JPS60114830A - Optical element - Google Patents

Optical element

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JPS60114830A
JPS60114830A JP22143183A JP22143183A JPS60114830A JP S60114830 A JPS60114830 A JP S60114830A JP 22143183 A JP22143183 A JP 22143183A JP 22143183 A JP22143183 A JP 22143183A JP S60114830 A JPS60114830 A JP S60114830A
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JP
Japan
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film
monomolecular
heating
layer
light
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Application number
JP22143183A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yukio Nishimura
征生 西村
Masahiro Haruta
春田 昌宏
Yutaka Hirai
裕 平井
Kunihiro Sakai
酒井 邦裕
Hiroshi Matsuda
宏 松田
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/0147Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on thermo-optic effects

Abstract

PURPOSE:To use an optical element for an optical modulator or a device or the like displaying fine pictures with high resolution by forming the optical element by a monomolecular film constituted of organic compound molecules having a hydrophobic part and a hydropholic part, a monomolecular layer accumulating film or heating elements heating the monomolecular layer accumulating film. CONSTITUTION:One kind or more is selected from organic compounds of higher fatty acids, cyanine coloring matters, azo coloring matters, phosphatides, and long-chain dialkyl ammonium as the film forming components. The proper thickness of the monomolecular film or the monomolecular layer accumulating layer 3 is 30Angstrom -300mum and especially 3,000 deg.C-30mum is preferable. Glass, metal such as aluminium, plastic, or ceramics are used as a substrate 1. Light transmitting glass or plastic having high pressure resistance is favorably used as a protecting substrate 4, and especially a colorless/thin color material is preferable. The heating element 2 generates heat under various formats such as dot matrix-like, dot line-like, line-like and an island-like format to heat the monomolecular film or the monomolecular layer accumulating film on the basis of heat transmission.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規な光学素子、特には、光変調装置、表示装
置、記録装置および記憶装置等に利用する光学素子に関
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a novel optical element, and particularly to an optical element used in light modulation devices, display devices, recording devices, storage devices, and the like.

現在、各種の事務用機器や計測用機器に置ける端末表示
器、或は、テレビやビデオカメラ川モニターに於ける表
示器として、陰極線管(所謂、CRT)が広く利用され
ている。しかし、このCRTに就いては1画質、解像度
、表示器1′11の面で銀塩若しくは電子写真法を用い
たハードコピー程瓜のレベルに達していないと言う不満
が残されている。又、CRTに代わるものとして、液晶
によりドツトマトリックス表示する所謂、液晶パネルの
実用化の試みも為されているが、この液晶パネルに就い
ても、駆動性、信頼性、生産性、耐久性の面で未だ満足
できるものはイ1)られていない。
At present, cathode ray tubes (so-called CRTs) are widely used as terminal displays in various office equipment and measuring instruments, or as displays in televisions, video camera monitors, etc. However, there are still complaints that the CRT does not reach the same level as hard copies made using silver halide or electrophotography in terms of image quality, resolution, and display device 1'11. In addition, as an alternative to CRT, attempts have been made to commercialize so-called liquid crystal panels that display dot matrix images using liquid crystals, but even with these liquid crystal panels, there are problems with drive performance, reliability, productivity, and durability. (1) There is still nothing that is satisfactory in terms of performance.

そこで、本発明は、斯かる技術分野に於ける従来技術の
解決し青なかった課題を解決することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to solve problems that have not been solved by the prior art in this technical field.

つまり、本発明の目的は、光変調装置や高解像度で良質
の画像を表示する、駆動性、生r%性、1lIN久性、
信頼性に優れた表示装置、記録装置、記憶装置谷に利用
する光学素子を子供することを目的とする。
In other words, the purpose of the present invention is to display a light modulation device and a high-resolution, high-quality image, drive performance, raw r% performance, 1lIN durability,
The objective is to develop highly reliable optical elements used in display devices, recording devices, and storage devices.

本発明の光学素子は、疎水部分と親木部分とを有する有
機化合物分子をその構成分子とする!′11分子膜また
は単分子層累積+1!l!と該di分子膜または、1に
単分子層累積11りを加熱するための発熱要素とからな
ることを特徴とする。
The optical element of the present invention uses an organic compound molecule having a hydrophobic part and a parent part as its constituent molecules! '11 Molecular film or monolayer cumulative +1! l! and a heating element for heating the di molecular film or the monomolecular layer stack 11.

i)v記発熱要素は、輻射線吸収層および/または発熱
抵抗体であることが好ましい。
i) The heating element v is preferably a radiation absorbing layer and/or a heating resistor.

以下に本発明に係る表示素子の例を図面に従って説IJ
jする。第1図は未発りJに係る表示素子の断面図であ
り、第1図(A)は透過型の表示よ一7D Eを、また
第1図(B)は反射型の表示素子DEを夫々示している
。lは基板、2は発熱要素、3は中分子膜または単分子
層累積膜、4は保護用基板である。第1図(A)の透過
型の表示素子の作像原理は、次のとおりである。
Examples of display elements according to the present invention will be explained below with reference to the drawings.
j. FIG. 1 is a cross-sectional view of a display element related to unreleased J, and FIG. 1(A) is a transmissive type display element 7D E, and FIG. shown respectively. 1 is a substrate, 2 is a heating element, 3 is a medium molecular film or a monomolecular layer stack, and 4 is a protective substrate. The image forming principle of the transmissive display element shown in FIG. 1(A) is as follows.

作像のためにあるパターンに従い、発熱要素2の所望す
る位置を加熱し、加熱された発熱要素2上の単分子■り
又は単分子層累積膜3の加熱部5において物性変化を生
ぜしめる。この表示素子の基板l側から平行光である照
明光7を入用させると、加熱部5以外の部分を通過する
光と、加熱部5を通過する光とでは屈折率等が異なり、
光路が変化する。この変化を直接、間接にとらえ表示す
る。
A desired position of the heat generating element 2 is heated according to a certain pattern for image formation, and physical property changes are caused in the heated portion 5 of the monomolecular film or monomolecular layer accumulation film 3 on the heated heat generating element 2. When illumination light 7, which is parallel light, is applied from the substrate l side of this display element, the refractive index etc. of the light that passes through a portion other than the heating section 5 is different from that of the light that passes through the heating section 5.
The optical path changes. Capture and display this change directly or indirectly.

第1図(B)の反射型の表示素子においては、照射光7
を透過型とは逆に保護用基板4側から入用し、単分子膜
又は単分子層累積膜3より基籾l側に設けである不図示
の反射膜によって反射せしめ、加熱部5と加熱部5以外
の部において反射される反射光の光路の変化をとらえ表
示する。
In the reflective display element shown in FIG. 1(B), the irradiation light 7
Contrary to the transmission type, it is applied from the protective substrate 4 side, and is reflected by a reflective film (not shown) provided on the side of the base rice l from the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3, and the heating unit 5 and the heating Changes in the optical path of the reflected light reflected at parts other than part 5 are captured and displayed.

本発明の光学素子の単分子膜または単分子層累M II
!、!の構成分子としては、分子内に疎水部分と親木部
分を有する有機化合物であれば広く用いることができる
Monomolecular film or monomolecular layer stack M II of the optical element of the present invention
! ,! As the constituent molecules, a wide variety of organic compounds can be used as long as they have a hydrophobic part and a parent part within the molecule.

このような有機化合物としては、以下のものが例示され
る。
Examples of such organic compounds include the following.

(1)高級脂肪酸 CH3(CH2)14 C00H CH3(CH2)16 C00H Ct13(CH2) +++ C00IICH3(08
2)4 (CH=C’HC:Hz)4(CH2)2 (
:00HCHz= CI(C1h)o C00HCH2
= CH(CI+2) l!、Coo)lCH2= C
H(CH2)2゜C00HCH3(CH2)17 CC
0QH CH2 CH3(CH2)8 C−G−CミC(CH2)II 
’C00HCH3(CH2)9 c=c−c 三C(C
)12)o C00)ICl3(CH2) r□CミC
−C壬C(C)12)8 C00)ICl3(CH2)
13 0 ミC−C’E C(Cth)u 0008(
2)シアニン色素 一般式 工 X−(co = C)l i、−x’ (式中XはIIまたは■の基であり、X′ は■〜Xの
基であり、nはOまたは正の整数である)で示されるシ
アニン色素。
(1) Higher fatty acid CH3(CH2)14 C00H CH3(CH2)16 C00H Ct13(CH2) +++ C00IICH3(08
2)4 (CH=C'HC:Hz)4(CH2)2 (
:00HCHz= CI(C1h)o C00HCH2
= CH(CI+2)l! ,Coo)lCH2=C
H(CH2)2゜C00HCH3(CH2)17 CC
0QH CH2 CH3(CH2)8 C-G-CmiC(CH2)II
'C00HCH3(CH2)9 c=c-c 3C(C
)12)o C00)ICl3(CH2) r□CmiC
-C壬C(C)12)8 C00)ICl3(CH2)
13 0 MiC-C'E C(Cth)u 0008(
2) Cyanine dye general formula Cyanine dyes denoted by ) (which is an integer).

(l) (璽) (荀 ν) いJ α〕 IIからX(7)式中、ZはNR+、O,Se、C(M
e)2であり、YはH又は2− M eであり、R1は
C1〜4のアルキル基であり、R2はClO−3゜のア
ルキル基である。
(l) (璽) (荀 ν) IJ α] II to X (7) In formulas, Z is NR+, O, Se, C (M
e) 2, Y is H or 2-Me, R1 is a C1-4 alkyl group, and R2 is a ClO-3° alkyl group.

一般式Iで示されるシアニン色素の具体例を以下に例示
する。
Specific examples of the cyanine dye represented by general formula I are illustrated below.

(3)アゾ色素 (R,はC0゜〜3oのアルキル基である)(4)リン
脂質 レシチン ケファリン スフィンゴミエリン プラスマロゲン (5)長鎖シアルキリアンモニウム塩 U (mは1゜〜30の整数) 前記有機化合物を用いて単分子膜または単分子層累積膜
を作成する方法としては、例えば、■。
(3) Azo dye (R is an alkyl group of C0° to 3o) (4) Phospholipid lecithin kephalin sphingomyelin plasmalogen (5) Long chain sialkyl ammonium salt U (m is 1° to 30 (integer) Examples of methods for creating a monomolecular film or a monomolecular layer stack using the organic compound include (1).

Langmu i rらの開発したラングミュア・ブロ
ジエ。
Langmuir-Brosier developed by Langmuir et al.

1・法(LB法)を用いる。ラングミュア・プロジェッ
ト法は、分子内に親水基と疎水基を有する構造の分子に
おいて、両者のバランス(k’l親&M +1のバラン
ス)が適度に保たれているとき1分子は水面上で親水基
を下に向けて単分子の層になることを利用して単分子膜
または単分子層の累積膜を作成する方法である。水面上
の単分子層は2次元系の特徴をもつ。分子がまばらに散
開しているときは、一分子当り面積Aと表面圧■との間
に二次元理想気体の式、 n A = k T が成り立ち、“気体nz ”となる。ここに、kはポル
ツマン定数、Tは絶対温度である。Aを1・分小さくす
れば分子間相互作用が強まり二次元固体の“凝縮膜(ま
たは固体膜)゛になる。凝縮膜はカラスなどの基板の表
面へ一層ずつ移すことができる。この方法を用いて、中
分子膜または中分子層累積、膜は例えば次にようにして
91J造する。
1. Method (LB method) is used. According to the Langmuir-Prodgett method, for molecules with a structure that has a hydrophilic group and a hydrophobic group in the molecule, when the balance between the two (balance of k'l parent & M +1) is maintained appropriately, one molecule is hydrophilic on the water surface. This is a method of creating a monomolecular film or a cumulative film of monomolecular layers by using the fact that the group is oriented downward to form a monomolecular layer. A monolayer on the water surface has the characteristics of a two-dimensional system. When the molecules are sparsely dispersed, the two-dimensional ideal gas equation n A = k T holds true between the area A per molecule and the surface pressure ■, resulting in a "gas nz". Here, k is Portzmann's constant and T is absolute temperature. If A is reduced by 1 minute, the intermolecular interaction will be strengthened and a two-dimensional solid "condensed film (or solid film)" will be formed.The condensed film can be transferred layer by layer to the surface of a substrate such as a glass. Using a medium molecular film or a medium molecular layer accumulation, the film is manufactured, for example, in the following manner.

まず有機化合物を溶剤に溶解し、これを水相中に展開し
、有機化合物を膜状に析出させる。次にこの析出物が水
相上を自由に拡散して拡がりすぎないように仕切板(ま
たは浮子)を設けて展開面積を制限して膜物質の集合状
態を制御し、その集合状態に比例した表面圧■を得る。
First, an organic compound is dissolved in a solvent, and this is expanded into an aqueous phase to precipitate the organic compound in the form of a film. Next, to prevent this precipitate from freely diffusing on the aqueous phase and spreading too much, a partition plate (or float) is installed to limit the area of development and control the state of aggregation of the film substance, and the Obtain surface pressure ■.

この仕切板を動かし、展開面積を縮少して膜物質の集合
状ja″、を制御し、表面圧を徐々に上昇させ、累積膜
の製造に適する表面圧■を設定することができる。この
表面圧をM[持しながら静かに清浄な基板を垂直に−L
ドさせることにより単分子膜が基板上に移しとられる。
By moving this partition plate, the developed area can be reduced to control the agglomeration of the film material, gradually increasing the surface pressure, and setting the surface pressure suitable for producing a cumulative film.This surface While holding the pressure M [-L], gently hold the clean board vertically.
The monomolecular film is transferred onto the substrate.

