JPS60125828A - Optical modulating method - Google Patents

Optical modulating method

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JPS60125828A
JPS60125828A JP58233656A JP23365683A JPS60125828A JP S60125828 A JPS60125828 A JP S60125828A JP 58233656 A JP58233656 A JP 58233656A JP 23365683 A JP23365683 A JP 23365683A JP S60125828 A JPS60125828 A JP S60125828A
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film
monomolecular
heating
light
layer
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JP58233656A
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Japanese (ja)
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Yukio Nishimura
征生 西村
Masahiro Haruta
春田 昌宏
Yutaka Hirai
裕 平井
Kunihiro Sakai
酒井 邦裕
Hiroshi Matsuda
宏 松田
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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    • G02OPTICS
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    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/0147Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on thermo-optic effects

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Abstract

PURPOSE:To obtain an excellent optical modulator having high resolution and excellent drivability, productivity, durability and reliability by heating the monomolecular film or the cumulative film of the monomolecular layer consisting of a prescribed org. compd. by a means for generating heat according to an input signal thereby changing the refractive index distribution. CONSTITUTION:A display element DE consists of a base plate 1, a heating element 2, a monomolecular film or cumulative film of the monomolecular layers consisting of org. compd. molecules having a hydrophobic part and a hydrophilic part and a base plate 4 for protection. The prescribed position of the element 2 is heated by the input signal conforming to the certain pattern for the purpose of forming an image to generate a change in the refractive inde in the heated part 5. When parallel illuminating light 7 is projected from the base plate 1 side, the optical path changes and the prescribed display is obtd. The display device having high resolution and excellent drivability, productivity, durability and reliability is thus obtd.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規な光変調方法、更に詳しくは、光変調装置
、表示装置、記録装置および記憶装置等に利用する光学
素子に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a novel light modulation method, and more particularly to an optical element used in a light modulation device, a display device, a recording device, a storage device, etc.

現在、各種の事務用機器や計測用機器に於ける端末表示
器、或は、テレビやビデオカメラ用モニターに於ける表
示器として、陰極線管(所謂、CRT)が広く利用され
ている。しかし、このCRTに就いては、画質、解像度
、表示容量の面で銀堪若しくは電子写真法を用いたハー
ドコピー程度のレベルに達していないと言う不満が残さ
れている。又、CRTに代わるものとして、液晶により
ドツトマトリックス表示する所謂、液晶パネルの実用化
の試みも試されているが、この液晶パネルに就いても、
駆動性、信頼性、生産性、耐久性の面で未だ満足できる
ものは得られていない。
Currently, cathode ray tubes (so-called CRTs) are widely used as terminal displays in various office equipment and measuring instruments, or as displays in televisions and video camera monitors. However, there are still complaints about CRTs that they do not reach the level of hard copies made using silver printing or electrophotography in terms of image quality, resolution, and display capacity. In addition, as an alternative to CRT, attempts are being made to put so-called liquid crystal panels into practical use that display dot matrix images using liquid crystals.
Nothing satisfactory has yet been achieved in terms of driveability, reliability, productivity, and durability.

そこで、本発明は、斯かる技術分野に於ける従来技術の
解決し得なかった課題を解決することを目的とする。
Therefore, an object of the present invention is to solve the problems that could not be solved by the conventional techniques in this technical field.

つまり、本発明の目的は、光変調装置や高解像度で良質
の画像を表示する、駆動性、生産性、耐久性、信頼性に
優れた表示装置、記録装置、記憶装置等に利用する光変
調方法を提供することを目的とする。
In other words, it is an object of the present invention to provide light modulation for use in light modulation devices, display devices, recording devices, storage devices, etc. that display high-resolution, high-quality images and have excellent drive performance, productivity, durability, and reliability. The purpose is to provide a method.

本発明の光変調方法は、入力信号に応じて熱を発生する
手段により疎水部分と親木部分とを有する有機化合物分
子よりなる単分子膜又は単分子層累積膜を加熱し、その
屈折率分布を変化せしめ、入射光束の波面を変形するこ
とを特徴とする。
The light modulation method of the present invention heats a monomolecular film or a monomolecular layer cumulative film made of organic compound molecules having a hydrophobic part and a parent part by means of generating heat in accordance with an input signal, and the refractive index distribution thereof is It is characterized by changing the wavefront of the incident light beam.

