element for heating the monomolecular film or the monomolecular layer stack. The method is characterized in that the monomolecular film or the monomolecular layer stack is formed by the Langmuir-Prodgett method.

以下に上記の方法にて作成した光学素子の例を図面に従
って説明する。第1図は光学素子の断面図であり、第1
図(A)は透過型の光学素子OEを、また第1図(B)
は反射型の光学素子OEを夫々示している。1は基板、
2は発熱要素、3は単分子膜または単分子層累積膜、4
は保護用基板である。
Examples of optical elements produced by the above method will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view of the optical element, and the first
Figure (A) shows a transmission type optical element OE, and Figure 1 (B)
1 and 2 respectively indicate reflective optical elements OE. 1 is the board,
2 is a heat generating element, 3 is a monomolecular film or a monomolecular layer cumulative film, 4
is a protective substrate.

第1図(A)の透過型の光学素子の作像原理は、次のと
おりである。
The image forming principle of the transmission type optical element shown in FIG. 1(A) is as follows.

作像のためにあるパターンに従い、発熱要素2の所望す
る位置を加熱し、加熱された発熱要素2上の単分子膜又
は単分子層累積膜3の加熱部5において物性変化を生ぜ
しめる。この光学素子の基板l側から平行光である照明
光7を入射させると、加熱部5以外の部分を通過する光
と、加熱部6を通過する光とで、光路が変化したり、散
乱が生じたりする。この変化を直接、間接にとらえ表示
する。
A desired position of the heat generating element 2 is heated according to a certain pattern for image formation, and a physical property change is caused in the heated portion 5 of the monomolecular film or monomolecular layer accumulation film 3 on the heated heat generating element 2. When illumination light 7, which is parallel light, is incident from the substrate l side of this optical element, the optical path changes and scattering occurs due to the light passing through parts other than the heating part 5 and the light passing through the heating part 6. Occurs. Capture and display this change directly or indirectly.

第1図(B)の反射型の光学素子においては、照射光7
を透過型とは逆に保護用基板4側から入射し、単分子膜
又は単分子層累積膜3より基板1側に設けである不図示
の反射膜によって反射せしめ、加熱部5と加熱部5以外
の部において反射される反射光の光路の変化をとらえ表
示する。
In the reflective optical element shown in FIG. 1(B), the irradiation light 7
Contrary to the transmission type, the light enters from the protective substrate 4 side and is reflected by a reflection film (not shown) provided on the substrate 1 side from the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3, and the heating part 5 and the heating part 5 Changes in the optical path of reflected light reflected at other parts are captured and displayed.

本発明の光学素子の単分子膜または単分子層累積膜の構
成分子としては、分子内に疎水部分と親水部分を有する
有機化合物であれば広く用いることができる。
As the constituent molecules of the monomolecular film or monomolecular layer stack of the optical element of the present invention, a wide variety of organic compounds can be used as long as they have a hydrophobic part and a hydrophilic part in the molecule.

このような有機化合物としては、以下のものが例示され
る。
Examples of such organic compounds include the following.

(1)高級脂肪酸 CH8(CH2)、、C00H CHl(CH2)、6COOH CH3(CH2)、、 C00H CH3(CH2)4 (CH=CHCH2)、 (CH
2)2 COOC00HCCH(CH2)8COOH CH2= CH(CH2)、、 C0OH゛CH2=C
H(CH2)2ocooH CH8(CH2)、7CC0OH CH2 CH3(CH2)8C=C−C−C(CH2)、 C0
0HCH1(CH2)、C−C−C−C(CH2)、 
C00HCH3(CH2)、、C=C−C−C(CH,
)、 C00HCH3(CH2)、3CミC−C=C(
CH2)8Coo)!(2)シアニン色素 一般式(I) X −(CH= CH←X 試中Xは■またはmの基であり、y:は■〜Xの基であ
り、nはOまたは正の整数である)で示されるシアニン
色素。
(1) Higher fatty acids CH8(CH2),, C00H CHl(CH2), 6COOH CH3(CH2),, C00H CH3(CH2)4 (CH=CHCH2), (CH
2) 2 COOC00HCCH(CH2)8COOH CH2= CH(CH2),, C0OH゛CH2=C
H(CH2)2ocooH CH8(CH2), 7CCOOH CH2 CH3(CH2)8C=C-C-C(CH2), C0
0HCH1 (CH2), C-C-C-C (CH2),
C00HCH3(CH2),,C=C-C-C(CH,
), C00HCH3(CH2), 3CmiC-C=C(
CH2)8Coo)! (2) Cyanine dye general formula (I) X - (CH= CH←X In the test, X is a group of ■ or m, y: is a group of ■ to ) Cyanine dye.

(1)             (m)(■)(V) (■)             (VIE)(+71
1)                   Go。
(1) (m) (■) (V) (■) (VIE) (+71
1) Go.

■からxの式中、ZはN−R1,O,Se。In the formulas from (2) to x, Z is N-R1, O, Se.

C(Me) 2 テあり、YはHまたは2− M e 
テあり、R1はC1〜4のアルキル基であり、R2はC
IO〜30一般式!で示されるシアニン色素の具体例を
以下に例示する。
C(Me) 2 Te, Y is H or 2-Me
R1 is a C1-4 alkyl group, and R2 is a C1-4 alkyl group.
IO~30 general formula! Specific examples of the cyanine dye represented by are illustrated below.

(3)アブ色素 (R2はc、。、30のアルキル基である。)(4) 
 リン脂質 レシチン スフィンゴミエリン プラスマロゲン ケファリン (5)  長鎖ジアルキルアンモニウム塩(mはlO〜
30の整数) 前記有機化合物を用いて単分子膜または単分子層累積膜
を作成する方法としては、例えば、I 、Langmu
 i rらの開発したラングミュアφプロジェット法(
LB法)を用いる。ラングミュア・ブロジェット法は、
分子内に親水基と疎水基を有する構造の分子において、
両者のバランス(両親媒性のバランス)が適度に保たれ
ているとき、分子は水面上で親水基を下に向けて単分子
の層になることを利用して単分子膜または単分子層の累
積膜を作成する方法である。水面上の単分子層は二次元
系の特徴をもつ0分子がまばらに散開しているときは、
一分子当り面積Aと表面圧nとの間に二次元理想気体の
式、 nA=kT が成り立ち、“気体膜”となる、ここに、kはポルツマ
ン定数、Tは絶対温度である。Aを十分小さくすれば分
子間相互作用が強まり二次元固体の“凝縮膜(または固
体!l)″になる。凝縮膜はガラスなどの基板の表面へ
一層づつ移すことができる。この方法を用いて、単分子
膜まはた単分子層累積膜は例えば次に示すようにして製
造する。
(3) Abu dye (R2 is an alkyl group of c, ., 30) (4)
Phospholipid lecithin sphingomyelin plasmamalogen kephalin (5) Long chain dialkylammonium salt (m is lO~
(an integer of 30) As a method for creating a monomolecular film or a monomolecular layer cumulative film using the organic compound, for example, I, Langmu
The Langmuir φ-plodget method developed by Ir et al.
LB method) is used. The Langmuir-Blodgett method is
In molecules with a structure that has a hydrophilic group and a hydrophobic group in the molecule,
When the balance between the two (balance of amphiphilic properties) is maintained appropriately, molecules form a monomolecular layer on the water surface with their hydrophilic groups facing down. This is a method of creating a cumulative film. When the monomolecular layer on the water surface is sparsely dispersed with zero molecules, which has the characteristics of a two-dimensional system,
The two-dimensional ideal gas equation, nA=kT, holds between the area per molecule A and the surface pressure n, resulting in a "gas film", where k is Portzmann's constant and T is the absolute temperature. If A is made sufficiently small, the intermolecular interaction becomes strong, resulting in a two-dimensional solid "condensed film (or solid!l)". The condensed film can be transferred layer by layer to the surface of a substrate such as glass. Using this method, a monomolecular film or a monomolecular layer stack is produced, for example, in the following manner.

まず有機化合物を溶剤に溶解し、これを水相中に展開し
、有機化合物を膜状に析出させる。
First, an organic compound is dissolved in a solvent, and this is expanded into an aqueous phase to precipitate the organic compound in the form of a film.

次にこの析出物が水相上を自由に拡散して拡がりすぎな
いように仕切板(または浮子)を設けて展開面積を制限
して膜物質の集合状態を制御し、その集合状態に比例し
た表面圧■を得る。
Next, to prevent this precipitate from freely diffusing on the aqueous phase and spreading too much, a partition plate (or float) is installed to limit the area of development and control the state of aggregation of the film substance, and the Obtain surface pressure ■.

この仕切板を動かし、展開面積を縮少して膜物質の集合
状態を制御し、表面圧を徐々に上昇させ、累積膜の製造
に適する表面圧■を設定することができる。この表面圧
を維持しながら静かに清浄な基板を垂直に上下させるこ
とにより単分子膜が基板上に移しとられる。単分子膜は
以上で製造されるが、単分子層累積膜は、前記の操作を
繰り返すことにより所望の累積度の単分子層累積膜が形
成される。
By moving this partition plate, the developed area can be reduced to control the state of aggregation of the film material, and the surface pressure can be gradually increased to set the surface pressure (2) suitable for producing a cumulative film. The monomolecular film is transferred onto the substrate by gently vertically moving the clean substrate up and down while maintaining this surface pressure. A monomolecular layer film is produced as described above, and a monomolecular layer cumulative film having a desired degree of accumulation is formed by repeating the above-mentioned operations.

成膜分子は、前記の有機化合物から1種または2種以上
選択される。
The film-forming molecules are selected from one or more of the above organic compounds.

単分子膜又は単分子層累積膜の厚さは30人〜300g
mが適しており、特に3000人〜30ILmが適して
いる。
The thickness of monomolecular film or monomolecular layer cumulative film is 30 to 300g.
m is suitable, and in particular 3000 people to 30 ILm is suitable.

単分子層を基板上に移すには、上述した垂直浸せき法の
他・水平付着法・回転円筒法など′):方法による。水
平付着法は基板を水面に水平に↑ 接触させて移しとる方法で、回転円筒法は、円    
 l筒型の基体を水面上を回転させて単分子層を基  
   1体表面に移しとる方法である。前述した垂直浸
せき法では、水面を横切る方向に基板を上げると一層め
は親水基が基板側に向いた単分子層が     1基板
上に形成される。前述の様に基板を上下させると、各行
程ごとに1枚づつ単分子層が重なっていく、成膜分子の
向きが引上げ工程と浸せき工程で逆になるので、この方
法によると各層間は親水基と親水基、疎水基と疎水基が
向かい合うY型膜が形成される。この様にして作成され
た単分子層累積膜の模式図を第2図に示す。
In addition to the above-mentioned vertical dipping method, horizontal deposition method, rotating cylinder method, etc. are used to transfer the monomolecular layer onto the substrate. The horizontal attachment method is a method in which the substrate is transferred by touching it horizontally to the water surface, and the rotating cylinder method is a method in which the substrate is transferred by touching it horizontally to the water surface.
A monomolecular layer is formed by rotating the cylindrical substrate on the water surface.
This method involves transferring it to the surface of one body. In the vertical immersion method described above, when the substrate is raised in a direction across the water surface, a monomolecular layer with the hydrophilic groups facing the substrate is formed on one substrate. As mentioned above, when the substrate is moved up and down, the monomolecular layers overlap one by one in each process.The direction of the film-forming molecules is reversed in the pulling process and the dipping process, so according to this method, the spaces between each layer are hydrophilic. A Y-type film is formed in which the groups face each other, and the hydrophilic groups face each other, and the hydrophobic groups face each other. A schematic diagram of the monomolecular layer cumulative film produced in this manner is shown in FIG.

図中8−1は親水基、8−2は疎水基である。In the figure, 8-1 is a hydrophilic group, and 8-2 is a hydrophobic group.

それに対し、水平付着法は、基板を水面に水平に接触さ
せて移しとる方法で、疎水基が基板側に向いた単分子層
が基板上に形成される。この方法では、累積しても、成
膜分子の向きの交代はなく全ての層において、疎水基が
基板側に向いたX型膜が形成される0反対に全ての層に
おいて親水基が基板側に向いた累積膜はZ型膜と呼ばれ
る。
On the other hand, the horizontal deposition method is a method in which the substrate is brought into horizontal contact with the water surface and transferred, and a monomolecular layer with hydrophobic groups facing the substrate is formed on the substrate. In this method, there is no change in the orientation of the film-forming molecules even if they are accumulated, and an X-shaped film is formed in which the hydrophobic groups face the substrate in all layers.On the contrary, in all the layers, the hydrophilic groups face the substrate. A cumulative film that is oriented toward is called a Z-type film.

回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転させて単分
子層を基体表面に移しとる方法である。単分子層を基板
上に移す方法は、これらに限定されるわけではなく、大
面積基板を用いる時には、基板ロールから水相中に基板
を押し出していく方法などもとり得る。また、前述した
親水基、疎水基の基板への向きは原則であり、基板の表
面処理等によって変えることもできる。
The rotating cylinder method is a method in which a cylindrical substrate is rotated on the water surface to transfer a monomolecular layer onto the surface of the substrate. The method of transferring the monomolecular layer onto the substrate is not limited to these methods, and when using a large-area substrate, a method of extruding the substrate from a substrate roll into an aqueous phase may also be used. Furthermore, the directions of the hydrophilic groups and hydrophobic groups described above toward the substrate are in principle, and can be changed by surface treatment of the substrate, etc.

単分子膜または単分子層累積膜を作成する他の方法とし
ては、スパッタリング法、プラズマ重合法、二分子膜作
製法などがある。
Other methods for creating a monomolecular film or a monomolecular layer stack include a sputtering method, a plasma polymerization method, and a bilayer film production method.

基板1として使用する事のできるものとしては、ガラス
、アルミニウムなどの金属、プラスチック、セラミック
などが挙げられる。第1図(A)に示した透過型の場合
には、できる限り耐圧性のある透光性のガラスやプラス
チック、特に無色乃至淡色のものが好ましい、また、基
板表面の洗浄が不十分であると、単分子層を水面から移
しとる時に、単分子膜が乱れ、良好な単分子膜または単
分子層累積膜ができないので基板表面が清浄なものを使
用する必要がある。
Examples of materials that can be used as the substrate 1 include glass, metals such as aluminum, plastics, and ceramics. In the case of the transmission type shown in Figure 1 (A), it is preferable to use pressure-resistant and transparent glass or plastic, especially colorless or light-colored ones, and the substrate surface may not be sufficiently cleaned. When the monomolecular layer is transferred from the water surface, the monomolecular layer is disturbed and a good monomolecular film or monomolecular layer accumulation film cannot be formed, so it is necessary to use a substrate with a clean surface.

保護用基板4としては、できる限り耐圧性のある透光性
のガラスやブラスツチクが適しており、特に無色乃至淡
色のものが好ましい、保護用基板4を設けることは、単
分子膜または単分子層累積膜の耐久性、安定性を向上さ
せるためには、好ましいことであるが、成膜分子の選択
によって保護用基板は設けても設けなくてもよい。
As the protective substrate 4, pressure-resistant and transparent glass or plastic is suitable as much as possible, and colorless or light-colored ones are particularly preferable. Although this is preferable in order to improve the durability and stability of the cumulative film, the protective substrate may or may not be provided depending on the selection of film-forming molecules.