中分子膜は以上で製造されるが、単分子層累積膜は、前
記の操作を繰り返すことにより所望の累積度の単分子層
累積膜が形成される。
A medium molecular film is manufactured by the above steps, and a monomolecular layer cumulative film having a desired degree of accumulation is formed by repeating the above operations.

成膜分子は、前記の有機化合物から1種または2種以上
選択される。
The film-forming molecules are selected from one or more of the above organic compounds.

単分子膜又は単分子層累積膜の厚さは30A〜300 
pLmが適しており、特に3000A 〜30 g m
が適している。
Thickness of monomolecular film or monomolecular layer cumulative film is 30A to 300A
pLm is suitable, especially 3000A ~ 30 g m
is suitable.

単分子層を基板上に移すには、]二述した垂直浸せき法
の他、水平付着法、回転円筒法などの方7ノ、による。
To transfer the monomolecular layer onto the substrate, in addition to the vertical dipping method mentioned above, a horizontal deposition method, a rotating cylinder method, and the like may be used.

水平付着法は基板を水面に水平に接触させて移しとる方
法で、回転円筒法は、円筒型のノ、(体を水面上を回転
させて単分子層を基体表面に移しとる方法である。前述
した垂直浸せき法では、水面を横νJる方向に)、(板
をおろすと一層めは親木基が基板側に向いた単分子層が
基板」二に形成される。前述のように基板を」二下させ
ると、各行程ごとに1枚ずつ単分子層が重なっていく。
The horizontal deposition method is a method in which the substrate is brought into contact with the water surface horizontally and transferred, and the rotating cylinder method is a method in which a monomolecular layer is transferred onto the substrate surface by rotating a cylindrical body (a cylindrical body) above the water surface. In the vertical immersion method described above, when the plate is lowered (in the direction νJ horizontally across the water surface), a monomolecular layer is formed on the substrate with the parent wood groups facing the substrate. When the film is lowered by 2, one monolayer is overlapped with each step.

成膜分子の向きが引上げ行程と浸せき行程で逆になるの
で、この方法によると、各層間は親木基と親木基、疎水
基と疎水)&が向かい合うY型膜が形成される。このよ
うにして作成された単分子層累積11りの模式図を第2
図に示す。図中、8−1は親水ノ1(,8−2は疎水)
、(である。
Since the direction of the film-forming molecules is reversed between the pulling process and the dipping process, according to this method, a Y-shaped film is formed in which parent wood groups and parent wood groups, and hydrophobic groups and hydrophobic groups face each other between each layer. A schematic diagram of the monolayer stack 11 created in this way is shown in the second figure.
As shown in the figure. In the figure, 8-1 is hydrophilic 1 (, 8-2 is hydrophobic)
, (is.

それに対し、水平付着法は、基板を水面に木11′tに
接触させて移しとる方法で、疎水基が基板側に向いたr
1i分子層が)、(板りに形成される。この方υ、では
、累積しても、成膜分子の向きの交代はなく全ての層に
おいて、疎水基が基板側に向いたX型11りが形成され
る。反対に全ての層において親水ノ1(が基板側に向い
た累積膜はZ型11ffiと呼ばれる。
On the other hand, the horizontal adhesion method is a method in which the substrate is transferred to the water surface by contacting the tree 11't, and the hydrophobic group is directed toward the substrate.
1i molecular layers are formed on ) and (board. In this way υ, even if they are accumulated, the orientation of the film-forming molecules does not change, and all the layers are X-shaped 11 with the hydrophobic groups facing the substrate side. On the other hand, a cumulative film in which all the layers have hydrophilic layers facing the substrate side is called a Z-type 11ffi.

回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転させて単分
子層を基体表面に移しとる方法である。
The rotating cylinder method is a method in which a cylindrical substrate is rotated on the water surface to transfer a monomolecular layer onto the surface of the substrate.

rli分子層を基板上に移す方法は、これらに限定され
るわけではなく、大面積基板を用いる時には、基板ロー
ルから水相中に基板を押し出していく方法などもとり得
る。また、前述した親木基、疎水基の基板への向きは原
則であり、基板の表面処理等によって変えることもでき
る。
The method of transferring the rli molecule layer onto the substrate is not limited to these methods, and when using a large-area substrate, a method of extruding the substrate from a substrate roll into an aqueous phase may also be used. Furthermore, the orientation of the aforementioned parent wood group and hydrophobic group toward the substrate is a general rule, and can be changed by surface treatment of the substrate, etc.

単分子11り、または単分子層累積n々を作成するmの
ツノ法としては、スパッタリング法、プラズマ重合法、
二分子膜作製法などがある。
Examples of methods for creating monolayers or cumulative monolayers include sputtering, plasma polymerization,
There are methods for producing bilayer membranes, etc.

基板lとして使用することのできるものとしては、ガラ
ス、アルミニウムなどの金属、プラスチック、セラミッ
クなどが挙げられる。第11)’fl(A)に示した透
過型の場合には、できる限り耐圧性のある透光性のガラ
スやプラスチック、特に無色乃至淡色のものが好ましい
。また、X板表面の洗浄が不十分であると、単分子層を
水面から移すとる11νに、単分子11りが乱れ、良好
な単分子膜または単分子層累積膜ができないので基板表
面が枯浄なものを使用する必要がある。
Examples of materials that can be used as the substrate 1 include glass, metals such as aluminum, plastics, and ceramics. In the case of the transmission type shown in No. 11)'fl(A), it is preferable to use transparent glass or plastic with as much pressure resistance as possible, especially colorless or light-colored ones. In addition, if the cleaning of the X-plate surface is insufficient, the monomolecular layer 11 will be disturbed when the monomolecular layer is transferred from the water surface, and a good monomolecular film or monomolecular layer accumulation film will not be formed, resulting in the substrate surface becoming dry. You need to use something clean.

保護用ノ、(板4としては、できる限り1耐圧性のある
透光性のガラスやプラスチックが適しており、猫に無色
乃至淡色のものが好ましい。保護用)、(板4を設ける
ことは、単分子nりまたは単分子層累積膜の耐久性、安
定性を向上させるためには、好ましいことであるが、成
膜分子の選択によって保護用)、(板は設けても設けな
くてもよい。
For protection, (For the plate 4, transparent glass or plastic with 1 pressure resistance is suitable as much as possible, and a colorless or light-colored one for cats is preferable.For protection), (Providing the plate 4 is not recommended. This is preferable in order to improve the durability and stability of monomolecular or monomolecular layer cumulative films, but depending on the selection of the film-forming molecules, protection may be possible (with or without a plate). good.

完熟要素2は、ドツトマトリックス状(点材列状)、ド
ツトライン状(点線状)、ライン状、島状等の種々の形
態で発熱して熱伝導により?1分子膜又は単分子層累積
膜を加熱するだめのものである。
The fully ripened element 2 generates heat in various forms such as dot matrix (dot array), dot line (dotted line), line, island, etc., and by heat conduction? This is for heating a monomolecular film or a monomolecular layer stack.

完熟要素2としては、赤外線などによる幅QJFI加熱
を利用するものや症抗加熱等のジュール熱を利用するも
の等があげられる。前者としては各種の無機あるいは有
機材料、例えばGd・丁b’Feの合金、カーボン・ブ
ラック等の無機顔料、ニグロシン等の41機染料、アゾ
系等の有機顔料などが適している。後者としては、例え
ば硼化ハフニウムや窒化タンクル等の金属化合物やニク
ロム等の合金が適している。発熱要素2の1模厚はエネ
ルギーb、連動−44及び解像力に影響を及ぼす。これ
らの観点より、発熱要素2の好適な11り厚がtooo
〜2000λである0表示素子が透過型の場合、発熱要
素2は可視光に対して透過性であることが要件となる。
Examples of the ripening element 2 include those using width QJFI heating using infrared rays and the like, and those using Joule heat such as anti-inflammatory heating. As the former, various inorganic or organic materials are suitable, such as alloys of Gd and Db'Fe, inorganic pigments such as carbon black, 41 organic dyes such as nigrosine, and organic pigments such as azo. As the latter, metal compounds such as hafnium boride and tanker nitride, and alloys such as nichrome are suitable. One thickness of the heating element 2 affects the energy b, the interlocking -44, and the resolution. From these points of view, the preferred thickness of the heat generating element 2 is too
When the 0 display element having a wavelength of 2000λ is a transmissive type, the heating element 2 is required to be transparent to visible light.

しかし、発熱要素2は、特別に設けなくとも、−に2特
P1:を具備した基板材料を選択することにより、基板
lが発熱要素を兼ねることもできる。
However, even if the heat generating element 2 is not specially provided, the substrate 1 can also serve as the heat generating element by selecting a substrate material having - and 2 characteristics P1:.

反射膜としては、高融点の金属材料又は金属化合物材料
を用いて金属膜、誘電ミラーなどを!11分子膜又は単
分子層累積膜3より基板l愉にスパッタリング法、蒸着
法などにより111する。反射+1uも発熱要素2回様
、基板1の材料を光を反射しうる材料を選択することに
より、基板1に兼ねさせることもできる。
As a reflective film, use a metal material or metal compound material with a high melting point, such as a metal film or dielectric mirror! The 11-molecular film or the monomolecular layer cumulative film 3 is deposited on the substrate by sputtering, vapor deposition, or the like. Reflection +1u can also be used as a heat generating element twice, by selecting a material for the substrate 1 that can reflect light.

ノ、(板」−の単分子11Qまたは単分子層累積11り
は、十分に強く固定されておツノ1(板からのIq#、
2+1落を生じることはほとんどないが、接・着力を強
化するI」的で、基板と単分子膜またはtli分子層累
積11gの1111に接着層を設けることもできる。さ
らにQ’+分子一層形成条件、LB7J、であれば例え
ば水相の水素イオンe度、イオン種、あるいは表面圧の
選択等によっても接若力を強化することもできる。
The monomolecular 11Q or monolayer cumulative 11 of the (plate) is fixed strongly enough that the horn 1 (Iq# from the plate,
Although 2+1 drop-off hardly occurs, an adhesive layer can be provided between the substrate and the monolayer or tli molecular layer 1111 to strengthen the adhesion and adhesion. Furthermore, if the condition for forming a single layer of Q'+ molecules is LB7J, the attractive force can also be strengthened by, for example, selecting the hydrogen ion e degree of the aqueous phase, the ion species, or the surface pressure.

前述した加熱部5における物性変化とは、特に光学的物
性の変化を意味し、たとえば、具体的には、llj分子
膜又は単分子層累v1膜を構成している分子集合体の屈
折率、密度、分極率等の変化および相転移を意味してい
る。たとえば、この中で屈折率について≦゛えば、発熱
要素2の加熱部6の発熱により単分子膜又は単分子層累
積膜3が温度t″Cから温度(t+△t)”Cに上昇し
たとする。この場合、温度t ”cの時の単分子I+!
、!又は単分子層累積膜の屈折率をNとし、温度(t+
△t:Mcの111丁のこの屈折率をN+ΔNとすると
、屈折率勾配はΔN / Δt =>−104(1/ 
℃) テある。 Ai3折半の変化率、即ち温度に対す
る屈折−4<変化は僅がであるが、発熱要素の加熱部6
の近辺の単分子膜又は単分子層累積膜3の微小領域が加
熱されると微小領域における屈折率勾配は大であり、従
って、この加熱された微小領域の単分子膜又は単分子層
累積膜3の加熱部5はパワーを持ち、屈折率勾配の大の
領域において光は屈折、散乱、回折等する。
The above-mentioned change in physical properties in the heating section 5 particularly means a change in optical properties, and specifically, for example, the refractive index of the molecular assembly constituting the llj molecular film or the monolayer stack v1 film, It means changes in density, polarizability, etc., and phase transition. For example, if the refractive index is ≦゛, then the temperature of the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film 3 rises from the temperature t''C to (t+△t)''C due to the heat generated by the heating part 6 of the heat generating element 2. do. In this case, the single molecule I+! at temperature t”c!
,! Alternatively, the refractive index of the monomolecular layer cumulative film is N, and the temperature (t+
Δt: If this refractive index of 111 teeth of Mc is N+ΔN, the refractive index gradient is ΔN/Δt =>-104(1/
℃) There is. The rate of change of Ai3/1/2, that is, the refraction relative to temperature -4<The change is slight, but the heating part 6 of the heating element
When a micro region of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3 in the vicinity of is heated, the refractive index gradient in the micro region is large. The heating section 5 of No. 3 has power, and light is refracted, scattered, diffracted, etc. in a region with a large refractive index gradient.

発熱要素2の加熱部6が発熱して単分子膜又は単分子層
累積膜3の物性が前述のように変化する程度に加熱され
て一加熱部5が形成される。発熱要素2のその他の部位
は発熱していないのでそれに対応する単分子膜又はQi
分子層累積11Q3の低温領域の物性の変化はほとんど
なく、その物性は近似的に−・様である。低温領域にお
いても実際には加熱部等からの熱伝導によって、加温さ
れ、光学的物性は変化するであろうが、加熱部の変化か
らみると、相対的に無視できる程度である。
The heating part 6 of the heat generating element 2 generates heat and is heated to such an extent that the physical properties of the monomolecular film or the monomolecular layer stack 3 change as described above, thereby forming one heating part 5. Since the other parts of the heating element 2 do not generate heat, the corresponding monomolecular film or Qi
There is almost no change in the physical properties of the molecular layer stack 11Q3 in the low temperature region, and the physical properties are approximately -. Even in the low-temperature region, it is actually heated by heat conduction from the heating section, etc., and the optical properties change, but this is relatively negligible from the perspective of the change in the heating section.