以下に本発明に係る光変調方法を利用する表示素子の例
を図面に従って説明する。第iBは木発IJllに係る
光変調方法を利用する表示素子の断面図であり、第1図
(A)は透過型の表示素子DEを、また第1図(B)は
反射型の表示素子DEを夫々示している。lは基板、2
は発熱要素、3は単分子膜または単分子層累積膜、4は
保護用基板である。
Examples of display elements using the light modulation method according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. iB is a cross-sectional view of a display element using the light modulation method according to Kihatsu IJll, FIG. 1(A) is a transmissive display element DE, and FIG. 1(B) is a reflective display element. DE is shown respectively. l is the substrate, 2
3 is a heating element, 3 is a monomolecular film or a monomolecular layer stack, and 4 is a protective substrate.

第tlffi(A)の透過型の表示素子の作像原理は、
次のとおりである。
The imaging principle of the transmissive display element of the tlffi (A) is as follows:
It is as follows.

作像のためにあるパターンに従い、発熱要素2の所望す
る位置を加熱し、加熱された発熱要素素2」二の単分子
膜又は単分子層累積膜3の加熱部5において物性変化を
生せしめる。この表示素子の基板1側から平行光である
照明光7を入射させると、加熱部5以外の部分を通過す
る光と、加熱部6を通過する光とでは屈折率等が異なり
、光路が変化する。この変化を直接、間接にとらえ表示
する。
A desired position of the heating element 2 is heated according to a certain pattern for image formation, and physical property changes are caused in the heated portion 5 of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3 of the heated heating element 2. . When illumination light 7, which is parallel light, is incident from the substrate 1 side of this display element, the refractive index etc. of the light passing through the parts other than the heating section 5 and the light passing through the heating section 6 are different, and the optical path changes. do. Capture and display this change directly or indirectly.

第1図ζB)の反射型の表示素子においては、照射光7
を透過型とは逆に保護用基板4側から入射し、単分子膜
又は単分子層累積膜3より基板1側に設けである不図示
の反射膜によって反射せしめ、加熱部5と加熱部5以外
の部において反射される反射光の光路の変化をとらえ表
示する。
In the reflective display element shown in FIG. 1 ζB), the irradiation light 7
Contrary to the transmission type, the light enters from the protective substrate 4 side and is reflected by a reflection film (not shown) provided on the substrate 1 side from the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3, and the heating part 5 and the heating part 5 Changes in the optical path of reflected light reflected at other parts are captured and displayed.

本発明の光学素子の単分子膜または単分子層累積膜の構
成分子としては、分子内に疎水部分と親木部分を有する
有機化合物であれば広く用いることかできる。
As the constituent molecules of the monomolecular film or monomolecular layer stack of the optical element of the present invention, a wide variety of organic compounds can be used as long as they have a hydrophobic part and a parent part in the molecule.

このような有機化合物としては、以下のものが例示され
る。
Examples of such organic compounds include the following.

(1)高級脂肪醇 CH3(CI−12)14 C00H CH3(CH2)16 C00H CH3(CH2)18 C00H CH3(CH2)4 (CH=CHCH2)4(CH2
)2 C00HCH2= 0H(Cth)e C00H
CH2=務用CH((J12) + s C00)lC
H2= DH(CH2)2゜C0DHCH3(CH2)
 :□7CC00H 1) 、CH2 CH3(CH2)8 C:= C−C= C(CH2)
8 C00HCH3(CH2)9 CミC−CヨCCC
H2)a C00HCH3(CH2)l 、G E C
J:ミC(CH2)8 C00HCH3(C:)12)
+3CヨC−CミG(CH2)8 C00H(2)シア
ニン色素 一般式 ■ X(CH= 08毛−X′ (式中XはIIまたはmの基であり、X′は■〜Xの基
であり、nはOまたは正の整数である)で示されるシア
ニン色素。
(1) Higher fat sauce CH3 (CI-12)14 C00H CH3(CH2)16 C00H CH3(CH2)18 C00H CH3(CH2)4 (CH=CHCH2)4(CH2
)2 C00HCH2= 0H(Cth)e C00H
CH2 = Office CH ((J12) + s C00) lC
H2= DH(CH2)2゜C0DHCH3(CH2)
:□7CC00H 1) , CH2 CH3(CH2)8 C:= C-C= C(CH2)
8 C00HCH3(CH2)9 C Mi C-C Yo CCC
H2) a C00HCH3(CH2)l , G E C
J:MiC(CH2)8 C00HCH3(C:)12)
+3CyoC-CmiG(CH2)8 C00H(2) Cyanine dye general formula ■X(CH= 08hair-X' (in the formula, X is II or m group, and n is O or a positive integer).