発熱要素2は、ドツトマトリックス状(点打列状)、ド
ツトライン状(点線状)、ライン状、島状等の種々の形
態で発熱して熱伝導により単分子膜又は単分子層累積膜
を加熱するためのものである。
The heating element 2 generates heat in various forms such as a dot matrix shape (dotted line shape), a dot line shape (dotted line shape), a line shape, an island shape, etc., and heats a monomolecular film or a monomolecular layer accumulation film by heat conduction. It is for the purpose of

発熱要素2としては、赤外線などによる輻射線加熱を利
用するものや抵抗加熱等のジュール熱を利用するもの等
があげられる。前者としては各種の無機あるいは有機材
料、例えばGd・Tb・Feの合金、カーボン・ブラッ
ク等の無機顔料、ニグロシン等の有機染料、アゾ系等の
有機顔料などが適している。後者としては、例えば硼化
ハフニウムや窒化タンタル等の金属化合物やニクロム等
の合金が適している0発熱要素2の膜厚はエネルギー伝
達効率及び解像力に影響を及ぼす、これらの観点より、
発熱要素2の好適な膜厚がtooo〜2000人である
Examples of the heat generating element 2 include those that utilize radiation heating such as infrared rays, and those that utilize Joule heat such as resistance heating. As the former, various inorganic or organic materials are suitable, such as alloys of Gd, Tb, and Fe, inorganic pigments such as carbon black, organic dyes such as nigrosine, and organic pigments such as azo. For the latter, metal compounds such as hafnium boride and tantalum nitride, and alloys such as nichrome are suitable.From these viewpoints, the film thickness of the heating element 2 affects energy transmission efficiency and resolution.
The preferred thickness of the heat generating element 2 is 2,000 to 2,000.

光学素子が透過型の場合、発熱要素2は可視光に対して
透過性であることが要件となる。
When the optical element is of a transmissive type, the heating element 2 is required to be transparent to visible light.

しかし、発熱要素2は、特別に設けなくとも、上記特性
を具備した基板材料を選択することにより、基板lが発
熱要素を兼ねることもできる。
However, even if the heating element 2 is not specially provided, the substrate 1 can also serve as the heating element by selecting a substrate material having the above characteristics.

反射膜としては、高融点の金属材料又は金属化合物材料
を用いて金属膜、銹電ミラーなどを単分子膜又は単分子
層累積膜3より基板1側にスパッタリング法、蒸着法な
どにより設ける。
As the reflective film, a metal film, a galvanic mirror, or the like using a high melting point metal material or metal compound material is provided on the substrate 1 side from the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3 by sputtering, vapor deposition, or the like.

反射膜も発熱要素2同様、基板lの材料を光を反射しう
る材料を選択することにより、基板1に兼ねさせること
もできる。
Like the heat generating element 2, the reflective film can also serve as the substrate 1 by selecting a material that can reflect light as the material for the substrate 1.

基板上の単分子膜または単分子層累積膜は、十分に強く
固定されており基板からの剥離、剥と 落を生じるこ拠はほとんどないが、接着力を強化する目
的で、基板と単分子膜または単分子層累積膜の間に接着
層を設けることもできる。さらに単分子層形成条件LB
法であれば例えば水相の水素イオン濃度、イオン種、あ
るいは表面圧の選択等によっても接着力を強化すること
もできる。
Although the monomolecular film or monomolecular layer stack on the substrate is sufficiently strongly fixed and there is little evidence of peeling or peeling off from the substrate, in order to strengthen the adhesion, it is necessary to Adhesive layers can also be provided between the membranes or monolayer stacks. Furthermore, monomolecular layer formation conditions LB
In this method, the adhesion force can also be strengthened by selecting the hydrogen ion concentration, ion species, or surface pressure of the aqueous phase, for example.

前述した加熱部5における物性変化とは、特に光学的物
性の変化を意味し、たとえば具体的には単分子膜又は単
分子層累積膜を構成している分子集合体の屈折率、密度
、分極率等の変化および相転移を意味している。たとえ
ば、この中で屈折率について言えば、発熱要素2の加熱
部6の発熱により単分子膜又は単分子層累積膜3が温度
t℃から温度(t+△t)℃に上昇したとする。この場
合、温度t℃の時の単分子膜又は単分子層累積膜の屈折
率をNとし、温度(t+Δt)℃の時のこの屈折率をN
+ΔNとすると、屈折率勾配はΔN/Δで−−104(
1/”0)である、屈折率の変化率、即ち温度に対する
屈折率変化は僅かであるが発熱要素の加熱部6の近辺の
単分子膜又は単分子層累積膜3の微小領域が加熱される
と微小領域における屈折率勾配は大であり、従って、こ
の加熱された微小領域の単分子膜又は単分子層累積膜3
の加熱部5はパワーを持ち、屈折率勾配の大の領域にお
いては光は屈折、散乱、回折等する。
The above-mentioned change in physical properties in the heating section 5 particularly means a change in optical properties, such as the refractive index, density, and polarization of the molecular aggregates constituting a monomolecular film or a monomolecular layer stack. It means a change in rate etc. and a phase transition. For example, regarding the refractive index, it is assumed that the temperature of the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film 3 rises from the temperature t° C. to (t+Δt)° C. due to the heat generated by the heating portion 6 of the heat generating element 2. In this case, the refractive index of the monomolecular film or monomolecular layer stack at a temperature of t°C is N, and this refractive index at a temperature of (t+Δt)°C is N.
+ΔN, the refractive index gradient is ΔN/Δ, −-104(
Although the rate of change in the refractive index, that is, the change in the refractive index with respect to temperature, which is 1/"0), is slight, a minute region of the monomolecular film or the monomolecular layer accumulation film 3 in the vicinity of the heating section 6 of the heating element is heated. Then, the refractive index gradient in the micro region is large, and therefore, the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3 of this heated micro region
The heating section 5 has power, and light is refracted, scattered, diffracted, etc. in a region where the refractive index gradient is large.

発熱要素2の加熱部6が発熱して単分子膜又は単分子層
累積膜3の物性が前述のように変化する程度に加熱され
て加熱部5が形成される。
The heating portion 6 of the heat generating element 2 generates heat and is heated to such an extent that the physical properties of the monomolecular film or the monomolecular layer stack 3 change as described above, thereby forming the heating portion 5.

発熱要素2のその他の部位は発熱していないのでそれに
対応する単分子膜又は単分子層累積膜3の低温領域の物
性の変化はほとんどなく、その物性は近似的に一様であ
る。低温領域においても実際には加熱部等からの熱伝導
よって。
Since the other parts of the heating element 2 do not generate heat, there is almost no change in the physical properties of the corresponding monomolecular film or monomolecular layer stacked film 3 in the low temperature region, and the physical properties are approximately uniform. Even in low temperature regions, this is actually due to heat conduction from heating parts, etc.

加温され、光学的物性は変化するであろうが、加熱部の
変化からみると、相対的に無視できる程度である。
Although the optical properties will change due to heating, this is relatively negligible in terms of changes in the heated portion.

単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部5を通過する照明
光7は、この部分に熱的に生じた屈折率勾配(グラディ
エンドインデックス)によって屈折、散乱、回折等して
単分子膜又は単分子層累a膜3内を直進せず屈折して光
路変化する。このため、単分子膜又は単分子層累積膜の
加熱部5を通過する照明光7と、そこを通過しない照明
光7とは、光学素子OEを射出してきた時、平行光とは
ならず、それらの射出方向は互いに異なる0発熱要素2
の加熱部6が加熱しなくなれば、単分子膜又は単分子層
累積膜の加熱部5は冷却されてなくなり、光学素子OE
から射出する照明光7の方向は全て同じ方向となる。故
に、単分子膜又は単分子層累積a3の加熱部5の高温領
域を通過する照明光7と、加熱部でない部位の単分子膜
又は単分子層累積膜3の低温領域を通過する照明光7と
が光学的に識別される。
The illumination light 7 passing through the heating part 5 of the monomolecular film or monomolecular layer accumulation film is refracted, scattered, diffracted, etc. due to the refractive index gradient (gradient index) thermally generated in this part, and the illumination light 7 passes through the heating part 5 of the monomolecular film or monomolecular layer accumulation film. The light does not travel straight through the monomolecular layer stacked a film 3, but is refracted and changes its optical path. Therefore, the illumination light 7 that passes through the heating section 5 of the monomolecular film or the monomolecular layer accumulation film and the illumination light 7 that does not pass through it do not become parallel light when they exit the optical element OE. Their injection directions are different from each other 0 heating element 2
When the heating part 6 of the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film stops heating, the heating part 5 of the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film is cooled and disappears, and the optical element OE
The direction of the illumination light 7 emitted from is all the same direction. Therefore, the illumination light 7 that passes through the high-temperature region of the heating section 5 of the monomolecular film or monomolecular layer accumulation a3, and the illumination light 7 that passes through the low-temperature region of the monomolecular film or monomolecular layer accumulation film 3 at a portion other than the heating section. are optically identified.

前述の相転移は、温度および圧力などの変化によって生
じる。相転移を起こす温度、すなわち相転移温度(Tc
)は物質によって固有であり、単分子膜又は単分子層累
積膜を形成する有機化合物は、Tc以下で結晶相であり
、Tc以上で液晶相に相転移するものが特に好ましい。
The aforementioned phase transitions are caused by changes in temperature, pressure, etc. The temperature at which a phase transition occurs, that is, the phase transition temperature (Tc
) is specific to each substance, and it is particularly preferable that the organic compound forming the monomolecular film or the monomolecular layer stack has a crystalline phase below Tc and undergoes a phase transition to a liquid crystal phase above Tc.

また、Tcは50〜100℃のものが適している0例え
ばジアルキルアンモニウム塩のTcは20℃〜60℃で
ある。一般的にTcは、アルキル鎖長とともにTcは上
昇する。第3図はジアルキルアンモニウム塩の場合の相
転移現象を模式的に示したものである。前述のごとく、
屈折率変化は温度変化に近似的に比例するが、Tcの前
後では顕著に屈折率は変化する。したがって加熱温度を
Tc以上に設定することがより好適である。勿論、Tc
以下で十分な屈折率変化が得られればTc以上に設定す
る必要がないことは言うまでもない、さらに累積膜の構
成分子を適当に選ぶことによって結晶相から液晶相に、
又はある種の液晶相からある種の液晶相に相転移するこ
とによって光散乱ないし不透光を呈する。このような光
散乱などの相転移による屈折率以外の物性変化も作像に
用いることができる。
Further, Tc of 50 to 100°C is suitable; for example, Tc of dialkylammonium salt is 20 to 60°C. Generally, Tc increases with the alkyl chain length. FIG. 3 schematically shows the phase transition phenomenon in the case of a dialkylammonium salt. As mentioned above,
Although the refractive index change is approximately proportional to the temperature change, the refractive index changes significantly before and after Tc. Therefore, it is more preferable to set the heating temperature to Tc or higher. Of course, Tc
It goes without saying that there is no need to set the refractive index higher than Tc if a sufficient refractive index change is obtained below.Furthermore, by appropriately selecting the constituent molecules of the cumulative film, the crystal phase can be changed from the crystal phase to the liquid crystal phase.
Or, it exhibits light scattering or non-light transmission due to a phase transition from a certain type of liquid crystal phase to a certain type of liquid crystal phase. Changes in physical properties other than the refractive index due to phase transition such as light scattering can also be used for image formation.

本発明の光学素子は一定の照明条件(例えば、平行光に
よる照明)の下では直視表示も可能であるが、後述の結
像光学系との組合わせによって更に表示装置としての用
途及び利用価値は広がる。透過型の光学素子の直視表示
の場合、単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部5を通過
してきた光の方向に対して位置した不図示の観察眼に到
達する光量差に基づき表示画素の識別ができる。相転移
による光散乱を利用すると、直視表示は、より簡単で効
果的である。
Although the optical element of the present invention is capable of direct viewing under certain illumination conditions (for example, illumination with parallel light), its use and utility as a display device can be further improved by combining it with an imaging optical system, which will be described later. spread. In the case of direct viewing display using a transmissive optical element, the display pixels are determined based on the difference in the amount of light that reaches an observation eye (not shown) positioned with respect to the direction of the light that has passed through the heating section 5 of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film. can be identified. By utilizing light scattering due to phase transition, direct viewing display is simpler and more effective.

反射型の光学素子と後述の結像光学系との組合せの場合
、単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部5の結像光学系
による結像位置と発熱要素2によって加熱されていない
(発熱要素2によって単分子膜又は単分子層累積膜3が
予熱されている場合も含む)単分子膜又は単分子層累積
膜3の低温領域の部分(以下、非加熱部という)の結像
光学系による結像位置が異なるためにデフォーカスする
ことにより表示点の識別がより明確に行なわれる。従っ
て、デフォーカスすることにより明点を暗点に反転させ
て表示することもできる。後述の結像光学系を用いない
場合には、光学素子の表示効果を増すために照明光7と
して平行光を用い、後述のような遮光格子を付設すれば
表示効果は飛躍的に向上する。なお、第1図において、
発熱要素2は単分子膜又は単分子層累積113と直接接
して単分子膜又は単分子層累積膜を加熱しているが、単
分子膜又は単分子層累積膜の近辺に発熱要素2を配置し
熱伝導加熱により単分子膜又は単分子層累積膜3を加熱
してもよい、たとえば、第1図(B)において1発熱要
素2が光を反射しない場合、単分子膜又は単分子層累積
膜3と発熱要素2との間に光反射性の金属膜、誘電ミラ
ー等を介在させてもよい。
In the case of a combination of a reflective optical element and an imaging optical system (to be described later), the imaging position of the heating section 5 of the monomolecular film or monomolecular layer stacked film by the imaging optical system and the position that is not heated by the heating element 2 ( Imaging optics for the low temperature region portion (hereinafter referred to as non-heating section) of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3 (including the case where the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3 is preheated by the heating element 2) Since the imaging positions differ depending on the system, display points can be more clearly identified by defocusing. Therefore, by defocusing, a bright spot can be inverted and displayed as a dark spot. If the imaging optical system described later is not used, parallel light is used as the illumination light 7 to increase the display effect of the optical element, and if a light-shielding grating as described later is attached, the display effect can be dramatically improved. In addition, in Figure 1,
The heating element 2 is in direct contact with the monomolecular film or the monomolecular layer stack 113 to heat the monomolecular film or the monomolecular layer stack, but the heat generating element 2 is placed near the monomolecular film or the monomolecular layer stack. However, the monomolecular film or monomolecular layer stack 3 may be heated by thermal conduction heating. For example, if one heating element 2 does not reflect light in FIG. A light-reflecting metal film, a dielectric mirror, or the like may be interposed between the film 3 and the heat generating element 2.

なお、第1図では、説明をわかり易くするために光学素
子OEに入射する光束を平行光としたが、特に平行光に
かぎるものではなく、本質的には光学素子OEに入射す
る光が発熱要素2の加熱部6の発熱によって光路中に単
分子膜又は単分子層累積膜3の高温領域、すなわち加熱
部5が形成されることにより、加熱部5が形成されない
前の光路と比較して光路変化をするということを利用す
るものである。
Note that in FIG. 1, in order to make the explanation easier to understand, the light flux that enters the optical element OE is shown as parallel light, but it is not limited to parallel light; essentially, the light that enters the optical element OE is a heat-generating element. 2, a high-temperature region of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3, that is, a heating section 5, is formed in the optical path due to the heat generated by the heating section 6 of No. 2. It takes advantage of the fact that change occurs.

第4図は本発明の光変調装置に利用する光学素子の作像
原理を更に具体的に説明するための光学素子の断面図で
あり、第4図(A)は透過型の光学素子を、第4図(B
)は反射型の光学素子を夫々示している。
FIG. 4 is a cross-sectional view of an optical element for more specifically explaining the image forming principle of the optical element used in the light modulation device of the present invention, and FIG. 4(A) shows a transmissive optical element. Figure 4 (B
) indicate reflective optical elements.