単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部5を通過する照明
光7は、この部分に熱的に生じた屈折−ト勾配(グラデ
ィエンドインデックス)によって屈折、散乱、回軸等し
て単分子膜又はrat分子層累積膜3内を直進せず屈折
して光路変化する。このため、単分子膜又は単分子層累
積膜の加熱部5を通過する照明光7と、そこを通過しな
い照明光7とは、表示素子DEを射出してきた時、1L
行光とはならず、それらの射出方向は互いに異なる。発
熱要素2の加熱部6が加熱しなくなれば、小分1′〜膜
又は単分子層累積膜の加熱部5は冷却されてなくなり、
表示素子DEから射出する照明光7の方向は全て同じ方
向となる。故に、単分子膜又は単分子層累積11り3の
加熱部5の高温領域を通過する照的に識別される。
Illumination light 7 passing through the heating section 5 of a monomolecular film or a monomolecular layer accumulation film is refracted, scattered, rotated, etc. by the refraction gradient (gradient index) thermally generated in this section, and becomes a single molecule. The light does not travel straight through the film or rat molecular layer accumulation film 3, but is refracted and changes its optical path. Therefore, the illumination light 7 that passes through the heating section 5 of the monomolecular film or the monomolecular layer accumulation film and the illumination light 7 that does not pass through it are 1L when exiting the display element DE.
They do not become linear lights, and their emission directions are different from each other. When the heating part 6 of the heat generating element 2 stops heating, the heating part 5 of the fraction 1' to the film or monomolecular layer cumulative film is cooled down and disappears.
The directions of illumination light 7 emitted from display element DE are all the same. Therefore, the monomolecular film or the monomolecular layer accumulation 11 passing through the high temperature region of the heating section 5 can be identified.

前述の相転移は、温度および圧力などの変化によって生
じる。相転移を起こす温度、すなわち相転移温度(Tc
)は物質によって固有であり、Qt分子11り又は単分
子層累積膜を形成する有機化合物は、Tc以下で結晶相
であり、Tc以−1−で液晶相に相転移するものが特に
好ましい。また、Tcは50〜100°Cのものが適し
ている。例えばジアルキルアンモニウム塩のTcは20
℃〜60℃である。・般的にTcは、アルキル鎖長とと
もにTcは上昇する。第3図はジアルキルアンモニウム
塩の場合の相転移現象を模式的に示したものである。前
述のごとく、屈折率変化は温度変化に近似的に比例する
が、Tcの前後では顕著に屈折率は変化する。したがっ
て加熱温度をTc以上に設定することがより好適である
。勿論、Tc以下で十分な屈折率変化が得られればTc
以上に設定する必要がないことはごうまでもない。
The aforementioned phase transitions are caused by changes in temperature, pressure, etc. The temperature at which a phase transition occurs, that is, the phase transition temperature (Tc
) is specific to each substance, and it is particularly preferable that the organic compound forming the Qt molecule or the monomolecular layer stack is in a crystalline phase below Tc, and undergoes a phase transition to a liquid crystal phase below Tc. Moreover, Tc of 50 to 100°C is suitable. For example, the Tc of dialkyl ammonium salt is 20
℃~60℃. - Generally, Tc increases with the alkyl chain length. FIG. 3 schematically shows the phase transition phenomenon in the case of a dialkylammonium salt. As described above, the refractive index change is approximately proportional to the temperature change, but the refractive index changes significantly before and after Tc. Therefore, it is more preferable to set the heating temperature to Tc or higher. Of course, if a sufficient refractive index change is obtained below Tc, then Tc
It goes without saying that there is no need to configure the settings above.

さらに累積膜の構成分子を適当に選ぶことによって結晶
相から液晶相に、又はある種の液晶相からある種の液晶
相に相移転することによって光散乱ないし不透光を呈す
る。このような光散乱などの相転移による屈折率以外の
物性変化も作像に用いることができる。
Furthermore, by appropriately selecting the constituent molecules of the cumulative film, the film exhibits light scattering or non-transmission by phase transition from a crystal phase to a liquid crystal phase, or from a certain type of liquid crystal phase to a certain type of liquid crystal phase. Changes in physical properties other than the refractive index due to phase transition such as light scattering can also be used for image formation.

本発明に係る表示玉子は一定の照明条件(例えば、平行
光による照trrx)の下では直視表示もtrf能であ
るが、後述の結像光学系とのM1合わせによって更に表
示装置としての用途及び利用価値は広がる。透過型の表
示素子の直視表示の場合、単分子11り又は単分子層累
積膜の加熱部5を通過してきた光の方向に対して位置し
た不図示の観察眼に到達する光量差に基づき表示画素の
識別ができる。相転移による光散乱を利用すると、直ヰ
見表小はより簡単で効果的である。
The display egg according to the present invention has TRF capability for direct viewing under certain illumination conditions (for example, illumination by parallel light), but it can be further used as a display device by adjusting M1 with the imaging optical system described below. The value of use will expand. In the case of direct viewing display using a transmissive display element, the display is based on the difference in the amount of light that reaches the viewing eye (not shown) located in the direction of the light that has passed through the heating section 5 of the monolayer or monolayer stack. Pixel identification is possible. Using light scattering due to phase transition, direct viewing is simpler and more effective.

反射型の表示素子と後述の結像光学系との組合わせの場
合、単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部5の結像光学
系による結像位置と発熱要素2によって加熱されていな
い(発熱要素2によって中分子膜又はeli分子層累積
11Q3が予熱されている場合も含む)単分子膜又は単
分子層累積膜3の低温領域の部分(以下、非加熱部とい
う)の結像光学系による結像位置が異なるためにデフォ
ーカスすることにより表示点の識別がより明確に行なわ
れる。従って、デフォーカスすることにより明点を11
tS点に反転させて表示することもできる。後述の&!
I像光学系を用いない場合には、表示素子の表4<効果
を増すために照明光7として平行光を用い、後述のよう
な遮光格子をイ1設すれば表示効果は飛躍的に向上する
。なお、第1図において、発熱要素2は単分子11り又
は単分子層累積)模3と直接接し、て中分子膜又は巾分
子層累積+1A 3を加熱しているが、単分子膜又は単
分子層累積膜3の近辺に発熱要素2を配置し熱伝導加熱
により単分子膜又はrlt分子層累積膜3を加熱しても
よい。
In the case of a combination of a reflective display element and an imaging optical system described below, the imaging position of the heating unit 5 of the monomolecular film or monomolecular layer stacked film by the imaging optical system and the position that is not heated by the heating element 2 Imaging optics for the low temperature region portion (hereinafter referred to as non-heated portion) of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3 (including the case where the intermediate molecular film or the eli molecular layer cumulative layer 11Q3 is preheated by the heating element 2) Since the imaging positions differ depending on the system, display points can be more clearly identified by defocusing. Therefore, by defocusing, the bright point can be increased to 11
It can also be displayed inverted at the tS point. &!
If the I-image optical system is not used, the display effect can be dramatically improved by using parallel light as the illumination light 7 and installing a light-shielding grating as described below in order to increase the display element's Table 4 effect. do. In Fig. 1, the heat generating element 2 is in direct contact with the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative layer 3, and heats the medium molecular film or the width molecular layer cumulative layer 3; The heating element 2 may be disposed near the molecular layer stack 3 to heat the monolayer or RLT molecular layer stack 3 by heat conduction heating.

たとえば、第1図(B)において、発熱要素2が光を反
射しない場合、中分子膜又は単分子層累積膜3と発熱要
素2との間に光反射性の金属膜、誘電ミラー等を介在さ
せてもよい。
For example, in FIG. 1(B), if the heat generating element 2 does not reflect light, a light reflective metal film, dielectric mirror, etc. is interposed between the intermediate molecular film or monomolecular layer cumulative film 3 and the heat generating element 2. You may let them.

なお、第1図では、説明をわかり易くするために表示素
子DEに入射する光束を平行光としたが、特に平行光に
かぎるものではなく、本質的には表示素子DEに入射す
る光が発熱要素2つ加熱部6の発熱によって光路中に単
分子膜又は単分子層累積膜3の高温領域、すなわち加熱
部5が形成されることにより、加熱部5が形成されない
前の光路と比較して光路変化をするということを利用す
るものである。
Note that in FIG. 1, in order to make the explanation easier to understand, the light flux incident on the display element DE is shown as parallel light; however, this is not limited to parallel light; essentially, the light incident on the display element DE is a heat-generating element. Due to the heat generated by the two heating parts 6, a high temperature region of the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film 3, that is, the heating part 5, is formed in the optical path, so that the optical path becomes shorter than the optical path before the heating part 5 is not formed. It takes advantage of the fact that change occurs.

第4図は本発明に係る表示素子の作像原理を更に具体的
に説明するための表示素子の断面図であり、第4図(A
)は透過型の表示素子を、第4図(B)は反射型の表示
素子を各々示している。
FIG. 4 is a cross-sectional view of the display element for more specifically explaining the image forming principle of the display element according to the present invention, and FIG.
) shows a transmissive display element, and FIG. 4(B) shows a reflective display element.

図に於て、9は輻射線lOを吸収して発熱する輻射線吸
収層、3は単分子膜又は単分子層累積11り、4は保護
用基板を示す。
In the figure, numeral 9 indicates a radiation absorbing layer that absorbs radiation lO and generates heat, 3 indicates a monomolecular film or monomolecular layer stack 11, and 4 indicates a protective substrate.

なお、第4図(B)に示されている反射型の表示素子D
Eに於て、11は表示に利用する照明光7を反射するた
めの反射膜、12は単分子膜又はrat分子層累積II
S?3を予め加熱しておくための発熱体層である。これ
ら反射膜11、発熱体層12は必ずしも表示素子DEに
必要とするものではなく。
Note that the reflective display element D shown in FIG. 4(B)
In E, 11 is a reflective film for reflecting the illumination light 7 used for display, and 12 is a monomolecular film or a rat molecular layer accumulation II.
S? This is a heating element layer for preheating 3. The reflective film 11 and the heat generating layer 12 are not necessarily required for the display element DE.

必要に応じ′て設けられる。たとえば、単分子11り又
は単分子層累積I?23が加熱された詩、輻射線吸収層
9が光反射性を有する時には反射膜11は用いられない
し、単分子膜又は単分子層累積11QのイI機化合物成
膜分子のTcが低く輻射線ioの輻1114!1a吸収
層9への照射のみによる輻射線吸収層9の発熱のみで充
分応答性良く、申分(’ lII、!又は申分子層累積
膜3が加熱されて加熱?B5が形成される場合は、発熱
体層12は設(大られない。また、輻射線強度が充分に
強い場合も発熱体層12は不要である。但し1発熱体層
12については後述するので、第4図(B)においては
発熱体層12はないものとして説明する。また、発熱体
層12は必要に禽じて第4図(A)に示されている透過
型の表示素子にも設けられる。輻射線吸収層9は幅01
線10、とりわけ赤外線を効率的に吸収して発熱するが
、それ自身は発熱することのよって溶融し難いものでな
ければならない、この輻射線吸収層9は各種の無機或は
有機材料を成膜(多層膜を含む)して得られる。尚、こ
の輻射線吸収層9自身は脱厚数終程瓜なので、概して支
持機能に乏しいから、不図示のガラスやプラスチック等
からなる輻射線透過性支持板をノ^板として付加するの
が一般的である。単分子膜又は単分子層累積11り3を
構成する有機化合物には前述のような種類があり、一般
的に可視光線に対して透光性を有するものが適している
が赤外線等の輻射線lOに対して透光性であるか否かは
問わない。13は格子で、tli分子膜又は単分子層累
i?tll!J3が加熱されていない時、表示素子に人
、灯して透過型の表示素子を透過したり、反射型の表示
素子によって反射されて表示素子から射出する照IJJ
光7を遮光している。このように構成された表示素子D
Eに対して、図面右方から輻射線(#に、赤外線)10
を照射すると、輻射線吸収層9′の対応点が発熱する。
It is provided as necessary. For example, monolayer 11 or monolayer cumulative I? When 23 is heated, the reflective film 11 is not used when the radiation absorbing layer 9 has light reflective properties, and the Tc of the organic compound film-forming molecules of the monomolecular film or monomolecular layer accumulation 11Q is low and radiation io radiation 1114!1a The heat generation of the radiation absorbing layer 9 only by the irradiation on the absorbing layer 9 has sufficient responsiveness, and the response is satisfactory (' II,! Or is the molecular layer cumulative film 3 heated and heated?B5 is If the heating element layer 12 is formed, the heating element layer 12 is not required (it is not too large. Also, if the radiation intensity is sufficiently strong, the heating element layer 12 is not necessary. However, the first heating element layer 12 will be described later, so In FIG. 4(B), the explanation will be made assuming that the heating element layer 12 is not provided.The heating element layer 12 may also be provided in the transmission type display element shown in FIG. 4(A) if necessary. .The radiation absorption layer 9 has a width of 01
The radiation absorbing layer 9 is made of various inorganic or organic materials. (including multilayer films). Note that this radiation absorbing layer 9 itself is a thin layer and generally has poor support function, so it is common to add a radiation transparent support plate made of glass, plastic, etc. (not shown) as a plate. It is true. There are various types of organic compounds constituting the monomolecular film or monomolecular layer stack as described above, and those that are generally transparent to visible light are suitable; It does not matter whether or not it is transparent to lO. 13 is a lattice, which is a tli molecular film or a monomolecular layer i? tll! When J3 is not heated, the display element is illuminated by a person and the light passes through the transmissive display element, or is reflected by the reflective display element and emitted from the display element.
Light 7 is blocked. Display element D configured in this way
For E, radiation (#, infrared) 10 from the right side of the drawing
When irradiated with , the corresponding points on the radiation absorbing layer 9' generate heat.