(II) (Ill) (M (V) 因 (3) II カラX (7)式中、ZはN−R,、O,S e
、C(Me)2であり、YはH又は2−M eであり、
R,はC1〜4のアルキル基であり、R2はCIO〜3
oのアルキル基である。
(II) (Ill) (M (V) Factor (3) II Color X (7) In the formula, Z is NR,, O, Se
, C(Me)2, Y is H or 2-Me,
R, is a C1-4 alkyl group, and R2 is CIO-3
o is an alkyl group.

一般式Tで示されるシアニン色素の具体例を以下に例示
する。
Specific examples of the cyanine dye represented by the general formula T are illustrated below.

(3)アゾ色素 (R,はC1o〜3oのアルキル基であるり(4)リン
脂質 レシチン スフィンゴミエリン プラスマロゲン ケファリン (5)長鎖シアルキリアンモニウム塩 (mは、。〜3゜の整数) 前記有機化合物を用いて単分子膜または単分子層累積膜
を作成する方法としては、例えば、工。
(3) Azo dye (R is an alkyl group of C1o to 3o) (4) Phospholipid lecithin sphingomyelin plasmamalogen kephalin (5) Long chain sialkyl ammonium salt (m is an integer of .~3°) ) Methods for creating a monomolecular film or a monomolecular layer stack using the organic compound include, for example.

Langmu i rらの開発したラングミュア・ブロ
ジェ。
Langmuir Bloget developed by Langmuir et al.

1・法(La法)を用いる。ラングミュア・ブロジェ・
シト法は、分子内に親木基と疎水基を有する構造の分子
において、両者のバランス(両親媒性のバランス)が適
度に保たれているとき、分子は水面上で親木基を下に向
けて単分子の層になることを利用して単分子膜または中
分子層の累積膜を作成する方法である。水面」二の単分
子層は二次元系の特徴をもつ。分子がまばらに散開して
いるとさは、一分子当り面積Aと表面圧■との間に二次
元理想気体の式、 nA= kT が成り立ち、゛気体膜′°となる。ここに、kはポルツ
マン定数、Tは絶対温度である。Aを十分小さくすれば
分子間相互作用が強まり二次元固体の“凝縮膜(または
固体膜)°になる。凝縮膜はガラスなどの基板の表面へ
一層ずつ移すことができる。この方法を用いて、単分子
膜または単分子層累積膜は例えば次にようにして製造す
る。
1. method (La method) is used. langmuir broget
In the cyto method, when a molecule has a parent wood group and a hydrophobic group within the molecule, and the balance between the two (amphipathic balance) is maintained appropriately, the molecule is placed above the water surface with the parent wood group below. This is a method of creating a monomolecular film or a cumulative film of medium molecular layers by utilizing the fact that the film becomes a monomolecular layer. The monolayer at the water surface has the characteristics of a two-dimensional system. When the molecules are sparsely dispersed, the two-dimensional ideal gas equation nA=kT holds true between the area per molecule A and the surface pressure ■, resulting in a ``gas film''. Here, k is Portzmann's constant and T is absolute temperature. If A is made sufficiently small, the intermolecular interaction becomes strong and a two-dimensional solid becomes a "condensed film (or solid film)."The condensed film can be transferred layer by layer to the surface of a substrate such as glass.Using this method, , a monomolecular film or a monomolecular layer stack is manufactured, for example, as follows.

まず有機化合物を溶剤に溶解し、これを水相中に展開し
、有機化合物を膜状に析出させる。次にこの析出物が氷
相上を自由に拡散して拡がりすぎないように仕切板(ま
たは浮子)を設けて展開面積を制限して膜物質の集合状
態を制御し、その集合状態に比例した表面圧nを得る。
First, an organic compound is dissolved in a solvent, and this is expanded into an aqueous phase to precipitate the organic compound in the form of a film. Next, to prevent this precipitate from spreading freely on the ice phase and spreading too much, a partition plate (or float) is installed to limit the area of development and control the state of aggregation of the film material, and the Obtain the surface pressure n.