図に於て、9は輻射線10を吸収して発熱する輻射線吸
収層、3は単分子膜又は単分子層累積膜、4は保護用基
板を示す、なお、第4図(B)に示されている反射型の
光学素子OEに於て、11は表示に利用する照明光7を
反射するための反射膜、12は単分子膜又は単分子層累
積膜3を予め加熱しておくための発熱体層である。これ
ら反射膜11、発熱体層12は必ずしも光学素子OEに
必要とするものではなく、必要に応じて設けられる。た
とえば、輻射線吸収層9が光反射性を有する時には反射
@11は用いられない、又、輻射線強度が充分に強い場
合も発熱体層12は不要である。但し、発熱体層12に
ついては後述するので、第4図(B)においては発熱体
層12はないものとして説明する。又、発熱体層12は
必要に応じて第4図(A)に示されている透過型の光学
素子にも設けられる。輻射線吸収層9は輻射線lOとり
わけ赤外線を効率的に吸収して発熱するが、それ自身は
発熱することによって溶融し難いものでなければならな
い、この輻射線吸収層9は各種の無機或は有機材料を成
膜(多層膜を含む)して得られる。尚、この輻射線吸収
層9自身は膜厚数延程度なので、概して支持機能に乏し
いから、不図示のガラスやプラスチック等からなる輻射
線透過性支持板を基板として付加するのが一般的である
。単分子膜又は単分子層累積膜3を構成する有機化合物
には前述のような種類があり、一般に可視光線に対して
透光性を有するものが適しているが赤外線等の輻射線l
Oに対して透光性であるか否かは問わない、13は格子
で、単分子膜又は単分子層累積膜3が加熱されていない
時、光学素子に入射して透過型の光学素子を透過したり
、反射型の光学素子によって反射されて光学素子から射
出する照明光7を遮光している。このように構成された
光学素子OEに対して1図面右方から輻射線(特に、赤
外線)10を照射すると、輻射線吸収層9の対応点が発
熱する。この様にして輻射線吸収M9の一部が発熱する
と、これに接しているかもしくは近接している部分の単
分子膜又は単分子層累積膜3は熱伝導によって加熱され
、温度が上昇して、その物性が加熱前より変化し、単分
子膜又は単分子層累積膜3の高温領域の加熱部5が形成
される。この加熱部5を通過する照明光7は、加熱部5
を通過する時、第1図に於て前述したメカニズムにより
、その光路を変化させられる。この光路変化をうけた照
明光7の少なくとも一部は光学素子OEを射出した時、
格子13の開口を通過する。一方、加熱部5を通らない
照明光7は全て格子13によって遮光されるので、この
格子13を介して光学素子OEを見た場合、加熱部5が
形成された単分子膜又は単分子層累積膜の部分を通過す
る照明光と非加熱部を通過する照明光7とが識別される
In the figure, 9 is a radiation absorbing layer that absorbs radiation 10 and generates heat, 3 is a monomolecular film or a monomolecular layer stack, and 4 is a protective substrate. In the reflective optical element OE shown, 11 is a reflective film for reflecting the illumination light 7 used for display, and 12 is for preheating the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3. This is the heating element layer. These reflective film 11 and heat generating layer 12 are not necessarily required for the optical element OE, but are provided as necessary. For example, when the radiation absorbing layer 9 has light reflectivity, the reflection@11 is not used, and also when the radiation intensity is sufficiently strong, the heating layer 12 is not necessary. However, since the heat generating layer 12 will be described later, the description will be made assuming that the heat generating layer 12 is not present in FIG. 4(B). Further, the heating element layer 12 is also provided in the transmission type optical element shown in FIG. 4(A) as necessary. The radiation absorbing layer 9 efficiently absorbs radiation, particularly infrared rays, and generates heat, but it must itself be difficult to melt due to heat generation.This radiation absorbing layer 9 is made of various inorganic or Obtained by depositing organic materials into films (including multilayer films). Since the radiation absorbing layer 9 itself has a thickness of only a few layers, it generally lacks a supporting function, so it is common to add a radiation transparent support plate made of glass, plastic, etc. (not shown) as a substrate. . There are the above-mentioned types of organic compounds constituting the monomolecular film or monomolecular layer stack 3, and those that are generally transparent to visible light are suitable;
Reference numeral 13 denotes a grating, which may or may not be transparent to O, and when the monomolecular film or monomolecular layer stack 3 is not heated, it enters the optical element and converts the transmissive optical element. Illumination light 7 that is transmitted or reflected by a reflective optical element and exits from the optical element is blocked. When the optical element OE configured in this way is irradiated with radiation (particularly infrared rays) 10 from the right side of the drawing, corresponding points on the radiation absorption layer 9 generate heat. When a part of the radiation absorption M9 generates heat in this way, the monomolecular film or the monomolecular layer stack 3 in the part that is in contact with or in close proximity to it is heated by thermal conduction, and the temperature rises. Its physical properties change from before heating, and a heated portion 5 in a high temperature region of the monomolecular film or monomolecular layer stack 3 is formed. The illumination light 7 passing through this heating section 5 is
, its optical path is changed by the mechanism described above in FIG. When at least a part of the illumination light 7 that has undergone this optical path change exits the optical element OE,
It passes through the opening in the grid 13. On the other hand, all of the illumination light 7 that does not pass through the heating section 5 is blocked by the grating 13, so when viewing the optical element OE through the grating 13, the monomolecular film or monomolecular layer accumulation on which the heating section 5 is formed The illumination light passing through the membrane part and the illumination light 7 passing through the non-heated part are distinguished.

勿論、非加熱部を通過する照明光7が格子13の開口を
通過するようにすれば、加熱部5が形成された時に、こ
の部分を通過する照明光7は格子13によって遮光され
るので、照明光7が通過しない格子13の開口もあり、
前述の例の逆の形態の光学素子も可能となる。
Of course, if the illumination light 7 passing through the non-heating part is made to pass through the opening of the grating 13, the illumination light 7 passing through this part will be blocked by the grating 13 when the heating part 5 is formed. There is also an opening in the grating 13 through which the illumination light 7 does not pass.
An optical element having the opposite form to the above-mentioned example is also possible.

格子13がない場合でも、単分子膜又は単分子層累積膜
3の加熱部5を通過する照明光7の方向と、非加熱部を
通過する照明光7の方向とは光学素子OEを射出してき
た場合、互いに異なっているので、どちらか一方の光束
がくる方向にむかって見た場合、光学的に照明光7は識
別される。
Even when there is no grating 13, the direction of the illumination light 7 passing through the heating section 5 of the monomolecular film or monomolecular layer stack 3 and the direction of the illumination light 7 passing through the non-heating section are the same as those emitted from the optical element OE. Since the illumination light beams 7 are different from each other, the illumination light beams 7 can be optically distinguished when viewed in the direction in which either one of the light beams comes.

尚、光学素子OEに対して輻射線lOを照射する場合、
所定の画像に対応する様にパターン状に照射することも
できるし、レーザ光源を利用して、輻射線10をビーム
として多数のビームをドツト状に一括して照射すること
もできるが、lビーム又は1ラインビームを輻射線吸収
N9上に走査させる方法をとることもできる。
In addition, when irradiating the optical element OE with radiation lO,
It is possible to irradiate in a pattern corresponding to a predetermined image, or it is possible to use a laser light source to irradiate a large number of beams at once in a dot shape using the radiation 10 as a beam. Alternatively, a method may be adopted in which one line beam is scanned over the radiation absorbing N9.

又、輻射線10を照射する方向は、第4図(A)に示さ
れている透過型の光学素子OEの場合、図示例のみに限
定されない、つまり、保護用基板4及び単分子膜又は単
分子層累aM3を輻射線10が透過する場合には、輻射
線lOを図面左方から照射することも可能である。
Furthermore, in the case of the transmission type optical element OE shown in FIG. 4(A), the direction in which the radiation 10 is irradiated is not limited to the illustrated example; When the radiation 10 passes through the molecular layer aM3, it is also possible to irradiate the radiation 10 from the left side of the drawing.

尚、表示の消去は単分子膜又は単分子層累積膜3の加熱
部5の冷却によって自然に為される。
Incidentally, the display is erased naturally by cooling the heating section 5 of the monomolecular film or the monomolecular layer stack 3.

尚、以上では輻射線加熱によって表示画素を形成する方
法に就いて説明したが、本発明では第4図の輻射線吸収
層9を後述のように不図示の金属等からなる伝熱層に代
え、これに不図示の発熱素子を近接若しくは接触させて
単分子膜又は単分子層累積膜を伝導加熱する様に変形す
ることも可能である。
Although the method for forming display pixels by radiation heating has been described above, in the present invention, the radiation absorbing layer 9 in FIG. It is also possible to modify the monomolecular film or the monomolecular layer stack by bringing a heating element (not shown) in close proximity to or in contact with this to heat the monomolecular film or the monomolecular layer stack by conduction.

本発明では、表示画素の識別効果を更に高める為に、輻
射線吸収層9と単分子膜又は単分子層累積膜の間に前述
したように可視光線の反射11111を別途、介在させ
ることもできる。斯かる反射膜11は、熱伝導の際、そ
れ自身が溶融することのない高融点の金属材料又は金属
化合物材料によって形成する必要がある。
In the present invention, in order to further enhance the discrimination effect of display pixels, visible light reflection 11111 may be separately interposed between the radiation absorbing layer 9 and the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film as described above. . Such a reflective film 11 needs to be formed of a high melting point metal material or metal compound material that does not melt itself during heat conduction.

本発明に利用する光学素子に於て有効な表示を得るため
には単分子膜又は単分子層累積膜3の輻射線吸収層9と
接する面及びその近傍が加熱される必要があるが、その
加熱が単分子膜又は単分子層累積膜3の保護用基板4に
接する面及びその近傍にまで及ぶことは要件ではない。
In order to obtain an effective display in the optical element used in the present invention, it is necessary to heat the surface of the monomolecular film or the monomolecular layer stack 3 in contact with the radiation absorption layer 9 and its vicinity. It is not a requirement that the heating extends to the surface of the monomolecular film or monomolecular layer stack 3 that is in contact with the protective substrate 4 and its vicinity.

しかしながら、単分子膜又は単分子層累積膜3の輻射線
吸収層9の加熱面に接する面及びその近傍の温度が周辺
領域の単分子膜又は単分子層累積膜3の温度より高い程
、光学素子OEの表示コントラストは向上することが実
験の結果判った。更に、これを積極的に利用すれば、単
分子膜又は単分子層累積膜3を加熱するための熱量を異
ならしめることにより中間調を表示することが可能にな
る。
However, the higher the temperature of the surface of the monomolecular film or monomolecular layer stack 3 that is in contact with the heating surface of the radiation absorption layer 9 and its vicinity is higher than the temperature of the monomolecular film or monomolecular layer stack 3 in the surrounding area, the more the optical Experiments have shown that the display contrast of element OE is improved. Furthermore, if this is actively utilized, it becomes possible to display halftones by varying the amount of heat for heating the monomolecular film or the monomolecular layer stack 3.

尚、輻射線吸収層9上に輻射線10を照射する照射スポ
ット径は小さい程表示のコントラストが良く好適な輻射
線lOのスポット径(直径)は0.5g〜1 oo、を
位が適当である。
Incidentally, the smaller the diameter of the irradiation spot for irradiating the radiation 10 onto the radiation absorption layer 9, the better the contrast of the display, and the suitable spot diameter (diameter) of the radiation 10 is 0.5 g to 1 oo. be.

しかしながら幅2mm長さ10mmの矩形状の光束の輻
射線10で輻射線吸収層9を照射しても表示像は得られ
るものである。本発明の詳細な説明に於てしばしば用い
る単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部5とは後者の範
囲も含むものである。もっとも、単分子膜又は単分子層
累積膜の加熱部5が微小でなくとも加熱面の温度が一様
でないために加熱部5に於ける光の光路の方向と非加熱
部における光の光路の方向に差異が生ずれば識別効果は
生ずる。したがって。
However, even if the radiation absorbing layer 9 is irradiated with the radiation 10 in the form of a rectangular light beam having a width of 2 mm and a length of 10 mm, a displayed image can be obtained. In the detailed description of the present invention, the heating section 5 of a monomolecular film or a monomolecular layer stacked film, which is often used, includes the latter range. However, even if the heating part 5 of the monomolecular film or monomolecular layer accumulation film is not very small, the temperature of the heating surface is not uniform, so the direction of the optical path of light in the heating part 5 and the optical path of light in the non-heating part are different. If there is a difference in direction, a discrimination effect will occur. therefore.

本発明に於ては、単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部
5を微小範囲に限定するものではない。
In the present invention, the heating portion 5 of the monomolecular film or the monomolecular layer stack is not limited to a minute range.

本発明に用いる光学素子においては、第4図(B)に示
されているように1表示画素としての単分子膜又は単分
子層累積膜の加熱部5の形成速度を大いに速めるために
、反射膜を用いない場合は、光学素子OEの輻射線吸収
層9と単分子膜又は単分子層累積膜3との間に1反射膜
を用いる場合は、輻射線吸収層9と反射膜11との間に
ジュール熱によって発熱する発熱体層12を設け、所定
の単分子膜又は単分子層累積膜を予熱することが望まし
い場合もある。尚この時、輻射線吸収層9或は反射膜1
1が導体である場合には、これ等と発熱体層12との間
に不図示の絶縁層を設けることが望ましい。
In the optical element used in the present invention, as shown in FIG. 4(B), in order to greatly accelerate the formation speed of the heating portion 5 of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film as one display pixel, reflection If no film is used, and if a reflective film is used between the radiation absorbing layer 9 and the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3 of the optical element OE, the difference between the radiation absorbing layer 9 and the reflective film 11 is In some cases, it may be desirable to preheat a predetermined monomolecular film or monomolecular layer stack by providing a heat generating layer 12 that generates heat by Joule heat between the two layers. At this time, the radiation absorbing layer 9 or the reflective film 1
When 1 is a conductor, it is desirable to provide an insulating layer (not shown) between the conductor and the heating element layer 12.

このような発熱体層12としては、はぼ、輻射線ビーム
の−又は複数の走査線に対応する線状発熱体や格子状発
熱体(何れも不図示)等が好適である0発熱体層12が
線状発熱体の場合、この幅方向に於て発熱部は微小であ
るから良好な表示結果が得られるものと思われる。
As such a heating element layer 12, a linear heating element or a grid heating element (none of which are shown) corresponding to one or more scanning lines of a radiation beam is suitable. When 12 is a linear heating element, it is thought that good display results can be obtained because the heating portion is minute in the width direction.

このとき輻射線10の輻射線吸収層9への照射と発熱体
層12による単分子膜又は単分子層累積膜3の加熱とを
同期させるのが好適である。
At this time, it is preferable to synchronize the irradiation of the radiation 10 onto the radiation absorbing layer 9 and the heating of the monomolecular film or monomolecular layer stack 3 by the heating element layer 12.

この様な発熱体層I2の素材としては、硼化ハフニウム
や窒化タンタル等に代表される金属化合物、ニクロム等
の合金を挙げることができる。
Examples of the material for the heating element layer I2 include metal compounds such as hafnium boride and tantalum nitride, and alloys such as nichrome.