この様にして輻射線吸収層9の1部が9.熱すると、こ
れに接しているかもしくは近接している部分の中分子・
膜又は単分子層累積膜3は熱伝導によって加熱され、温
度が上昇して、その物性が加熱前より変化し、単分子膜
又は単分子層累積膜iの高温領域の加熱部5が形成され
る。この加熱部5を通過する照明光7は、加熱部5を通
過する時、第1図に於て1ii7述したメカニズムによ
りその光路を変化させられる。この光路変化をうけた照
IJI光7の少なくとも一部は表示素子DEを射出した
時、格子13の開口を通過する。一方、加熱部5を通ら
ない照IJJ光7は全て格子13によって遮光されるの
で、この格子13を介して表示素子DEを見た場合、加
熱tf&5が形成された単分子膜又は単分子層累積膜の
部分を通過する照明光と非加熱部を通過する照明光7と
が識別される。
In this way, a portion of the radiation absorbing layer 9 becomes 9. When heated, the middle molecules and
The film or monomolecular layer stack 3 is heated by thermal conduction, the temperature rises, and its physical properties change from before heating, forming a heated region 5 in the high temperature region of the monomolecular film or monomolecular layer stack i. Ru. When the illumination light 7 passing through the heating section 5 passes through the heating section 5, its optical path is changed by the mechanism described in 1ii7 in FIG. At least a part of the illumination IJI light 7 that has undergone this optical path change passes through the opening of the grating 13 when exiting the display element DE. On the other hand, all of the illuminating IJJ light 7 that does not pass through the heating section 5 is blocked by the grating 13, so when viewing the display element DE through the grating 13, the monomolecular film or monomolecular layer accumulation on which the heating tf&5 is formed The illumination light passing through the membrane part and the illumination light 7 passing through the non-heated part are distinguished.

勿論、非加熱部を通過する照明光1が、格子13の開1
」を通過するようにすれば、加熱部5が形成された時に
、この部分を通過する照明光7は格子13によって遮光
されるので、119明光7が通過しない格子13の開口
もあり、前述の例の逆の形!と;の表示素子も可能とな
る。
Of course, the illumination light 1 passing through the non-heating part
”, when the heating part 5 is formed, the illumination light 7 passing through this part will be blocked by the grating 13, so there will be openings in the grating 13 through which the 119 bright light 7 will not pass, and the above-mentioned The opposite form of the example! Display elements such as and; are also possible.

格子13がない場合でも、単分子膜又は単分子層累積+
1!J 3の加熱部5を通過する照明光7の方向と、非
加熱部を通過する照明光7の方向とは表示素子DEを射
出してきた場合、互いに異なっているので、どちらか一
方の光束がくる方向にむかって見た場合、光学的に照明
光7は識別される。
Even if there is no grating 13, the monolayer or monolayer accumulation +
1! The direction of the illumination light 7 passing through the heating section 5 of J3 and the direction of the illumination light 7 passing through the non-heating section are different when exiting the display element DE. The illumination light 7 is optically discernible when viewed in the opposite direction.

尚、表示素子DEに対して輻射線10を照射する場合、
所定の画像に対応する様にパターン状に!就射すること
もできるし、レーザ光源′藩利用して、會Iコ射線10
をビームとして多数のビームをドツト状に一括して照射
することもできるが、lビーム又はlラインビームを輻
射線吸収層9上に走査させる方法をとることもできる。
Note that when irradiating the display element DE with the radiation 10,
Create a pattern that corresponds to a given image! It is also possible to use a laser light source to create a beam of 10
Although it is possible to simultaneously irradiate a large number of beams in a dot shape using a beam as a beam, it is also possible to use a method of scanning the radiation absorbing layer 9 with an l beam or an l line beam.

又輻射線10を照射する・・方向は、第4図(A)に示
されている透過型の表示素子DEの場合、図示例のみに
限定されない。つまり、保護用基板4及び単分子膜又は
単分子層累積膜3を輻射線lOが透過する場合には、輻
射線lOを図面左方から照射することも可能である。尚
、表示の消去は単分子I+!、!又は単分子層累積膜3
の加熱部5の冷却によって自然に為される。
Furthermore, the direction in which the radiation 10 is irradiated is not limited to the illustrated example in the case of the transmissive display element DE shown in FIG. 4(A). That is, when the radiation 10 passes through the protective substrate 4 and the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film 3, it is also possible to irradiate the radiation 10 from the left side of the drawing. In addition, the display can be deleted by single molecule I+! ,! Or monolayer cumulative film 3
This is done naturally by cooling the heating section 5.

尚、以」二では輻射線加熱によって表示画素を形成する
方法に就いて説明したが、本発明では第4図の輻射線吸
収層9を後述のように不図示の金属等から成る伝熱層に
代え、これに不図示の発熱素子を近接若しくは接触させ
て単分子膜又は単分子層累積膜を伝導加熱する様に変形
することも可能である。
In the following, a method of forming display pixels by radiation heating has been explained, but in the present invention, the radiation absorbing layer 9 in FIG. Alternatively, it is also possible to conductively heat the monomolecular film or the monomolecular layer stack by bringing a heating element (not shown) close to or in contact with this.

木発明では、表示画素の識別効果を更に高める為に、輻
射線吸収層9と単分子膜又は単分子層累積膜の間に前述
したようにn(視光線の反射11/、!11を別途、介
在させることもできる。斯かる反射11り11は、熱伝
導の際、それ自身が溶融することのない高融点の金属材
料又は金属化合物材料によって形成する必要がある。
In the invention, in order to further enhance the discrimination effect of display pixels, as mentioned above, n (reflection of visible light 11/, !11) is separately provided between the radiation absorption layer 9 and the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film. Such a reflection 11 must be formed of a high melting point metal material or metal compound material that does not melt itself during heat conduction.

木発明に於て有効な表示を得るためには単分子膜又は単
分子層累積膜3の輻射線吸収層9と接する面及びその近
傍が加熱される必要があるが、その加熱が単分子膜又は
単分子層累積I15!3の保護用基板4に接する面及び
その近傍にまで及ぶことは要件ではない。しかしながら
、単分子膜又は単分子層累積膜3の輻射線吸収層9の加
熱面に接する面及びその近傍の温度が周辺領域の単分子
膜又は単分子層+Jl積膜3の温度より高い程、表示素
イDEの表示のコントラストは向」ニすることが実験の
結果判った。更に、これを積極的に利用すれば、単分子
膜又は単分子層累積膜3を加熱するための熱量を異なら
しめることにより中間調を表示することが11丁能にな
る。
In order to obtain an effective display in the wood invention, it is necessary to heat the surface of the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film 3 in contact with the radiation absorbing layer 9 and its vicinity. Alternatively, it is not a requirement that the surface of the monomolecular layer accumulation I15!3 in contact with the protective substrate 4 and its vicinity be covered. However, the higher the temperature of the surface of the monomolecular film or monomolecular layer stack 3 in contact with the heating surface of the radiation absorption layer 9 and its vicinity is higher than the temperature of the monomolecular film or monomolecular layer + Jl stack 3 in the surrounding area, As a result of experiments, it was found that the display contrast of the display element DE was improved. Furthermore, if this is actively utilized, it becomes possible to display halftones by varying the amount of heat for heating the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film 3.

尚、輻射線吸収層9」−に輻射線10を照射する照射ス
ポット径は小さい程表示のコントラストが良く好適な輻
射線lOのスポット径(直径)は0.5PL−100に
位が適当である。
Incidentally, the smaller the irradiation spot diameter for irradiating the radiation absorption layer 9'' with the radiation 10, the better the display contrast will be.The suitable spot diameter (diameter) of the radiation 10 is approximately 0.5PL-100. .

しかしながら幅2■長さ1Offlfflの矩形状の光
束の輻射線lOで輻射線吸収層9を黒用しても表小像は
得られるものである。本発明の詳細な説明に於てしばし
ば用いる単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部5とは後
者の範囲も含むものである。
However, even if the radiation absorbing layer 9 is made black with the radiation 10 of a rectangular light beam having a width of 2×length of 1Offfffl, a surface small image can be obtained. In the detailed description of the present invention, the heating section 5 of a monomolecular film or a monomolecular layer stacked film, which is often used, includes the latter range.

もっとも、単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部5が微
小でなくとも加熱面の温度が一様でないために加熱部5
に於ける光の光路の方向と非加熱部に光の光路の方向に
差異が生ずれば識別効果は生ずる。
However, even if the heating part 5 of a monomolecular film or a monomolecular layer accumulation film is not minute, the temperature of the heating surface is not uniform, so the heating part 5
If there is a difference between the direction of the optical path of light in the non-heated part and the direction of the optical path of light in the non-heated part, a discrimination effect will occur.

したがって、本発明に於ては、rll、分子−膜又はt
p分子層累積膜の加熱部5を微小範囲に限定するもので
はない。
Therefore, in the present invention, rll, molecule-membrane or t
The heating section 5 of the p-layer stacked film is not limited to a minute range.

本発明においては、第4図(B)に示されているように
、表示画素としての単分子膜又は単分子層累積膜の加熱
部5の形成速度を大いに速めるために1反射膜を用いな
い場合は、表示素子DEの輻射線吸収層9と単分子膜又
は、単分子層累積膜3との間に、反射膜を用いる場合ぼ
、幅m線吸収層9と反射膜11との間にジュール熱によ
って発熱する発熱体層12を設け、所定の単分子膜又は
単分子膜累積膜を予熱することが望ましい場合もある。
In the present invention, as shown in FIG. 4(B), one reflective film is not used in order to greatly speed up the formation speed of the heating section 5 of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film as the display pixel. In this case, when a reflective film is used between the radiation absorbing layer 9 and the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film 3 of the display element DE, the width m-line absorbing layer 9 and the reflective film 11 are In some cases, it may be desirable to provide a heating element layer 12 that generates heat using Joule heat to preheat a predetermined monomolecular film or monomolecular film stack.

尚、この時、輻射線吸収層9或は反射膜1.1が導体で
ある場合には、これ等と発熱体層12との間に不図示の
絶縁層を設けることが望ましい。
At this time, if the radiation absorbing layer 9 or the reflective film 1.1 is a conductor, it is desirable to provide an insulating layer (not shown) between them and the heat generating layer 12.

このような発熱体層12としては、はぼ、輻射線ビーム
の−又は複数の走査線に対応する線状発熱体や格子状発
熱体(何れも不図示)等が好適である0発熱体層12が
線状発熱体の場合、この幅方1i10へ於て発熱部は微
小であδから良好な表示結果が得られるものと思われる
。このとき輻射線lOの輻射線吸収層9への照射と発熱
体層12による単分子膜又は単分子層累積膜3の加熱と
を同期さとができる。
As such a heating element layer 12, a linear heating element or a grid heating element (none of which are shown) corresponding to one or more scanning lines of a radiation beam is suitable. When 12 is a linear heating element, the heating portion is minute in this width direction 1i10, and it is thought that good display results can be obtained from δ. At this time, the irradiation of the radiation lO to the radiation absorbing layer 9 and the heating of the monomolecular film or the monomolecular layer accumulation film 3 by the heating element layer 12 can be synchronized.

又、本発明に於ては、単分子膜又は単分子層累積膜に直
接、腐蝕性の構成要素が接触する様な表示素子の構成は
、素子の寿命を低下させることになるので、避けるべき
である。単分子膜又は単分子層累積膜に腐蝕性の構成要
素が接している構成では、化学腐蝕、熱酸化等が生じて
表示素子が損傷又は劣化する場合が大きいからである。
Furthermore, in the present invention, the structure of the display element in which a corrosive component comes into direct contact with the monomolecular film or the monomolecular layer stack should be avoided, since this will shorten the life of the element. It is. This is because in a configuration in which a corrosive component is in contact with a monomolecular film or a monomolecular layer stack, chemical corrosion, thermal oxidation, etc. occur, and the display element is often damaged or deteriorated.

従って、この様な場合には、単分子膜又は単分子層累積
膜と腐蝕性の構成要素の界面に、耐蝕性の保護膜(不図
示)を形成することが望ましい。
Therefore, in such cases, it is desirable to form a corrosion-resistant protective film (not shown) at the interface between the monomolecular film or the monomolecular layer stack and the corrosive component.

そして、この保護膜の素材としては、酸化硅素、酸化チ
タン等の誘電体Iや耐熱性プラスチック稼を挙げること
ができる。この保護膜を反射膜がその機能を兼ねること
もある。
Materials for this protective film include dielectric materials such as silicon oxide and titanium oxide, and heat-resistant plastic materials. A reflective film may also serve as this protective film.