この仕切板を動かし、展開面積を縮少して膜物質の集合
状態を制御し、表面圧を徐々に上昇させ、累積膜の製造
に適する表面圧■を設定することができる。この表面圧
を維持しながら静かに清浄な基板を垂直に上下させるこ
とにより単分子膜が基板上に移しとられる。単分子膜は
以」二で製造されるが、単分子層累積膜は、前記の操作
を繰り返すことにより所望の累積度の単分子層累積膜が
形成される。
By moving this partition plate, the developed area can be reduced to control the state of aggregation of the film material, and the surface pressure can be gradually increased to set the surface pressure (2) suitable for producing a cumulative film. The monomolecular film is transferred onto the substrate by gently vertically moving the clean substrate up and down while maintaining this surface pressure. A monomolecular layer film is manufactured in the following two steps, and a monomolecular layer cumulative film having a desired degree of accumulation is formed by repeating the above-mentioned operations.

成膜分7は、前記の有機化合物から1種または2種以上
選択される。
The film-forming component 7 is selected from one or more of the organic compounds mentioned above.

単分子膜又は単分子層累積膜の厚さは30A〜300壓
mが適しており、特に3000A〜30ルmが適してい
る。
The thickness of the monomolecular film or the monomolecular layer stack is preferably 30 Å to 300 μm, particularly 3000 μm to 30 μm.

「11分子層を基板上に移すには、上述した垂直浸せき
法の他、水平付着法、回転円筒法などの方法による。水
平付着法は基板を水面に水平に接触させて移しとる方法
で、回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転させて
単分子層を基体表面に移しとる方法である。前述した垂
直浸せき法では、水面を横切る方向に基板をおろすと一
層めは親木基が基板側に向いた単分子層が基板上に形成
される。前述のように基板を上下させると、各行程ごと
に1枚ずつ単分子層が重なっていく。成膜分子の向きが
引上げ行程と浸せき行程で逆になるので、この方法によ
ると、各層間は親木基と親木基、疎水基と疎水基が向か
い合うY型膜が形成される。このようにして作成された
単分子層累積膜の模式図を第2図に示す。図中、8−1
は親木基、8−2は疎水基である。
In addition to the vertical immersion method mentioned above, methods such as the horizontal deposition method and rotating cylinder method are used to transfer the 11-molecular layer onto the substrate.The horizontal deposition method is a method in which the substrate is brought into contact with the water surface horizontally. The rotating cylinder method is a method in which a cylindrical substrate is rotated above the water surface to transfer a monomolecular layer onto the substrate surface.In the vertical immersion method described above, when the substrate is lowered in a direction across the water surface, the first layer is removed from the mother tree. A monomolecular layer with the groups facing the substrate is formed on the substrate.As the substrate is moved up and down as described above, one monomolecular layer is overlapped with each step.The orientation of the molecules forming the film is raised. Since the process and dipping process are reversed, according to this method, a Y-shaped film is formed in which parent wood groups face each other, and hydrophobic groups face each other between each layer. A schematic diagram of the layer accumulation film is shown in Fig. 2. In the figure, 8-1
is a parent tree group, and 8-2 is a hydrophobic group.

それに対し、水平付着法は、基板を水面に水平に接触さ
せて移しとる方法で、疎水基が基板側に向いた単分子層
が基板上に形成される。この方法では、累積しても、成
膜分子の向きの交代はなく全ての層において、疎水基か
基板側に向いたX型11りが形成される。反対に全ての
層において親木基が基板側に向いた累積膜はZ型膜と呼
ばれる。
On the other hand, the horizontal deposition method is a method in which the substrate is brought into horizontal contact with the water surface and transferred, and a monomolecular layer with hydrophobic groups facing the substrate is formed on the substrate. In this method, there is no change in the direction of the film-forming molecules even if they are accumulated, and in all layers, an X-shaped structure 11 is formed in which the hydrophobic groups are directed toward the substrate. On the other hand, a cumulative film in which all the layers have parent groups facing the substrate is called a Z-type film.

回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転させて単分
子層を基体表面に移しとる方法である。
The rotating cylinder method is a method in which a cylindrical substrate is rotated on the water surface to transfer a monomolecular layer onto the surface of the substrate.