又、本発明に於ては、単分子膜又は単分子層累aSに直
接、腐蝕性の構成要素が接触する様な光学素子の構成は
、素子の寿命を低下させることになるので、避けるべき
である。単分子膜又は単分子層累積膜に腐蝕性の構成要
素が接している構成では、化学腐蝕、熱酸化等が生じて
光学素子が損傷又は劣化する場合が大きいからである。
Furthermore, in the present invention, the structure of the optical element in which a corrosive component comes into direct contact with the monomolecular film or monomolecular layer stack aS should be avoided since it will shorten the life of the element. It is. This is because in a configuration in which a corrosive component is in contact with a monomolecular film or a monomolecular layer stack, chemical corrosion, thermal oxidation, etc. occur, and the optical element is often damaged or deteriorated.

従って、この様な場合には、単分子膜又は単分子層累積
膜と腐蝕性の構成要素の界面に、耐蝕性の保護膜(不図
示)を形成することが望ましい。そして、この保護膜の
素材としては、酸化硅素、酸化チタン等の誘電体や耐熱
性プラスチック等を挙げることができる。この保護膜を
反射膜がその機能を兼ねることもある。
Therefore, in such cases, it is desirable to form a corrosion-resistant protective film (not shown) at the interface between the monomolecular film or the monomolecular layer stack and the corrosive component. Examples of the material for this protective film include dielectric materials such as silicon oxide and titanium oxide, heat-resistant plastics, and the like. A reflective film may also serve as this protective film.

なお、輻射線吸収層9として金属等を用いるときは、こ
れは、一般に、基板としての輻射線透過性支持板上に成
膜されるのが普通であるから、輻射線吸収層9を加熱し
た時、これは外部空気によって酸化される心配はない。
Note that when a metal or the like is used as the radiation absorption layer 9, it is generally formed into a film on a radiation-transparent support plate as a substrate. There is no need to worry about it being oxidized by external air.

輻射線吸収層9の輻射線吸収率が完全でない場合には、
これに輻射線10を照射する側に反射防止膜(不図示)
を施すことにより輻射線吸収層9の輻射線10の吸収率
を著しく高めることもできる。
If the radiation absorption rate of the radiation absorption layer 9 is not perfect,
An anti-reflection coating (not shown) is provided on the side to which the radiation 10 is irradiated.
By applying this, the absorption rate of the radiation 10 of the radiation absorption layer 9 can be significantly increased.

次に第5図および第6図によってライトバルブ式投写装
置について説明する。ライトバルブ(光弁)は光を制御
あるいは調節するものの意であり、従って、独立した光
源からの光を適当な媒体(本発明の場合、光学素子の単
分子膜又は単分子層累積膜)で制御してスクリーン上に
投写表示する方式のディスプレイはすべてこれに含まれ
ることになる。この方式は、ブラウン管のような自発光
型ディスプレイに比べると原理的には、使用する光源を
強くすることにより表示画面のサイズと明るさをいくら
でも増加できるので、特に光量を必要とする大画面ディ
スプレイに適している。そのうち、第5図に示すものは
、シュリーレンライトバルブとも呼ばれているもので、
入力信号に応じて制御媒体である単分子膜又は単分子層
累積膜に光の屈折角、回折角あるいは反射角の異なるパ
ターンあるいは散乱によるパターンをつくり、シュリー
レン光学系を用いてその変化を明暗像に変換し。
Next, the light valve type projection device will be explained with reference to FIGS. 5 and 6. A light valve refers to a device that controls or modulates light, thus converting light from an independent light source into a suitable medium (in the case of the present invention, a monolayer film or a monolayer stack of optical elements). This includes all displays that are controlled and projected onto a screen. Compared to self-luminous displays such as cathode ray tubes, this method can theoretically increase the size and brightness of the display screen by increasing the intensity of the light source used, so it is especially suitable for large screen displays that require a large amount of light. suitable for Among them, the one shown in Figure 5 is also called a schlieren light bulb.
Depending on the input signal, patterns with different refraction angles, diffraction angles, or reflection angles of light or patterns due to scattering are created in the monomolecular film or monomolecular layer stack film that is the control medium, and the changes are visualized as bright and dark images using a schlieren optical system. Convert to .

スクリーンに投写する方式である。This is a method of projecting onto a screen.

第5図はその表示装置の基本原理を説明するための概要
構成図である。第1格子13aの各スリットの像はシュ
リーレンレンズ14によって第2格子13b各バーの上
に遮光されるように夫々結像するように配置されている
。シュリーレンレンズ14と第2格子13bとの間にお
かれた透過型の光学素子OEの媒体としての単分子膜又
は単分子層累81膜が加熱されておらず、その物性(例
えば、屈折率)が一様に平滑であれば、第1格子13a
を通過した入射光はすべて第2格子13bにより遮られ
てスクリーン15に到達しない、しかし、光学素子OE
の単分子膜又は単分子層累積膜3の一部が発熱要素によ
り加熱されて高温になり単分子膜又は単分子層累積膜の
加熱部5が形成されると、そこを通過する光の光路が前
述したように変化するので、そこを通過した入射光16
は第2格子13bで遮られることなく第2格子13bの
間隙(開口)を通ってスクリーン15に到達する。
FIG. 5 is a schematic configuration diagram for explaining the basic principle of the display device. The images of each slit of the first grating 13a are arranged so as to be respectively formed by a schlieren lens 14 onto each bar of the second grating 13b so as to be shielded from light. The monomolecular film or monomolecular layer stack 81 film as a medium of the transmission type optical element OE placed between the Schlieren lens 14 and the second grating 13b is not heated, and its physical properties (for example, refractive index) is uniformly smooth, the first grating 13a
All incident light that has passed through the optical element OE is blocked by the second grating 13b and does not reach the screen 15.
When a part of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3 is heated by the heat generating element to a high temperature and a heated portion 5 of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film is formed, the optical path of light passing therethrough is increased. changes as described above, so the incident light 16 passing through it changes
reaches the screen 15 through the gap (opening) of the second lattice 13b without being blocked by the second lattice 13b.

従って、光学素子OEの単分子膜又は単分子層累積膜の
加熱部5を加熱している加熱面又はその近傍の媒体面を
スクリーン15に結像するように結像レンズ17を配置
すれば、光学素子OEの単分子膜又は単分子層累積膜の
温度変化量に対応した明暗像がスクリーン15上に得ら
れる。なお、これに用いられる第1及び第2格子13a
及び13bの開口は線状、点状の如何を問わない。
Therefore, if the imaging lens 17 is arranged so that the heating surface heating the heating section 5 of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film of the optical element OE or the medium surface in the vicinity thereof is imaged on the screen 15, A bright and dark image corresponding to the amount of temperature change of the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film of the optical element OE is obtained on the screen 15. Note that the first and second gratings 13a used for this
The openings 13b and 13b may be linear or dotted.

第6図は透過型ライトバルブ式投写装置の概略構成図で
あり、透過型の光学素子に対する信号入力手段の配置例
を示している。13aは第1格子、OEは透過型の光学
素子、14はシュリーレンズ、13bは第2格子、17
は結像レンズ、15はスクリーンで、これらの構成は第
5図の表示装置の構成に類似している。不図示のレーザ
ー光源及び光変調器を通して変調された輻射線(主に、
赤外線)10の信号光は水平スキャナー18としての回
転多面鏡によって水平走査され、レンズ20を介し、垂
直スキャナー19としての回転多面鏡、又はガルバノミ
ラ−によって垂直走査され、コールドフィルタ21によ
って反射されて第4図(A)に示した透過型の光学素子
での輻射線吸収層9に結像し、単分子膜又は単分子層累
積膜をドツトマトリックス状に加熱して単分子膜又は単
分子層累積膜の加熱部5の2次元像を形成する。一方、
第1格子13aを通過した入射光16はコールドフィル
タ21を通過するので、第5図に於て前述せるメカニズ
ムによりスクリーン15上に光学素子OEの単分子膜又
は単分子層累積膜の加熱部5に対応した二次元の可視像
を形成するものである。本図に於て用いられる光学素子
OEの輻射線吸収層は可視光に対しては透過性のもので
なければならないことはもちろんである。
FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a transmission type light valve type projection device, and shows an example of arrangement of signal input means for transmission type optical elements. 13a is a first grating, OE is a transmission type optical element, 14 is a Schley lens, 13b is a second grating, 17
1 is an imaging lens, and 15 is a screen, the construction of which is similar to that of the display device shown in FIG. Radiation modulated through a laser light source and a light modulator (not shown) (mainly,
The signal light (infrared rays) 10 is horizontally scanned by a rotating polygon mirror as a horizontal scanner 18, vertically scanned via a lens 20, by a rotating polygon mirror or a galvano mirror as a vertical scanner 19, and reflected by a cold filter 21. 4. An image is formed on the radiation absorption layer 9 using the transmission type optical element shown in Fig. 4 (A), and the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film is heated in a dot matrix shape to form a monomolecular film or monomolecular layer cumulative film. A two-dimensional image of the heated portion 5 of the membrane is formed. on the other hand,
Since the incident light 16 that has passed through the first grating 13a passes through the cold filter 21, the heating section 5 of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film of the optical element OE is placed on the screen 15 by the mechanism described above in FIG. It forms a two-dimensional visible image corresponding to the Of course, the radiation absorbing layer of the optical element OE used in this figure must be transparent to visible light.

尚、半導体レーザアレイ又は発光ダイオードアレイ(ラ
イン状に並べられたもの)を用いれば、水平スキャナー
は省略される。又、コールドフィルタとガルバノミラ−
とを共用しても良い。
Note that if a semiconductor laser array or a light emitting diode array (arrayed in a line) is used, the horizontal scanner can be omitted. Also, cold filter and galvano mirror
may be shared.

第7図は、本発明に係る光変調方法を利用する表示装置
としてのライトバルブ式投写装置のブロック図である。
FIG. 7 is a block diagram of a light valve type projection device as a display device using the light modulation method according to the present invention.

22は映像信号を発生する映像発生回路。22 is a video generation circuit that generates a video signal.

23は映像信号を制御してこの信号を映像増幅回路24
及び水平、垂直駆動回路25に与えるだめの制御回路、
26はレーザ光源、27はレーザ光源からのレーザビー
ムを映像増幅回路24からの信号に従って変調する光変
調器。
23 controls the video signal and sends this signal to the video amplification circuit 24
and a control circuit for supplying the horizontal and vertical drive circuits 25;
26 is a laser light source; 27 is an optical modulator that modulates the laser beam from the laser light source according to a signal from the video amplification circuit 24;

光変調器27により変調された光は、水平スキャナー1
8もしくは垂直スキャナー19に入射する。また、水平
スキャナー18、垂直スキャナー19は水平及び垂直駆
動回路25による夫々映像信号に同期した駆動信号をう
けて動作する。他の破線内の部分の構成については前述
した構成と同じなので説明を省略する。
The light modulated by the optical modulator 27 is transmitted to the horizontal scanner 1
8 or vertical scanner 19. Further, the horizontal scanner 18 and the vertical scanner 19 operate in response to drive signals synchronized with the video signals from the horizontal and vertical drive circuits 25, respectively. The configuration of the other portions within the broken line is the same as the configuration described above, so the description thereof will be omitted.

映像発生回路22より出力された映像信号は制御回路2
3を介して映像増幅回路24で増幅される。増幅された
映像信号の入力により光変調器27は駆動し、レーザ光
源26より出射されるレーザビームを変調する。一方、
制御回路23より水平同期信号及び垂直同期信号が出力
され、水平、垂直駆動回路25を介して夫々水平スキャ
ナー18及び垂直スキャナー19を駆動する。このよう
にして光学素子OEの単分子膜又は単分子層累積膜内に
熱的二次元像が形成される、この後の破線内の構成動作
については前述した通りでありここでは簡単のため省略
する。なお、TV電波を受信する場合には映像発生回路
22に代えて受信機を用いればよい。
The video signal output from the video generation circuit 22 is sent to the control circuit 2.
3 and is amplified by the video amplification circuit 24. The optical modulator 27 is driven by input of the amplified video signal and modulates the laser beam emitted from the laser light source 26. on the other hand,
A horizontal synchronization signal and a vertical synchronization signal are output from the control circuit 23 and drive the horizontal scanner 18 and vertical scanner 19 via the horizontal and vertical drive circuits 25, respectively. In this way, a thermal two-dimensional image is formed in the monomolecular film or monomolecular layer stack of the optical element OE.The subsequent configuration operations within the broken line are as described above and are omitted here for simplicity. do. Note that when receiving TV radio waves, a receiver may be used instead of the video generation circuit 22.

第8図は、本発明の光変調装置に利用するカラー光学素
子の例であり、説明の便宜上、上半分を透過型の光学素
子を、下半分を反射型の光学素子として断面図で示しで
ある。9は輻射線吸収層、11は反射膜であり1本図の
上半分に示した透過型の光学素子には設けていない、2
8は、カラーモザイクフィルタで、これの具体的構成及
び製造技術に就いては、既に特公昭52−13094号
公報及び特公昭52−36019号公報に於て詳しく説
明されている通りであるから、これらを援用することと
して、ここでは、詳細な説明を省略する。
FIG. 8 is an example of a color optical element used in the light modulation device of the present invention. For convenience of explanation, the upper half is a transmissive optical element and the lower half is a reflective optical element. be. 9 is a radiation absorption layer, 11 is a reflective film, which is not provided in the transmission type optical element shown in the upper half of the figure; 2
Reference numeral 8 is a color mosaic filter, and its specific configuration and manufacturing technology have already been explained in detail in Japanese Patent Publications No. 52-13094 and Japanese Patent Publication No. 52-36019. Detailed explanations will be omitted here as these will be referred to.

3は単分子膜または単分子層累積膜、4は保護用基板、
28はカラーモザイクフィルタを示す。
3 is a monomolecular film or a monomolecular layer stack, 4 is a protective substrate,
28 indicates a color mosaic filter.

図示例に於て、カラーモザイクフィルタ28の赤色フィ
ルタ部(R)に接する単分子膜又は単分子層累積膜3は
輻射線lOを吸収した輻射線吸収層9により熱伝導加熱
され、この上に単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部5
が生ずると、反射膜11により反射されるか、もしくは
輻射線吸収層9を透過してきた平行照明光7は単分子膜
又は単分子層累積膜の加熱部5を通過することにより、
前述のようなメカニズムにより、破線で示したような加
熱部5がない場合に通過してきた光の光路とは異なった
2点鎖線で示したような屈曲した光路を通って。
In the illustrated example, the monomolecular film or monomolecular layer stack 3 in contact with the red filter portion (R) of the color mosaic filter 28 is heated by thermal conduction by the radiation absorbing layer 9 that absorbs the radiation lO, Heating section 5 of monomolecular film or monomolecular layer cumulative film
When this occurs, the collimated illumination light 7 that has been reflected by the reflective film 11 or transmitted through the radiation absorption layer 9 passes through the heating section 5 of the monomolecular film or monomolecular layer accumulation film, thereby causing
Due to the mechanism described above, the light passes through a bent optical path as shown by the two-dot chain line, which is different from the optical path of the light that would have passed in the absence of the heating section 5 as shown by the broken line.

