JP2002049326A - Plane light source and display element using the same - Google Patents

Plane light source and display element using the same

Info

Publication number
JP2002049326A
JP2002049326A JP2000234689A JP2000234689A JP2002049326A JP 2002049326 A JP2002049326 A JP 2002049326A JP 2000234689 A JP2000234689 A JP 2000234689A JP 2000234689 A JP2000234689 A JP 2000234689A JP 2002049326 A JP2002049326 A JP 2002049326A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light source
flat
display
emitted
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000234689A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koichi Kimura
宏一 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP2000234689A priority Critical patent/JP2002049326A/en
Publication of JP2002049326A publication Critical patent/JP2002049326A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an inexpensive and practicable plane light source of collimating light. SOLUTION: This plane light source has plural light emitting elements 2 (LED chips) which are scattered on a plane and optical elements 4 (microlens arrays) arranged in correspondence to the exit light of these light emitting elements and is so constituted that the light transmitted through the optical elements is emitted approximately perpendicularly (as collimating light) to the plane.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、LED等を用いて
コリメート光を出射する平面光源と、それを用いた平面
薄型表示素子に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat light source that emits collimated light using an LED or the like, and a flat and thin display device using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のLCD(液晶表示素子)は液晶分
子の配向による電気光学効果を利用した表示を行ってい
るため、図28の従来構成図に示すように、蛍光灯等の
バックライトユニット100から拡散光102が液晶パ
ネル101に入射される際、液晶層101を透過する光
は光学特性の入射角依存により表示特性に視野角依存が
発生するという欠点があった。
2. Description of the Related Art A conventional LCD (liquid crystal display element) performs display utilizing an electro-optic effect due to the orientation of liquid crystal molecules. Therefore, as shown in FIG. When the diffused light 102 enters the liquid crystal panel 101 from 100, the light transmitted through the liquid crystal layer 101 has a drawback that the viewing characteristics depend on the display characteristics due to the incident angle dependence of the optical characteristics.

【0003】これの解決策として、最近では液晶パネル
の各画素に対して複数の光学特性を有した領域を持た
せ、視野角による光学特性の違いを平均化させて視野角
依存を補償した方式(マルチドメイン配向等)がある。
又、視野角依存性の小さい水平配向のみの液晶スイッチ
ング方式(IPS方式等)が存在する。更に、液晶の光
学特性の視野角依存性を、光学的に補償するフィルムを
液晶パネルに積層する方式などがある。
As a solution to this, recently, a method has been proposed in which each pixel of a liquid crystal panel is provided with a region having a plurality of optical characteristics, and differences in optical characteristics depending on viewing angles are averaged to compensate for viewing angle dependence. (Such as multi-domain orientation).
In addition, there is a liquid crystal switching method (such as an IPS method) that uses only horizontal alignment with little dependence on viewing angle. Further, there is a method in which a film for optically compensating the viewing angle dependence of the optical characteristics of the liquid crystal is laminated on the liquid crystal panel.

【0004】ところが、以上のような方式は、何れも工
程の増加や部材が増えることなどによりコストアップを
伴う。又、何れの場合も視認性の点では従来の液晶素子
に比べて効果はあるが、視野角に対する光学的な補償が
完全では無く、例えば、正面の画像のコントラストと斜
めから見た時のコントラストの差が大きく、特に、大型
コンピュータ用モニターや、TV用途に対しては、この
視野角依存性が問題となる。
[0004] However, all of the above methods involve an increase in cost due to an increase in the number of steps and members. In each case, the visibility is more effective than the conventional liquid crystal element, but the optical compensation for the viewing angle is not perfect. For example, the contrast of a front image and the contrast when viewed obliquely The viewing angle dependency is a problem particularly for large computer monitors and TV applications.

【0005】一方、CRTなどの蛍光発光型の表示素子
は蛍光体の出射光が散乱光であり、その表示光は略完全
散乱光なので、視野角依存は殆どない。これらの蛍光発
光型表示素子の視野角特性と同等の特性を得るには、液
晶パネルでは次の方式が考えられている。図29の従来
図に示すように、先ず、バックライト光源(バックライ
トユニット)103の出射光104が、略コリメートさ
れた光であり(バックライトの出射光が面に対して略垂
直である)、液晶パネル101の前面(表示側)に光を
拡散させる光拡散層又はフィルム105を設けるもので
ある。このとき、画素間のクロストークを防止するた
め、液晶パネル101の表示側基板(図示せず)内に光
拡散層を設けることが好ましい。
On the other hand, in a fluorescent light emitting type display element such as a CRT, the emitted light of the phosphor is scattered light, and the display light is almost completely scattered light, so that there is almost no dependence on the viewing angle. In order to obtain characteristics equivalent to the viewing angle characteristics of these fluorescent display devices, the following methods have been considered for liquid crystal panels. As shown in the conventional diagram of FIG. 29, first, the emission light 104 of the backlight light source (backlight unit) 103 is substantially collimated light (the emission light of the backlight is substantially perpendicular to the surface). A light diffusion layer or film 105 for diffusing light is provided on the front surface (display side) of the liquid crystal panel 101. At this time, in order to prevent crosstalk between pixels, it is preferable to provide a light diffusion layer in the display side substrate (not shown) of the liquid crystal panel 101.

【0006】この光拡散層又はフィルム105は明室で
のコントラストを向上させるため、好ましくは前方への
拡散光が多く、後方への拡散光が少ない前方拡散型の層
又はフィルムが好ましい。この方式では、液晶層101
には光が垂直に入射するので、液晶層101を透過する
光の光学特性は略同じである。又、光拡散層又はフィル
ム105がその透過光を表示側へ拡散させるので、その
拡散光の光学特性は変化せず、視野角依存の無い表示が
得られる。こうしたコリメートされた出射光を得る方式
は、例えば、特開平9−189907、又は特開平9−
505412にも開示されている。また、光拡散層の代
わりに蛍光体を設けても良い。この場合、例えばバック
ライト光源は紫外線光源であり、液晶素子などの光変調
素子により紫外線を変調し、その透過光が蛍光体を励起
して散乱発光する。散乱発光により、CRTと同様その
表示画質の視野角依存性は無い。
The light diffusion layer or film 105 is preferably a forward diffusion type layer or film which has a large amount of light diffused forward and a small amount of light diffused backward in order to improve the contrast in a bright room. In this method, the liquid crystal layer 101
Since the light is incident perpendicularly, the optical characteristics of the light transmitted through the liquid crystal layer 101 are substantially the same. Further, since the light diffusion layer or the film 105 diffuses the transmitted light to the display side, the optical characteristics of the diffused light do not change, and a display independent of the viewing angle can be obtained. A method of obtaining such collimated emitted light is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-189907 or
505412. Further, a phosphor may be provided instead of the light diffusion layer. In this case, for example, the backlight light source is an ultraviolet light source, and the ultraviolet light is modulated by a light modulation element such as a liquid crystal element, and the transmitted light excites the phosphor to emit scattered light. Due to the scattered light emission, there is no viewing angle dependency of the display image quality like the CRT.

【0007】なお、このような略コリメートされた光を
出射する平面光源は、LCD以外の光変調手段、例え
ば、可撓薄膜を静電気力により移動させて光の透過率を
変化させる光変調手段により、紫外線光源から入射する
紫外線の透過率を変化させて、その透過光を前方の蛍光
体に入射させて発光表示されるものにも有効である。特
に、これら光変調手段の方式が光の入射角依存を持つ干
渉、回析などであれば、その入射角依存を無くすことが
可能である。
A flat light source that emits such substantially collimated light is provided by a light modulating means other than the LCD, for example, a light modulating means for moving a flexible thin film by electrostatic force to change the light transmittance. The present invention is also effective for a device in which the transmittance of ultraviolet light incident from an ultraviolet light source is changed and the transmitted light is made incident on a phosphor in front of the light source to display light. In particular, if the type of the light modulating means is interference, diffraction, or the like, which depends on the incident angle of light, it is possible to eliminate the dependence on the incident angle.

【0008】又、このような表示素子の用途だけではな
く、汎用の平面光源としても有効である。例えば、平面
光源の光をより遠くに届かせたい場合は、指向性を持た
せる必要があるが、この場合も略コリメートされた光を
出射できる平面光源は有用である。
Further, the present invention is effective not only for the use of such a display element but also as a general-purpose flat light source. For example, when it is desired to make the light from the flat light source reach farther, it is necessary to have directivity. In this case, however, a flat light source capable of emitting substantially collimated light is useful.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例においては、現在、略コリメートされた光を高効率
で出射させるバックライト光源は技術的に困難であり、
現状の光源の主流は蛍光ランプであるが、バックライト
用のカラーフィルターの分光透過特性に適合した蛍光ラ
ンプは、細長い管形状の線光源なので面光源化が必要で
あり、出射される蛍光光を導光板および拡散板を通して
平面光源としているため、この平面光源の出射光はラン
ダムな光路を有する無偏光光であり、これらをコリメー
トするには光学系が複雑となると共に、光利用効率も低
下するという問題があった。また、この場合、面発光型
のレーザを平面光源とすることも可能ではあるが、大面
積の表示素子を構成する場合には相当な高コストとなり
不適であるという問題があった。
However, in the above conventional example, at present, it is technically difficult to provide a backlight light source that emits substantially collimated light with high efficiency.
Fluorescent lamps are currently the mainstream of light sources, but fluorescent lamps that match the spectral transmission characteristics of color filters for backlighting need to be surface light sources because they are elongated tube-shaped linear light sources. Since the light source is a planar light source through the light guide plate and the diffusion plate, the emitted light of the planar light source is non-polarized light having a random optical path. To collimate the light, the optical system becomes complicated and the light use efficiency decreases. There was a problem. In this case, it is possible to use a surface emitting laser as a planar light source. However, when a large-area display element is formed, there is a problem that the cost is considerably high and the apparatus is not suitable.

【0010】そこで、本発明は、簡単な構成でコリメー
ト光を高効率で出射できる平面光源およびそれを用いた
表示素子を提供することを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a flat light source capable of emitting collimated light with high efficiency with a simple structure, and a display device using the same.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1記載の発明は、平面上に点在する複数の発
光素子と、該発光素子の出射光に対応させて配置される
光学素子とを有し、該光学素子を透過した光が平面に対
して略垂直に出射することを特徴としている。この構成
によれば、例えば点光源として複数のLEDチップ等の
発光素子を2次元に配列し、その各発光素子にマイクロ
レンズ等の光学素子を組合わすことによって、発光素子
から出射された光は光学素子を通過してコリメートさ
れ、面に対し垂直に出射する平面光源を構成できる。ま
た、請求項2記載の発明は、請求項1記載の平面光源
と、該平面光源の出射光側に入射側を向け該平面光源か
らの入射光を略垂直に偏向させる手段と、からなること
を特徴としている。この構成によれば、平面光源から入
射するコリメート光を、ハーフミラー等の偏向手段によ
って垂直方向へ偏向させ、面光源として拡張することが
できる。
In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 is directed to a plurality of light emitting elements scattered on a plane and an optical element arranged corresponding to the light emitted from the light emitting elements. And light transmitted through the optical element is emitted substantially perpendicular to the plane. According to this configuration, for example, a plurality of light-emitting elements such as LED chips are two-dimensionally arranged as a point light source, and the light emitted from the light-emitting elements is combined with an optical element such as a microlens. A planar light source that passes through an optical element and is collimated and emitted perpendicular to a surface can be configured. According to a second aspect of the present invention, there is provided the flat light source according to the first aspect, and means for directing an incident side to the outgoing light side of the flat light source to deflect incident light from the flat light source substantially vertically. It is characterized by. According to this configuration, the collimated light incident from the flat light source can be deflected in the vertical direction by a deflecting unit such as a half mirror, and can be extended as a surface light source.

【0012】また、請求項3記載の発明は、請求項1記
載の平面光源又は請求項2記載の平面光源装置と、光変
調素子と、拡散手段と、からなることを特徴としてい
る。この構成によれば、平面光源からのコリメート光を
光変調手段により光透過率を変化して、拡散手段より拡
散光として出射し、視野角依存を小さくした表示が可能
となる。また、請求項4記載の発明は、請求項3記載の
表示素子において、所謂フィールドシーケンシャル駆動
を行うことを特徴としている。これは、平面光源から出
射される色を1フィールド期間内で時間シーケンシャル
に切り替え、出射される色に同期して光変調素子を駆動
する表示駆動方法である。この構成によれば、例えばR
GB3色のLEDチップ等の発光素子からの3つの独立
な色光を時分割で加法混色することができ、蛍光体やカ
ラーフィルタが無くてもカラー表示が可能となり、光利
用効率や解像度などが向上する。また、同じ解像度では
表示ドット数及び駆動ICが低減でき低コストとなる。
また、請求項5記載の発明は、請求項1記載の平面光源
と、光変調素子と、蛍光体とからなることを特徴として
いる。この構成によれば、平面光源からのコリメート光
を、光変調して蛍光体を励起し、視野角依存の無い表示
を行うことができる。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a flat light source according to the first aspect or the flat light source device according to the second aspect, a light modulation element, and a diffusing means. According to this configuration, it is possible to change the light transmittance of the collimated light from the flat light source by the light modulating means, emit the light as diffused light from the diffusing means, and to perform display with reduced viewing angle dependence. According to a fourth aspect of the present invention, in the display device of the third aspect, so-called field sequential driving is performed. This is a display driving method in which colors emitted from a planar light source are switched in a time sequential manner within one field period, and a light modulation element is driven in synchronization with the emitted colors. According to this configuration, for example, R
Three independent color lights from light emitting elements such as LED chips of three colors of GB can be added and mixed in a time-division manner, and color display is possible without a phosphor or a color filter, thereby improving light use efficiency and resolution. I do. Further, at the same resolution, the number of display dots and the driving IC can be reduced, and the cost is reduced.
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the flat light source according to the first aspect, a light modulation element, and a phosphor. According to this configuration, the collimated light from the flat light source is light-modulated to excite the fluorescent material, and display independent of the viewing angle can be performed.