単分子層を基板上に移す方法は、これらに限定されるわ
けではなく、大面積基板を用いる時には、基板ロールか
ら水相中に基板を押し出していく方法などもとり得る。
The method of transferring the monomolecular layer onto the substrate is not limited to these methods, and when using a large-area substrate, a method of extruding the substrate from a substrate roll into an aqueous phase may also be used.

また、前述した親木基、疎水基の基板への向きは原則で
あり、基板の表面処理等によって変えることもできる。
Furthermore, the orientation of the aforementioned parent wood group and hydrophobic group toward the substrate is a general rule, and can be changed by surface treatment of the substrate, etc.

単分子膜または単分子層累積膜を作成する他の方法とし
ては、スパッタリング法、プラズマ重合法、二分子膜作
製法などがある。
Other methods for creating a monomolecular film or a monomolecular layer stack include a sputtering method, a plasma polymerization method, and a bilayer film production method.

基板lとして使用することのできるものとしては、カラ
ス、アルミニウムなどの金属、プラスチック、セラミッ
クなどが挙げられる。第1図(A)に示した透過型の場
合には、できる限り耐圧性のある透光性のガラスやプラ
スチック、特に無色乃至淡色のものが好ましい。また、
基板表面の洗浄が不十分であると、単分子層を水面から
移しとる時に、単分子膜が乱れ、良好な単分子膜または
単分子層累積膜ができないので基板表面が清浄なものを
使用する必要がある。
Examples of materials that can be used as the substrate 1 include glass, metals such as aluminum, plastics, and ceramics. In the case of the transmission type shown in FIG. 1(A), it is preferable to use pressure-resistant and transparent glass or plastic, especially colorless or light-colored ones. Also,
If the substrate surface is insufficiently cleaned, the monomolecular layer will be disturbed when it is transferred from the water surface, making it impossible to form a good monomolecular film or monomolecular layer accumulation, so use a substrate with a clean surface. There is a need.

保護用基板4としては、できる限り耐圧性のある透光性
のガラスやプラスチックが適しており、特に無色乃至淡
色のものが好ましい。保護用基板4を設けることは、単
分子膜または単分子層累積膜の耐久性、安定性を向上さ
せるためには、好ましいことであるが、成膜分子の選択
によって保護用基板は設けても設けなくてもよい。
As the protective substrate 4, a pressure-resistant and transparent glass or plastic is suitable, and a colorless or light-colored one is particularly preferable. Although it is preferable to provide the protective substrate 4 in order to improve the durability and stability of the monomolecular film or the monomolecular layer stack, the protective substrate 4 may be provided depending on the selection of the film-forming molecules. It does not need to be provided.

発熱要素2は、ドツトマトリックス状(点打列状)、ド
ツトライン状(点線状)、ライン状、島状等の種々の形
態で発熱して熱伝導により単分子膜又は単分子層累積膜
を加熱するためのものである。
The heating element 2 generates heat in various forms such as a dot matrix shape (dotted line shape), a dot line shape (dotted line shape), a line shape, an island shape, etc., and heats a monomolecular film or a monomolecular layer accumulation film by heat conduction. It is for the purpose of

発熱要素2としては、赤外線などによる輻射線加熱を利
用するものや抵抗加熱等のジュール熱を利用するもの等
があげられる。前者としては各種の無機あるいは有機材
料、例えばGd*Tb*Feの合金、カーボン・ブラッ
ク等の無機顔料、ニグロシン等の有機染料、アゾ系等の
有機顔料などが適している。後者としては、例えば硼化
l\フニウムや窒化タンタル等の金属化合物やニクロム
等の合金が適している。発熱要素2の膜厚はエネルギー
伝達効率及び解像力に影響を及ぼす。これらの観点より
、発熱要素2の好適な膜厚が1000〜2000Aであ
る。表示素子が透過型の場合、発熱要素2は可視光に対
して透過性であることが要件となる。
Examples of the heat generating element 2 include those that utilize radiation heating such as infrared rays, and those that utilize Joule heat such as resistance heating. As the former, various inorganic or organic materials are suitable, such as Gd*Tb*Fe alloys, inorganic pigments such as carbon black, organic dyes such as nigrosine, and organic pigments such as azo. As the latter, for example, metal compounds such as l\fnium boride and tantalum nitride, and alloys such as nichrome are suitable. The film thickness of the heating element 2 affects energy transfer efficiency and resolution. From these viewpoints, the suitable film thickness of the heat generating element 2 is 1000 to 2000 Å. When the display element is a transmissive type, the heating element 2 is required to be transparent to visible light.