なお、輻射線吸収層9として金属等を用いるときは、こ
れは、一般に、基板としての輻射線透過性支持板上に成
j模されるのが普通であるから、輻射線吸収層9を加熱
した時、これは外部空気によって酸化される心配はない
、輻射線吸収層9の輻射線吸収率が完全でない場合には
、これに輻射線lOを照射する側に反射防止膜(不図示
)を施すことにより輻射線吸収層9の輻射線lOの吸収
率を著しく高めることもできる。
Note that when a metal or the like is used as the radiation absorbing layer 9, it is generally formed on a radiation transparent support plate as a substrate, so the radiation absorbing layer 9 is heated. There is no need to worry about it being oxidized by external air.If the radiation absorption rate of the radiation absorbing layer 9 is not perfect, an anti-reflection coating (not shown) may be applied to the side to which the radiation 10 is irradiated. By applying this, the radiation absorption rate of the radiation absorbing layer 9 can be significantly increased.

次に第5図および第6図によってライトバルブ式投写装
置について説明する。ライトバルブ(光t+ >は光を
制御あるいは調部するものの意であり、従って、独立し
た光源からの光を適当な媒体(本発明の場合、表示素子
の単分子膜又は単分子層累積lll2)で制御してスク
リーン上に投写表示する方式のディスプレイはすべてこ
れに含まれることになる。この方式は、ブラウン管のよ
うな自発光型ディスプレイに比べると原理的には、使用
する光源を強くすることにより表示画面のサイズと明る
さをいくらでも増加できるので、4.¥に光!11を必
要とする大画面ディスプレイに適している。
Next, the light valve type projection device will be explained with reference to FIGS. 5 and 6. A light valve (light t+) means a device that controls or adjusts light, and therefore, light from an independent light source is transferred to a suitable medium (in the case of the present invention, a monomolecular film or a monomolecular layer accumulation of a display element). This includes all displays that are controlled by a computer and projected onto a screen.This method, in principle, uses a stronger light source than self-luminous displays such as cathode ray tubes. Since the size and brightness of the display screen can be increased as much as possible, it is suitable for large screen displays that require 4.0 and 11 light.

そのうち、第5図に示すものは、シュリーレンライトバ
ルブとも呼ばれているもので、入力信号に応じて制御媒
体である単分子膜又は単分子層累積膜に光9M折角、回
折角あるいは反射角の異なるパターンあるいは錯乱によ
るパターンをつくり、シュリーレン光学系を用いてその
変化を明暗像に変換し、スクリーンに投写する方式であ
る。
Among them, the one shown in Fig. 5 is also called a Schlieren light valve, which changes the angle of 9M refraction, diffraction angle, or reflection angle of light to a monomolecular film or a monomolecular layer stack film as a control medium according to an input signal. This method creates different patterns or patterns due to confusion, converts the changes into bright and dark images using a schlieren optical system, and projects them onto a screen.

第5図はその表示装置の基本原理を説明するための概要
構成図である。第1格子13aの角スリットの像はシュ
リーレンレンズ14によって第2格子13b各バーの上
に遮光されるように夫々結像するように配置されている
。シュリーレンレンズ14と第2格子13bとの111
1におかれた透過型の表示素子DE(7)媒体としての
単分子膜又はrP。
FIG. 5 is a schematic configuration diagram for explaining the basic principle of the display device. The images of the angular slits of the first grating 13a are arranged so as to be formed on each bar of the second grating 13b by a schlieren lens 14 so as to be shielded from light. 111 between the Schlieren lens 14 and the second grating 13b
A transmission type display element DE (7) placed in 1 has a monomolecular film or rP as a medium.

分子層累a膜が加熱されておらず、その物性(例えば、
1m折率)が一様に平滑であれば、第1格子13aを通
過した入射光はすべて第2格子13bにより遮られてス
クリーン15に到達しない。しかし、表示素子DEの単
分子膜又は単分子層累積膜3の一部が発熱要素により加
熱されて高温になり単分子膜又は単分子層累積膜の加熱
部5が形成されると、そこを通過する光の光路が前述し
たように変化するので、そこを通過した入射光16は第
2格子13bで遮られることなく第2格子13bの間隙
(開口)を通ってスクリーン15到達する。従って、表
示素子DEの単分子膜又は単分子一層累積膜の加熱部5
を加熱している加熱面又はその近傍の媒体面をスクリー
ン15に結像するように結像レンズ17を配置すれば、
表示素子DEの単分子膜又は単分子層累積膜の温度変化
量に対応した明暗像がスクリーン15上に得られる。な
お、これに用いられる第1及び第2格子13a及び13
bの閉口は線状、点状の如何を問わない。
The molecular layer stack a film is not heated and its physical properties (e.g.
1m refraction index) is uniformly smooth, all incident light passing through the first grating 13a is blocked by the second grating 13b and does not reach the screen 15. However, when a part of the monomolecular film or monomolecular layer stack 3 of the display element DE is heated by the heating element and reaches a high temperature, and a heated portion 5 of the monomolecular film or monomolecular layer stack is formed, Since the optical path of the passing light changes as described above, the incident light 16 passing therethrough reaches the screen 15 through the gap (opening) of the second grating 13b without being blocked by the second grating 13b. Therefore, the heating section 5 of the monomolecular film or monomolecular single layer cumulative film of the display element DE
If the imaging lens 17 is arranged so as to image the heating surface on which the heating surface is being heated or the medium surface near the heating surface on the screen 15,
A contrast image corresponding to the amount of temperature change of the monomolecular film or the monomolecular layer stack of the display element DE is obtained on the screen 15. Note that the first and second gratings 13a and 13 used for this
The closure of b may be linear or dotted.

第6図は透過型ライトバルブ式投写装置のIl!を略構
成図であり、透過型の表示素子に対する信t)入力手段
の配置例を示している。13aは第1格子、DEは透過
型の表示素子、14はシュリーレンズ、13bは第2格
子、17は結像レンズ、15はスクリーンで、これらの
構成は第5図の表示装置の構成に類似している。不図示
のレーザー光源及び光変調器を通して変調された輻射線
(主に、赤外線)10の信号光は水平スキャナー18−
とじての回転多面鏡によって水平走査され、レンズ20
を介し、垂直スキャク−19としての回転多面鏡、又は
ガルバノミラ−によって垂直走査され、コールドフィル
タ21によって反射されて第4図(A)に示した透過型
の表示素子での輻射線吸収層9に結像し、′単分子膜又
は単分子層累積膜をドツトマトリックス状に加熱して単
分子膜又はti分子層累積膜の加熱部5の2次元像を形
成する。一方、第1格子13aを通過した入射光16は
コールドフィルタ21を通過するので、第5図に於て前
述せるメカニズムによりスクリーン15」二に、表示素
子DEの単分子膜メはrlを分子音素4」へ膜の加熱部
5に対応した2次元の可視像を形成するものである。本
図に於て用いられる表示素子DEの輻射線吸収層は可視
光に対しては透過性のものでなければならないことはも
ちろんである。
Figure 6 shows Il! of a transmission type light valve type projection device. 1 is a schematic configuration diagram showing an example of the arrangement of input means for a transmissive display element. 13a is a first grating, DE is a transmission type display element, 14 is a Schley lens, 13b is a second grating, 17 is an imaging lens, and 15 is a screen, the configuration of which is similar to the configuration of the display device in FIG. are doing. Signal light of radiation (mainly infrared rays) 10 modulated through a laser light source and a light modulator (not shown) is sent to a horizontal scanner 18-
The lens 20 is scanned horizontally by a rotating polygon mirror.
The radiation is vertically scanned by a rotating polygon mirror or a galvano mirror as a vertical scan 19, reflected by a cold filter 21, and transmitted to the radiation absorption layer 9 of the transmission type display element shown in FIG. 4(A). The monomolecular film or the monomolecular layer stack is heated in the form of a dot matrix to form a two-dimensional image of the heated portion 5 of the monomolecular film or the Ti molecular layer stack. On the other hand, since the incident light 16 that has passed through the first grating 13a passes through the cold filter 21, the monomolecular film of the display element DE converts rl into a molecular phoneme by the mechanism described above in FIG. 4'' to form a two-dimensional visible image corresponding to the heated portion 5 of the membrane. Of course, the radiation absorbing layer of the display element DE used in this figure must be transparent to visible light.

なお、半導体レーザアレイ又は発光タイオードアレイ(
ライン状に並べられたもの)を用いれば、水平スキャナ
ーは省略される。又コールドフィルタとガルバノミラ−
とを共用しても良い。
Note that semiconductor laser arrays or light emitting diode arrays (
If a horizontal scanner is used, the horizontal scanner can be omitted. Also cold filter and galvano mirror
may be shared.

第7図は、本発明に係る表示装置としてのライトバルブ
式投写装置のブロック図である。
FIG. 7 is a block diagram of a light valve type projection device as a display device according to the present invention.

22は映像信号を発生する映像発生回路、23は映像信
号を制御してこの信号を映像増幅回路24及び水平、垂
直駆動回路25に与えるための制御回路、26はレーザ
光源、27はレーザ光源からのレーザビームを映像増幅
回路24からの信号に従って変調する光変調器、光変調
器27により変調された光は、水平スキャナー18もし
くは垂直スキャナー19に入射する。また、水平スキャ
ナー18、垂直スキャナー19は水平及びdi直駆動回
路25による夫々映像信号に同期した駆動信号をうけて
動作する。他の破線内の部分の構成については前述した
構成と同じなので説明を省略する。
22 is a video generation circuit that generates a video signal; 23 is a control circuit that controls the video signal and supplies this signal to the video amplification circuit 24 and the horizontal and vertical drive circuits 25; 26 is a laser light source; and 27 is a circuit from the laser light source. The light modulated by the optical modulator 27, which modulates the laser beam according to the signal from the video amplification circuit 24, enters the horizontal scanner 18 or the vertical scanner 19. Further, the horizontal scanner 18 and the vertical scanner 19 operate in response to drive signals synchronized with video signals from the horizontal and di direct drive circuits 25, respectively. The configuration of the other portions within the broken line is the same as the configuration described above, so the description thereof will be omitted.

映像発生回路22より出力された映像信号は制御回路2
3を介して映像増幅回路24で増幅される。増幅された
映像信号の入力により光変調器27は駆動し、レーザ光
@i2eより出射されるレーザビームを変調する。一方
、制御回路23より水平同期信号及び垂直同期信号が出
力され、水平、垂直駆動回路?5を介して夫々水平スキ
ャナー18及び垂直スキャナー19を駆動する。このよ
うにして表示素子DEの単分子膜又は単分子層累積膜内
に熱的二次元像が形成される。この後の破線内の構成動
作については前述した通りでありここでは簡単のため省
略する。なお、TV主電波受信する場合には映像発生回
路22に代えて受信機を用いればよい。
The video signal output from the video generation circuit 22 is sent to the control circuit 2.
3 and is amplified by the video amplification circuit 24. The optical modulator 27 is driven by the input of the amplified video signal and modulates the laser beam emitted from the laser beam @i2e. On the other hand, a horizontal synchronization signal and a vertical synchronization signal are output from the control circuit 23, and the horizontal and vertical drive circuits? 5 drive a horizontal scanner 18 and a vertical scanner 19, respectively. In this way, a thermal two-dimensional image is formed within the monomolecular film or monomolecular layer stack of the display element DE. The subsequent configuration operations within the broken line are as described above and will be omitted here for simplicity. Note that when receiving TV main radio waves, a receiver may be used in place of the video generation circuit 22.

第8図は、本発明に係るカラー表示素子の例であり、説
明の便宜ヒ、上半分を透過型の表示素子を、下半分を反
射型の表示素子として断面図で示しである。9は輻射線
吸収層、11は反射I+!、!であり、本図の上半分に
示した透過型の表示集子には設けていない、、28は、
カラーモザイクフィルタで、これの具体的構成及び製造
技術に就いては、既に、特公昭52−13094号公報
及び特公昭52−36019号公報に於て詳しく説明さ
れている通りであるから、これらを援用することとして
、ここでは、詳細な説明を省略する。3はri分子膜又
は単分子層累積膜、4は保護用基板でカラーモザイクフ
ィルタ28を除き表示素子DEを構成する要素について
は第4図に於て説明した通りである。
FIG. 8 shows an example of a color display element according to the present invention, and for convenience of explanation, the upper half is a transmissive display element and the lower half is a reflective display element in cross-sectional view. 9 is a radiation absorption layer, 11 is a reflection I+! ,! 28, which is not provided in the transparent display cluster shown in the upper half of this figure, is
The specific structure and manufacturing technology of the color mosaic filter have already been explained in detail in Japanese Patent Publication No. 52-13094 and Japanese Patent Publication No. 52-36019. As such, detailed explanation will be omitted here. 3 is an RI molecular film or a monomolecular layer cumulative film, and 4 is a protective substrate, and the elements constituting the display element DE except for the color mosaic filter 28 are as described in FIG.