【0013】また、請求項6記載の発明は、前記光学素
子がマイクロレンズアレイであることを特徴としてい
る。この構成によれば、多数の点光源としての発光素子
からの入射光を発光素子に対応する多数のマイクロレン
ズによりコリメート光として出射できる。また、請求項
7記載の発明は、前記光学素子がミラーレンズアレイで
あることを特徴としている。この構成によれば、多数の
点光源としての発光素子からの入射光を発光素子に対応
する多数のミラーレンズによりコリメート光として出射
できる。また、請求項8記載の発明は、前記発光素子が
独立可能な複数の色からなることを特徴としている。こ
の構成によれば、各色毎に独立に制御可能で、自由なカ
ラー表示や、前述のフィールドシーケンシャル駆動が可
能となる。
Further, the invention according to claim 6 is characterized in that the optical element is a microlens array. According to this configuration, the incident light from the light emitting elements as the point light sources can be emitted as the collimated light by the micro lenses corresponding to the light emitting elements. The invention according to claim 7 is characterized in that the optical element is a mirror lens array. According to this configuration, the incident light from the light emitting elements serving as the point light sources can be emitted as the collimated light by the many mirror lenses corresponding to the light emitting elements. Further, the invention according to claim 8 is characterized in that the light emitting element is made of a plurality of independent colors. According to this configuration, it is possible to independently control each color, and it is possible to perform free color display and the above-described field sequential driving.

【0014】また、請求項9記載の発明は、前記発光素
子はLEDであることを特徴としている。この構成によ
れば、LEDを半導体チップとして配置し、点光源とし
て見なすことができ、レンズ等によりコリメート光に変
換するのが容易である。また、UV光から可視光3原色
であるRGB光まで発光することができ、自由な色表示
が可能である。さらにLEDは高速で明滅させることが
可能であり、前述のフィールドシーケンシャル駆動に適
する。また、請求項10記載の発明は、前記発光素子が
有機または無機ELであることを特徴としている。この
構成によれば、分散型又は薄膜型の無機EL(エレクト
ロルミネッセンス)、低・高分子型有機ELを平面状に
配列された多数の点光源として形成可能でレンズ等によ
りコリメート光に変換するのが容易である。この形成
は、印刷又はフォトリソグラフィ又は真空成膜における
マスク成膜方法により大面積で量産性が可能である。ま
た、UV光から可視光3原色であるRGB光まで発光す
ることができ、自由な色表示が可能である。さらに高速
で明滅させることが可能であり、前述のフィールドシー
ケンシャル駆動に適する。また、請求項11記載の発明
は、前記発光素子がFEDであることを特徴としてい
る。この構成によれば、電子を蛍光体に加速照射する型
のFED(フィールドエミッションディスプレイ)を平
面状に配列された多数の点光源として形成すればレンズ
等によりコリメート光に変換するのが容易である。この
形成は、印刷又はフォトリソグラフィ等により大面積で
量産性が可能である。また、蛍光体を選択することによ
りUV光から可視光3原色であるRGB光まで発光する
ことができ、自由な色表示が可能である。さらに高速で
明滅させることが可能であり、前述のフィールドシーケ
ンシャル駆動に適する。
[0014] The invention according to claim 9 is characterized in that the light emitting element is an LED. According to this configuration, the LED can be arranged as a semiconductor chip and can be regarded as a point light source, and can be easily converted into collimated light by a lens or the like. Further, light can be emitted from UV light to RGB light, which is three primary colors of visible light, and free color display is possible. Further, the LED can blink at a high speed, and is suitable for the above-described field sequential driving. Further, the invention according to claim 10 is characterized in that the light emitting element is an organic or inorganic EL. According to this configuration, a dispersion-type or thin-film-type inorganic EL (electroluminescence) and a low- and high-molecular-weight organic EL can be formed as a large number of point light sources arranged in a plane and converted into collimated light by a lens or the like. Is easy. This formation can be mass-produced in a large area by printing, photolithography, or a mask film formation method in vacuum film formation. Further, light can be emitted from UV light to RGB light, which is three primary colors of visible light, and free color display is possible. It is possible to blink at a higher speed, and is suitable for the above-described field sequential driving. An eleventh aspect of the present invention is characterized in that the light emitting element is an FED. According to this configuration, if an FED (Field Emission Display) of a type that irradiates electrons to the phosphor at an accelerated rate is formed as a large number of point light sources arranged in a plane, it can be easily converted into collimated light by a lens or the like. . This formation can be mass-produced in a large area by printing or photolithography. In addition, by selecting a phosphor, it is possible to emit light from UV light to RGB light, which is three primary colors of visible light, and a free color display is possible. It is possible to blink at a higher speed, and is suitable for the above-described field sequential driving.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明の第1の実施の形態
について図を参照して説明する。図1は本発明の第1の
実施の形態に係る平面光源の構成図である。図2は図1
に示す平面光源の正面断面図である。図3は図2に示す
マイクロレンズが球面レンズの平面光源の断面図であ
る。図4は図2のマイクロレンズをミラーレンズアレイ
で構成した例を示す図である。図5は図1に示すLED
チップの構造と配線を示す図である。また、図6はチッ
プ縦置き型ハイブリッドによる複数のLEDの構成図で
あり、 図7はチップ横置き型ハイブリッドによる複数
のLEDの構成図であり、図8はモノリシック形成によ
る複数のLEDの構成図である。図1において、1はコ
リメートされたLED光を出射する平面光源で、平面光
源1は背面基板3上に形成される多数のLEDチップ2
と、前面基板5上に形成されて、LEDチップ2からの
入射光をコリメートするマイクロレンズアレイ4とで構
成されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram of the flat light source according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 shows FIG.
FIG. 2 is a front sectional view of the flat light source shown in FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view of a planar light source in which the microlenses shown in FIG. 2 are spherical lenses. FIG. 4 is a diagram showing an example in which the microlenses of FIG. 2 are configured by a mirror lens array. FIG. 5 shows the LED shown in FIG.
FIG. 3 is a diagram showing a structure and wiring of a chip. 6 is a configuration diagram of a plurality of LEDs by a chip vertical type hybrid, FIG. 7 is a configuration diagram of a plurality of LEDs by a chip horizontal type hybrid, and FIG. 8 is a configuration diagram of a plurality of LEDs by monolithic formation. It is. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a flat light source that emits collimated LED light, and the flat light source 1 includes a large number of LED chips 2 formed on a rear substrate 3.
And a microlens array 4 formed on the front substrate 5 and collimating the incident light from the LED chip 2.

【0016】図5において、背面基板3上に形成される
LEDチップ2は、ワイヤボンディング2cによりアノ
ード電極2aと接続されたp型半導体と、カソード電極
2bと接合されるn型半導体により構成され、p型半導
体側からLED光の出射が行われる。図6において、ガ
ラス、樹脂等の絶縁性基板I上に金属膜からなるカソー
ド共通電極パターンCCとアノード共通電極ACを同時
形成する。この上に、カソード電極C、n型半導体n、
p型半導体p、アノード電極Aで構成された複数(図で
は9個)のLEDチップを所定の位置に実装する。この
とき、カソード電極Cがカソード共通電極パターンCC
に接続されるようにLEDチップが実装される。この
後、ワイヤボンディングにより各LEDチップのアノー
ド電極Aとアノード共通電極ACをワイヤWで接続す
る。カソード共通電極パターンCCとアノード共通電極
パターンACに電流を流すと、複数(9個)のLEDチ
ップが同時に発光する。
In FIG. 5, the LED chip 2 formed on the back substrate 3 is composed of a p-type semiconductor connected to the anode electrode 2a by wire bonding 2c, and an n-type semiconductor connected to the cathode electrode 2b. LED light is emitted from the p-type semiconductor side. In FIG. 6, a cathode common electrode pattern CC and an anode common electrode AC made of a metal film are simultaneously formed on an insulating substrate I such as glass or resin. On this, a cathode electrode C, an n-type semiconductor n,
A plurality (nine in the figure) of LED chips composed of a p-type semiconductor p and an anode electrode A are mounted at predetermined positions. At this time, the cathode electrode C is connected to the cathode common electrode pattern CC.
The LED chip is mounted so as to be connected to the LED chip. Thereafter, the anode electrode A of each LED chip and the anode common electrode AC are connected by wire W by wire bonding. When a current is applied to the cathode common electrode pattern CC and the anode common electrode pattern AC, a plurality of (9) LED chips emit light at the same time.

【0017】又、LEDチップ2を図5(図6)のよう
に縦置きのp/n構成ではなくて、これを倒したn−p
形の横置きにして、チップ2と基板3の間のチップ両サ
イドの位置にアノード、カソード両電極を形成すれば、
ワイヤボンディング2cが省略できて小型化できる。図
7はこの例を示すものである。図7において、ガラス、
樹脂等の絶縁性基板I上に金属膜からなるカソード共通
電極パターンCCとアノード共通電極ACを同時形成す
る。この両電極パターンの間に、カソード電極C、n型
半導体n、p型半導体p、アノード電極Aで構成された
複数(図では9個)のLEDチップを所定の位置に実装
する。このとき、LEDチップを横向きにし、カソード
電極Cがカソード共通電極パターンCCに対向するよう
に各LEDチップが実装される。LEDチップのカソー
ド電極Cとカソード共通電極パターンCC、及びLED
チップのアノード電極Aとアノード共通電極パターンA
Cは導電性ペーストにより接続される。各LEDチップ
のアノード電極Aとアノード共通電極ACを接続する。
カソード共通電極パターンCCとアノード共通電極パタ
ーンACに電流を流すと、複数(9個)のLEDチップ
が同時に発光する。なお、更に小さい平面光源としたい
時には、半導体基板又は絶縁基板上にモノシリック形成
とすれば可能である。図8はこの例を示すものである。
図8において、n型半導体基板上nに、絶縁層からなる
拡散マスク層Iをパターニングする。拡散マスク層の開
口部が発光部となるので所望の位置にパターニングす
る。次に不純物を拡散してp型半導体Pを形成する。こ
のとき拡散マスク開口部のみp型半導体が形成される。
次に金属からなるアノード共通電極Aをパターニング形
成する。最後に基板裏面にカソード共通電極CCを成膜
する。カソード共通電極CCとアノード共通電極パター
ンACに電流を流すと、各発光部が同時に発光する。こ
の構成によれば製造工程が短縮化でき、高密度の点光源
を形成することができる。なお、この例ではpn半導体
の形成に拡散法を用いたが、半導体基板、又は絶縁性基
板上に半導体層をエピタキシャル成長させてpn半導体
を形成しても良い。更に、COB(Chip On B
oard)にすれば、より集積化できる。なお、前述の
LEDアレイの構成例で、各LEDチップ又はLED発
光部の発光強度を均一にするためにカソード共通電極C
Cとアノード共通電極AC及びLEDの間に抵抗層を設
けても良い。また、カソード共通電極パターンCCとア
ノード共通電極パターンACは、前述の例に限らず、マ
トリクス配線などでも良い。さらに、出射方向への発光
効率を高めるため、LEDの発光部周辺に反射体を形成
しても良い。また、不要出射光を遮光するための反射
体、遮光体をLED周囲に形成しても良い。その他、前
例に限らず種々の構成、形成方法が可能である。
Also, the LED chip 2 is not in the vertical p / n configuration as shown in FIG. 5 (FIG. 6).
If the anode and the cathode are formed at the positions on both sides of the chip between the chip 2 and the substrate 3,
The wire bonding 2c can be omitted and the size can be reduced. FIG. 7 shows this example. In FIG. 7, glass,
A cathode common electrode pattern CC and an anode common electrode AC made of a metal film are simultaneously formed on an insulating substrate I such as a resin. Between these two electrode patterns, a plurality of (nine in the figure) LED chips composed of a cathode electrode C, an n-type semiconductor n, a p-type semiconductor p, and an anode electrode A are mounted at predetermined positions. At this time, each LED chip is mounted such that the LED chip is turned sideways and the cathode electrode C faces the cathode common electrode pattern CC. LED chip cathode electrode C and cathode common electrode pattern CC, and LED
Chip anode electrode A and anode common electrode pattern A
C is connected by a conductive paste. The anode electrode A of each LED chip is connected to the anode common electrode AC.
When a current is applied to the cathode common electrode pattern CC and the anode common electrode pattern AC, a plurality of (9) LED chips emit light at the same time. When a smaller planar light source is desired, monolithic formation on a semiconductor substrate or an insulating substrate is possible. FIG. 8 shows this example.
In FIG. 8, a diffusion mask layer I made of an insulating layer is patterned on n on an n-type semiconductor substrate. Since the opening of the diffusion mask layer becomes a light emitting portion, patterning is performed at a desired position. Next, a p-type semiconductor P is formed by diffusing impurities. At this time, a p-type semiconductor is formed only in the diffusion mask opening.
Next, an anode common electrode A made of metal is formed by patterning. Finally, a cathode common electrode CC is formed on the back surface of the substrate. When a current is applied to the cathode common electrode CC and the anode common electrode pattern AC, each light emitting unit emits light simultaneously. According to this configuration, the manufacturing process can be shortened, and a high-density point light source can be formed. In this example, a diffusion method is used for forming a pn semiconductor, but a pn semiconductor may be formed by epitaxially growing a semiconductor layer on a semiconductor substrate or an insulating substrate. Furthermore, COB (Chip On B)
(order), more integration is possible. In the above-described configuration example of the LED array, the cathode common electrode C is used in order to make the emission intensity of each LED chip or LED light emitting unit uniform.
A resistance layer may be provided between C and the anode common electrode AC and the LED. Further, the cathode common electrode pattern CC and the anode common electrode pattern AC are not limited to the above-described example, and may be matrix wiring or the like. Furthermore, a reflector may be formed around the light emitting portion of the LED in order to increase the luminous efficiency in the emission direction. In addition, a reflector and a light shield for shielding unnecessary emitted light may be formed around the LED. In addition, various configurations and formation methods are possible without being limited to the previous example.