しかし、発熱要素2は、特別に設けなくとも、上記特性
を具備した基板材料を選択することにより、基板lが発
熱要素を兼ねることもできる。
However, even if the heating element 2 is not specially provided, the substrate 1 can also serve as the heating element by selecting a substrate material having the above characteristics.

反射膜としては、高融点の金属材料又は金属化合物材料
を用いて金属膜、誘電ミラーなどを単分子膜又は単分子
層累積膜3より基板1側にスノク、ンタリング法、蒸着
法などにより設ける。反射膜も発熱要素2同様、基板l
の材料を光を反射しうる材料を選択することにより、基
板1に兼ねさせることもできる。
As the reflective film, a metal film, dielectric mirror, etc. using a high melting point metal material or metal compound material is provided on the substrate 1 side from the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3 by a Snok method, an interpolation method, a vapor deposition method, or the like. Similar to the heat generating element 2, the reflective film is also attached to the substrate l.
By selecting a material that can reflect light, the material can also be used as the substrate 1.

基板−ヒの単分子膜または唱分子層累積膜は、十分に強
く固定されており基板からの剥離、剥落を生じることは
ほとんどないが、接着力を強化する目的で、基板と単分
子膜または単分子層累積膜の間に接着層を設けることも
できる。ざらに単分子層形成条件、LB法であれば例え
ば水相の水素イオン濃度、イオン種、あるいは表面圧の
選択等によっても接着力を強化することもできる。
A monomolecular film or a stacked molecular layer film is fixed strongly enough to the substrate and hardly peels off or peels off from the substrate. An adhesive layer can also be provided between the monomolecular layer stacks. In the case of the LB method, the adhesive strength can also be strengthened by roughly selecting the monomolecular layer formation conditions, for example, the hydrogen ion concentration of the aqueous phase, the ion species, or the surface pressure.

前述した加熱部5における物性変化とは、特に光学的物
性の変化を意味し、具体的には単分子膜又は単分子層累
積膜を構成している分子集合体の屈折率の変化を意味し
ている。発熱要素2の加熱部6の発熱により単分子膜又
は単分子層累積膜3が温度t′Cから温度(t+Δt)
°Cに上昇したとする。この場合、温度t′Cの時の単
分子膜又は単分子層累積膜の屈折率をNとし、温度(t
+Δt)0Cの時のこの屈折率をN+ΔNとすると、屈
折率勾配はΔN/Δtz−1o4 (1/’O) であ
る。屈折率の変化率、即ち温度に対する屈折率変化は僅
かであるが、発熱要素の加熱部6の近辺の単分子膜又は
単分子層累積膜3の微小領域が加熱されると微小領域に
おける屈折率勾配は大であり、従って、この加熱された
微小領域の単分子膜又は単分子層累積膜3の加熱部5は
ノ々ワーを持ち、屈折率勾配の犬み領域において光は屈
折、散乱、回折等する。
The above-mentioned change in physical properties in the heating section 5 particularly means a change in optical properties, and specifically means a change in the refractive index of a molecular aggregate that constitutes a monomolecular film or a monomolecular layer cumulative film. ing. Due to the heat generated by the heating section 6 of the heating element 2, the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film 3 changes from the temperature t'C to the temperature (t+Δt).
Suppose that the temperature rises to °C. In this case, the refractive index of the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film at the temperature t'C is N, and the temperature (t
If this refractive index at +Δt)0C is N+ΔN, then the refractive index gradient is ΔN/Δtz−1o4 (1/′O). The rate of change in the refractive index, that is, the change in the refractive index with respect to temperature, is small, but when a minute region of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3 near the heating section 6 of the heating element is heated, the refractive index in the minute region changes. The gradient is large, and therefore, the heated portion 5 of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3 in the heated minute region has a nozzle, and light is refracted, scattered, and scattered in the small region of the refractive index gradient. Causes diffraction, etc.