図示例に於て、カラーモザイクフィルタ28の赤色フィ
ルタ部(R)に接する単分子膜又は単分子音累積膜3は
輻射線10を吸収した輻射線吸収層9により熱伝導加熱
され、この上に単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部5
が生ずると、反射膜11により反射されるか、もしくは
輻射線吸収層9を透過してきた平行照明光7は単分子膜
又は単分子層累積膜の加熱部5を通過することにより、
前述のようなメカニズムにより、破線で示したような加
熱部5がない場合に通過してきた光の光路とは異なった
2点鎖線で示したような屈曲した光路を通って、表示素
子DE外に射出してくる。白色光が赤色フィルタ部(R
)に入射した場合、表示素子DEから出てくる透過光も
しくは反射光は、赤が視覚される光(以下、赤色光とい
う)のみである、青色フィルタ部(B)及び緑色フィル
タ部(G)を通過してくる光についても赤色フィルタ部
(R)を通過する前述の光の進路と同様である。但し、
第8図の場合、緑色フィルタ部(G)ついては、加熱部
5を通過しない場合の光線のみ図示しである。また、入
射光が白色光の場合、青色フィルタ部(B)を通過して
きた光は、青が視覚される光(以下、青色光という)の
みであり、門だ緑色フィルタ部(G)を通過してきた光
は、緑が視覚される光(以下、緑色光という)のみであ
る。この単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部5を通過
してくる光の方向に向って、表/IQ素子DEを見た場
合、不図示の観察者は、加色法による8疑似カラーを視
覚するものである。例えば、相隣接したカラーモザイク
フィルタ28の赤色フィルタ部(R)、緑色フィルタ部
(G)、+’r色フィルタ部CB)に於て同時に単分子
膜又は単分子層累積膜3を加熱して加熱部5が形成され
た時には、不図示の観察者は白色を視覚することができ
る。また、第4図に於て説明したように、表示素子DE
の前面に不図示の遮光格子を配置することにより、表示
素子DEから出てくる光の内、単分子膜又は単分子層累
積膜の加熱部5を通過してくる光のみを不図示の遮光格
子の開口に通すことにより、更にIiJ瞭な加色法によ
る擬似カラー表示をうることができる。
In the illustrated example, the monomolecular film or monomolecular sound accumulation film 3 in contact with the red filter part (R) of the color mosaic filter 28 is heated by thermal conduction by the radiation absorption layer 9 that absorbs the radiation 10, and is heated by the radiation absorption layer 9 that absorbs the radiation 10. Heating section 5 of monomolecular film or monomolecular layer cumulative film
When this occurs, the collimated illumination light 7 that has been reflected by the reflective film 11 or transmitted through the radiation absorption layer 9 passes through the heating section 5 of the monomolecular film or monomolecular layer accumulation film, thereby causing
Due to the above-mentioned mechanism, the light passes through a bent optical path as shown by the two-dot chain line, which is different from the optical path of the light that would have passed in the absence of the heating section 5 as shown by the broken line, to the outside of the display element DE. It comes out. The white light passes through the red filter section (R
), the transmitted light or reflected light that comes out from the display element DE is only the light that makes red visible (hereinafter referred to as red light); the blue filter section (B) and the green filter section (G). The path of the light passing through the red filter section (R) is also the same as the path of the light passing through the red filter section (R). however,
In the case of FIG. 8, for the green filter section (G), only the light rays that do not pass through the heating section 5 are shown. In addition, when the incident light is white light, the light that passes through the blue filter section (B) is only the light that makes blue visible (hereinafter referred to as blue light), and only passes through the green filter section (G). The only light that is visible is green (hereinafter referred to as green light). When viewing the front/IQ element DE in the direction of the light passing through the heating section 5 of this monomolecular film or monomolecular layer cumulative film, an observer (not shown) can see 8 pseudo colors by the additive color method. It is something that is visualized. For example, the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3 is simultaneously heated in the red filter part (R), green filter part (G), +'r color filter part CB) of the adjacent color mosaic filters 28. When the heating portion 5 is formed, an observer (not shown) can see white color. Furthermore, as explained in FIG. 4, the display element DE
By arranging a light-shielding grating (not shown) in front of the display element DE, only the light that passes through the heating section 5 of the monomolecular film or monomolecular layer stack is blocked (not shown) out of the light emitted from the display element DE. By passing the light through the apertures of the grid, it is possible to obtain a more vivid pseudo-color display using the additive coloring method.

第9図は1本発明に係る別の表示素子の断面図であり、
第9図(A)は透過型の、また第9図(B )は反射型
の表示素子を夫々示している。
FIG. 9 is a sectional view of another display element according to the present invention,
FIG. 9(A) shows a transmissive type display element, and FIG. 9(B) shows a reflective type display element.

図に於て、3は単分子膜又は単分子層累積膜、4は保護
用基板を示し、これ等は第1図にて説明したものと同じ
機能を持つ要素である。29は熱伝肴性の絶縁層であり
、この両面には、発熱’A’ Jとしての複数の発熱抵
抗線30.31が、カーいに絶縁層を挟んで交叉する様
にマトリックス状に2次的に配列しである。lは、これ
等発熱抵抗線30.31及び絶縁層29の支持板として
の基板である。第8図(A)に示した透過lの表示素子
DHの場合は、これら発熱抵抗線30.31、基板i及
び絶縁層2θは透明であり、たとえば発熱抵抗線30.
31はインジウム・ティン・オキサイドの透明薄膜から
構成されている。そして、これらの表示素子DEに於て
は、所定の発熱抵抗線30.31が共に選択され発熱し
たときのみ、両者の交叉領域に於て単分子膜又は単分子
層累積膜3中に表示11丁能な高温領域の加熱部(不図
示)が形成される様、設計しである。また、第4図にお
いて前述したように反射膜11は必要に応じて設けられ
る。
In the figure, 3 indicates a monomolecular film or a monomolecular layer stack, and 4 indicates a protective substrate, which are elements having the same functions as those explained in FIG. 1. 29 is a thermally conductive insulating layer, and on both sides thereof, a plurality of heat generating resistance wires 30 and 31 as heat generating 'A' and J are arranged in a matrix shape so as to intersect with each other with the insulating layer in between. Next is the arrangement. 1 is a substrate serving as a support plate for the heat generating resistance wires 30 and 31 and the insulating layer 29. In the case of the transparent display element DH shown in FIG. 8(A), the heating resistance wires 30, 31, the substrate i, and the insulating layer 2θ are transparent.
31 is composed of a transparent thin film of indium tin oxide. In these display elements DE, only when the predetermined heating resistance wires 30 and 31 are both selected and generate heat, the display 11 is displayed in the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film 3 in the intersection area between the two. It is designed to form a heating section (not shown) in a high-temperature region. Further, as described above in FIG. 4, the reflective film 11 is provided as necessary.

次に第1θ図を用いて斯かる表示素子をマトリックス駆
動する例に就いて、更に詳しく説明する。
Next, an example of matrix driving of such display elements will be explained in more detail using FIG. 1θ.

図に於て、DEは表示素子を示し、0′59図で説明し
たのと同様の詳細構成を持つ。この表示素子DEはX文
、 Xm、 Xn、 Xo、 Xpの釘軸の発熱抵抗線
(これらを行線と呼ぶ)とYc 、 Yd 、 Yeの
列軸の発熱抵抗線(これらを列線と呼ぶ)等で構成され
ており列線Yc、Yd、Yeの一方は共通直流電源に接
続されており、他方は夫々エミッタ接地されてトランジ
スタTr1〜Tr3のコレクタ側に接続されている。行
線Xi 、Xm、Xn、Xo、Xpニ順次、加熱用゛i
E流パルスを印加すると、これ等の行線に対応する中分
子膜又は単分子層累積膜(不図示)が順次、線状に加熱
されるが、このとき、加熱の程度を単分子膜又は?i分
子層累積膜の加熱表示の閾値以下になるように設定しで
あるので、単分子膜層は単分子層累積膜中に加熱表示用
の高温領域の加熱部は発生しない。一方、加熱用電流信
号の印加に回期させなから、エミッタ梓他されたトラン
ジスタTrI−Tr。
In the figure, DE indicates a display element, which has the same detailed configuration as explained in Figure 0'59. This display element DE has heat-generating resistance lines on the nail axes of X, Xm, Xn, Xo, and Xp (these are called row lines) and heat-generating resistance lines on the column axes of Yc, Yd, and Ye (these are called column lines). ), and one of the column lines Yc, Yd, and Ye is connected to a common DC power supply, and the other has its emitter grounded and is connected to the collector side of the transistors Tr1 to Tr3. Row lines Xi, Xm, Xn, Xo, Xp sequentially, heating ゛i
When the E flow pulse is applied, the middle molecular film or monomolecular layer cumulative film (not shown) corresponding to these row lines is sequentially heated linearly. ? Since the temperature is set to be equal to or less than the threshold value for heating display of the i-molecular layer cumulative film, a heated portion in a high temperature region for heating display is not generated in the monomolecular layer cumulative film. On the other hand, since the application of the heating current signal is not repeated, the emitter of the transistor TrI-Tr is changed.

のヘース側にビデオ信号°用パルスを加えてトランジス
タTrl 〜Tr3をオンすることにより、これらトラ
ンジスタTrl〜Tr3と夫々接続している\列線Yc
、Yd、Yeに対して、所定のビデオ信号を印加する。
By applying a pulse for the video signal to the base side of the transistors Trl to Tr3 and turning on the transistors Trl to Tr3, the \column lines Yc connected to these transistors Trl to Tr3, respectively.
, Yd, and Ye, predetermined video signals are applied.

このビデオ信号の印加によって、列導線Yc、Yd、Y
eに対応する単分子膜又は単分子層累積+1!l!は線
状に加熱される。これによって、加熱用電流パルスとビ
デオ信号とが同期した行線と列線との交叉部分において
は両者の発熱により加算的に加熱されてtlj、分子膜
又は単分子層累積膜の加熱の程瓜が加熱表示の閾値を越
える。選択された行線と列線の交叉部分に中分子膜又は
単分子層累積膜加熱部5が形成される。
By applying this video signal, the column conductors Yc, Yd, Y
Monolayer or monolayer accumulation corresponding to e +1! l! is heated linearly. As a result, at the intersection of the row line and the column line where the heating current pulse and the video signal are synchronized, heat is generated additively by both, and the heating process of the molecular film or the monomolecular layer accumulation film increases. exceeds the heating display threshold. A middle molecular film or monomolecular layer cumulative film heating section 5 is formed at the intersection of the selected row line and column line.

なお、以上の例において、駆動方式を次の様に変えた場
合にも、全く同様に作像することができる。即ち、行線
にビデオ信号を印加し、列線に加熱用電流信号を印加す
る様に変形しても、効果は全く同じであ条。このように
第9図に例示した表示素子DEは、マトリックス駆動を
も可能とするものである。表示素子DEの単分子膜又は
単分子層累積11りの厚きが非常に薄い場合、」−記の
如く、ストライブ状に配列される発熱抵抗線を透明保護
用基板側と基板側の両方に設置することにより、以トの
効果が発生する。
Note that in the above example, even when the driving method is changed as follows, images can be formed in exactly the same way. That is, even if it is modified so that a video signal is applied to the row lines and a heating current signal is applied to the column lines, the effect will be exactly the same. In this way, the display element DE illustrated in FIG. 9 also enables matrix driving. When the thickness of the monomolecular film or the cumulative monomolecular layer 11 of the display element DE is very thin, heat-generating resistor wires arranged in stripes are placed on both the transparent protective substrate side and the substrate side, as shown in the following. By installing it, the following effects will occur.

(p 製作工程が簡単になり、歩留りが向1ニする。(p) The manufacturing process becomes simpler and the yield rate improves.

(?) 単分子11り又は単分子層累積膜を両側から加
温するので、熱効率が良い。
(?) Since the monomolecular or monomolecular layer stack is heated from both sides, thermal efficiency is good.

等である。etc.

発熱抵抗線の放熱効果を高めるため放熱板を別途、設け
ることが望ましい。この放熱板にはノ1(板l(第9図
)を代用することが可能である。なお、内借t5線のす
べてが発熱抵抗体によって形成される必要はない。むし
ろ、エネルギーの節約を図る一]−から行線と列線の交
叉部分のみを発熱抵抗体によって構成し、それ以外はA
9.などの良導体で構成する方が好ましいと言えるが、
その分、製造工程が複雑になる欠点はある。
It is desirable to separately provide a heat sink to enhance the heat dissipation effect of the heat generating resistance wire. It is possible to use plate No. 1 (Plate 1 (Fig. 9)) as this heat dissipation plate. Note that it is not necessary that all of the internal T5 wires be formed by heating resistors. Rather, it is possible to save energy. From [1]-, only the intersection of the row line and the column line is constructed with a heating resistor, and the rest is A.
9. It can be said that it is preferable to construct it with a good conductor such as
However, there is a drawback that the manufacturing process is complicated.

又、第10図々示例の如きマトリックス駆動を行なうの
に好適な表示素子を構成するための発熱要素としての発
熱素子の他の例に就いて第11図により説明する。
Further, another example of a heat generating element as a heat generating element for configuring a display element suitable for matrix driving as shown in FIG. 10 will be explained with reference to FIG. 11.