光学素子OE外に射出してくる。白色光が赤色フィルタ
部(R)に入射した場合、表示素子DEから出てくる透
過光もしくは反射光は。
The light is emitted outside the optical element OE. When white light enters the red filter section (R), the transmitted light or reflected light coming out of the display element DE is:

赤が視覚される光(以下、赤色光という)のみである、
青色フィルタ部(B)及び緑色フィルタ部(G)を通過
してくる光についても赤色フィルタ部(R)を通過する
前述の光の進路と同様である。但し、第8図の場合、緑
色フィルタ部(G)については、加熱部5を通過しない
場合の光線のみ図示しである。又、入射光が白色光の場
合、青色フィルタ部(B)を通過してきた光は、青が視
覚される光(以下青色光という)のみであり、また緑色
フィルタ部(G)を通過してきた光は、緑が視覚される
光(以下、緑色光という)のみである、この単分子膜又
は単分子層累積膜の加熱部5を通過してくる光の方向に
向って、光学素子OEを見た場合、不図示の観察者は、
加色法による擬似カラーを視覚するものである0例えば
、相隣接したカラーモザイクフィルタ28の赤色フィル
タ部(R)、緑色フィルタ部(G)、青色フィルタ部(
B)に於て同時に単分子膜又は単分子層累積膜3を加熱
して加熱部5が形成された時には、不図示の観察者は白
色を視覚することができる。
Red is the only visible light (hereinafter referred to as red light),
The path of the light passing through the blue filter section (B) and the green filter section (G) is also the same as the path of the light passing through the red filter section (R). However, in the case of FIG. 8, only the light rays that do not pass through the heating section 5 are shown for the green filter section (G). Furthermore, when the incident light is white light, the light that has passed through the blue filter section (B) is only the light that makes blue visible (hereinafter referred to as blue light), and the light that has passed through the green filter section (G). The optical element OE is directed toward the direction of the light that passes through the heating section 5 of this monomolecular film or monomolecular layer cumulative film, which is only the light that makes green visible (hereinafter referred to as green light). When viewed, an unillustrated observer
For example, the red filter section (R), the green filter section (G), and the blue filter section (
When the monomolecular film or the monomolecular layer stack 3 is simultaneously heated to form the heated portion 5 in step B), an observer (not shown) can see a white color.

また、第4図に於て説明したように、光学素子OEから
出てくる光の内型分子膜または単分子層累積膜の加熱部
5を通過してくる光のみを不図示の遮光格子の開口に通
すことにより、更に明瞭な加色法による擬似カラー表示
をうることができる。
Further, as explained in FIG. 4, only the light coming out of the optical element OE and passing through the heating section 5 of the internal molecular film or the monomolecular layer cumulative film is filtered through a light-shielding grating (not shown). By passing the light through the aperture, a clearer pseudo-color display using an additive coloring method can be obtained.

第9図は、本発明の光変調装置に用いる別の光学素子の
断面図であり、第9図(A)は透過型の、また第9図C
B)は反射型の光学素子を夫々示している0図に於て、
3は単分子膜又は単分子層累積膜、4は保護用基板、2
8はカラーモザイクフィルタを示し、これ等は第1図。
FIG. 9 is a cross-sectional view of another optical element used in the light modulation device of the present invention, and FIG. 9(A) is a transmissive type, and FIG.
B) is in Figure 0 showing reflective optical elements, respectively.
3 is a monomolecular film or a monomolecular layer cumulative film, 4 is a protective substrate, 2
8 indicates a color mosaic filter, which are shown in FIG.

第8図にて説明したものと同じ機能を持つ要素である。This is an element having the same function as that explained in FIG.

29は熱伝導性の絶縁層であり、この両面には、発熱要
素としての複数の発熱抵抗線30.31が、互いに絶縁
層を挟んで交叉する様にマトリックス状に2次的に配列
しである。
29 is a thermally conductive insulating layer, on both sides of which a plurality of heat generating resistance wires 30 and 31 as heat generating elements are arranged in a matrix pattern so as to intersect each other with the insulating layer in between. be.

1はこれ等発熱抵抗線30.31及び絶縁層29の支持
板としての基板である。第9図(A)に示した透過型の
光学素子DEの場合は、これら発熱抵抗線30.31.
基板1及び絶縁層29は透明であり、たとえば発熱抵抗
線30.31はインジウム・ティン・オキサイドの透明
薄膜から構成されている。そして、これらの表示素子D
Eに於ては、所定の発熱抵抗&!30.31が共に選択
され発熱したときのみ、両者の交叉領域に於て単分子膜
又は単分子層累積膜3中に表示可能な高温領域の加熱部
(不図示)が形成される様、設計しである。カラーモザ
イクフィルタは、少なくとも発熱抵抗線30と31の交
叉部に設けられればよい、また、第4図において前述し
たように反射膜11は必要に応じて設けられる。
Reference numeral 1 designates a substrate as a support plate for these heat generating resistance wires 30 and 31 and the insulating layer 29. In the case of the transmission type optical element DE shown in FIG. 9(A), these heating resistance wires 30, 31.
The substrate 1 and the insulating layer 29 are transparent, and the heating resistance wires 30 and 31 are made of a transparent thin film of indium tin oxide, for example. And these display elements D
In E, the predetermined heating resistance &! The design is such that only when both 30 and 31 are selected and heat is generated, a heating region (not shown) in a high temperature region that can be displayed in the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film 3 is formed in the intersection region of both. It is. The color mosaic filter may be provided at least at the intersection of the heating resistance wires 30 and 31, and the reflective film 11 may be provided as necessary, as described above in FIG.

次に第10図を用いてかかる光学素子をマトリックス駆
動する例に就いて、更に詳しく説明する。
Next, an example of driving such optical elements in a matrix will be described in more detail using FIG. 10.

図において、OEは光学素子を示し、第9図で説明した
のと同様の詳細構成を持つ、この光学素子OE L* 
X l 、 X m 、 X n 、 X o 、 X
 p (7)行軸の発熱抵抗線(これらを行線と呼ぶ)
とYc 、Yd 、Yeの列軸の発熱抵抗線(これらを
列線と呼ぶ)等で構成されており列線Yc。
In the figure, OE indicates an optical element, and this optical element OE L* has the same detailed configuration as explained in FIG.
X l, X m, X n, X o, X
p (7) Heat generating resistance wire on the row axis (these are called row lines)
The column line Yc is made up of Yc, Yd, and Ye column-axis heating resistance wires (these are called column lines).

Yd、Yeの一方は共通直流電源に接続されており、他
方は夫々エミッタ接地されてトランジスタTr1〜Tr
3のコレクタ側に接続されている。
One of Yd and Ye is connected to a common DC power supply, and the other is emitter-grounded and connected to transistors Tr1 to Tr.
It is connected to the collector side of 3.

行線X l 、 X m 、 X n 、 X o 、
 X P ニ順次。
Row lines X l , X m , X n , X o ,
X P D sequentially.

加熱用電流パルスを印加すると、これ等の行線に対応す
る単分子膜又は単分子層累積膜(不図示)が順次、線状
に加熱されるが、このとき、加熱の程度を単分子膜又は
単分子層累積膜の加熱表示の閾値以下になるように設定
しであるので、単分子膜又は単分子層累積膜中に加熱表
示用の高温領域の加熱部は発生しない、一方、加熱用電
流信号の印加に同期させながら、エミッタ接地されたト
ランジスタTr1〜Tr3のベース側にビデオ信号用パ
ルスを加えてトランジスタTr1〜Tr3をオンするこ
とにより。
When a heating current pulse is applied, the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film (not shown) corresponding to these row lines is sequentially heated linearly. Or, since it is set to be below the heating display threshold of the monomolecular layer cumulative film, a heating area in the high temperature region for heating display does not occur in the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film. By applying a video signal pulse to the base sides of the transistors Tr1 to Tr3 whose emitters are grounded in synchronization with the application of a current signal to turn on the transistors Tr1 to Tr3.

これらトランジスタTr1〜Tr3と夫々接続している
0列線Yc、Yd、Yeに対して、所定のビデオ信号を
印加する。このビデオ信号の印加によって1列導線Yc
、Yd、Yeに対応する単分子膜又は単分子層累積膜は
線状に加熱される。これによって、加熱用電流パルスと
ビデオ信号とが同期した行線と列線との交叉部分におい
ては両者の発熱により加算的に加熱されて単分子膜又は
単分子層累積膜の加熱の程度が加熱表示の閾値を越え、
選択された行線と列線の交叉部分に単分子膜又は単分子
層累積膜の加熱部5が形成される。
A predetermined video signal is applied to the 0 column lines Yc, Yd, and Ye connected to these transistors Tr1 to Tr3, respectively. By applying this video signal, the first column conductor Yc
, Yd, and Ye are linearly heated. As a result, at the intersection of the row line and the column line where the heating current pulse and the video signal are synchronized, heat is generated additively from both, and the degree of heating of the monomolecular film or the monomolecular layer accumulation film increases. Beyond the display threshold,
A heating portion 5 of a monomolecular film or a monomolecular layer stack is formed at the intersection of the selected row line and column line.

なお、以上の例において、駆動方式を次の様に変えた場
合にも、全く同様に作像することができる。即ち、行線
にビデオ信号を印加し、列線に加熱用電流信号を印加す
る様に変形しても、効果は全く同じである。このように
第10図に例示した光学素子OEは、マトリックス駆動
をも可能とするものである。光学素子OEの単分子膜又
は単分子層累積膜の厚さが非常に薄い場合、上記の如く
、ストライプ状に配列される発熱抵抗線を保護用基板側
と基板側の両方に設置することにより、以下の効果が発
生する。
Note that in the above example, even when the driving method is changed as follows, images can be formed in exactly the same way. That is, even if a modification is made in which a video signal is applied to the row lines and a heating current signal is applied to the column lines, the effect is exactly the same. In this way, the optical element OE illustrated in FIG. 10 also enables matrix driving. When the thickness of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film of the optical element OE is very thin, it is possible to install heating resistance wires arranged in stripes on both the protective substrate side and the substrate side as described above. , the following effects occur.

■ 製作工程が簡単になり、歩留りが向上する。■ The manufacturing process is simplified and the yield is improved.

■ 単分子膜又は単分子層累積膜を両側から加温するの
で゛、熱効率が良い。
■ Thermal efficiency is good because the monomolecular film or monomolecular layer stack is heated from both sides.

等である。etc.

発熱抵抗線の放熱効果を高めるため放熱板を別途、設け
ることが望ましい、この放熱板には基板1(第9図)を
代用する車が可能である。
In order to enhance the heat dissipation effect of the heat-generating resistance wire, it is desirable to separately provide a heat sink.The board 1 (FIG. 9) can be used as a substitute for this heat sink.

尚、両信号線のすべてが発熱抵抗体によって形成される
必要はない、むしろ、エネルギーの節約を図る上から行
線と列線の交叉部分のみを発熱抵抗体によって構成し、
それ以外はA、gなどの良導体で構成する方が好ましい
と言えるが、その分、製造工程が複雑になる欠点はある
Incidentally, it is not necessary that all of both signal lines be formed of heat-generating resistors; rather, in order to save energy, only the crossing portions of row lines and column lines are formed of heat-generating resistors.
It can be said that it is preferable to construct the other parts with good conductors such as A and G, but this has the disadvantage that the manufacturing process becomes complicated.

又、第1θ図々示例の如きマトリックス駆動を行なうの
に好適な光学素子を構成するための発熱要素としての発
熱素子の他の例に就いて第11図により説明する。
Further, another example of a heat generating element as a heat generating element for configuring an optical element suitable for performing matrix drive as shown in the 1θth figure will be explained with reference to FIG.

第11図は、発熱素子の一部債城を模式的に描いた外観
斜視図である0図に於いては32は発熱抵抗層を示し、
これは、公知の発熱抵抗体(例えば、ニクロム合金、硼
化ハフニウム、窒化タンタル等)を面状に成膜して得ら
れる。
FIG. 11 is an external perspective view schematically depicting a part of the heat generating element. In FIG. 1, 32 indicates a heat generating resistance layer;
This can be obtained by forming a film of a known heating resistor (for example, nichrome alloy, hafnium boride, tantalum nitride, etc.) into a planar shape.

図示されていないが、この抵抗層32は、勿論、図面下
方にも延在している・又・ 33a・33b、33c、
33dは何れも列導線であり、34a、34b、34c
は何れも行導線である。そして、これ等全ての導線は、
金、銀、銅、アルミニウム等の良導体により得られる(
なお、言及していないが、導線は、5i02の絶縁膜(
不図示)によって被覆されるのが一般的である)0図示
発熱素子に於いて、例えば、列導線の33bと行導線の
34cが選択されてこれ等に共に電圧が印加されたとき
には。
Although not shown, the resistance layer 32 also extends downward in the drawing, as well as 33a, 33b, 33c,
33d are all column conductors, 34a, 34b, 34c
are all row conductors. And all these wires are
Obtained from good conductors such as gold, silver, copper, and aluminum (
Although not mentioned, the conductor wire is made of a 5i02 insulating film (
In the illustrated heating element, for example, when column conductor 33b and row conductor 34c are selected and a voltage is applied to both.

両者の交叉部35に対応する抵抗層32の一部に通電が
為されて発熱する。
Electricity is applied to a part of the resistance layer 32 corresponding to the intersection 35 of the two, and heat is generated.

この様にして、行導線及び列導線の任意の(行・列)交
叉部を発熱させることができる。
In this way, any (row/column) intersection of the row conductor and the column conductor can be heated.

従って、図示発熱素子を第9図の発熱抵抗線30.31
及び絶縁層29からなる発熱要素としての発熱素子のか
わりに組込んだ光学素子に於いては、第10図々示例と
同様なマトリックス駆動方式によって、ドツトマトリッ
クス画像の表示が可能である。
Therefore, the heating element shown in FIG.
In the optical element incorporated in place of the heating element made of the insulating layer 29, a dot matrix image can be displayed using the same matrix driving method as in the example shown in FIG.

ところで、第11図に示した発熱素子に於いて、発熱抵
抗層32を、行導線34と列導線33との交叉部にのみ
分割して設ける(その他の領域では導線同志を絶縁する
)ことも可能であり、この様な構成(第12図)に於い
ては、信号に忠実な作像にとって不都合なりロストーク
の発生を実質的に防止することができる。
By the way, in the heating element shown in FIG. 11, the heating resistance layer 32 may be divided and provided only at the intersection of the row conducting wire 34 and the column conducting wire 33 (the conducting wires may be insulated from each other in other areas). This is possible, and in such a configuration (FIG. 12), it is possible to substantially prevent the occurrence of losstalk, which is inconvenient for image formation faithful to the signal.

第11図の例に於いては、行導線34a。In the example of FIG. 11, the row conductor 34a.

34b−・・ (以下、行導線34という)と列導線3
3a、33bs** (以下、行導線33という)は5
i02.Si3N4等の絶縁膜(不図示)を介して配設
されるが1行導線34と列導線33の交叉領域の絶縁膜
は取り除かれ。
34b-... (hereinafter referred to as row conductor 34) and column conductor 3
3a, 33bs** (hereinafter referred to as row conductor 33) is 5
i02. Although they are provided through an insulating film (not shown) such as Si3N4, the insulating film in the intersection area of the first row conductor 34 and the column conductor 33 is removed.

代りにその部分に発熱抵抗体32a、32b・・・(以
下、発熱抵抗体32という)が埋めこまれている。
Instead, heating resistors 32a, 32b, . . . (hereinafter referred to as heating resistors 32) are embedded in those portions.

次に第13図に於いて斯かる第12図に示した発熱要素
としての発熱素子を第9図に示した発熱抵抗線30.3
1及び絶縁層29からなる発熱素子の代わりに組込んだ
光学素子をマトリックス駆動する例について、更に詳し
く説明する。竹輪選択回路36は杆軸駆動回路37a。
Next, in FIG. 13, the heating element as the heating element shown in FIG. 12 is connected to the heating resistance wire 30.3 shown in FIG.
An example in which an optical element incorporated in place of the heating element consisting of the heating element 1 and the insulating layer 29 is driven in a matrix will be described in more detail. The bamboo wheel selection circuit 36 is a rod shaft drive circuit 37a.