【0018】つぎに動作について説明する。こうしたL
EDチップ2を用いて光源を構成する際、先ず、図1に
示したLEDチップ2をRGB3色で構成すると、従来
LCD表示素子や可撓薄膜表示素子等に使用される蛍光
灯の白色バックライトに代わる白色光源を構成できる。
又、青色LEDチップ+蛍光顔料又は蛍光染料(G、R
の蛍光)、の構成によっても白色光源を構成できる。す
なわち、青色LEDチップの上に緑色、赤色の蛍光塗料
を塗布し、青色LEDチップを発光させ透過させれば、
G+Rの黄色に青色が混じって白色光となる。又は、青
色LEDチップ+蛍光体(YAGなどのB→Y蛍光のみ
の)、によっても白色光出射は可能である。なお、この
青色LEDチップはGaN系、ZnSe、SiC系など
による。
Next, the operation will be described. Such L
When configuring the light source using the ED chip 2, first, when the LED chip 2 illustrated in FIG. 1 is configured with three colors of RGB, a white backlight of a fluorescent lamp conventionally used for an LCD display element, a flexible thin film display element, and the like. Can be configured as a white light source.
Also, a blue LED chip + fluorescent pigment or fluorescent dye (G, R
The white light source can also be configured by the configuration of (fluorescence). That is, if green and red fluorescent paints are applied on the blue LED chip and the blue LED chip emits light and transmits,
G + R yellow is mixed with blue to produce white light. Alternatively, white light can be emitted by a blue LED chip and a phosphor (only B → Y fluorescence such as YAG). The blue LED chip is based on GaN, ZnSe, SiC or the like.

【0019】バックライト光としては、白色光以外の任
意の波長のLED光も使用可能である。例えば、低圧水
銀ランプによる紫外線バックライトに代わるような、波
長360〜400nmのGaN系のLEDチップによる
発光光を用いて、UV励起蛍光体を照射励起するもの等
である。
As the backlight light, LED light of any wavelength other than white light can be used. For example, a UV-excited phosphor is irradiated and excited using light emitted from a GaN-based LED chip having a wavelength of 360 to 400 nm instead of an ultraviolet backlight using a low-pressure mercury lamp.

【0020】図2に示すように、こうしたLEDチップ
2を背面基板3上に配置し、マイクロレンズアレイ4で
カバーすれば、LEDチップ2の放射光はマイクロレン
ズ内で屈折率に従って屈折され偏向されたコリメート光
6となって、次段の図示していないLCDシャッター、
又は、可撓薄膜光変調素子などへ入射する。マイクロレ
ンズアレイ4の材料としては透明な固体ポリマー材など
で、形状は球面、非球面のレンズであり、直径寸法は数
mm程度で、その場合のLEDチップ2の寸法は1mm
程度のものは可能である。マイクロレンズの材料として
は、ガラス、樹脂などがあり、特に量産性からは樹脂が
好ましい。樹脂としてはアクリル系、エボキシ系、ポリ
エステル系、ポリカーボネート系、スチレン系、塩化ビ
ニル系等が光学的には好ましく、さらに前記樹脂材料に
は光硬化型、光溶解型、熱硬化型、熱可塑型などがあ
り、マイクロレンズの製法により適宜選択可能である。
マイクロレンズの製法としては、金型によるキャスト法
や加熱プレス成形、射出成形、印刷法またはフォトリソ
グラフィ法が生産性から好ましい。具体的には、熱可塑
性樹脂をマイクロレンズ形状の金型で加熱プレスするこ
とにより成形可能である。また、光硬化性樹脂又は熱硬
化性樹脂を金型に充填し、その後、光又は熱によって樹
脂を硬化させ、金型から取り外すことで成形可能であ
る。フォトリソグラフィ法としては、光溶解樹脂又は光
硬化性樹脂に適宜パターニングされた遮光マスクを介し
て紫外線(又は可視光線)を露光し、それぞれ露光部の
溶解現像又は未露光部の溶解現像を行うことにより形成
される。樹脂材料と露光量分布により所望の形状のマイ
クロレンズを得ることが可能である。また、樹脂材料に
よっては、現像後に高湿ベーク処理を行い、熱軟化時の
表面張力により所望の形状のマイクロレンズを得ること
が可能である。また、前述の例ではマイクロレンズが凸
レンズであったが、屈折率分布を有する平坦形状なマイ
クロレンズアレイであっても良い。さらに、フレネルレ
ンズや、バイナリーオプティクスによるレンズ形成が可
能である。本実施の形態の場合、レンズ直径はLEDか
らの出射開口寸法に応じて適宜選択されるが、出射開口
寸法が点光源と見なせるようにレンズ直径は大きい方が
好ましい。例えば、LEDチップがハイブリッド方法に
よるLEDアレイの場合、その出射開口寸法が直径10
0μm〜1mm程度であれば、レンズ直径は数百μmか
ら数mm程度までが好ましい。また、レンズアレイの配
列は光強度ムラを低減するためハニカム配列が好まし
い。以上のような構造のマイクロレンズアレイは前述の
製法の何れでも製法可能である。中でも生産性からは、
金型によるキャスト法や加熱プレス成形が好ましい。ま
た、モノリシック方法によるマイクロレンズアレイの場
合、その出射開口寸法は小さいものでは直径が数μmま
で可能であり、レンズ直径は数十μm程度以上となる
が、このような微小寸法であればフォトリソグラフィ法
が好ましく、材料としてはフォトレジスト材料が適す
る。図3はLEDチップ2がレンズ4aの中心点の位置
になる球面レンズの場合であり、図2はLEDチップ2
の配置位置が中心より円周に近い例であり、それぞれ曲
率半径が異なり屈折率も異なる。何れにせよ、LEDチ
ップ又はLED発光部が、マイクロレンズの光軸上の主
焦点位置に配置されることが好ましい。こうしたLED
チップ2の点光源を多数群構成することによって、表示
素子対応の平面光源を構成できる。
As shown in FIG. 2, if such an LED chip 2 is arranged on a back substrate 3 and covered with a microlens array 4, the light emitted from the LED chip 2 is refracted and deflected in the microlens according to the refractive index. The collimated light 6 becomes an LCD shutter (not shown) at the next stage,
Alternatively, the light enters a flexible thin film light modulation element or the like. The material of the microlens array 4 is a transparent solid polymer material or the like, and is a spherical or aspheric lens having a diameter of about several mm. In this case, the size of the LED chip 2 is 1 mm.
Degrees are possible. Examples of the material of the microlens include glass and resin, and resin is particularly preferable from the viewpoint of mass productivity. As the resin, an acrylic resin, an ethoxy resin, a polyester resin, a polycarbonate resin, a styrene resin, a vinyl chloride resin, or the like is optically preferable. Further, the resin material is a light-curing type, a light-dissolving type, a thermosetting type, or a thermoplastic type. And the like can be selected as appropriate according to the method of manufacturing the microlens.
As a method for producing the microlens, a casting method using a mold, heat press molding, injection molding, a printing method, or a photolithography method is preferable from the viewpoint of productivity. Specifically, it can be molded by hot pressing a thermoplastic resin with a microlens-shaped mold. Further, the mold can be formed by filling a mold with a photocurable resin or a thermosetting resin, curing the resin with light or heat, and removing the resin from the mold. As the photolithography method, exposure to ultraviolet light (or visible light) is performed through a light-shielding mask appropriately patterned on a photo-dissolving resin or a photo-curing resin, and dissolving and developing of exposed portions or dissolving and developing of unexposed portions, respectively, are performed. Formed by A microlens having a desired shape can be obtained from the resin material and the exposure distribution. In addition, depending on the resin material, it is possible to perform a high-moisture bake treatment after development and obtain a microlens of a desired shape by surface tension during thermal softening. In the above-described example, the microlenses are convex lenses, but may be flat microlens arrays having a refractive index distribution. Further, it is possible to form a Fresnel lens or a lens using binary optics. In the case of the present embodiment, the lens diameter is appropriately selected according to the emission aperture size from the LED, but it is preferable that the lens diameter is large so that the emission aperture dimension can be regarded as a point light source. For example, when the LED chip is an LED array by the hybrid method, the emission aperture size is 10 mm in diameter.
If it is about 0 μm to 1 mm, the lens diameter is preferably from several hundred μm to several mm. The array of lens arrays is preferably a honeycomb array to reduce light intensity unevenness. The microlens array having the above structure can be manufactured by any of the above-described manufacturing methods. Above all, from productivity,
Casting by a mold or hot press molding is preferred. Further, in the case of a microlens array by a monolithic method, the diameter of the exit aperture can be up to several μm if the exit aperture size is small, and the lens diameter is about several tens μm or more. The method is preferable, and a photoresist material is suitable as the material. FIG. 3 shows a case where the LED chip 2 is a spherical lens located at the position of the center point of the lens 4a, and FIG.
Are located closer to the circumference than the center, and each has a different radius of curvature and a different refractive index. In any case, it is preferable that the LED chip or the LED light emitting unit is arranged at the main focal position on the optical axis of the microlens. Such LED
By configuring a large number of point light sources of the chip 2, a planar light source corresponding to a display element can be configured.

【0021】図4は図2のマイクロレンズをミラーレン
ズアレイで構成した例を示す図である。これは凹面鏡レ
ンズアレイ4bの中心側にLEDチップ2を配置し、照
射光を反射させてコリメート光とする例である。実際に
は、図9のように、LEDチップが配列実装された透明
基板を、ミラーレンズアレイを形成した基板に対向配置
することにより構成可能である。ミラーレンズアレイを
形成した基板は透明樹脂基板をミラーアレイ形状に形成
した後、アルミを蒸着することで形成可能である。ま
た、図10のように、ミラーレンズアレイを形成した基
板上に透明な樹脂を充填し平坦化した後、LEDチップ
を配置実装することで構成可能である。なお、上記にお
いて、LEDチップはミラーレンズの主焦点の位置に配
置される。また、LEDチップからの直接光が上方に出
射するのを防止するため、ミラーに対向する面とは逆の
LEDチップ面に反射体を設ける。その他、本発明では
ミラーレンズアレイを使用する種々の構成が可能であ
る。
FIG. 4 is a diagram showing an example in which the microlenses of FIG. 2 are constituted by mirror lens arrays. This is an example in which the LED chip 2 is arranged on the center side of the concave mirror lens array 4b, and the irradiation light is reflected to be collimated light. Actually, as shown in FIG. 9, it can be configured by disposing a transparent substrate on which LED chips are arranged and mounted opposite to a substrate on which a mirror lens array is formed. The substrate on which the mirror lens array is formed can be formed by forming a transparent resin substrate into a mirror array shape and then evaporating aluminum. Further, as shown in FIG. 10, the structure can be formed by filling a transparent resin on a substrate on which a mirror lens array is formed, flattening the substrate, and then mounting an LED chip. In the above description, the LED chip is arranged at the position of the main focal point of the mirror lens. Further, in order to prevent direct light from the LED chip from being emitted upward, a reflector is provided on the LED chip surface opposite to the surface facing the mirror. In addition, in the present invention, various configurations using a mirror lens array are possible.