発熱要素2の加熱部6が発熱して単分子膜又はff11
1分子層累積膜3の物性が前述のように変化する程度に
加熱されて加熱部5が形成される。発熱要素2のその他
の部位は発熱していないのでそれに対応する単分子膜又
は単分子層累積膜3の低温領域の物性の変化はほとんど
なく、その物性は近似的に一様である。低温領域におい
ても実際には加熱部等からの熱伝導によって、加温され
、光学的物性は変化するであろうが、加熱部の変化から
みると、相対的に無視できる程度である。
The heating part 6 of the heating element 2 generates heat to form a monomolecular film or ff11.
The heating portion 5 is formed by heating to such an extent that the physical properties of the monomolecular layer cumulative film 3 change as described above. Since the other parts of the heating element 2 do not generate heat, there is almost no change in the physical properties of the corresponding monomolecular film or monomolecular layer stacked film 3 in the low temperature region, and the physical properties are approximately uniform. Even in the low-temperature region, it is actually heated by heat conduction from the heating section, etc., and the optical properties change, but this is relatively negligible from the perspective of the change in the heating section.

単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部5を通過する照明
光7は、この部分に熱的に生じた屈折率勾配(グラティ
エンドインデックス)によって屈折、散乱、回折等して
単分子膜又は単分子層累積膜3内を直進せず屈折して光
路変化する。このため、単分子膜又は単分子層累積膜の
加熱部5を通Jλキz關叩賽7シ 石−か通過1.かい
昭岨亨7とは、表示素子DEを射出してきた時、平行光
とはならず、それらの射出方向は互いに異なる。発熱要
素2の加熱部6が加熱しなくなれば、単分子膜又は単分
子層累積膜の加熱部5は冷却されてなくなり、表示素子
DEから射出する照明光7の方向は全て同じ方向となる
。故に、単分子膜又は単分子層累積膜3の加熱部5の高
温領域を通過する照明光7と、加熱部でない部位の単分
子膜又は単分子累積膜の低温領域を通過する照明光7と
が光学的に識別される。
The illumination light 7 that passes through the heating section 5 of the monomolecular film or monomolecular layer stack is refracted, scattered, diffracted, etc. by the refractive index gradient (gratiend index) thermally generated in this part, and the monomolecular film is heated. Alternatively, the light does not travel straight through the monomolecular layer stack 3 but is refracted and changes its optical path. For this reason, the heating section 5 of the monomolecular film or the monomolecular layer stacked film is passed through the Jλ key. When the light emitted from the display element DE is emitted from the display element DE, it does not become parallel light, and their emitted directions are different from each other. When the heating part 6 of the heat generating element 2 stops heating, the heating part 5 of the monomolecular film or the monomolecular layer stack is cooled down and disappears, and the directions of the illumination lights 7 emitted from the display element DE all become the same direction. Therefore, the illumination light 7 that passes through the high-temperature region of the heating section 5 of the monomolecular film or monomolecular layer stack 3, and the illumination light 7 that passes through the low-temperature region of the monomolecular film or monomolecular stack stack that is not the heating section. are optically identified.

本発明に係る光変調方法を利用する表示素子は一定の条
件(例えば、平行光による照明)の下では直視表示も可
能であるが、後述の結像光学系との組合わせによって更
に表示装置としての用途及び利用価値は広がる。透過型
の表示素子の直視表示の場合、単分子膜又は単分子層累
積膜の加熱部5を通過してきた光の方向に対して位置し
た不図示の観察眼に到達する光量差に基づき表示画素の
識別ができる。
Although the display element using the light modulation method according to the present invention can be used for direct viewing under certain conditions (for example, illumination with parallel light), it can also be used as a display device in combination with the imaging optical system described below. Its uses and utility value will expand. In the case of direct view display of a transmissive display element, display pixels are determined based on the difference in the amount of light that reaches an observation eye (not shown) positioned with respect to the direction of the light that has passed through the heating section 5 of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film. can be identified.