37b・・・・・・ (以下、杆軸駆動回路37という
)と信号線により電気的に結合されており、さらに夫々
の杆軸駆動回路37の各出力端子は夫々の行導線34と
結合している。出力端子と行導線34の結合のしかたは
様々あるが、本明細書に於いては基本的な態様について
説明するため、出力端子は行導線34の個数だけあり、
一つの出力端子は−の行導線と結合しているとする。
37b... (hereinafter referred to as the rod shaft drive circuit 37) by a signal line, and furthermore, each output terminal of each rod shaft drive circuit 37 is connected to a respective row conductor 34. ing. There are various ways to connect the output terminals and the row conducting wires 34, but in order to explain the basic aspect in this specification, it is assumed that there are as many output terminals as there are row conducting wires 34,
It is assumed that one output terminal is connected to the negative row conductor.

外軸選択回路38、列軸駆動回路39a。Outer axis selection circuit 38, column axis drive circuit 39a.

39b、・・・・−・ (以下、列軸駆動回路39とい
う)及び列導線33相互の関係についても同様である0
画像制御回路40は竹輪選択回路36及び外軸選択回路
38と信号線により電気的に結ばれている0画像制御回
路40は画像制御信号を出力することによって1行軸選
択回路36がどの竹輪を選択すべきかを指令し。
39b, ...... (hereinafter referred to as the column axis drive circuit 39) and the column conductor wires 33.
The image control circuit 40 is electrically connected to the bamboo wheel selection circuit 36 and the outer axis selection circuit 38 by signal lines. Direct what to choose.

外軸選択回路38に対しても同様である。即ち、画像制
御回路40からの画像制御信号によって竹輪選択回路3
6は杆軸駆動回路37のいずれかを介して特定の竹輪(
行導線)を選択(スイッチ・オン)する0例えば、竹輪
選択回路36が行導線Xpを選択すればXp行選択信号
を発し、それを受けて杆軸駆動回路37Xpは、行導線
Xpに対しても杆軸駆動信号を入力する。一方、画像制
御回路40からの画像制御信号の一つであるビデオ信号
が外軸選択回路38に入力されると、その指令を受けて
外軸選択回路38は所定の列軸(列導線)を選択する0
例えば、外軸選択回路38が列導線Yeを選択すれば1
列軸駆動回路39Yeは外軸選択回路38から発せられ
たYe列選択信号を受けて列導線Yeをスイッチ・オン
(導通)状態にする。
The same applies to the outer axis selection circuit 38. That is, the chikuwa selection circuit 3 is controlled by the image control signal from the image control circuit 40.
6 is a specific bamboo wheel (
For example, if the bamboo wheel selection circuit 36 selects the row conductor Xp, it will issue an Xp row selection signal, and in response, the rod drive circuit 37Xp will select (switch on) the row conductor Xp. Also inputs the rod shaft drive signal. On the other hand, when a video signal, which is one of the image control signals from the image control circuit 40, is input to the outer axis selection circuit 38, in response to the command, the outer axis selection circuit 38 selects a predetermined column axis (column conductor). Select 0
For example, if the outer axis selection circuit 38 selects the column conductor Ye, 1
The column axis drive circuit 39Ye receives the Ye column selection signal issued from the outer axis selection circuit 38 and switches on (conducts) the column conductor line Ye.

竹輪の選択と列軸の選択が同期してなされれば、本例の
場合、行導線XPと列導線Yeの交叉点(選択点;xp
−Ye)にある発熱抵抗体に電流が流れ、ジュール熱が
発生し。
If the selection of the bamboo wheel and the selection of the column axis are performed synchronously, in this example, the intersection point of the row conductor XP and the column conductor Ye (selection point; xp
-Ye), current flows through the heating resistor, generating Joule heat.

不図示の単分子膜又は単分子層累積膜に加熱部が形成さ
れる。非選択点にもリーク電流は流れるが単分子膜又は
単分子層累積膜の加熱部形成電流値以下であるので、単
分子膜又は単分子層累積膜に加熱部は形成されない。ま
た、発熱抵抗体にダイオード機能を持たせることにより
、リーク電流をさらに微弱にすることができる。
A heating portion is formed in a monomolecular film or a monomolecular layer stack (not shown). Although a leakage current flows also at the non-selected points, the current value is less than the current value for forming the heating part of the monomolecular film or the monomolecular layer stack, so that no heating part is formed in the monomolecular film or the monomolecular stack stack. Further, by providing the heating resistor with a diode function, the leakage current can be made even weaker.

このように第10図に於て説明したと同様に、第13図
に於ても、竹輪駆動信号で線順次走査し、かつそれに同
期して列軸選択信号を出力し、列軸駆動回路39を介し
て選択された列導線33を導通状態にすることにより二
次元の画像表示を行うことができる。尚1列軸選択回路
38はビデオ信号による指令を受けて列軸選択信号を出
力するものである。この時、発熱抵抗体を流れる電流の
向きは問わない、このような、行、及び列軸選択回路3
6.38と行、及び列軸選択回路37.39とはシフト
トランジスタやトランジスタアレイ等を用いて公知の技
術により構成されるものである。
In this way, in the same way as explained in FIG. 10, in FIG. 13, line-sequential scanning is performed using the bamboo wheel drive signal, and in synchronization with this, the column axis selection signal is output, and the column axis drive circuit 39 A two-dimensional image display can be performed by bringing the selected column conducting wire 33 into a conductive state via the conductive line 33. The first column axis selection circuit 38 receives a command from a video signal and outputs a column axis selection signal. At this time, such a row and column axis selection circuit 3 does not matter the direction of the current flowing through the heating resistor.
The row and column axis selection circuits 6.38 and 37.39 are constructed by known techniques using shift transistors, transistor arrays, and the like.

尚1以上説明した発熱素子を利用したマトリックス駆動
による表示方式に於ても、第4図(B)に於て前述した
ように第9図CB)に示した構成の光学素子OEにも、
必要に応じて単分子膜又は単分子層累積膜3と反射膜も
しくは単分子膜又は単分子層累積FIA3と発熱素子(
たとえば、その内の発熱抵抗線30)との間に耐蝕性の
酸化硅素膜や窒化シリコン膜を介在させることにより単
分子膜又は単分子層累積膜とそれらとの反応腐蝕を適宜
防止することもできる。
In addition, in the matrix drive display system using the heat generating elements described above, as described above in FIG. 4(B), the optical element OE having the configuration shown in FIG. 9 CB) also
If necessary, a monomolecular film or a monomolecular layer cumulative film 3, a reflective film or a monomolecular film or a monomolecular layer cumulative film 3, and a heating element (
For example, by interposing a corrosion-resistant silicon oxide film or silicon nitride film between the heat-generating resistance wire 30), reaction corrosion between the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film and these can be prevented as appropriate. can.

また、第8図に示したカラーモザイクフィルタの赤色フ
ィルタ部(R)や緑色フィルタ部(G)や青色フィルタ
部(B)を、適宜、発熱要素としての発熱部(たとえば
第9図に示した光学素子DEに於いては、発熱抵抗&1
30と31の交叉点部、また、第12図に示した発熱素
子においては、発熱抵抗体32の部分)上に夫々あわせ
て配列して設けることによって、第8図図示例と同様な
構成を採用することにより、第9図、第12図に示した
発熱素子を夫々用いた表示素子で、第8図と同様な原理
でカラー表示を行うことができることは勿論である。
In addition, the red filter part (R), the green filter part (G), and the blue filter part (B) of the color mosaic filter shown in FIG. In optical element DE, heating resistor &1
By arranging them at the intersection of 30 and 31 (or, in the case of the heating element shown in FIG. 12, on the heating resistor 32), a structure similar to the example shown in FIG. Of course, by employing this, color display can be performed using the same principle as in FIG. 8 with a display element using the heating elements shown in FIGS. 9 and 12, respectively.

このようなマトリックス駆動型の光学素子は第5図及び
第6図に示したライトパルプ式投写装置にも適用できる
0本発明はこの外にも感光性分子、強誘電性物質、錯体
等の機能性分子と表面活性物質との結合によって、光、
電気イオン等によって制御することができる単分子膜又
は単分子層累積膜を有する光学素子を得ることもできる
Such a matrix-driven optical element can also be applied to the light pulp type projection device shown in Figures 5 and 6. Light, light, and
It is also possible to obtain an optical element having a monomolecular film or a monomolecular layer stack that can be controlled by electric ions or the like.

第14図は、本発明の光変調装置の一実施例を示すもの
である。光源40a及びコリメータレンズ40bより成
る光束発生手段40からの光束にて、二次元的なパター
ンで屈折率分布を発生する事が可能な光学素子41は照
射される。屈折率分布によって発散されない光束は、レ
ンズ42にて集光されレンズ42の焦点面に設けられた
遮光フィルター43にて遮断される。前記光学素子41
の光束散乱位置はレンズ42のもう一方の焦点面とほぼ
合致させて設けである為に、光学素子41により発散さ
れる光束はレンズ42でほぼ平行光束となり、レンズ4
5により感光媒体面46上に結像され、屈折率分布の発
生パターンに応じた二次元画像を形成する。レンズ42
とレンズ45の間に偏向ミラー44を配し、上記発散光
束を偏向し得るようにすれば、感光体面46上に、上記
の二次元画像の走査画像を得ることができる。
FIG. 14 shows an embodiment of the optical modulation device of the present invention. An optical element 41 capable of generating a refractive index distribution in a two-dimensional pattern is irradiated with a light beam from a light beam generating means 40 consisting of a light source 40a and a collimator lens 40b. The light flux that is not diverged by the refractive index distribution is condensed by the lens 42 and blocked by a light shielding filter 43 provided at the focal plane of the lens 42. The optical element 41
Since the light beam scattering position of is set to almost coincide with the other focal plane of the lens 42, the light beam diverged by the optical element 41 becomes a substantially parallel light beam at the lens 42, and the light beam scattered by the lens 41
5, an image is formed on the photosensitive medium surface 46 to form a two-dimensional image according to the pattern of the refractive index distribution. lens 42
By disposing a deflecting mirror 44 between the lens 45 and the lens 45 to deflect the diverging light beam, the two-dimensional scanning image described above can be obtained on the photoreceptor surface 46.

例えば、上記、二次元的に屈折率分布を発生させる光学
素子によって各種文字パターンを屈折率分布によって形
成し得る様に設計すれば、ワードプロセッサーの如きプ
リンタ一端末機として実現できる。上記偏向ミラーの回
転は光学素子41により、同時に全面に屈折率分布が生
じるのではないので1間欠回転が望ましい。
For example, if it is designed so that various character patterns can be formed by the refractive index distribution using the optical element that generates the refractive index distribution two-dimensionally, it can be realized as a printer-terminal device such as a word processor. The rotation of the deflection mirror is preferably one intermittent rotation because the optical element 41 does not simultaneously produce a refractive index distribution over the entire surface.

尚、二次元パターンを形成出来る光学素子に於いても、
第9図(A)に示す如き透過光タイプの光学素子が得ら
れることは説明するまでもない。
Furthermore, even in optical elements that can form two-dimensional patterns,
It goes without saying that a transmitted light type optical element as shown in FIG. 9(A) can be obtained.

上記実施例に於いては、発熱抵抗体を用いて屈折率分布
を形成する実施例を述べたが、屈折率分布を得るには、
光ビームをスキャンし、スキャンビームを熱に変換して
得ることも可能である。第15図は光ビームをスキャン
して屈折率分布を形成する一実施例を示すもので、光学
素子OEは透明保護板54、単分子膜又は単分子層累積
膜層55及び熱伝導性の絶縁層56及び透明な支持体5
7より形成されており、支持体57には熱吸収層58が
設けられている。59は自己変調可能な半導体レーザー
で、該レーザー59からの光束はコリメーターレンズ6
0により平行ビームとなりガルバノミラ−61を介して
走査用集光レンズ62により前記熱吸収層58上に結像
される。この熱吸収層58は、半導体レーザー59から
の波長の光束を特によく吸収する様な部材で構成され、
従って該吸収層58を通過する光束はほぼ零となる。
In the above embodiment, an example was described in which a refractive index distribution was formed using a heating resistor, but in order to obtain a refractive index distribution,
It is also possible to obtain heat by scanning a light beam and converting the scanned beam into heat. FIG. 15 shows an embodiment in which a refractive index distribution is formed by scanning a light beam, and the optical element OE includes a transparent protection plate 54, a monomolecular film or a monomolecular layer cumulative film layer 55, and a thermally conductive insulator. Layer 56 and transparent support 5
7, and a heat absorbing layer 58 is provided on the support body 57. 59 is a self-modulating semiconductor laser, and the light beam from the laser 59 is passed through a collimator lens 6.
0, the beam becomes a parallel beam and is imaged onto the heat absorption layer 58 by a scanning condensing lens 62 via a galvanometer mirror 61. This heat absorption layer 58 is made of a material that particularly absorbs the light beam of the wavelength from the semiconductor laser 59,
Therefore, the light flux passing through the absorption layer 58 is approximately zero.

前記ガルバノミラ−61を回転軸の回りに回転させると
、光ビームスポットは吸収層58に沿って矢印A2方向
に移動する様に走査光学系を設定する。そして、前記半
導体レーザー59によるビームスポットが形成されてい
る吸収層58の領域では、光ビームが熱に変換され、絶
縁層56を介して、単分子膜又は単分子層累積膜に屈折
率分布を形成する。故に半導体レーザからの射出ビーム
を、ガルバノミラ−61の回転に伴ってオン・オフをす
ることにより、所望の位置に屈折率分布を形成すること
が出来る。
The scanning optical system is set so that when the galvanometer mirror 61 is rotated around the rotation axis, the light beam spot moves in the direction of arrow A2 along the absorption layer 58. In the region of the absorption layer 58 where the beam spot by the semiconductor laser 59 is formed, the light beam is converted into heat, and a refractive index distribution is imparted to the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film via the insulating layer 56. Form. Therefore, by turning on and off the beam emitted from the semiconductor laser as the galvanomirror 61 rotates, it is possible to form a refractive index distribution at a desired position.

尚、該屈折率分布により発散される光束を投射し、発散
光を受光媒体に導び〈為の光学系は。
The optical system for projecting the light beam diverging due to the refractive index distribution and guiding the diverging light to the light-receiving medium is as follows.

上述した反射タイプの光学系が全て使用出来ることは言
うまでもないので、ここでは説明を省く。
It goes without saying that all of the above-mentioned reflection type optical systems can be used, so their explanation will be omitted here.

又、前記熱吸収層58を全面に設け、該吸収層に光ビー
ムを照射する走査光学系を二次元走査光学系とすること
で、二次元のパターンを有する屈折率分布による光変調
装置を得ることが出来る。
Further, by providing the heat absorption layer 58 on the entire surface and using a two-dimensional scanning optical system as a scanning optical system that irradiates the absorption layer with a light beam, a light modulation device using a refractive index distribution having a two-dimensional pattern is obtained. I can do it.

本発明の主要な効果はまとめると以下の通りである。The main effects of the present invention are summarized as follows.

(1)微少な単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部の1
個を表示画素単位として高密度に配列することが可能で
あるから、高解像度の画像表示ができる。
(1) 1 of the heating part of a minute monomolecular film or a monomolecular layer cumulative film
Since these pixels can be arranged in high density as display pixel units, high resolution images can be displayed.