【0022】前例では本発明の平面光源の発光素子とし
てLEDを用いたが、他の発光素子も可能である。図1
1は、薄膜無機ELを本発明の平面光源に使用した例で
ある。ガラス等の透明基板上にITOなどの透明電極を
成膜し、その上にSiOや強誘電体などの第1絶縁層
を成膜する。その上に点光源と見なせるような適当な領
域のみにZnS:Mnなどの無機EL層をパターニング
して形成する。その上に前述と同材料の第2絶縁層を成
膜し、最後にアルミ等の金属膜による反射電極を成膜す
る。一方、基板の裏面にはマイクロレンズアレイを形成
する。両電極間に交流電圧を印加すると、パターニング
された領域のみ発光し、その殆どがマイクロレンズ側に
出射して、マイクロレンズアレイにより平行光となる。
発光色は、無機EL材料を適宜選択することにより、U
V光から可視3原色であるR光、G光、B光、および白
色まで可能である。
In the previous example, an LED was used as the light emitting element of the planar light source of the present invention, but other light emitting elements are also possible. Figure 1
1 is an example in which a thin-film inorganic EL is used for the flat light source of the present invention. A transparent electrode such as ITO is formed on a transparent substrate such as glass, and a first insulating layer such as SiO 2 or a ferroelectric is formed thereon. An inorganic EL layer made of ZnS: Mn or the like is formed by patterning only on an appropriate region that can be regarded as a point light source. A second insulating layer of the same material as described above is formed thereon, and finally a reflective electrode made of a metal film such as aluminum is formed. On the other hand, a microlens array is formed on the back surface of the substrate. When an AC voltage is applied between both electrodes, only the patterned area emits light, and most of the light is emitted to the microlens side, and becomes parallel light by the microlens array.
The emission color can be determined by selecting an inorganic EL material as appropriate.
From V light to visible three primary colors, R light, G light, B light, and white are possible.

【0023】図12は、有機ELを本発明の平面光源に
使用した例である。ガラス等の透明基板上にITOなど
の透明電極をアノード電極として成膜する。その上にS
iOなどの絶縁層を点光源と見なせるような適当な領
域のみに開口部を設けてパターニング形成する。その上
に有機EL層、MgAg等の金属反射膜をカソード電極
として成膜する。有機EL層は低分子有機材料、又は高
分子有機材料など適宜選択可能であり、また、層構成と
しては電子・ホール輸送層などを積層したものから単層
構造のものまで適宜選択可能である。一方、基板の裏面
にはマイクロレンズアレイを形成する。両電極間に直流
電圧を印加すると、絶縁層の開口部のみ発光し、その殆
どがマイクロレンズ側に出射して、マイクロレンズアレ
イにより平行光となる。発光色は、無機EL材料を適宜
選択することにより、UV光から可視3原色であるR
光、G光、B光、および白色まで可能である。
FIG. 12 shows an example in which an organic EL is used for the flat light source of the present invention. A transparent electrode such as ITO is formed as an anode electrode on a transparent substrate such as glass. S on it
An opening is provided only in an appropriate region where an insulating layer such as iO 2 can be regarded as a point light source, and patterning is performed. An organic EL layer and a metal reflective film such as MgAg are formed thereon as a cathode electrode. The organic EL layer can be appropriately selected from a low-molecular organic material, a high-molecular organic material, and the like. The layer configuration can be appropriately selected from a layered structure including an electron / hole transport layer and a single-layered structure. On the other hand, a microlens array is formed on the back surface of the substrate. When a DC voltage is applied between both electrodes, only the opening of the insulating layer emits light, and most of the light is emitted to the microlens side, and becomes parallel light by the microlens array. The emission color can be selected from the three primary colors visible from UV light by appropriately selecting the inorganic EL material.
Light, G light, B light and even white are possible.

【0024】図13は電界放出(フィールドエミッショ
ン)型の発光素子を本発明の平面光源に使用した例であ
る。カソード基板上にカソード電極を形成し、その上に
電子放出層を形成する。電子放出層は電界により電子が
放出する材料と構造で形成される。例えばMo、W等の
金属、Si等の半導体、カーボンなどの材料が適する。
電子放出量は、その電子放出領域が点在するように形成
する。一方、透明なアノード基板上には透明なアノード
電極と電子励起により発光する蛍光体を成膜する。必要
により蛍光体上にはアルミ薄膜等のメタルバックを形成
する。前記の2枚の基板は電子放出層と蛍光体が向き合
うように対向配置され、内部を高真空状態にして周辺を
封止する。蛍光体はその発光領域が点光源と見なせるよ
うに適宜パターニングされ、前述の電子放出領域より放
出される電子照射に対向させる。アノード基板の外面に
はマイクロレンズアレイを配置する。この構成によりカ
ソード電極が負、アノード電極が正になるように高電圧
を印加すると電子放出層から電子が放出し、印加電圧に
応じて加速され対向する蛍光体に衝突する。蛍光体は衝
突電子により励起発光する。発光した光は前方と後方に
出射されるが、後方成分はメタルバックで反射され前方
に出射する。この発光領域は前述の構成により点光源と
見なせる。また、この発光領域はマイクロレンズアレイ
の各々の主焦点位置に配置されることにより、マイクロ
レンズアレイに入射される光は平行光に変換される。発
光色は蛍光体を適宜選択することにより、UV光から可
視3原色であるR光、G光、B光、および白色まで可能
である。
FIG. 13 shows an example in which a field emission type light emitting element is used as the flat light source of the present invention. A cathode electrode is formed on a cathode substrate, and an electron emission layer is formed thereon. The electron emission layer is formed of a material and a structure from which electrons are emitted by an electric field. For example, metals such as Mo and W, semiconductors such as Si, and materials such as carbon are suitable.
The electron emission amount is formed so that the electron emission region is scattered. On the other hand, a transparent anode electrode and a phosphor that emits light by electronic excitation are formed on a transparent anode substrate. If necessary, a metal back such as an aluminum thin film is formed on the phosphor. The two substrates are opposed to each other so that the electron emission layer and the phosphor face each other, and the inside is sealed in a high vacuum state. The phosphor is appropriately patterned so that its light emitting region can be regarded as a point light source, and is opposed to the above-mentioned electron irradiation emitted from the electron emitting region. A microlens array is arranged on the outer surface of the anode substrate. With this configuration, when a high voltage is applied so that the cathode electrode is negative and the anode electrode is positive, electrons are emitted from the electron emission layer, accelerated according to the applied voltage, and collide with the opposing phosphor. The phosphor emits light when excited by impact electrons. The emitted light is emitted forward and backward, but the backward component is reflected by the metal back and emitted forward. This light-emitting area can be regarded as a point light source by the above-described configuration. Further, by arranging the light emitting region at each principal focal position of the micro lens array, light incident on the micro lens array is converted into parallel light. The emission color can be changed from UV light to R light, G light, B light, and white, which are three primary colors, by appropriately selecting the phosphor.

【0025】マイクロレンズアレイは樹脂により成型さ
れたマイクロレンズアレイシートを前述の発光素子基板
に貼り付けても良く、直接基板上にマイクロレンズアレ
イを形成しても良い。また、点光源である発光素子とマ
イクロレンズの位置合わせを容易にするため、基板上に
マイクロレンズアレイを予め形成し、フォトリソグラフ
ィ法による発光素子のパターニングにおいて、その露光
をマイクロレンズアレイ側から行うことにより所謂セル
フアライメントの形成も可能である。なお、前例以外に
種々の構成が可能であり、本発明の主旨である点光源と
見なせる発光源アレイとマイクロレンズアレイなどそれ
らを平行化する光学素子の構成であれば前例の限りでな
い。
For the microlens array, a microlens array sheet formed of resin may be attached to the light emitting element substrate, or the microlens array may be formed directly on the substrate. In addition, in order to facilitate the alignment between the light emitting element, which is a point light source, and the microlens, a microlens array is formed in advance on the substrate, and the exposure is performed from the microlens array side in patterning the light emitting element by photolithography. Thus, a so-called self-alignment can be formed. It should be noted that various configurations other than the previous example are possible, and the configuration of the light emitting source array which can be regarded as a point light source and the optical element such as a microlens array which parallels them, which is the gist of the present invention, is not limited to the previous example.

【0026】図14は図2のLEDチップを3色LED
チップとした例を示す図である。次に、図14を参照し
てフィールドシーケンシャル駆動について説明する。図
14は図2のLEDチップ2をR光LEDチップ7、G
光LEDチップ8、B光LEDチップ9の3個のLED
チップで置換えたものである。フィールドシーケンシャ
ル駆動は基本的には、3色の独立の色R、G、Bの時間
における加法混色により任意の色を、見せる方式であ
る。
FIG. 14 shows the LED chip of FIG.
It is a figure showing the example used as a chip. Next, the field sequential drive will be described with reference to FIG. FIG. 14 shows the LED chip 2 of FIG.
3 LEDs of light LED chip 8 and B light LED chip 9
It has been replaced with a chip. The field sequential driving is basically a method of displaying an arbitrary color by additive color mixing in three independent colors R, G, and B at the time.

【0027】具体的には、図14のような色の異なる複
数のR、G、B光源を用いて、各色毎に独立な輝度調整
が可能なようにして、均一な面輝度を呈する平面光源と
し、図15に示すように、例えば、フリッカが発生しな
い60Hzのフィールド周期T(T=1/60sec)
を、さらに3つの時間に分割したT/3(T/3=1/
180sec)間隔で順次RGBのLEDチップを点灯
させて、その上にLCD光変調素子アレイ、可撓薄膜光
変調素子アレイ等を配置させ、各色LEDの点灯に同期
させながら画像信号に応じた光変調を行うことにより、
任意の色の表示が可能となる。図15はR、G光のLE
Dが点灯するタイミングで光変調素子をON(透過)さ
せると、R+G=黄色の表示ができることを示してい
る。同様に、R、G、B光のLEDが点灯するタイミン
グで光変調素子をON(透過)させると、R+G+B=
白色の表示が可能となる。
Specifically, a plurality of R, G, and B light sources of different colors as shown in FIG. 14 are used to enable independent brightness adjustment for each color, thereby providing a plane light source exhibiting uniform surface brightness. As shown in FIG. 15, for example, a field period T of 60 Hz at which flicker does not occur (T = 1/60 sec)
Is further divided into three times T / 3 (T / 3 = 1 /
The RGB LED chips are sequentially turned on at intervals of 180 sec., And an LCD light modulating element array, a flexible thin film light modulating element array, etc. are arranged thereon, and light modulation according to an image signal is synchronized with turning on of each color LED. By doing
Any color display is possible. FIG. 15 shows LE of R and G light.
When the light modulation element is turned on (transmitted) at the timing when D is turned on, it is indicated that R + G = yellow display can be performed. Similarly, when the light modulation element is turned on (transmitted) at the timing when the R, G, and B light LEDs are turned on, R + G + B =
White display becomes possible.

【0028】このようなフィールドシーケンシャル駆動
によるカラー表示は、カラーフィルタを用いた従来の平
置加法混色によるカラーLCDに比べれば、 1、高解像度 2、ドライバーIC数の削減 3、カラーバランスの調整容易(ホワイトバランスの容
易) 4 カラーフィルター不要 という利点を生ずる。1、2はセグメント・ライン数が
減少することにより、3は色毎に制御可能なことから達
成される。
The color display by such a field sequential drive is: 1, high resolution 2, reduction of the number of driver ICs 3, easy adjustment of color balance, as compared with a conventional color LCD by flat additive color mixing using a color filter. (Easy white balance) 4. The advantage that no color filter is required is produced. 1 and 2 are achieved because the number of segment lines is reduced, and 3 is achieved because control is possible for each color.

【0029】以上はLEDチップを用いてフィルドシー
ケンシャル駆動を行う例であるが、LEDチップ以外の
発光素子、例えば、有機、無機EL、FEDなどを用い
ても点光源化が可能であり同様な駆動を行う表示素子を
構成することができる。図16、17、図18は、R
光、G光、B光を独立で発光するLED以外の発光素子
による平面光源の例である。図16は薄膜無機EL素子
で、無機EL層はR光、G光、B光を発光する材料で構
成され、点光源と見なせるようにパターニング形成され
る。また、反射電極も各色に対応して分離され、各色を
独立で発光させることができる。前例と同様に無機EL
層から発光した光はマイクロレンズアレイにより平行化
させて出射する。図17は有機EL素子で、有機EL層
はR光、G光、B光を発光する材料で構成され、点光源
と見なせるようにパターニング形成される。また、カソ
ード電極も各色に対応して分離され、各色を独立で発光
させることができる。前例と同様に有機EL層から発光
した光はマイクロレンズアレイにより平行化させて出射
する。図18は電界放出素子で、蛍光体はR光、G光、
B光を発光する材料で構成され、点光源と見なせるよう
にパターニング形成される。また、カソード電極も各色
に対応して分離され、各色を独立で発光させることがで
きる。前例と同様に蛍光体から発光した光はマイクロレ
ンズアレイにより平行化されて出射する。以上のように
各色が独立で発光可能な平面光源により、フィールドシ
ーケンシャル駆動が可能な表示素子を構成できる。
The above is an example in which the LED chip is used to perform the filled sequential driving. However, even if a light emitting element other than the LED chip, for example, an organic, inorganic EL, FED, or the like is used, a point light source can be used, and similar driving is possible. Can be configured. 16, 17, and 18 show R
This is an example of a planar light source using light emitting elements other than LEDs that independently emit light, G light, and B light. FIG. 16 shows a thin-film inorganic EL element. The inorganic EL layer is made of a material that emits R light, G light, and B light, and is patterned to be regarded as a point light source. Further, the reflective electrode is also separated corresponding to each color, and each color can emit light independently. Inorganic EL similar to the previous example
Light emitted from the layer is collimated by the microlens array and emitted. FIG. 17 shows an organic EL element. The organic EL layer is made of a material that emits R light, G light, and B light, and is formed by patterning so as to be regarded as a point light source. Further, the cathode electrode is also separated for each color, and each color can emit light independently. As in the previous example, the light emitted from the organic EL layer is collimated by the microlens array and emitted. FIG. 18 shows a field emission device in which phosphors are R light, G light,
It is made of a material that emits B light, and is patterned to be regarded as a point light source. Further, the cathode electrode is also separated for each color, and each color can emit light independently. As in the previous example, the light emitted from the phosphor is collimated by the microlens array and emitted. As described above, a display element that can be field-sequentially driven can be configured by a plane light source capable of emitting each color independently.