第11図は、発熱素子の一部領域を模式的に描いた外観
斜視図である。図に於いて32は発熱抵抗層を示し、こ
れは、公知の発熱抵抗体(例えば、ニクロム合金、硼化
ハフニウム、窒化タンタル等)を面状に成膜して(11
られる。図示されていないが、この抵抗層32は、勿論
、図面下方にも延在している。又、33a、33b、3
3c、33 dは何れも列導trQ−cあり、34a、
34b、34 cは何れも行導線である。そして、これ
等全ての導線は、金、銀、銅、アルミニウム等の良導体
によりIIIられる(なお、言及していないが、導線は
Si02の絶縁膜“(不図示)によって被覆されるのが
一般的である)。図示発熱;+:r−に於いて、例えば
、列導線の33bと行導線の34cが選択されてこれ等
に共に電圧が印加されたときには、両者の交叉部35に
対応する抵抗層32の一部に通電が為されて発熱する。
FIG. 11 is an external perspective view schematically depicting a partial region of the heating element. In the figure, numeral 32 indicates a heat generating resistor layer, which is formed by forming a film of a known heat generating resistor (for example, nichrome alloy, hafnium boride, tantalum nitride, etc.) into a planar shape (11
It will be done. Although not shown, this resistance layer 32 naturally extends downward in the drawing. Also, 33a, 33b, 3
3c and 33d both have column conductor trQ-c, 34a,
Both 34b and 34c are row conductors. All of these conductive wires are made of good conductors such as gold, silver, copper, aluminum, etc. (Although not mentioned, the conductive wires are generally covered with an insulating film of Si02 (not shown). In the illustrated heat generation; A portion of the layer 32 is energized and generates heat.

この様にして、行導線及び列導線を任意の(行・列)交
叉部を発熱させることができる。
In this way, any (row/column) intersection of the row conductor and the column conductor can be heated.

従って、図示発熱素子を第9図の発熱抵抗線30.31
及び絶縁層29からなる発熱要素としての発熱素子のか
わりに組込んだ表示素子に於いては、第1θ図〃示例と
同様なマトリックス駆動方式によって、ドツトマトリッ
クス画像の表示が可能である。
Therefore, the heating element shown in FIG.
In the display element incorporated in place of the heat generating element made of the insulating layer 29, a dot matrix image can be displayed using a matrix driving method similar to the example shown in FIG.

ところで、第11図に示した発熱素子に於いて、発熱抵
抗層32を、行導線34と列導線33との交叉部にのみ
分割して設ける(その他の領域では導線同志を絶縁する
)ことも可能であり、この様な構成(第12図)に於い
ては、信号に忠実な作像にどっで不都合なりロストーク
の発生を実質的に防止することができる。
By the way, in the heating element shown in FIG. 11, the heating resistance layer 32 may be divided and provided only at the intersection of the row conducting wire 34 and the column conducting wire 33 (the conducting wires may be insulated from each other in other areas). This is possible, and in such a configuration (FIG. 12), it is possible to substantially prevent the occurrence of losstalk, which would be inconvenient to image formation faithful to the signal.

第11図の例に於いては、行導線34a、34b・・・
(以下、行導線34という)と列導線33a、33b・
・・(以下、行導線33という)はSiO+、 Si3
N+ 等の絶縁膜(不図示)を介して配設されるが、行
導線34と列導線33の交叉領域の絶縁膜は取り除かれ
、代りにその部分に発熱抵抗体32a、32b、・・・
(以下、発熱抵抗体3シという)が埋めこまれている。
In the example of FIG. 11, the row conductors 34a, 34b...
(hereinafter referred to as row conductors 34) and column conductors 33a, 33b.
... (hereinafter referred to as the row conductor 33) is SiO+, Si3
Although they are arranged through an insulating film (not shown) such as N+, the insulating film in the intersection area of the row conductor 34 and the column conductor 33 is removed, and instead heating resistors 32a, 32b, . . .
(hereinafter referred to as heating resistor 3) is embedded.

次に第13図に於いて斯かるwS12図に示した発熱要
素としての発熱素子を第9図に示した発熱抵抗線30.
31及び絶縁層29からなる発熱素子の代わりに組込ん
だ表示素子をマトリックス駆動する例について、更に詳
しく説明する。釘軸選択回路36は釘軸駆動回路37a
、37b・旧・・(以下、材軸駆動1j+1路37とい
う)と信号線により電気的に結合されており、さらに夫
々の釘軸駆動回路37の各出方端子は夫々の行導線34
と結合している。出力端子と行導線34の結合のしかた
は様々あるが、本明細書に於ては基本的な態様について
説明するため、出方端子は行導線34の個数だけあり、
一つの出方端子は−の行導線と結合しているとする。
Next, in FIG. 13, the heating element as the heating element shown in FIG. 12 is connected to the heating resistance wire 30 shown in FIG.
An example in which a display element incorporated in place of the heat generating element composed of the heat generating element 31 and the insulating layer 29 is driven in a matrix will be described in more detail. The nail shaft selection circuit 36 is a nail shaft drive circuit 37a.
, 37b, old... (hereinafter referred to as the material shaft drive 1j+1 path 37) are electrically coupled to each other by a signal line, and furthermore, each output terminal of each nail shaft drive circuit 37 is connected to each row conducting wire 34.
is combined with There are various ways to connect the output terminals and the row conducting wires 34, but in order to explain the basic aspect in this specification, there are as many output terminals as there are row conducting wires 34,
It is assumed that one output terminal is connected to the - row conducting wire.

動軸選択回路38、動軸駆動回路39a、39b、・・
・・・・(以下9列軸駆動回路39という)及び列導線
33相互の関係についても同様である。画像制御回路4
゜は釘軸選択回路36及び動軸選択回路38と信−)線
により電気的に結ばれている0画像制御回路4oは画像
制御信号を出力することによって、釘軸選択回路3Bが
どの杆軸を選択すべきかを指令し、動軸選択回路38に
対しても同様である。即ち、画像制御回路40からの画
像制御信号によって杆軸逍択回路36は釘軸駆動回路3
7のいずれかを介して特定のfi軸(行導M)を選択(
スイッチ・オン)する。例えば、釘軸選択回路36が行
導線Xpを選択すればXp行選択信号を発し、それを受
けて釘軸駆動回路37Xpは、行導線Xpに対しても杆
軸駆動信吟を人力する。一方、画像制御回路40からの
画像制御信号の一つであるビデオ信号が動軸選択回路3
8に人力されると、その指令を受けて動軸選択回路38
は所定の動軸(列導線)を選択する。例えば、夕1輔選
択回路38が列導線Yeを選択すれば、動軸駆動回路3
9Yeは動軸選択回路38から発せられたYe列選択信
号を受けて列導線Yeをスイッチ・オン(導通)状態に
する。杆軸の選択と動軸の選択が回期してなされれば、
本例の場合1行導線Xpと列導線Yeの交叉点(選択点
、 XpφYe)にある発熱抵抗体に電流が流れ、ジュ
ール熱が発生し、不図示の単分子膜又は単分子層累積膜
に加熱部が形成される。非選択点にもリーク電流は流れ
るが単分子膜又はtr分子層累積膜の加熱部形J&電流
値以下であるので、単分子膜又は単分子層累積咬に加熱
部は形成されない。また、発熱抵抗体にダイオード機能
を持たせることにより、リーク電流をさらに微弱にする
ことができる。このように第7図に於て説明したと同様
に、第13図に於ても、材軸駆動信号で線順次走査し、
かつそれに同期して動軸選択信号を出力し、動軸駆動回
路39を介して選択された列導線33を導通状態にする
ことにより2次元の画像表示を行うことができる。尚、
動軸選択回路38はビデオ信号による指令を受けて動軸
選択信号を出力するものである。この時、発熱抵抗体を
流れる電流の向きは問わない。このような、行、及び動
軸選択回路36、38と行、及び動軸駆動回路37.3
9とはシフトトランジスタやl・ランジスタアレイ等を
用いて公知の技術により構成されるものである。
Dynamic axis selection circuit 38, dynamic axis drive circuits 39a, 39b,...
(hereinafter referred to as the 9-column axis drive circuit 39) and the relationship between the column conductors 33. Image control circuit 4
The image control circuit 4o, which is electrically connected to the nail shaft selection circuit 36 and the dynamic axis selection circuit 38 by a signal line, determines which rod axis the nail shaft selection circuit 3B is using by outputting an image control signal. The same applies to the moving axis selection circuit 38. That is, the rod shaft selection circuit 36 selects the nail shaft drive circuit 3 according to the image control signal from the image control circuit 40.
Select a specific fi axis (row guide M) via one of 7 (
switch on). For example, when the nail shaft selection circuit 36 selects the row conductor Xp, it issues an Xp row selection signal, and in response, the nail shaft drive circuit 37Xp manually inputs a rod shaft drive signal to the row conductor Xp as well. On the other hand, the video signal, which is one of the image control signals from the image control circuit 40, is transmitted to the moving axis selection circuit 3.
8, the moving axis selection circuit 38 receives the command.
selects a predetermined moving axis (column conductor). For example, if the column conductor selection circuit 38 selects the column conductor Ye, the dynamic axis drive circuit 3
9Ye receives the Ye column selection signal issued from the dynamic axis selection circuit 38 and turns on the column conductor Ye (conducting). If the selection of the rod axis and the selection of the moving axis are done in cycles,
In this example, a current flows through the heating resistor at the intersection point (selected point, A heating section is formed. Although the leakage current flows also at the non-selected points, it is less than the heating part shape J & current value of the monomolecular film or the tr molecular layer cumulative film, so no heating part is formed in the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film. Further, by providing the heating resistor with a diode function, the leakage current can be made even weaker. In the same way as explained in FIG. 7, in FIG. 13, line-sequential scanning is performed using the material shaft drive signal,
In addition, a moving axis selection signal is outputted in synchronization with this, and a selected column conductor 33 is made conductive via the moving axis driving circuit 39, thereby making it possible to display a two-dimensional image. still,
The moving axis selection circuit 38 outputs a moving axis selection signal in response to a command from a video signal. At this time, the direction of the current flowing through the heating resistor does not matter. Such row and dynamic axis selection circuits 36, 38 and row and dynamic axis drive circuits 37.3
Reference numeral 9 is constructed using a known technique using shift transistors, L transistor arrays, and the like.

尚、以上説明した発熱素子を利用したマトリックス駆動
による表示方式に於ても、第4図(13)に於て前述し
たように第9図(B)に示した構成の表示素子DEにも
、必要に応じて単分子膜又は単分子層累積膜3と反射膜
もしくは単分子+1Q又は単分子層累積3と発熱素子(
たとえば、その内の発熱抵抗線30)との間に耐蝕性の
酸化硅素膜や窒化シリコン膜を介在させることにより単
分子膜又は単分子層累M1膜とそれらとの反応腐蝕を適
宜防+17゜することもできる。
In addition, even in the matrix drive display method using the heating elements described above, the display element DE having the configuration shown in FIG. 9(B) as described above in FIG. 4(13) also has the following effects: If necessary, a monomolecular film or a monomolecular layer cumulative film 3 and a reflective film or a monomolecular layer +1Q or a monomolecular layer cumulative film 3 and a heating element (
For example, by interposing a corrosion-resistant silicon oxide film or silicon nitride film between the heat-generating resistance wire 30), reaction corrosion between the monomolecular film or monomolecular layer stack M1 film and these can be appropriately prevented by +17°. You can also.

また、第8図に示したカラーモザイクフィルタの赤色フ
ィルタffB(R)や緑色フィルタfm CG)や青色
フィルタ部(B)を、適宜、発熱要素としての発熱素子
の発熱部(たとえば第9図に示した表示素子[IEに於
ては、発熱抵抗線3oと31の交叉点部、また、第12
図に示した発熱素子においては、発熱抵抗体32の部分
)上に夫々あわせて配列して設けることによって、第8
図々示例と同様な構成を採用することにより、第9図、
第12図に示した発熱素子を夫々用いた表示素子で、第
8図と同様な原理でカラー表示を行うことができること
は勿論である。
In addition, the red filter ffB (R), the green filter fm CG), and the blue filter section (B) of the color mosaic filter shown in FIG. The display element shown [in IE, the intersection of the heating resistance wires 3o and 31, and the 12th
In the heating element shown in the figure, the eighth
By adopting the same configuration as the illustrated example, FIG.
It goes without saying that color display can be performed using the same principle as in FIG. 8 with a display element using each of the heating elements shown in FIG. 12.

このようなマトリックス駆動型の表示素子は第5図及び
第6図に示したライトバルブ式投写装置にも適用できる
Such a matrix drive type display element can also be applied to the light valve type projection device shown in FIGS. 5 and 6.

本発明はこの外にも単分子膜又は単分子層累積膜を構成
する有機化合物成膜分子に色素分子を結合させて、様々
の色表示をすることができる。
In addition to this, the present invention can display various colors by bonding dye molecules to organic compound film-forming molecules constituting a monomolecular film or a monomolecular layer stack.

さらに、感光性分子、強誘電性物質、錯体等の機能性分
子と表面活性物質との結合によって、光、電気、イオン
等によって制御することができる単分子膜又は単分子層
累積膜を有する光学素子を得ることもできる。
Furthermore, optical fibers having a monomolecular film or a monomolecular layer accumulation film that can be controlled by light, electricity, ions, etc. by combining functional molecules such as photosensitive molecules, ferroelectric substances, and complexes with surface-active substances. elements can also be obtained.

本発明の主要な効果はまとめると以下の通りである。The main effects of the present invention are summarized as follows.

(1)微少な単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部の1
(パを表示画素単位として高密度に配列することが可能
であるから、高解像度の画像表示ができる。
(1) 1 of the heating part of a minute monomolecular film or a monomolecular layer cumulative film
(Since it is possible to arrange pixels in high density as display pixel units, high-resolution image display is possible.

(2)表示画素としての単分子膜又は単分子層累積膜の
加熱部の存続時間を調節することによって、静止画、又
は、スローモーションを含む動画の表示が容易にできる
(2) Still images or moving images including slow motion can be easily displayed by adjusting the duration of the heating portion of the monomolecular film or the monomolecular layer stack as display pixels.