(2)表示画素としての単分子膜又は単分子層累積膜の
加熱部の存続時間を調節することによって、静止画、又
はスローモションを含む動画の表示が容易にできる。
(2) Still images or moving images including slow motion can be easily displayed by adjusting the duration of the heating portion of the monomolecular film or the monomolecular layer stack as display pixels.

(3)多色表示、並びに、フルカラー表示を容易に実施
することができる。
(3) Multicolor display and full color display can be easily implemented.

(4)素子の構造が比較的、簡略であるから、その生産
性に優れているし、素子の耐久性が高く信頼性に優れて
いる。
(4) Since the structure of the device is relatively simple, productivity is excellent, and the device has high durability and reliability.

r R’+rf*[II  ?P l[R纏h  −#
  −!p  t=  −一 a  −pa  都 X
(6)ラングミュア・ブロジェット法を用いて単分子膜
又は単分子層累積膜を作製できるので、大面積化が極め
て容易に図れる。   ′(7)液晶のような液体を用
いないので、製作が容易であり、かつ安全である。
r R'+rf*[II? P l[R 纏h -#
-! p t= -1 a -pa capital X
(6) Since a monomolecular film or a monomolecular layer cumulative film can be produced using the Langmuir-Blodgett method, it is extremely easy to increase the area. (7) Since no liquid such as liquid crystal is used, manufacturing is easy and safe.

(8)本発明に係る光変調方法を利用する光学素子は、
表示装置への応用に限らず、電子写真等に用いられる光
変調装置への応用も可能である。
(8) Optical elements using the light modulation method according to the present invention include:
Application is not limited to display devices, but also to light modulation devices used in electrophotography and the like.

(9)相転移温度はそれ程高くないので、光学素子等に
用いる電力は少なくて済み、それだけ、電源部、即ち光
変調装置や表示装置を小型化できる。
(9) Since the phase transition temperature is not so high, less power is required for optical elements, etc., and the power supply section, that is, the light modulation device and the display device, can be made smaller accordingly.

(10)単分子膜又は単分子層累積膜の相転移を利用す
る場合において、累積膜構成分子の構造によっては、相
転移した状態を長く保持するものもある。このような場
合には、本発明に係る光学素子は記録装置(材料)、記
憶装置(材料)として利用することもできる。
(10) When utilizing the phase transition of a monomolecular film or a monomolecular layer stack, some molecules maintain the phase transition state for a long time depending on the structure of the molecules constituting the stack. In such a case, the optical element according to the present invention can also be used as a recording device (material) or a storage device (material).

本発明を更に具体的に説明するために、以下に実施例を
あげる。
In order to explain the present invention more specifically, Examples are given below.

実施例! 光学素子を以下のようにして製造した。Example! An optical element was manufactured as follows.

50mm角のガラス基板表面上にスパッタリング法によ
り膜厚1500人のGd@Tb・Fe(ガドリニウム・
テルビウム・鉄)層を付着して、輻射線吸収層9を形成
した。このGd・TbeFe層の酸化を防止するため、
その上に5io2保護膜で被覆した。
Gd@Tb.Fe (gadolinium.
A layer of terbium (iron) was deposited to form a radiation absorbing layer 9. In order to prevent oxidation of this Gd/TbeFe layer,
It was coated with a 5io2 protective film over it.

次に上記基板を充分洗浄後、ジョイスーレープル(Jo
yce−Loebl)社製のLBII製作装置(T r
 o u g h−4) (F)4X 10−4mol
のcdct2を含む水相中に浸漬した。
Next, after thoroughly cleaning the above board, the
LBII production equipment (T r
o u g h-4) (F)4X 10-4 mol
of cdct2.

その後アラキシン酸5XIO−3mole含むクロロホ
ルム液0.1 m lを水相中にシリンジを用いて滴下
した。クロロホルムの揮発後アラキシン酸単分子層が表
面圧30 d y n e / c m″になるよう調
節し、1cm/minの速度で引上げと浸漬を繰り返す
ことにより、5i02膜の表面上に膜厚5〜lOルmの
Y型累積膜を付着形成し、その上に保護用基板4として
ガラス基板を被せた。さらに、ガラス基板4の外側表面
に密接ないし近接して5木/mmの線状格子を設置した
Thereafter, 0.1 ml of a chloroform solution containing 5XIO-3 moles of alaxic acid was dropped into the aqueous phase using a syringe. After volatilization of chloroform, the surface pressure of the monomolecular layer of araxic acid was adjusted to 30 dyne/cm'', and by repeating pulling and dipping at a speed of 1 cm/min, a film thickness of 5 was formed on the surface of the 5i02 membrane. A Y-shaped cumulative film of ~10 mm was deposited and a glass substrate was placed thereon as a protective substrate 4.Furthermore, a linear grating of 5 mm/mm was formed closely or close to the outer surface of the glass substrate 4. was installed.

輻射線熱源として、波長830nmを発光する半導体レ
ーザを使用した。アルキジン酸は半導体レーザの照射に
よって加温され、そこを通過する入射光束の波面は変形
を受は光変調効果が確認された。
A semiconductor laser that emits light at a wavelength of 830 nm was used as a radiant heat source. The alchidic acid was heated by irradiation with a semiconductor laser, and the wavefront of the incident light beam passing through it was deformed, resulting in a light modulation effect.

実施例2 光学素子を以下のようにして製造した。Example 2 An optical element was manufactured as follows.

50m層角のガラス基板表面に、膜厚1500人のイン
ジウム・ティン・オキサイド(工・T・0)をスパッタ
リング法によりつけた0次にフォトエツチング法により
、10木/mmの線状パターンを形成して、透明発熱抵
抗線31を得た。尚、I@T−0のエツチング液として
は、塩化第2鉄水溶液と塩酸の混合液を用いた。
On the surface of a 50 m square glass substrate, a 1500 mm thick indium tin oxide (T0) was applied by sputtering, and a linear pattern of 10 wood/mm was formed using the 0-order photoetching method. As a result, a transparent heat generating resistance wire 31 was obtained. As the etching solution for I@T-0, a mixed solution of ferric chloride aqueous solution and hydrochloric acid was used.

次に、透明発熱抵抗線31が設置されたガラス基板表面
に膜厚2000人の5i02膜をスパッタリング法によ
り付着して、絶縁層29を形成した。さらに、その上に
、膜厚1500人の工・T・0を付け、フォトエツチン
グ法により、透明発熱抵抗線30を前記透明発熱抵抗線
31と直交するように形成した。
Next, an insulating layer 29 was formed by depositing a 2,000-thick 5i02 film on the surface of the glass substrate on which the transparent heating resistance wire 31 was placed by sputtering. Furthermore, a film thickness of 1,500 mm was applied thereon, and a transparent heat generating resistor wire 30 was formed perpendicularly to the transparent heat generating resistor wire 31 by photo-etching.

次に、上記基板の上にステアリン酸の累積膜を実施例1
と同様の条件・工程に従って膜厚5〜10ILmになる
ように形成し、その上でガラス基板4を被せた。
Next, a cumulative film of stearic acid was deposited on the above substrate in Example 1.
A film was formed to a thickness of 5 to 10 ILm according to the same conditions and steps as described above, and a glass substrate 4 was placed thereon.

輻射線熱源として、波長830nmを発光する半導体レ
ーザを用いた。
A semiconductor laser that emits light at a wavelength of 830 nm was used as a radiant heat source.

第5図に示すような適当なシュリーレン光学系と組み合
わせて駆動させると所定の光変調効果があることを確認
した。即ち、半導体レーザの照射によって、ステアリン
酸層の所定箇所が加温されそこを通過する入射光束の波
面は変形された。
It has been confirmed that when driven in combination with a suitable Schlieren optical system as shown in FIG. 5, a predetermined light modulation effect can be obtained. That is, a predetermined portion of the stearic acid layer was heated by the irradiation with the semiconductor laser, and the wavefront of the incident light flux passing through the predetermined portion was deformed.

実施例3 光学素子を以下のようにして製造した。Example 3 An optical element was manufactured as follows.

50mm角のガラス基板表面上にスパッタリング法によ
り膜厚1500人のGd11Tb・Fe(ガドリニウム
・テルビウム・鉄)層を付着して、輻射線吸収層9を形
成した。このGd−Tb a Fe層の酸化を防止する
ため、その上に5i02保護膜で被覆した0次に、LB
膜製作装置の水面上にアラキシン酸カドミウムの単分子
膜を形成し、垂直浸せき法により、S i02膜の表面
上に膜厚10ILmのY型累積膜を付着形成し、その上
に保護用基板4としてガラス基板を被せた。さらに、ガ
ラス基板4の外側表面に密接ないし近接して5木/ m
 mの線状格子を設置した。
A radiation absorption layer 9 was formed by depositing a Gd11Tb.Fe (gadolinium terbium iron) layer with a thickness of 1500 on the surface of a 50 mm square glass substrate by sputtering. In order to prevent oxidation of this Gd-Tb a Fe layer, a 0-order, LB
A monomolecular film of cadmium araxinate was formed on the water surface of the film fabrication device, and a Y-type cumulative film with a thickness of 10 ILm was deposited on the surface of the Si02 film by a vertical dipping method, and a protective substrate 4 was placed on top of it. A glass substrate was then covered. Furthermore, 5 wood/m closely or in close proximity to the outer surface of the glass substrate 4.
A linear grid of m was installed.

第5図に示すように、輻射線熱源として。As shown in Figure 5, as a radiant heat source.

波長830nmを発光する半導体レーザを使用した。適
当な透過照明下で駆動させると、所定の表示効果がある
ことを確認した。
A semiconductor laser that emits light at a wavelength of 830 nm was used. It was confirmed that a certain display effect could be achieved when driven under appropriate transmitted illumination.

実施例4 光学素子を以下のようにして製造した。Example 4 An optical element was manufactured as follows.

50mm角のガラス基板表面に、膜厚1500人のイン
ジウム・ティンΦオキサイド(工・T・0)をスパッタ
リング法により゛つけた0次にフォトエツチング法によ
り、10木/m層の線状パターンを形成して、透明発熱
抵抗線31を得る。尚、工・T・0のエツチング液とし
ては、塩化第2鉄水溶液と塩酸の混合液を用いた。
On the surface of a 50 mm square glass substrate, a 1500 mm thick indium tin Φ oxide (T0) was deposited by sputtering, and a linear pattern of 10 mm/m layer was formed using the 0-order photoetching method. Thus, a transparent heat generating resistance wire 31 is obtained. As the etching solution for T.O., a mixed solution of ferric chloride aqueous solution and hydrochloric acid was used.

次に、透明発熱抵抗線31が設置されたガラス基板表面
に、膜厚2000人の5to2膜をスパッタリング法に
より付着して、絶縁層29を形成した。更に、その上に
膜厚1500人の工・T・0を付け、フォトエツチング
法により、透明発熱抵抗線30を前記透明発熱抵抗線3
1と直交するように形成した0次に、LB膜製作装置の
水面上に7ラキジン酸カドミウムの単分子膜を形成し、
垂直浸せき法により、5i02膜の表面上に膜厚lO終
mのY型累積膜を形成しその上に、ガラス基板4を被せ
た。上述の透過照明光学系の下で動作させると所定の表
示効果を得た。
Next, on the surface of the glass substrate on which the transparent heating resistance wire 31 was installed, a 5to2 film having a thickness of 2000 was deposited by sputtering to form the insulating layer 29. Furthermore, a film thickness of 1,500 people was added on top of the transparent heat-generating resistor wire 30 using a photo-etching method.
A monomolecular film of cadmium 7-rachidate was formed on the water surface of the LB film production device, and
A Y-shaped cumulative film having a film thickness of 10 m was formed on the surface of the 5i02 film by a vertical dipping method, and a glass substrate 4 was placed thereon. When operated under the above-mentioned transmitted illumination optical system, a predetermined display effect was obtained.

実施例5 光学素子を以下のようにして製造した。Example 5 An optical element was manufactured as follows.

50mm角のガラス基板表面上にスパッタリング法によ
り膜厚1500人のGd・Tb・Fe(ガドリニウム・
テレビラム争鉄)層を付着して、輻射線吸収層9を形成
した。このGd・Tb@Fe層の酸化を防止するため、
その上にS i02保護膜で被覆した。
Gd, Tb, Fe (gadolinium,
A radiation absorbing layer 9 was formed by depositing a TV ram layer. In order to prevent oxidation of this Gd/Tb@Fe layer,
It was then coated with a Si02 overcoat.

次に、上記基板を充分洗浄後、ジョイスーレープル(J
oyce−Loebl)社製のL B I!!製作装置
(Trough−4)(7)水相中に浸漬した。その後
、ジステアリルジメチルアンモニウムブロマイド5X1
0−3molを含むクロロホルム液0.1 m lを水
相中にシリンジを用いて滴下した。クロロホルムの揮発
後、ジステアリルジメチルアンモニウムブロマイドの単
分子層が表面圧30dyne/crn’になるように調
節し、1cm/minの速度で引上げと浸漬を繰り返す
ことにより、5i02膜の表面上に膜厚5〜10gmの
Y型累積膜を付着形成し、その上に保護用基板4として
ガラス基板を被せた。さらに、ガラス基板4の外側表面
に密接ないし近接して5本/ m mの線状格子を設置
した。
Next, after thoroughly cleaning the above board, Joysuleple (J
oyce-Loebl) LBI! ! Fabrication device (Trough-4) (7) Immersed in the aqueous phase. Then, distearyldimethylammonium bromide 5X1
0.1 ml of a chloroform solution containing 0-3 mol was dropped into the aqueous phase using a syringe. After volatilization of chloroform, the surface pressure of the monomolecular layer of distearyldimethylammonium bromide was adjusted to 30 dyne/crn', and by repeating pulling and dipping at a speed of 1 cm/min, a film thickness was formed on the surface of the 5i02 film. A Y-shaped cumulative film of 5 to 10 gm was deposited, and a glass substrate was placed thereon as a protective substrate 4. Furthermore, a linear grid of 5 grids/mm was placed closely or close to the outer surface of the glass substrate 4.

輻射線熱源として、波長830nmを発光する半導体レ
ーザを使用した。ジステアリルジメチルアンモニウムブ
ロマイド層は半導体レーザの照射によって60℃以上に
加温され、その時相転移を起こして散乱が生じ、表示効
果が確認された。
A semiconductor laser that emits light at a wavelength of 830 nm was used as a radiant heat source. The distearyldimethylammonium bromide layer was heated to 60° C. or higher by irradiation with a semiconductor laser, at which time a phase transition occurred, causing scattering, and a display effect was confirmed.

実施例6 光学素子を以下のようにして製造した。Example 6 An optical element was manufactured as follows.

50mm角のガラス基板表面に、膜厚1500人のイン
ジウム・ティン・オキサイド(I−T・0)をスパッタ
リング法によりつけた0次にフォトエツチング法により
、lO木/mmの線状パターンを形成して、透明発熱抵
抗線31を得る。尚、工・T・0のエツチング液として
は塩化第2鉄水溶液と塩酸の混合液を用いた・次に、透
明をj!4祉18鱒31が止着きれ六ゴラス基板表面に
膜厚2000人cF)SiO211!Jをスパッタリン
グ法により付着して、絶縁層29を形成した。さらに、
その上に、膜厚1500人のI@T−0を付け、フォト
エツチング法により、透明発熱抵抗線30を前記透明発
熱抵抗線31と直交するように形成した。
On the surface of a 50 mm square glass substrate, a 1500 mm thick indium tin oxide (I-T 0) was applied by sputtering, and a linear pattern of lO wood/mm was formed using the 0-order photoetching method. As a result, a transparent heat generating resistance wire 31 is obtained. In addition, a mixed solution of ferric chloride aqueous solution and hydrochloric acid was used as the etching solution for T. 4 welfare 18 trout 31 are completely stuck to the surface of the six Golas substrate with a film thickness of 2000 cF) SiO211! J was deposited by sputtering to form an insulating layer 29. moreover,
I@T-0 with a film thickness of 1500 was applied thereon, and a transparent heat generating resistor wire 30 was formed perpendicularly to the transparent heat generating resistor wire 31 by photoetching.