【0030】次に本発明の第2の実施の形態について図
を参照して説明する。図19は本発明の第2の実施の形
態に係る平面光源装置の断面図である。図20は図19
に示す平面光源の拡大図である。図19において、10
はアクリル、ガラス、ポリカーボネート等の材質の導光
体であり、11はハーフミラー等の偏向手段、12は入
射光を垂直方向へ偏向した出射光である。偏向手段11
の具体例としては導光体10と異なる屈折率の透明材料
からなる媒体が好ましい。実際には、導光体10を図の
ように斜めに複数層重ね、その間を接着層で固定する。
この接着層は前記の偏向手段11に相当し、その屈折率
は導光体10の屈折率に対し僅かな差を有する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 19 is a sectional view of the flat light source device according to the second embodiment of the present invention. FIG. 20 shows FIG.
2 is an enlarged view of the flat light source shown in FIG. In FIG. 19, 10
Denotes a light guide made of a material such as acryl, glass, polycarbonate, etc., 11 denotes a deflecting means such as a half mirror, and 12 denotes outgoing light obtained by deflecting incident light in the vertical direction. Deflection means 11
As a specific example, a medium made of a transparent material having a different refractive index from the light guide 10 is preferable. In practice, a plurality of light guides 10 are stacked diagonally as shown in the figure, and the gap between them is fixed with an adhesive layer.
This adhesive layer corresponds to the deflecting means 11 described above, and its refractive index has a slight difference from the refractive index of the light guide 10.

【0031】図20の拡大図に示すように、図1に示し
たようなLEDチップ2とマイクロレンズアレイ4によ
る平面光源1からのコリメート光6を、導光板10に入
射すると、ハーフミラー(又は異なる屈折率の透明材料
からなる媒体)11により、1部が反射されて垂直方向
へ偏向12として出射される。又、入射光6の残りは透
過し、次のハーフミラー11で1部が反射されるという
ように順々に反射される。導光板10と平面光源ユニッ
ト1の組合わせは、図面奥行き方向にも展開されている
ので垂直方向への出射光は面光源として出射構成され、
導光体10の上面側に図示していないLCD、可撓薄膜
型光変調素子等を置いて出射光12を入射させれば表示
素子が可能となる。更に、面光源化も拡大される。
As shown in the enlarged view of FIG. 20, when the collimated light 6 from the planar light source 1 by the LED chip 2 and the microlens array 4 as shown in FIG. A part is reflected by a medium (11) made of a transparent material having a different refractive index and emitted as a deflection 12 in the vertical direction. Further, the rest of the incident light 6 is transmitted, and is sequentially reflected such that a part of the light is reflected by the next half mirror 11. The combination of the light guide plate 10 and the flat light source unit 1 is also developed in the depth direction of the drawing, so that light emitted in the vertical direction is emitted as a surface light source,
A display element can be obtained by placing an LCD (not shown), a flexible thin film type light modulation element, and the like on the upper surface side of the light guide 10 and making the emitted light 12 incident thereon. Further, the use of a surface light source is expanded.

【0032】又、導光体10へ入射したコリメート光6
は初段のハーフミラー11から、右に(図面向かって右
方向へ)進むに従って減衰するので、それを補うよう
に、ハーフミラー11相互間の間隔は、L1よりL6、
L7等の間隔を狭くして補正することにより、導光体1
0からは均一な強度の出射光12が出射されることにな
る。これを図示していない光変調素子に入射して表示素
子を構成できる。なお、前述の導光板の構成を変えるこ
とにより、P波とS波の偏光成分を分離することも可能
である。具体的には、導光体10を斜め45°となるよ
うに複数層重ね、その間を偏向手段11に相当する接着
層で固定する。接着層の屈折率は導光体10の屈折率に
対し、その屈折率差が3%以内となる接着材料を選択す
る。この場合、導光体と接着層界面のブリュースター角
が略45°となり、界面に入射される光のS波偏光成分
の一部が反射されて垂直方向へ出射する。P波偏光成分
は導光板を直進して透過する。導光板の終端側面に1/
4波長板と反射板を設け、底面に反射板を設けると、透
過したP波偏光成分は終端側面で反射されS波偏光成分
に変換されて光源に向かって進む。再度、偏向手段に入
射したS波偏光成分の一部は底面に向かって反射し、底
面の反射板によって垂直方向に出射される。従って、垂
直方向にはS波偏光成分のみが出射されることになる。
この平面光源装置と例えば偏光を利用するLCD等の光
変調素子を組み合わせることにより、高い光利用効率の
表示素子を構成できる。また、前記例では、光源をLE
Dチップとしたが、前実施例のように無機EL、有機E
L、電界放出素子でも良い。
The collimated light 6 incident on the light guide 10
Attenuates from the first half mirror 11 to the right (to the right in the drawing), so that the distance between the half mirrors 11 is L6, L1
The light guide 1 can be corrected by reducing the distance between the light guides L7 and the like.
From 0, outgoing light 12 of uniform intensity is emitted. This can be incident on a light modulation element (not shown) to form a display element. By changing the configuration of the light guide plate, it is possible to separate the polarization components of the P wave and the S wave. Specifically, a plurality of light guides 10 are stacked so as to be inclined at an angle of 45 °, and the gap between them is fixed by an adhesive layer corresponding to the deflecting means 11. As the refractive index of the adhesive layer, an adhesive material having a refractive index difference of 3% or less with respect to the refractive index of the light guide 10 is selected. In this case, the Brewster angle at the interface between the light guide and the adhesive layer is approximately 45 °, and a part of the S-wave polarization component of the light incident on the interface is reflected and emitted in the vertical direction. The P-wave polarization component travels straight through the light guide plate and is transmitted. 1 / on the terminal side surface of the light guide plate
When a four-wavelength plate and a reflector are provided and a reflector is provided on the bottom surface, the transmitted P-wave polarization component is reflected by the terminal side surface, converted into an S-wave polarization component, and proceeds toward the light source. Again, part of the S-wave polarization component that has entered the deflecting means is reflected toward the bottom surface, and is emitted in the vertical direction by the reflector on the bottom surface. Therefore, only the S-wave polarization component is emitted in the vertical direction.
By combining this flat light source device with a light modulation element such as an LCD that uses polarized light, a display element with high light use efficiency can be configured. In the above example, the light source is LE
D chip, but inorganic EL and organic E as in the previous example
L, a field emission device may be used.

【0033】さらに、この平面光源はフィールドシーケ
ンシャル駆動によるカラー表示素子用にも好適である。
図21のようにR光源、G光源、B光源とマイクロレン
ズアレイによる平面光源からのコリメート光を導光板に
入射すると、ハーフミラーにより入射光の一部が反射さ
れて垂直方向へ出射され、各色が独立に制御可能なコリ
メート平面光源が構成できる。なお、図21では、1個
のマイクロレンズに対し1個の光源を配置しているが、
1個のマイクロレンズに対しR光源、G光源、B光源を
集めて配置してもよい。また、平面光源として最終的に
出射される面内が輝度及び色ともに均一となるように、
各色の光源とマイクロレンズを適宜配列させても良い。
本実施例の構成によれば、平面光源の面内全体にコリメ
ート光源を配置する必要が無く、コリメート光源に必要
な光源の数、面積を大幅に低減させることが可能であ
り、低コストを実現できる。
Further, this flat light source is also suitable for a color display element driven by field sequential driving.
As shown in FIG. 21, when collimated light from a flat light source composed of an R light source, a G light source, a B light source and a microlens array is incident on a light guide plate, a part of the incident light is reflected by a half mirror and emitted in a vertical direction, and each color is emitted. Can be configured as a collimated planar light source that can be controlled independently. In FIG. 21, one light source is arranged for one microlens.
The R light source, the G light source, and the B light source may be collected and arranged for one microlens. In addition, so that the brightness and color are uniform in the plane finally emitted as a planar light source,
Light sources and microlenses for each color may be appropriately arranged.
According to the configuration of the present embodiment, it is not necessary to dispose the collimated light source over the entire surface of the flat light source, and it is possible to greatly reduce the number and area of the light source required for the collimated light source, thereby realizing low cost. it can.

【0034】本発明の平面光源と電気機械動作による光
変調素子の表示素子の実施例について説明する。図2
2、図23はその具体例であり、光変調素子の例として
は、光干渉薄膜の光学長を電気機械動作により変化させ
て光透過率を制御する素子である。また、本発明の平面
光源の波長を近UV光とし、光変調素子の出射側にはガ
ラス基板に成膜された蛍光体が配置されている。蛍光体
は前記の近UV光によって励起発光し、近UV光を可視
光に変換する。なお、図22、図23は単画素について
の説明図であり、実際の表示素子はこの光変調素子がア
レイ状に配置される。
An embodiment of the display element of the flat light source and the electro-mechanical light modulation element of the present invention will be described. FIG.
2. FIG. 23 shows a specific example thereof. As an example of the light modulation element, an optical length is controlled by changing the optical length of the light interference thin film by electromechanical operation. Further, the wavelength of the planar light source of the present invention is near-UV light, and a phosphor formed on a glass substrate is disposed on the emission side of the light modulation element. The phosphor emits light by being excited by the near-UV light, and converts the near-UV light into visible light. FIGS. 22 and 23 are explanatory diagrams of a single pixel. In an actual display element, the light modulation elements are arranged in an array.

【0035】図22において、図22(b)のように、
ガラス基板上に透明電極と金属の超薄膜や誘電体多層膜
からなるハーフミラーを形成し、その上に絶縁膜からな
る透明スペーサを設ける。さらにその上に空隙を介して
一部をガラス基板に支持された可撓薄膜を形成する。可
撓薄膜は前述と同様のハーフミラーと透明電極を有す
る。ハーフミラーの反射率は0.80〜0.95程度が
好ましい。上下の透明電極間の電圧が0のとき、上下の
ハーフミラー間の光学長doffは透明スペーサと空隙
で決定される。この光変調素子の上に、図22(a)の
ように、蛍光体を有するガラス基板を蛍光体側を光変調
素子側にして配置し、また、この光変調素子の下に、図
22(c)のように、近UV光を発するコリメート平面
光源を配置する。
In FIG. 22, as shown in FIG.
A half mirror composed of a transparent electrode and an ultrathin metal film or a dielectric multilayer film is formed on a glass substrate, and a transparent spacer composed of an insulating film is provided thereon. Further, a flexible thin film partly supported by a glass substrate is formed thereon via a gap. The flexible thin film has the same half mirror and transparent electrode as described above. The reflectance of the half mirror is preferably about 0.80 to 0.95. When the voltage between the upper and lower transparent electrodes is 0, the optical length doff between the upper and lower half mirrors is determined by the transparent spacer and the gap. As shown in FIG. 22A, a glass substrate having a phosphor is disposed on the light modulating element with the phosphor side facing the light modulating element, and below the light modulating element, as shown in FIG. 2), a collimated planar light source that emits near-UV light is arranged.

【0036】一方、図23のように上下の透明電極間に
電圧Vonを印加すると透明電極間に働く静電気力によ
り可撓薄膜が基板側に撓み透明スペーサに接触する。こ
の時の上下のハーフミラー間の光学長donは透明スペ
ーサのみで決定される。ここで、光学長をdoff=2
73nm、don=186nmに設定すると、光変調素
子に略垂直に入射された光に対する各々の分光透過率は
図25のようになる。従って、近UV光(この分光特性
を図24に示す)が光変調素子に略垂直に入射すると、
電圧=0のときは近UV光が遮光され、電圧Vonが印
加されると近UV光は透過する。透過した近UV光は蛍
光体を励起し、可視光が出射される。蛍光体は散乱発光
するので非常に視野角特性の優れた素子表示が可能とな
る。R,G,Bの蛍光体を画素毎に配置すればフルカラ
ーの表示が容易に実現可能である。ここで、光変調素
子、への入射角が大きいと、分光透過率が短波長側にシ
フトし、その結果、特にON時の透過率が低くなってし
まう。本発明のコリメート平面光源によれば、このよう
な問題をなくすことが可能である。
On the other hand, when a voltage Von is applied between the upper and lower transparent electrodes as shown in FIG. 23, the flexible thin film bends toward the substrate due to the electrostatic force acting between the transparent electrodes and contacts the transparent spacer. At this time, the optical length don between the upper and lower half mirrors is determined only by the transparent spacer. Here, the optical length is set to off = 2.
When the wavelength is set to 73 nm and don = 186 nm, the respective spectral transmittances for light that is incident on the light modulation element substantially perpendicularly are as shown in FIG. Therefore, when near-UV light (this spectral characteristic is shown in FIG. 24) is incident on the light modulation element substantially perpendicularly,
When the voltage = 0, the near-UV light is blocked, and when the voltage Von is applied, the near-UV light is transmitted. The transmitted near UV light excites the phosphor, and emits visible light. Since the phosphor emits scattered light, it is possible to display an element having extremely excellent viewing angle characteristics. If the R, G, and B phosphors are arranged for each pixel, full-color display can be easily realized. Here, if the angle of incidence on the light modulation element is large, the spectral transmittance shifts to the shorter wavelength side, and as a result, the transmittance particularly when ON is reduced. According to the collimated flat light source of the present invention, such a problem can be eliminated.