(3)多色表示、並びに、フルカラー表示を容易に実施
することができる。
(3) Multicolor display and full color display can be easily implemented.

(0素子の構造が比較的、簡略であるから、その生産性
に優れているし、素子の耐久性が高く信頼性に優れてい
る。
(Since the structure of the 0 element is relatively simple, its productivity is excellent, and the element is highly durable and reliable.

(5)広範囲な駆動方式に適応できる。(5) Applicable to a wide range of drive systems.

(8)ラングミュア・プロジェット法を用いて単分子−
膜又は単分子層累積膜を作製できるので、大面積化が極
めて容易に図れる。
(8) Single molecule using Langmuir-Prodgett method
Since a film or a monomolecular layer cumulative film can be produced, it is extremely easy to increase the area.

(7)液晶のような液体を用いないので、製作が容易で
あり、かつ安全である。
(7) Since no liquid such as liquid crystal is used, manufacturing is easy and safe.

(8)相転移温度はそれ程高くないので、表示素子等に
用いる重力が少なくて済み、それだけ電源部、即ち光変
調り置や表示装置を小型化できる。
(8) Since the phase transition temperature is not so high, less gravity is required for display elements, etc., and the power supply section, that is, the light modulation station and display device can be made smaller.

(8)本発明に係る光学素子は、表示装置への応用に限
らず、電子写真等に用いられる光変調製置への応用も可
能である。
(8) The optical element according to the present invention can be applied not only to display devices but also to light modulation equipment used in electrophotography and the like.

(lO)単分子膜又は単分子層累積膜の相転移を利用す
る場合において累積膜構成分子の構造によっては、相転
移した状態を長く保持するものもある。このような場合
には、本発明に係る光学素子は記録装置(材料)、記憶
装置(材料)として利用することもできる。
When utilizing the phase transition of a (lO) monomolecular film or a monomolecular layer stack, some molecules maintain a phase-transitioned state for a long time depending on the structure of the molecules constituting the stack. In such a case, the optical element according to the present invention can also be used as a recording device (material) or a storage device (material).

本発明を更に具体的に説明するために、以下に実施例を
あげる。
In order to explain the present invention more specifically, Examples are given below.

実施例1 第4[ff1(A)に示す構成の表示素子を以下のよう
にして製造した。
Example 1 A display element having the configuration shown in No. 4 [ff1(A)] was manufactured as follows.

50mm角のガラス基板表面−ににスパッタリング法に
より膜厚1500A (7) Gd −Tb @Fe 
(ガドリニl’7 A ” 7−ルピウム・鉄)層を付
着して、輻射線吸収層9を形成した。このGd e T
b’s Fe層の酸化を防1ユするため、その上に5i
02保譜膜で被覆した。次に、L B IJ5!製作装
置の水面上にアラキシン酸カドミウl−単分子膜を形成
し垂直浸積法により、5i07膜の表面J−に11り厚
10g脂のY準累積膜を(;4着形成しそのにに保護用
基板4としてガラ、ス基根を被せた。さらにat萱曙基
板4の外側表面に密接ないし近接して5木/ m mの
線状格子を設置した。輻射線熱源として、波長830n
mを発光する半導体レーザーを使用した。適当な透過照
明下で駆動させると、所定の表示効果があることを確認
した。
A film with a thickness of 1500A was formed on the surface of a 50mm square glass substrate by sputtering (7) Gd -Tb @Fe
(Gadolini l'7 A'' 7-rupium iron) layer was deposited to form the radiation absorbing layer 9.
In order to prevent oxidation of b's Fe layer, 5i is added on top of it.
It was covered with 02 protection film. Next, L B IJ5! A cadmium araxinate l- monomolecular film was formed on the water surface of the fabrication device, and a Y quasi-cumulative film (4 layers) with a thickness of 10 g was formed on the surface J- of the 5i07 film using the vertical immersion method. As a protective substrate 4, a glass substrate was covered.Furthermore, a linear grating of 5 mm/mm was installed closely or in close proximity to the outer surface of the AT Kayake substrate 4.As a radiant heat source, a ray grating with a wavelength of 830 nm was installed.
A semiconductor laser emitting m was used. It was confirmed that a certain display effect could be achieved when driven under appropriate transmitted illumination.

実施例2 第9図(A)に示す構成の表示素子を以下のよう靴して
製造した。
Example 2 A display element having the configuration shown in FIG. 9(A) was manufactured as follows.

50mm角のガラス基板表面に、膜厚1500Aのイン
ジウム・ナインeオキサイド(I・T・0)をスパッタ
リング法によりつけた。次にフォI・エンチング法によ
り、10木/l!1mの線状パターンを形成して、透明
発熱抵抗線31を得る。なお、I−T−0のエツチング
液としては、塩化第二鉄水溶液と塩酸の混合液を用いた
。次に、透IJIJ発熱抵抗線3Iが設置されたガラス
基板表面に、膜厚200OAの5i(hllQをスパッ
タリング法にょリ付着して絶縁層28を形成した。さら
に、その上に、膜厚1500λの■・T・0を付け、フ
ォトエツチング法により透明発熱抵抗線30を前記透明
発熱抵抗線31と直行するように形成した。
Indium nine e-oxide (I.T.0) having a thickness of 1500 Å was deposited on the surface of a 50 mm square glass substrate by sputtering. Next, using the Fo I enching method, 10 wood/l! A 1 m linear pattern is formed to obtain a transparent heat generating resistance wire 31. As the etching solution for IT-0, a mixed solution of ferric chloride aqueous solution and hydrochloric acid was used. Next, on the surface of the glass substrate on which the transparent IJIJ heating resistance wire 3I was installed, 5i (hllQ) with a thickness of 200 OA was deposited by sputtering method to form an insulating layer 28. (2) T.0 was attached, and a transparent heating resistance wire 30 was formed perpendicularly to the transparent heating resistance wire 31 by photo-etching.

次に、LBIIJ製作装置の水面上にアラキシン酸カド
ミウムの単分子膜を形成し、垂直浸せき法により、Si
02膜の表面上に膜厚10Ii、mのY型巣JJILI
IQを形成しその上に、保護用基板4を被せた。
Next, a monomolecular film of cadmium araxinate was formed on the water surface of the LBIIJ fabrication equipment, and a Si
Y-shaped nests with a film thickness of 10Ii and m on the surface of the 02 film JJILI
IQ was formed and a protective substrate 4 was placed thereon.

上述の透過照明光学系の下で動作させると、所定の表示
効果を得た。
When operated under the above-mentioned transmitted illumination optical system, a predetermined display effect was obtained.

【図面の簡単な説明】 第1図(A)は、未発IJに係る透過型の表示素子の断
面図、第1図(B)は、本発明に係る反射型の表示素子
の断面図、第2図は、単分子層累積膜の模式図、第3図
は、単分子層累積膜における相転移現象の模式図、第4
図は本発明に係る表示素子の作像原理の説明図であり、
第4図(A)は、透過型表示素子の場合、第4図(B)
は1反射型表示素子の場合である。第5図、第6図は本
発明に係る表示素子を組み込んだライトパルプ式投写装
置の概略模式図である。第7図は本発明に係る表示装置
としてのライトバルブ式投写装置のブロック図である。 第8図は、本発明に係るカラー表示素子の断面図、第9
図は、本発明に係るマトリックス駆動型の表示素子の構
成例を示す断面図であり、第9図(A)は、透過型表示
素子、第11図、第12図は発熱素子の各構成例を段用
するための外観部分斜視図、第13図は、本発明に係る
マトリックス駆動表示装置のブロック図である。 DE=表示素子 l二基板 2二発熱要素 3:単分子膜又は単分子層累積膜 4:保護用基板 5:単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部6膜発熱要素
の加熱部 7:照明光 8−1=親木基 8−2:疎水基 9:輻射線吸収層 10:輻射線 lに反射膜 12:発熱体層 13:格子 13a:第1格子 13b :第2格子 14:シュリーレンレンズ 15ニスクリーン 16:入射光 17:結像レンズ 18二水平スキヤナー 20、レンズ 19:垂直スキャナー 21:コールドフィルタ 22:映像発生回路 23:制御回路 24:映像増幅回路 25:水平駆動回路、垂直駆動回路 2G:レーザ光源 27:光変調器 28:カラーモザイクフィルタ 29:絶縁層 30.31:発熱抵抗線 32、32a、32b、32c、−:発熱抵抗層1発熱
抵抗体33.33a、33b、33c・−:列導線34
.34a、34b、34cm :行導線35:・・・・
・・交叉部 36:・・・・・・材軸選択回路 37.37a、37b−:材軸駆動回路38:列軸選択
回路 39.39a、39b・・・:列軸駆動回路40二画像
制御回路 図11の浄書(内1″J2に変更な乙)第1図 第 2 図 弗 3 図 Z (A) CB) 第・Z 図 図面の浄書(内容に変更なし) 賃5図 第6図 図面の浄さく内容に変更なし) 第 8 図 第9図 手続補正書(方式) 昭和59年 8月〃日 特許庁長官 殿 1、事件の表示 昭和58年 特許願 第2214.3
1号2、発明の名称 光学素子 3、補正をする者 JJ¥件との関係 出願人 (100)キャノン株式会社 4、代理人 住所 東京都港区赤坂1丁目9番20号6、補正の対象
 図面 7、補正の内容 第1.5.6.7.8.10.11.
12. :H図を別紙の通り補正する。
[BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS] FIG. 1(A) is a cross-sectional view of a transmissive display element related to unreleased IJ, FIG. 1(B) is a cross-sectional view of a reflective display element according to the present invention, Figure 2 is a schematic diagram of a monomolecular layer stack, Figure 3 is a schematic diagram of phase transition phenomena in a monolayer stack, and Figure 4 is a schematic diagram of a phase transition phenomenon in a monolayer stack.
The figure is an explanatory diagram of the image forming principle of the display element according to the present invention,
In the case of a transmissive display element, FIG. 4(A) is similar to FIG. 4(B).
is the case of 1 reflective display element. 5 and 6 are schematic diagrams of a light pulp type projection device incorporating a display element according to the present invention. FIG. 7 is a block diagram of a light valve type projection device as a display device according to the present invention. FIG. 8 is a sectional view of a color display element according to the present invention, and FIG.
The figures are cross-sectional views showing configuration examples of matrix-driven display elements according to the present invention, in which FIG. 9(A) is a transmissive display element, and FIGS. 11 and 12 are configuration examples of heating elements. FIG. 13 is a block diagram of a matrix drive display device according to the present invention. DE=Display element l Two substrates Two heat generating elements 3: Monomolecular film or monomolecular layer stack 4: Protective substrate 5: Heating section of monomolecular film or monomolecular layer stack 6 Film Heating section of heat generating element 7: Illumination light 8-1 = Mother wood group 8-2: Hydrophobic group 9: Radiation absorption layer 10: Reflective film 12 for radiation l: Heat generating layer 13: Grating 13a: First grating 13b: Second grating 14: Schlieren Lens 15 Screen 16: Incident light 17: Imaging lens 18 Two horizontal scanners 20, Lens 19: Vertical scanner 21: Cold filter 22: Image generation circuit 23: Control circuit 24: Image amplification circuit 25: Horizontal drive circuit, vertical drive Circuit 2G: Laser light source 27: Light modulator 28: Color mosaic filter 29: Insulating layer 30.31: Heat generating resistance wires 32, 32a, 32b, 32c, -: Heat generating resistor layer 1 Heat generating resistor 33.33a, 33b, 33c・-: Column conductor 34
.. 34a, 34b, 34cm: Row conductor 35:...
...Cross section 36: ...Material axis selection circuit 37.37a, 37b-: Material axis drive circuit 38: Column axis selection circuit 39.39a, 39b...: Column axis drive circuit 40 2-image control Engraving of circuit diagram 11 (changed to 1″J2) Fig. 1 Fig. 2 Fig. 3 Fig. Z (A) CB) Engraving of drawings Z and Z (no changes in content) Fig. 5 Fig. 6 drawing (No change in the content of the amendment) Figure 8 Figure 9 Procedural amendment (method) August 1980 Commissioner of the Patent Office Sir 1, Indication of the case 1981 Patent application No. 2214.3
No. 1, No. 2, Name of the invention Optical element 3, Person making the amendment Relationship with JJ¥ Applicant (100) Canon Co., Ltd. 4, Agent address: 6, 9-20, 1-9 Akasaka, Minato-ku, Tokyo, Subject of amendment Drawing 7, Contents of amendment No. 1.5.6.7.8.10.11.
12. : Correct the H diagram as shown in the attached sheet.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)少なくとも疎水部分と親木部分とを有する有機化合
物からなる単分子膜又は単分子層累積11ジおよび該巾
分子膜又は該単分子層累積膜を加熱するための発熱要素
とを具備することを#+f徴とする光学素子。 2)前記発熱要素が輻射線吸収層および/または発熱抵
抗体であることを特徴とする48訂請求の範硼第1項記
載の光学素子。
[Scope of Claims] 1) A monomolecular film or a monomolecular layer stack consisting of an organic compound having at least a hydrophobic part and a parent wood part, and heat generation for heating the width molecular film or the monomolecular layer stack. An optical element having #+f characteristics. 2) The optical element according to claim 1, wherein the heating element is a radiation absorbing layer and/or a heating resistor.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019510279A (en) * 2016-02-04 2019-04-11 ボウドル テクノロジーズ リミテッド Optical device with thermally switching phase change material

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