次に、上記基板の上にジステアリルジメチルアンモニウ
ムブロマイドの累積膜を実施例1と同様の条件・工程に
従って膜厚5〜10ILmになるように形成し、その上
にガラス基板4を被せた。
Next, a cumulative film of distearyldimethylammonium bromide was formed on the substrate to a thickness of 5 to 10 ILm according to the same conditions and steps as in Example 1, and the glass substrate 4 was placed on top of the film.

輻射線熱源として、波長830nmを発光する半導体レ
ーザを用いた。
A semiconductor laser that emits light at a wavelength of 830 nm was used as a radiant heat source.

適当なシュリーレン光学系と組み合わせて駆動させると
所定の光変調効果があることを確認した。即ち、半導体
レーザの照射によって、ジステアリルジメチルアンモニ
ウムブロマイド層の所定箇所が60℃以上に加温された
とき、相転移を起こして光散乱が生じた。
It was confirmed that when driven in combination with an appropriate Schlieren optical system, a predetermined light modulation effect can be obtained. That is, when a predetermined portion of the distearyldimethylammonium bromide layer was heated to 60° C. or higher by irradiation with a semiconductor laser, a phase transition occurred and light scattering occurred.

実施例7 発熱要素として輻射線吸収層を有するカラー光学素子を
以下のようにして製造した。
Example 7 A color optical element having a radiation absorption layer as a heat generating element was manufactured as follows.

50mm角のガラス基板表面上にスパッタリング法によ
り膜厚1500人のGd−Tb・Fe(ガドリニウム・
テレビラム・鉄)層を付着して、輻射線吸収層9を形成
した。このGd・Tb−Fe層の酸化を防止するため、
その上にS i02保護膜で被覆した。
Gd-Tb Fe (Gadolinium
The radiation absorbing layer 9 was formed by depositing a layer of iron (TVram/iron). In order to prevent oxidation of this Gd/Tb-Fe layer,
It was then coated with a Si02 overcoat.

色分離フィルターとして赤色着色領域(R)緑色着色領
域(G)および青色着色領域(B)をそれぞれ有するモ
ザイクフィルターを下記の方法に従って作成した。配置
は、ベイヤ一方式として、1つのモザイクのサイズは5
0JLm角とした。
A mosaic filter having a red colored area (R), a green colored area (G), and a blue colored area (B) as a color separation filter was prepared according to the following method. The arrangement is Bayer one-sided, and the size of one mosaic is 5.
It was set to 0JLm square.

それぞれの着色ポリマ一層に用いるポリマー物質として
、溶剤可溶型ポリエステル樹脂(バイロン−200,東
洋動部)を使用した。また、着色剤は、赤色着色剤とし
てスカミロンレッド5−CG (住友化学製)、緑色着
色剤としてチバセットグリーン5G(チバ拳ガイギー製
)及び青色着色剤としてミケトンファストブルーエクス
トラ(三井東圧化学製)をそれぞれ使用した。
A solvent-soluble polyester resin (Vylon-200, Toyo Doube Co., Ltd.) was used as the polymer material for each colored polymer layer. In addition, the colorants are Sukamilon Red 5-CG (manufactured by Sumitomo Chemical) as a red colorant, Cibaset Green 5G (manufactured by Cibaken Geigy) as a green colorant, and Miketon Fast Blue Extra (Mitsui Toatsu Co., Ltd.) as a blue colorant. (manufactured by Kagaku) were used respectively.

先ず、バイロン−200(40部)、ニトロセルロース
(10部)とメチルエチルケトン(80部)を攪拌しな
がら均一に溶解することによって着色ポリマーの母液を
調製した。
First, a mother liquor of a colored polymer was prepared by uniformly dissolving Vylon-200 (40 parts), nitrocellulose (10 parts), and methyl ethyl ketone (80 parts) while stirring.

上記母液50ccと前記赤色着色剤1mgをステンレス
製のボールミルにて充分(約2時間)混和して赤色着色
ポリマーを調製した。同様にして緑色着色ポリマーと青
色着色ポリマーを調製した。
50 cc of the above mother liquor and 1 mg of the above red coloring agent were sufficiently mixed (about 2 hours) in a stainless steel ball mill to prepare a red colored polymer. A green colored polymer and a blue colored polymer were prepared in the same manner.

次いで、ガラス板上に赤色着色ポリマーをスピンナー(
ミカサ製、IH−5型)を使って、その厚みが、0.8
Bmの一様な被膜となる様に塗布した。被膜が充分硬化
した後、この上に同じくスピンナーでエツチングマスク
となるホトレジス)OMR−81(東京応化製)を塗布
した。その後、所定のパターニングマスクで露光し、現
像することによってエツチングマスクを形成させた。
Next, apply the red colored polymer onto the glass plate using a spinner (
IH-5 type made by Mikasa), the thickness is 0.8
It was applied to form a uniform Bm film. After the film was sufficiently cured, a photoresist OMR-81 (manufactured by Tokyo Ohka), which was to serve as an etching mask, was applied thereon using a spinner as well. Thereafter, an etching mask was formed by exposing with a predetermined patterning mask and developing.

次いで、これを酸素ガスを流したプラズマエツチング装
置(”PLASMOD”:Tegal  corp、製
)で不必要な部分(非マスク部)を灰化エツチング除去
して赤色フィル lター素子を得た。同様に、緑色およ
び青色の各着色ポリマーをそれぞれスピナーによる塗布
Next, unnecessary portions (non-mask portions) were removed by ashing and etching using a plasma etching device (PLASMOD, manufactured by Tegal corp) in which oxygen gas was flowed, thereby obtaining a red filter element. Similarly, each green and blue colored polymer was applied using a spinner.

ホトレジストによるエツチングマスクの作成およびプラ
ズマエツチングを順に施こすことによって、それぞれ所
定のパターンをもつ緑色フィルター素子および青色フィ
ルター素子を前記ガラス基板上に設けた。この結果、所
定のパターンをもつ赤色、緑色および青色着色領域から
なる3色のモザイクフィルターが作成された。
A green filter element and a blue filter element each having a predetermined pattern were provided on the glass substrate by creating an etching mask using photoresist and performing plasma etching in this order. As a result, a three-color mosaic filter consisting of red, green, and blue colored areas with a predetermined pattern was created.

次に、LB膜製作装置の水面上にアラキシン酸カドミウ
ム単分子膜を形成し垂直浸せき法により、5i02膜の
表面上に膜厚10pmのV列用Xlk 111か針薯竪
者1.矛のトにイ蓼!債田其坂1としてガラス基板を被
せた。
Next, a cadmium araxinate monomolecular film was formed on the water surface of the LB film production apparatus, and a 10 pm thick film of Xlk 111 for V rows or needle holder 1. Let's go to the spear! It was covered with a glass substrate as Bonda Orisaka 1.

輻射線熱源として、波長830nmを発光する半導体レ
ーザを使用した。適当なシュリーレン光学系と組み合わ
せて駆動させると、所定の表示効果があることを確認し
た。
A semiconductor laser that emits light at a wavelength of 830 nm was used as a radiant heat source. It has been confirmed that when driven in combination with an appropriate Schlieren optical system, a certain display effect can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図(A)は発明に係る光変調方法を利用する透過型
の光学素子の断面図、第1図(B)は発明に係る光変調
方法を利用する反射型の光学素子の断面図、第2図は単
分子層累積膜の模式図、第3図は単分子層累積膜におけ
る相転移現象の模式図、第4図は本発明に係る光変調方
法を利用する光学素子の作像原理の説明図であり、第4
図(A)は透過型光学素子の場合、第4図(B)は反射
型光学素子の場合である。 第5図、第6図は本発明に係る光変調方法を利用する光
学素子を組み込んだライトバルブ式投写装置の概略構成
図である。第7図は本発明に係る光変調方法を利用する
表示装置としてのライトバルブ式投写装置のブロック図
である。 第8図は本発明に係る光変調方法を利用するカラー光学
素子の断面図、第9図はマトリックス駆動型の光学素子
の構成例を示す断面図であり、第9図(A)は透過型光
学素子、第9図(B)は反射型光学素子である。第10
図は本発明に係る光変調方法を利用する作像方式の模式
的説明図、第11図、第12図は発熱素子り図である。 第14図ならびに第15図は本発明に係る光変調装置の
実施例を表わす図である。 oE:表示素子 に基板 2二発熱要素 3:単分子膜又は単分子層累積膜 4:保護用基板 5:単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部6:発熱要素
の加熱部 7:照明光 8−に親水基   8−2=疎水基 9:輻射線吸収層 lO:輻射線 lに反射膜 12二発熱体層 13:格 子    13a:第1格子13b:第2格
子 14:シュリーレンレンズ 15ニスクリーン 16:入射光 17:結像レンズ 18:水平スキャナー 19:垂直スキャナー 20:レンズ 21:コールドフィルタ 22:映像発生回路 23:制御回路 24:映像増幅回路 25:水平駆動回路、垂直駆動回路 26:レーザ光源 27:光変調器 28:カラーモザイクフィルタ 29:絶縁層 30.31:発熱抵抗線 32.32a、32b、33cm・・ :発熱抵抗層1発熱抵抗体 33.33a、33b、33c・−:列導線34.34
a、34b、34c・−・:行導線35:交叉部 36:竹輪選択回路 37.37a 、37b−−−:竹輪駆動回路38:列
軸選択回路 39.39a 、39b−−・:列軸駆動回路40:画
像制御回路 40a:光 源 40b:コリメータレンズ 42.45:レンズ 44:偏光ミラー 46:感光体 54:透明保護板 55:単分子累積層 56:絶縁層 57:支持体 58:熱吸収層 59:半導体レーザー 60:コリメータレンズ 61:ガルバノミラー 第1図 (A)          (B’) (、A’)      (f3) 第80 閂闇
FIG. 1(A) is a cross-sectional view of a transmissive optical element using the light modulation method according to the invention, FIG. 1(B) is a cross-sectional view of a reflective optical element using the light modulation method according to the invention, Figure 2 is a schematic diagram of a monomolecular layer cumulative film, Figure 3 is a schematic diagram of a phase transition phenomenon in a monomolecular layer cumulative film, and Figure 4 is an image forming principle of an optical element using the light modulation method according to the present invention. This is an explanatory diagram of the fourth
FIG. 4(A) shows the case of a transmissive optical element, and FIG. 4(B) shows the case of a reflective optical element. 5 and 6 are schematic configuration diagrams of a light valve type projection device incorporating an optical element that utilizes the light modulation method according to the present invention. FIG. 7 is a block diagram of a light valve type projection device as a display device using the light modulation method according to the present invention. FIG. 8 is a sectional view of a color optical element using the light modulation method according to the present invention, FIG. 9 is a sectional view showing a configuration example of a matrix-driven optical element, and FIG. 9(A) is a transmissive type optical element. The optical element shown in FIG. 9(B) is a reflective optical element. 10th
The figure is a schematic explanatory diagram of an image forming method using the light modulation method according to the present invention, and FIGS. 11 and 12 are diagrams of heating elements. FIG. 14 and FIG. 15 are diagrams showing embodiments of the optical modulation device according to the present invention. oE: display element with substrate 2; heating element 3: monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 4: protective substrate 5: heating part of monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 6: heating part of heating element 7: illumination Hydrophilic group for light 8- 8-2 = Hydrophobic group 9: Radiation absorption layer lO: Reflective film 12 for radiation l Two heating element layers 13: Grating 13a: First grating 13b: Second grating 14: Schlieren lens 15 Niscreen 16: Incident light 17: Imaging lens 18: Horizontal scanner 19: Vertical scanner 20: Lens 21: Cold filter 22: Image generation circuit 23: Control circuit 24: Image amplification circuit 25: Horizontal drive circuit, vertical drive circuit 26 :Laser light source 27:Light modulator 28:Color mosaic filter 29:Insulating layer 30.31:Heating resistance wire 32.32a, 32b, 33cm... :Heating resistor layer 1 Heat generating resistor 33.33a, 33b, 33c... :Column conductor 34.34
a, 34b, 34c ---: Row conductor 35: Cross section 36: Bamboo wheel selection circuit 37.37a, 37b ---: Bamboo wheel drive circuit 38: Column axis selection circuit 39.39a, 39b ---: Column axis drive Circuit 40: Image control circuit 40a: Light source 40b: Collimator lens 42, 45: Lens 44: Polarizing mirror 46: Photoreceptor 54: Transparent protective plate 55: Monomolecular cumulative layer 56: Insulating layer 57: Support 58: Heat absorption Layer 59: Semiconductor laser 60: Collimator lens 61: Galvano mirror Fig. 1 (A) (B') (, A') (f3) No. 80 Darkness

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)少なくとも疎水部分と親水部分とを有する有機化
合物分子からなる単分子膜又はその累積膜及び該単分子
膜又はその累積膜を加熱するための発熱要素を具備する
光学素子と、該発熱要素を駆動させるための駆動手段と
を備えたことを特徴とする光変調装置。
(1) An optical element comprising a monomolecular film or a cumulative film thereof made of organic compound molecules having at least a hydrophobic part and a hydrophilic part, and a heat generating element for heating the monomolecular film or the cumulative film, and the heat generating element. A light modulation device comprising: a driving means for driving a light modulating device.
JP12642685A 1985-06-11 1985-06-11 Optical modulator Pending JPS61284733A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12642685A JPS61284733A (en) 1985-06-11 1985-06-11 Optical modulator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12642685A JPS61284733A (en) 1985-06-11 1985-06-11 Optical modulator

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61284733A true JPS61284733A (en) 1986-12-15

Family

ID=14934885

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12642685A Pending JPS61284733A (en) 1985-06-11 1985-06-11 Optical modulator

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61284733A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104428240A (en) * 2012-07-06 2015-03-18 高通Mems科技公司 Cavity liners for electromechanical systems devices

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104428240A (en) * 2012-07-06 2015-03-18 高通Mems科技公司 Cavity liners for electromechanical systems devices

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4796981A (en) Optical element for modulation of light by heating a monomolecular film
JPS61284733A (en) Optical modulator
JPS61284734A (en) Optical modulator
JPS61284735A (en) Optical modulator
JP4295054B2 (en) Optical deflection apparatus, image display apparatus, optical writing apparatus, and image forming apparatus
JPS60114832A (en) Display device
JPS60114810A (en) Optical element
JPS60125828A (en) Optical modulating method
JPS60114830A (en) Optical element
JPS60126628A (en) Optical modulating method
JPS60209724A (en) Preparation of optical element
JPS60114831A (en) Display device
JPS5968723A (en) Optical modulating element
JPS61176929A (en) Image forming element
JPS5974529A (en) Method for picture display
JPS5972475A (en) Display
JPS5972478A (en) Display
JPS5972476A (en) Display
JPS5967517A (en) Optical element
JPS5972477A (en) Display
JPH0287A (en) Method and device for forming image
JPS5972430A (en) Display element
JPS61175080A (en) Image forming element
JPS5972421A (en) Display element
JPS61176928A (en) Image forming element