【0037】次にフィールドシーケンシャル駆動の例に
ついて説明する。図26はR光、G光、B光が独立で制
御できるコリメート平面光源に対して、前述の光干渉を
利用した電気機械動作による光変調素子を配置する。そ
の出射側にはガラス基板に成膜された光拡散層を配置す
る。このような構成により、図15に示すような、18
0Hzのフィールド周期でRGBのLEDチップを60
Hz間隔で順次点灯させ、光変調素子13のon/of
fタイミングを制御すれば、黄色、白、赤、緑等のカラ
ー表示が可能となる。ここで、光変調素子を透過した光
は、光拡散層により拡散出射され、視野角特性の良い表
示となる。この実施例によれば、光精細、高光利用効率
で安価な表示素子が実現可能である。
Next, an example of field sequential driving will be described. FIG. 26 shows an arrangement in which a light modulating element by electromechanical operation utilizing the above-described optical interference is arranged for a collimated planar light source capable of independently controlling R light, G light and B light. A light diffusion layer formed on a glass substrate is disposed on the emission side. With such a configuration, as shown in FIG.
60 LED chips of RGB with a field cycle of 0 Hz
Hz, the light modulator 13 is turned on / off sequentially.
By controlling the f timing, color display such as yellow, white, red, and green can be performed. Here, the light transmitted through the light modulation element is diffused and emitted by the light diffusion layer, and a display with good viewing angle characteristics is obtained. According to this embodiment, it is possible to realize an inexpensive display device with high definition, high light utilization efficiency.

【0038】又、図27では平面光源1のコリメート光
をマイクロレンズ4dに入射させる構成としたが、前実
施の形態の導光体10を介してハーフミラー11の反射
光を入射するように構成してもよい。なお、上記例の他
に、入射角依存性が問題となる光変調素子に対しても、
本発明の平面光源は有効である。
In FIG. 27, the collimated light from the flat light source 1 is incident on the microlenses 4d. However, the reflected light from the half mirror 11 is incident via the light guide 10 of the previous embodiment. May be. Note that, in addition to the above example, for an optical modulation element in which incident angle dependence is a problem,
The flat light source of the present invention is effective.

【0039】[0039]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
LEDチップ、ELまたはFEDなどの発光素子を平面
上に複数配置し、これらの出射光に対応させてマイクロ
レンズアレイなどの光学素子を配設することにより、白
色あるいはカラーのコリメート光を出射する平面光源を
構成したので、簡単な構成で実用的なコリメート光の平
面光源が得られる効果がある。また、上記の平面光源を
用いて電気機械動作方式など各種の方式の表示素子が構
成できるので、視野角依存性が少なく蛍光灯などのバッ
クライトおよびカラーフィルタが要らない、高精細な表
示素子が得られるという効果もある。
As described above, according to the present invention,
A plane that emits white or color collimated light by arranging a plurality of light emitting elements such as LED chips, ELs, or FEDs on a plane, and arranging optical elements such as a microlens array corresponding to these emitted lights. Since the light source is configured, there is an effect that a practical collimated light planar light source can be obtained with a simple configuration. In addition, since a display element of various types such as an electromechanical operation type can be configured by using the above-mentioned flat light source, a high-definition display element having a small viewing angle dependency and requiring no backlight such as a fluorescent lamp and a color filter is required. There is also an effect that it can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態に係る平面光源の構
成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of a flat light source according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1に示す平面光源の正面断面図である。FIG. 2 is a front sectional view of the flat light source shown in FIG.

【図3】図2のマイクロレンズを球面レンズとした平面
光源の断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view of a flat light source in which the microlens of FIG. 2 is a spherical lens.

【図4】図2のマイクロレンズをミラーレンズアレイで
構成した例を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing an example in which the microlens of FIG. 2 is configured by a mirror lens array.

【図5】図1に示すLEDチップの構造と配線を示す図
である。
FIG. 5 is a diagram showing a structure and wiring of the LED chip shown in FIG. 1;

【図6】チップ縦置き型ハイブリッドによる複数のLE
Dの構成図である。
FIG. 6 shows a plurality of LEs using a chip vertical type hybrid.
It is a block diagram of D.

【図7】チップ横置き型ハイブリッドによる複数のLE
Dの構成図である。
FIG. 7 shows a plurality of LEs using a chip horizontal type hybrid.
It is a block diagram of D.

【図8】モノリシック形成による複数のLEDの構成図
である。
FIG. 8 is a configuration diagram of a plurality of LEDs formed by monolithic formation.

【図9】LEDチップ実装透明基板をミラーレンズアレ
イ形成基板に対向配置させた例を示す図である。
FIG. 9 is a view showing an example in which an LED chip mounting transparent substrate is arranged to face a mirror lens array forming substrate.

【図10】ミラーレンズアレイ形成基板上に透明樹脂を
充填し平坦化した後、LEDチップを配置実装した例を
示す図である。
FIG. 10 is a diagram illustrating an example in which a transparent resin is filled on a mirror lens array forming substrate and flattened, and then an LED chip is arranged and mounted.

【図11】薄膜無機ELを本発明の平面光源に使用した
例を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing an example in which a thin-film inorganic EL is used for the flat light source of the present invention.

【図12】有機ELを本発明の平面光源に使用した例を
示す図である。
FIG. 12 is a diagram showing an example in which an organic EL is used for the flat light source of the present invention.

【図13】電界放出(フィールドエミッション)型の発
光素子を本発明の平面光源に使用した例を示す図であ
る。
FIG. 13 is a diagram showing an example in which a field emission (field emission) type light emitting element is used for the planar light source of the present invention.

【図14】図2のLEDチップを3色LEDチップとし
た例を示す図である。
FIG. 14 is a diagram showing an example in which the LED chip of FIG. 2 is a three-color LED chip.

【図15】図14に示す平面光源のフィールドシーケン
シャル駆動の説明図である。
15 is an explanatory diagram of field sequential driving of the flat light source shown in FIG.

【図16】R光、G光、B光を発光する材料で構成され
た無機EL層を有する薄膜無機EL素子で、点光源と見
なせるようにパターニング形成された例を示す図であ
る。
FIG. 16 is a diagram showing an example of a thin-film inorganic EL element having an inorganic EL layer made of a material that emits R light, G light, and B light, which is patterned so as to be regarded as a point light source.

【図17】R光、G光、B光を発光する材料で構成され
た有機EL層を備えた有機EL素子で、点光源と見なせ
るようにパターニング形成された例を示す図である。
FIG. 17 is a diagram showing an example in which an organic EL element including an organic EL layer made of a material that emits R light, G light, and B light is patterned so as to be regarded as a point light source.

【図18】R光、G光、B光を発光する材料で構成され
た蛍光体を備えた電界放出素子で、点光源と見なせるよ
うにパターニング形成された例を示す図である。
FIG. 18 is a diagram showing an example of a field emission device including a phosphor composed of a material that emits R light, G light, and B light, which is patterned so as to be regarded as a point light source.

【図19】本発明の第2の実施の形態に係る平面光源装
置の断面図である。
FIG. 19 is a sectional view of a flat light source device according to a second embodiment of the present invention.

【図20】図19に示す平面光源の拡大図である。20 is an enlarged view of the flat light source shown in FIG.

【図21】R光源、G光源、B光源とマイクロレンズア
レイによる平面光源からのコリメート光を導光板・ハー
フミラーにより一部反射して各色独立に制御可能とした
コリメート平面光源の拡大図である。
FIG. 21 is an enlarged view of a collimated planar light source in which collimated light from a planar light source composed of an R light source, a G light source, a B light source and a microlens array is partially reflected by a light guide plate and a half mirror so that each color can be controlled independently. .

【図22】本発明の平面光源と電気機械動作による光変
調素子の表示素子の1実施例で、上下の透明電極間の電
圧が0のときを示す図である。
FIG. 22 is a diagram showing a flat light source and a display element of a light modulation element by electromechanical operation according to an embodiment of the present invention, in which a voltage between upper and lower transparent electrodes is zero.

【図23】図22の表示素子の上下の透明電極間に電圧
Vonを印加したときを示す図である。
FIG. 23 is a diagram illustrating a case where a voltage Von is applied between upper and lower transparent electrodes of the display element in FIG. 22;

【図24】近UV光の分光特性を示す線図である。FIG. 24 is a diagram showing spectral characteristics of near-UV light.

【図25】光変調素子への略垂直な入射た光に対する各
光学長(279nmと186nm)の分光透過率(波長
対相対強度)を示す線図である。
FIG. 25 is a diagram showing the spectral transmittance (wavelength vs. relative intensity) of each optical length (279 nm and 186 nm) with respect to light that is substantially perpendicular to the light modulation element.

【図26】R光、G光、B光が独立で制御できるコリメ
ート平面光源に対して光干渉を利用した電気機械動作に
よる光変調素子を配置し出射側に光拡散層を配置して成
る構成の表示素子の例で、上下の透明電極間に電圧Vo
nを印加したときを示す図である。
FIG. 26 shows a configuration in which a light modulating element by electromechanical operation utilizing light interference is arranged for a collimated planar light source that can independently control R light, G light, and B light, and a light diffusion layer is arranged on the emission side. In the example of the display element, the voltage Vo is applied between the upper and lower transparent electrodes.
It is a figure which shows the time when n was applied.

【図27】本発明の第3の実施の形態に係る表示素子の
断面図である。
FIG. 27 is a sectional view of a display element according to a third embodiment of the present invention.

【図28】従来の表示素子の構成図である。FIG. 28 is a configuration diagram of a conventional display element.

【図29】図28に示す表示素子の視野角改良型を示す
図である。
FIG. 29 is a view showing a viewing angle improved type of the display element shown in FIG. 28.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 平面光源 2 LEDチップ 3 背面基板 4 マイクロレンズアレイ 5 前面基板 6 コリメート光 7 R光LEDチップ 8 G光LEDチップ 9 B光LEDチップ 10 導光板 11 ハーフミラー 12 反射光 13 光変調素子 14 拡散素子 15 ピンホール 16 蛍光体 23 信号電極 29 可撓薄膜 43 走査電極 45 電源 169 拡散板 161 表示素子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Planar light source 2 LED chip 3 Back substrate 4 Micro lens array 5 Front substrate 6 Collimated light 7 R light LED chip 8 G light LED chip 9 B light LED chip 10 Light guide plate 11 Half mirror 12 Reflected light 13 Light modulation element 14 Diffusion element 15 Pinhole 16 Phosphor 23 Signal electrode 29 Flexible thin film 43 Scanning electrode 45 Power supply 169 Diffusion plate 161 Display element

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G02F 1/13357 H01L 33/00 L H01L 33/00 G02F 1/1335 530 Fターム(参考) 2H042 CA06 CA14 CA17 DB01 DD04 DD08 DE04 2H091 FA14Z FA23Z FA29Z FA31X FA44Z FA45Z LA15 LA30 2H093 NA65 ND17 5F041 DA57 DA82 DB08 EE17 EE23 FF06 5G435 AA02 BB01 FF03 FF06 GG02 GG09 GG12 GG23 HH02 HH06──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G02F 1/13357 H01L 33/00 L H01L 33/00 G02F 1/1335 530 F-term (Reference) 2H042 CA06 CA14 CA17 DB01 DD04 DD08 DE04 2H091 FA14Z FA23Z FA29Z FA31X FA44Z FA45Z LA15 LA30 2H093 NA65 ND17 5F041 DA57 DA82 DB08 EE17 EE23 FF06 5G435 AA02 BB01 FF03 FF06 GG02 GG09 GG12 GG23 HH02 HH06

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 平面上に点在する複数の発光素子と、該
発光素子の出射光に対応させて配置される光学素子とを
有し、該光学素子を透過した光が平面に対して略垂直に
出射することを特徴とする平面光源。
1. A light emitting device comprising: a plurality of light emitting elements scattered on a plane; and an optical element arranged corresponding to light emitted from the light emitting element. A planar light source that emits light vertically.
【請求項2】 請求項1記載の平面光源と、該平面光源
の出射光側に入射側を向け該平面光源からの入射光を略
垂直に偏向させる手段と、からなることを特徴とする平
面光源装置。
2. A flat surface light source, comprising: the flat light source according to claim 1; and means for directing an incident side to an outgoing light side of the flat light source to deflect incident light from the flat light source substantially vertically. Light source device.
【請求項3】 請求項1記載の平面光源または請求項2
記載の平面光源装置と、光変調素子と、拡散手段と、か
らなることを特徴とする表示素子。
3. The flat light source according to claim 1 or claim 2.
A display element, comprising: the flat light source device according to any one of the preceding claims, a light modulation element, and a diffusion unit.
【請求項4】 請求項3記載の表示素子において、前記
平面光源または平面光源装置から出射される色を1フィ
ールド期間内で時間シーケンシャルに切り替え、これに
同期して前記光変調素子を駆動することを特徴とする表
示素子。
4. The display device according to claim 3, wherein the color emitted from the flat light source or the flat light source device is switched in a time sequential manner within one field period, and the light modulation element is driven in synchronization with the time. A display element characterized by the above-mentioned.
【請求項5】 請求項1記載の平面光源または請求項2
記載の平面光源装置と、光変調素子と、拡散手段と、カ
ラーフィルタと、からなることを特徴とする表示素子。
5. The flat light source according to claim 1 or claim 2.
A display element, comprising: the planar light source device described above; a light modulation element; a diffusion unit; and a color filter.
【請求項6】 請求項1記載の平面光源または請求項2
記載の平面光源装置と、光変調素子と、蛍光体と、から
なり、該蛍光体は該平面光源または該平面光源装置から
出射される光により励起発光することを特徴とする表示
素子。
6. A flat light source according to claim 1 or claim 2.
A display element comprising: the planar light source device described above; a light modulation element; and a phosphor, wherein the phosphor emits and emits light by the planar light source or light emitted from the planar light source device.
【請求項7】 前記平面光源又は平面光源装置は、UV
光を出射することを特徴とする請求項5記載の表示素
子。
7. The flat light source or the flat light source device may be a UV light source.
The display device according to claim 5, wherein the display device emits light.
【請求項8】 前記光変調素子は、液晶素子又は電気機
械動作による光変調素子であることを特徴とする請求項
3〜6のいずれか1項記載の表示素子。
8. The display device according to claim 3, wherein the light modulation device is a liquid crystal device or a light modulation device operated by electromechanical operation.
【請求項9】 前記光学素子はマイクロレンズアレイで
あることを特徴とする請求項1又は2記載の平面光源。
9. The flat light source according to claim 1, wherein the optical element is a microlens array.
【請求項10】 前記光学素子はミラーレンズアレイで
あることを特徴とする請求項1又は2記載の平面光源。
10. The flat light source according to claim 1, wherein the optical element is a mirror lens array.
【請求項11】 前記発光素子は独立出力可能な複数の
色からなることを特徴とする請求項1記載の平面光源。
11. The flat light source according to claim 1, wherein the light emitting elements are made of a plurality of colors that can be output independently.
【請求項12】 前記発光素子はLEDであることを特
徴とする請求項1記載の平面光源。
12. The flat light source according to claim 1, wherein the light emitting element is an LED.
【請求項13】 前記発光素子は有機または無機ELで
あることを特徴とする請求項1記載の平面光源。
13. The flat light source according to claim 1, wherein the light emitting element is an organic or inorganic EL.
【請求項14】 前記発光素子はFEDであることを特
徴とする請求項1記載の平面光源。
14. The flat light source according to claim 1, wherein the light emitting element is an FED.
JP2000234689A 2000-08-02 2000-08-02 Plane light source and display element using the same Pending JP2002049326A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000234689A JP2002049326A (en) 2000-08-02 2000-08-02 Plane light source and display element using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000234689A JP2002049326A (en) 2000-08-02 2000-08-02 Plane light source and display element using the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002049326A true JP2002049326A (en) 2002-02-15

Family

ID=18727024

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000234689A Pending JP2002049326A (en) 2000-08-02 2000-08-02 Plane light source and display element using the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002049326A (en)

Cited By (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003280094A (en) * 2002-03-22 2003-10-02 Ricoh Co Ltd Lighting device
JP2004342781A (en) * 2003-05-14 2004-12-02 Nichia Chem Ind Ltd Light emitting device and display unit
JP2005274933A (en) * 2004-03-24 2005-10-06 Seiko Epson Corp Light source device and projector
JP2006059543A (en) * 2004-08-17 2006-03-02 Mitsubishi Rayon Co Ltd El device
JP2006083008A (en) * 2004-09-15 2006-03-30 Ams:Kk Method of producing glass cap of organic el device
JP2006184678A (en) * 2004-12-28 2006-07-13 Seiko Epson Corp Microlens array, electrooptical device, and manufacturing method of microlens array
JP2006318807A (en) * 2005-05-13 2006-11-24 Hitachi Ltd Illumination device and manufacturing method of the same
JP2006349796A (en) * 2005-06-14 2006-12-28 Sony Corp Planar light source device and liquid crystal display assembly
WO2007018212A1 (en) 2005-08-08 2007-02-15 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Glass substrate with light directivity and illuminator employing the same
JP2007059381A (en) * 2005-08-23 2007-03-08 Chunghwa Picture Tubes Ltd Organic electroluminescence element
KR100705702B1 (en) 2005-10-24 2007-04-09 주식회사 나모텍 Color mixture lens for display and backlight unit having a thereof
CN1318898C (en) * 2003-04-11 2007-05-30 Nec液晶技术株式会社 Luminous device and method of reducing fluorescent tube image of luminous device
JP2007157690A (en) * 2005-11-14 2007-06-21 Nec Lighting Ltd Led lamp
JP2007516469A (en) * 2003-11-18 2007-06-21 マーリン テクノロジー リミテッド ライアビリティ カンパニー Variable optical arrangement and variable manufacturing method
KR100769038B1 (en) * 2006-05-25 2007-10-22 주식회사 현원 Method for manufacturing backlight unit
WO2007118365A1 (en) * 2006-04-19 2007-10-25 Topson Optoelectronics Semi Co Lcd back light module structure
WO2008001241A2 (en) 2006-06-14 2008-01-03 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Structured oled with micro optics for generating directed light
US7348723B2 (en) 2004-09-27 2008-03-25 Enplas Corporation Emission device, surface light source device, display and light flux control member
JP2008130422A (en) * 2006-11-22 2008-06-05 Sharp Corp Lighting system and liquid crystal display device provided with same
US7445370B2 (en) 2004-07-16 2008-11-04 Enplas Corporation Surface light source device, illumination unit and light flux control member
JP2009010360A (en) * 2007-05-31 2009-01-15 Toshiba Lighting & Technology Corp Lighting device
JP2009015319A (en) * 2007-06-12 2009-01-22 Schott Ag Device for coupling light into fiber-optic optical waveguide
WO2009011153A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-22 Mitsubishi Electric Corporation Image-scanning device
WO2009041466A1 (en) * 2007-09-27 2009-04-02 Tokyo Electron Limited Annealing apparatus
JP2009099925A (en) * 2007-09-27 2009-05-07 Tokyo Electron Ltd Annealing apparatus
EP2058679A2 (en) 2007-11-07 2009-05-13 Enplas Corporation Emission device, surface light source device and display
JP2009223250A (en) * 2008-03-19 2009-10-01 Nikon Corp Method for manufacturing optical element array, optical element array, and optical system
JP2009238963A (en) * 2008-03-26 2009-10-15 Kyocera Corp Light-emitting diode chip and manufacturing method thereof
JP2009238964A (en) * 2008-03-26 2009-10-15 Kyocera Corp Light-emitting diode chip and manufacturing method thereof
US7607799B2 (en) 2005-10-18 2009-10-27 Enplas Corporation Illumination device and illumination unit
JP2009266429A (en) * 2008-04-22 2009-11-12 Nippon Zeon Co Ltd Organic electroluminescence light source device
WO2010035678A1 (en) * 2008-09-25 2010-04-01 ソニー株式会社 Optical part manufacturing method, optical part, display device manufacturing method, and display device
JP2010118358A (en) * 2002-02-27 2010-05-27 Thomson Licensing Electroluminescent panel equipped with light extraction elements
US7736019B2 (en) 2006-10-10 2010-06-15 Yanchers Corporation Lighting system
JP2010139754A (en) * 2008-12-11 2010-06-24 Toppan Printing Co Ltd Light diffusion device, back light unit, and display device
JP2010146953A (en) * 2008-12-22 2010-07-01 Panasonic Electric Works Co Ltd Organic el light-emitting device
JP2010205698A (en) * 2009-03-06 2010-09-16 Seiko Epson Corp Lighting device, electrooptic device having the same, and electronic equipment
JP2010253882A (en) * 2009-04-28 2010-11-11 Konica Minolta Opto Inc Image forming apparatus and lens array
US7866844B2 (en) 2008-03-05 2011-01-11 Enplas Corporation Emission device, surface light source device and display
JP2011013590A (en) * 2009-07-06 2011-01-20 Nikon Corp Illumination optical system and projector device using the illumination optical system
JP2011054407A (en) * 2009-09-01 2011-03-17 Panasonic Electric Works Co Ltd Organic luminescent element
US7948678B1 (en) 2010-02-06 2011-05-24 Merlin Technologies, Llc Four-region catadioptric tile
JP2011112737A (en) * 2009-11-25 2011-06-09 Oki Data Corp Display panel, manufacturing method thereof and display apparatus
CN102128391A (en) * 2010-01-18 2011-07-20 Lg伊诺特有限公司 Lighting unit and display device having the same
KR101055037B1 (en) * 2010-01-18 2011-08-05 엘지이노텍 주식회사 Light unit and display device having same
KR101081073B1 (en) * 2010-03-25 2011-11-07 엘지이노텍 주식회사 Light unit and display apparatus having thereof
WO2011091963A3 (en) * 2010-02-01 2011-11-24 Giesecke & Devrient Gmbh Illumination device and sensor for checking valuable documents
CN101839440B (en) * 2009-03-19 2011-12-28 胜华科技股份有限公司 diffusion component and light source module
US8210714B2 (en) 2008-08-28 2012-07-03 Industrial Technology Research Institute Illuminant module with optical film of multiple curvatures
US8222804B2 (en) * 2008-11-17 2012-07-17 Global Oled Technology, Llc. Tiled OLED device with edge light extraction
US8227969B2 (en) 2009-04-27 2012-07-24 Enplas Corporation Light emitting apparatus, surface light source apparatus and display apparatus
JP2012178576A (en) * 2005-09-21 2012-09-13 Tokyo Electron Ltd Heat treatment device and storage medium
JP2012524368A (en) * 2009-04-17 2012-10-11 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Transparent organic light-emitting device with high brightness
US8294992B2 (en) 2003-11-18 2012-10-23 Merlin Technologies, Inc. Projection-receiving surface
EP2538681A2 (en) 2011-06-24 2012-12-26 Casio Computer Co., Ltd. Light source device and projector
US8585254B2 (en) 2008-02-15 2013-11-19 Sony Corporation Lens, light source unit, backlight apparatus, and display apparatus
JPWO2012144448A1 (en) * 2011-04-22 2014-07-28 シャープ株式会社 Lens and light source unit
JP2015011799A (en) * 2013-06-27 2015-01-19 コニカミノルタ株式会社 Light emitting unit and electronic apparatus
US9264572B2 (en) 2011-10-25 2016-02-16 Mitsubishi Electric Corporation Image reading device
US9488814B2 (en) 2013-05-01 2016-11-08 Hae Woon JEONG Optical lens
JP2017050356A (en) * 2015-08-31 2017-03-09 シチズン電子株式会社 Manufacturing method for light-emitting device
JP2017050108A (en) * 2015-08-31 2017-03-09 シチズン電子株式会社 Light emitting device
WO2017131185A1 (en) * 2016-01-27 2017-08-03 京セラ株式会社 Head-up display device for vehicle
US9755115B2 (en) 2007-03-15 2017-09-05 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device and method for manufacturing the same
US9810943B2 (en) 2008-01-08 2017-11-07 Dolby Laboratories Licensing Corporation Parallax reduction
CN108780830A (en) * 2016-03-16 2018-11-09 亮锐控股有限公司 The method for manufacturing LED module
CN110164329A (en) * 2019-03-31 2019-08-23 湖南凯星电子科技有限公司 A kind of light diffusing sheet
US10663745B2 (en) 2016-06-09 2020-05-26 3M Innovative Properties Company Optical system
US10891881B2 (en) 2012-07-30 2021-01-12 Ultravision Technologies, Llc Lighting assembly with LEDs and optical elements

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07294914A (en) * 1994-04-21 1995-11-10 Kyocera Corp Back light for liquid crystal
JPH08211361A (en) * 1995-02-06 1996-08-20 Casio Electron Mfg Co Ltd Transmission type display device
JPH11167026A (en) * 1997-12-04 1999-06-22 Victor Co Of Japan Ltd Polarized beam splitter and polrized light converting device
JPH11266035A (en) * 1998-03-17 1999-09-28 Sanyo Electric Co Ltd Light source device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07294914A (en) * 1994-04-21 1995-11-10 Kyocera Corp Back light for liquid crystal
JPH08211361A (en) * 1995-02-06 1996-08-20 Casio Electron Mfg Co Ltd Transmission type display device
JPH11167026A (en) * 1997-12-04 1999-06-22 Victor Co Of Japan Ltd Polarized beam splitter and polrized light converting device
JPH11266035A (en) * 1998-03-17 1999-09-28 Sanyo Electric Co Ltd Light source device

Cited By (100)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010118358A (en) * 2002-02-27 2010-05-27 Thomson Licensing Electroluminescent panel equipped with light extraction elements
JP2003280094A (en) * 2002-03-22 2003-10-02 Ricoh Co Ltd Lighting device
CN1318898C (en) * 2003-04-11 2007-05-30 Nec液晶技术株式会社 Luminous device and method of reducing fluorescent tube image of luminous device
JP2004342781A (en) * 2003-05-14 2004-12-02 Nichia Chem Ind Ltd Light emitting device and display unit
US8294992B2 (en) 2003-11-18 2012-10-23 Merlin Technologies, Inc. Projection-receiving surface
JP2007516469A (en) * 2003-11-18 2007-06-21 マーリン テクノロジー リミテッド ライアビリティ カンパニー Variable optical arrangement and variable manufacturing method
JP2005274933A (en) * 2004-03-24 2005-10-06 Seiko Epson Corp Light source device and projector
US7445370B2 (en) 2004-07-16 2008-11-04 Enplas Corporation Surface light source device, illumination unit and light flux control member
EP2264487A2 (en) 2004-07-16 2010-12-22 Enplas Corporation Surface light source device.
JP2006059543A (en) * 2004-08-17 2006-03-02 Mitsubishi Rayon Co Ltd El device
JP2006083008A (en) * 2004-09-15 2006-03-30 Ams:Kk Method of producing glass cap of organic el device
JP4600881B2 (en) * 2004-09-15 2010-12-22 東北デバイス株式会社 Manufacturing method of glass caps for organic EL devices
USRE47891E1 (en) 2004-09-27 2020-03-03 Enplas Corporation Emission device, surface light source device, display and light flux control member
EP3285306A1 (en) 2004-09-27 2018-02-21 Enplas Corporation Emission device, surface light source device, display and light flux control member
US7348723B2 (en) 2004-09-27 2008-03-25 Enplas Corporation Emission device, surface light source device, display and light flux control member
EP2461381A2 (en) 2004-09-27 2012-06-06 Enplas Corporation Emission device with light source and light flux control member
TWI503604B (en) * 2004-09-27 2015-10-11 恩普拉斯股份有限公司 Illumination device, surface light source device, display device and light beam control member
JP2006184678A (en) * 2004-12-28 2006-07-13 Seiko Epson Corp Microlens array, electrooptical device, and manufacturing method of microlens array
JP2006318807A (en) * 2005-05-13 2006-11-24 Hitachi Ltd Illumination device and manufacturing method of the same
JP2006349796A (en) * 2005-06-14 2006-12-28 Sony Corp Planar light source device and liquid crystal display assembly
JP2007045649A (en) * 2005-08-08 2007-02-22 National Institute Of Advanced Industrial & Technology Light-directing glass substrate and illumination instrument using the same
WO2007018212A1 (en) 2005-08-08 2007-02-15 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Glass substrate with light directivity and illuminator employing the same
JP2007059381A (en) * 2005-08-23 2007-03-08 Chunghwa Picture Tubes Ltd Organic electroluminescence element
JP2012178576A (en) * 2005-09-21 2012-09-13 Tokyo Electron Ltd Heat treatment device and storage medium
US7607799B2 (en) 2005-10-18 2009-10-27 Enplas Corporation Illumination device and illumination unit
KR100705702B1 (en) 2005-10-24 2007-04-09 주식회사 나모텍 Color mixture lens for display and backlight unit having a thereof
JP2007157690A (en) * 2005-11-14 2007-06-21 Nec Lighting Ltd Led lamp
WO2007118365A1 (en) * 2006-04-19 2007-10-25 Topson Optoelectronics Semi Co Lcd back light module structure
KR100769038B1 (en) * 2006-05-25 2007-10-22 주식회사 현원 Method for manufacturing backlight unit
EP2033243A2 (en) * 2006-06-14 2009-03-11 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Structured oled with micro optics for generating directed light
TWI471055B (en) * 2006-06-14 2015-01-21 Koninkl Philips Electronics Nv Structure oled with micro optics for generating directed light
WO2008001241A2 (en) 2006-06-14 2008-01-03 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Structured oled with micro optics for generating directed light
JP2009540519A (en) * 2006-06-14 2009-11-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Structured OLED with micro-optical elements that generate directed light
US7736019B2 (en) 2006-10-10 2010-06-15 Yanchers Corporation Lighting system
JP2008130422A (en) * 2006-11-22 2008-06-05 Sharp Corp Lighting system and liquid crystal display device provided with same
US9755115B2 (en) 2007-03-15 2017-09-05 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device and method for manufacturing the same
US9966504B2 (en) 2007-03-15 2018-05-08 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device and method for manufacturing the same
JP2009010360A (en) * 2007-05-31 2009-01-15 Toshiba Lighting & Technology Corp Lighting device
JP2009015319A (en) * 2007-06-12 2009-01-22 Schott Ag Device for coupling light into fiber-optic optical waveguide
JP2012235538A (en) * 2007-07-13 2012-11-29 Mitsubishi Electric Corp Image-scanning device
WO2009011153A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-22 Mitsubishi Electric Corporation Image-scanning device
JPWO2009011153A1 (en) * 2007-07-13 2010-09-16 三菱電機株式会社 Image reading device
US8482813B2 (en) 2007-07-13 2013-07-09 Mitsubishi Electric Corporation Image-scanning device
US8440939B2 (en) 2007-09-27 2013-05-14 Tokyo Electron Limited Annealing device
CN102254906A (en) * 2007-09-27 2011-11-23 东京毅力科创株式会社 Led array
WO2009041466A1 (en) * 2007-09-27 2009-04-02 Tokyo Electron Limited Annealing apparatus
JP2009099925A (en) * 2007-09-27 2009-05-07 Tokyo Electron Ltd Annealing apparatus
US8251547B2 (en) 2007-11-07 2012-08-28 Enplas Corporation Emission device, surface light source device and display
EP2058679A2 (en) 2007-11-07 2009-05-13 Enplas Corporation Emission device, surface light source device and display
US9810943B2 (en) 2008-01-08 2017-11-07 Dolby Laboratories Licensing Corporation Parallax reduction
US11460731B2 (en) 2008-02-15 2022-10-04 Saturn Licensing Llc Lens, light source unit, backlight apparatus, and display apparatus
US8585254B2 (en) 2008-02-15 2013-11-19 Sony Corporation Lens, light source unit, backlight apparatus, and display apparatus
US7866844B2 (en) 2008-03-05 2011-01-11 Enplas Corporation Emission device, surface light source device and display
JP2009223250A (en) * 2008-03-19 2009-10-01 Nikon Corp Method for manufacturing optical element array, optical element array, and optical system
JP2009238964A (en) * 2008-03-26 2009-10-15 Kyocera Corp Light-emitting diode chip and manufacturing method thereof
JP2009238963A (en) * 2008-03-26 2009-10-15 Kyocera Corp Light-emitting diode chip and manufacturing method thereof
JP2009266429A (en) * 2008-04-22 2009-11-12 Nippon Zeon Co Ltd Organic electroluminescence light source device
US8210714B2 (en) 2008-08-28 2012-07-03 Industrial Technology Research Institute Illuminant module with optical film of multiple curvatures
WO2010035678A1 (en) * 2008-09-25 2010-04-01 ソニー株式会社 Optical part manufacturing method, optical part, display device manufacturing method, and display device
US8551804B2 (en) 2008-09-25 2013-10-08 Sony Corporation Method of manufacturing optical component, optical component, method of manufacturing display device, and display device
US8222804B2 (en) * 2008-11-17 2012-07-17 Global Oled Technology, Llc. Tiled OLED device with edge light extraction
JP2010139754A (en) * 2008-12-11 2010-06-24 Toppan Printing Co Ltd Light diffusion device, back light unit, and display device
JP2010146953A (en) * 2008-12-22 2010-07-01 Panasonic Electric Works Co Ltd Organic el light-emitting device
JP2010205698A (en) * 2009-03-06 2010-09-16 Seiko Epson Corp Lighting device, electrooptic device having the same, and electronic equipment
CN101839440B (en) * 2009-03-19 2011-12-28 胜华科技股份有限公司 diffusion component and light source module
JP2012524368A (en) * 2009-04-17 2012-10-11 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Transparent organic light-emitting device with high brightness
US9752750B2 (en) 2009-04-27 2017-09-05 Enplas Corporation Method of manufacturing light flux controlling member
US8487526B2 (en) * 2009-04-27 2013-07-16 Enplas Corporation Light emitting apparatus, surface light source apparatus and display apparatus
US20120235554A1 (en) * 2009-04-27 2012-09-20 Masao Yamaguchi Light emitting apparatus, surface light source apparatus and display apparatus
US9546773B2 (en) 2009-04-27 2017-01-17 Enplas Corporation Surface light source apparatus
US9347643B2 (en) 2009-04-27 2016-05-24 Enplas Corporation Light flux controlling apparatus
US8227969B2 (en) 2009-04-27 2012-07-24 Enplas Corporation Light emitting apparatus, surface light source apparatus and display apparatus
JP2010253882A (en) * 2009-04-28 2010-11-11 Konica Minolta Opto Inc Image forming apparatus and lens array
JP2011013590A (en) * 2009-07-06 2011-01-20 Nikon Corp Illumination optical system and projector device using the illumination optical system
JP2011054407A (en) * 2009-09-01 2011-03-17 Panasonic Electric Works Co Ltd Organic luminescent element
JP2011112737A (en) * 2009-11-25 2011-06-09 Oki Data Corp Display panel, manufacturing method thereof and display apparatus
KR101055037B1 (en) * 2010-01-18 2011-08-05 엘지이노텍 주식회사 Light unit and display device having same
CN102128391A (en) * 2010-01-18 2011-07-20 Lg伊诺特有限公司 Lighting unit and display device having the same
US9223173B2 (en) 2010-01-18 2015-12-29 Lg Innotek Co., Ltd. Lighting unit and display device having the same
US8568012B2 (en) 2010-01-18 2013-10-29 Lg Innotek Co., Ltd. Lighting unit and display device having the same
WO2011091963A3 (en) * 2010-02-01 2011-11-24 Giesecke & Devrient Gmbh Illumination device and sensor for checking valuable documents
US7948678B1 (en) 2010-02-06 2011-05-24 Merlin Technologies, Llc Four-region catadioptric tile
KR101081073B1 (en) * 2010-03-25 2011-11-07 엘지이노텍 주식회사 Light unit and display apparatus having thereof
JPWO2012144448A1 (en) * 2011-04-22 2014-07-28 シャープ株式会社 Lens and light source unit
JP5792292B2 (en) * 2011-04-22 2015-10-07 シャープ株式会社 Lens and light source unit
US9347644B2 (en) 2011-04-22 2016-05-24 Sharp Kabushiki Kaisha Lens and light source unit
US8702241B2 (en) 2011-06-24 2014-04-22 Casio Computer Co., Ltd. Light source device and projector
EP2538681A2 (en) 2011-06-24 2012-12-26 Casio Computer Co., Ltd. Light source device and projector
US9264572B2 (en) 2011-10-25 2016-02-16 Mitsubishi Electric Corporation Image reading device
US10891881B2 (en) 2012-07-30 2021-01-12 Ultravision Technologies, Llc Lighting assembly with LEDs and optical elements
US9488814B2 (en) 2013-05-01 2016-11-08 Hae Woon JEONG Optical lens
JP2015011799A (en) * 2013-06-27 2015-01-19 コニカミノルタ株式会社 Light emitting unit and electronic apparatus
JP2017050108A (en) * 2015-08-31 2017-03-09 シチズン電子株式会社 Light emitting device
JP2017050356A (en) * 2015-08-31 2017-03-09 シチズン電子株式会社 Manufacturing method for light-emitting device
WO2017131185A1 (en) * 2016-01-27 2017-08-03 京セラ株式会社 Head-up display device for vehicle
JPWO2017131185A1 (en) * 2016-01-27 2018-10-25 京セラ株式会社 Head-up display device for vehicle
CN108780830A (en) * 2016-03-16 2018-11-09 亮锐控股有限公司 The method for manufacturing LED module
CN108780830B (en) * 2016-03-16 2020-03-31 亮锐控股有限公司 Method for producing an LED module
US10663745B2 (en) 2016-06-09 2020-05-26 3M Innovative Properties Company Optical system
CN110164329A (en) * 2019-03-31 2019-08-23 湖南凯星电子科技有限公司 A kind of light diffusing sheet

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002049326A (en) Plane light source and display element using the same
US7834953B2 (en) Light unit, liquid crystal display having the same, and method of manufacturing the same
TWI412832B (en) Color liquid crystal display device assembly
CN100508007C (en) Device and method for driving liquid crystal display device
US7719016B2 (en) Light-emitting diode device and backlight apparatus and liquid-crystal display apparatus using light-emitting diode device
US6791636B2 (en) Backlight for a color LCD
TW556026B (en) Blue backlight and phosphor layer for a color LCD
JP4867372B2 (en) Planar light source device and liquid crystal display device assembly
US20110069369A1 (en) Display device
JP2004212673A (en) Planar display device and its driving method
US8339426B2 (en) Illuminator and display having same
KR20130024630A (en) Optical member and display device
KR20100087024A (en) Laser illuminated backlight for flat panel displays
WO2016026181A1 (en) Colour liquid crystal display module structure and backlight module thereof
KR20120056001A (en) Backlight unit and liquid crystal display device
TWI591405B (en) Photoluminescent display device and method for manufacturing the same
CN107450218B (en) Photoluminescent display device and method of manufacturing the same
WO2016074267A1 (en) Backlight module and liquid crystal display device
TW394916B (en) Color Display Device
KR20120075317A (en) Display apparatus
KR20200028574A (en) Display module, display apparatus including the same and method of manufacturing display module
KR20160128257A (en) Optical member and display device
JP5294667B2 (en) Liquid crystal display
JP4395131B2 (en) Backlight unit and liquid crystal display device including the same
US20160377788A1 (en) Backlight module and liquid crystal display device using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070720

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20070720

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20071108

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20071115

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20071122

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100622

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20101019