反射型の表示素子と後述の結像光学系との組合わ仕の場
合、単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部5の結像光学
系による結像位置と発熱要素2番とよって加熱されてい
ない(発熱要素2←こよって単分子膜又は単分子層累積
膜3か予熱されてI/入る場合も含む)単分子膜又は単
分子層累積膜3の低温領域の部分(以下、非加熱部と1
/\う)の結像光学系による結像位置が異なるためにデ
フォーカスすることにより表示点の識別がより明゛確に
行なわれる。従って、デフォーカスすることにより明点
を暗点に反転ごせで表示することもできる。後述の結像
光学系を用いない場合には1表示素子の表示効果を増す
ために照明光7として平行光を用し1、後述のような遮
光格子を付設すれば表示効果(士飛躍的に向上する。な
お、第1図におl、Nで1発熱要単分子膜又は単分子層
累積膜の近辺に発熱要素2を配置し熱伝導加熱により単
分子膜又は単分子層累積膜3を加熱してもよい。たとえ
ば、第1図(B)において、発熱要素2が光を反射しな
い場合、単分子膜又は単分子層累積膜3と発熱要素2と
の間に光反射性の金属膜、誘電ミラー等を介在させても
よい。
In the case of a combination of a reflective display element and an imaging optical system described below, heating is performed by the imaging optical system of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film at the imaging position of the heating section 5 and by the heating element No. 2. The part of the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film 3 in the low temperature region (hereinafter referred to as the non-heating element 2) heating part and 1
Since the imaging positions of the imaging optical system (/\) are different, display points can be identified more clearly by defocusing. Therefore, by defocusing, a bright spot can be displayed as a dark spot in an inverted manner. When the imaging optical system described below is not used, parallel light is used as the illumination light 7 to increase the display effect of the display element 1.If a light-shielding grating as described later is attached, the display effect (drastically increased) In addition, in Fig. 1, the heating element 2 is arranged near the monomolecular film or monomolecular layer stacked film that requires heat generation at 1 and N, and the monomolecular film or monomolecular layer stacked film 3 is heated by heat conduction heating. For example, in FIG. 1(B), if the heat generating element 2 does not reflect light, a light reflective metal film is placed between the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3 and the heat generating element 2. , a dielectric mirror, etc. may be interposed.

なお、第1図では、説明をわかり易くするために表示素
子DEに入射する光束を平行光としたか、特に平行光に
かぎるものではなく、木質的には表示素子DEに入射す
る光が発熱要素2の加熱部6の発熱によって光路中に単
分子膜又は単分子層累積膜3の高温領域、すなわち加熱
部5が形成されることにより、加熱部5か形成されない
前の光路と比較して光路変化をするということを利用す
るものである。
In addition, in FIG. 1, in order to make the explanation easier to understand, the light flux incident on the display element DE is assumed to be parallel light, or it is not limited to parallel light; 2, a high-temperature region of the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film 3, that is, the heating part 5, is formed in the optical path by the heat generated by the heating part 6 of No. It takes advantage of the fact that change occurs.

第3図は本発明に係る光変調方法を利用する表示素子の
作像原理を更に具体的に説明するための表示素子の断面
図であり、第3図(A)は透過型の表示素子を、第3図
(B)は反射型の表示素子を夫々示している。
FIG. 3 is a cross-sectional view of a display element for more specifically explaining the principle of image formation of a display element using the light modulation method according to the present invention, and FIG. , and FIG. 3(B) respectively show reflective display elements.

図に於て、9は輻射線10を吸収して発熱する輻射線吸
収層、3は単分子膜又は単分子層累積膜、4は保護用基
板を示す。なお、第3図(B)にボされている反射型の
表示素子DEに於て、lliよ表示に利用する照明3.
7を反射するための反射11分、12は単分子膜又は単
分子層累積膜3を予め加熱しておくだめの発熱体層であ
る。これら反射!1り11、発熱体層12は必すしも表
示素子DELこ必要とするものではなく、必要に応じて
設けられる。たとえば、輻射線吸収N9が光反射性を有
する時には反射Hgttは用いられない。また、輻射線
強度か充分に強い場合も発熱体層12i士不要である。
In the figure, 9 is a radiation absorbing layer that absorbs radiation 10 and generates heat, 3 is a monomolecular film or a monomolecular layer stack, and 4 is a protective substrate. In addition, in the reflective display element DE shown in FIG. 3(B), the illumination used for display is 3.
A heating element layer 12 is used to heat the monomolecular film or the monomolecular layer stack 3 in advance. These reflections! 11, the heating element layer 12 is not necessarily required for the display element DEL, and may be provided as necessary. For example, the reflection Hgtt is not used when the radiation absorbing N9 is optically reflective. Further, even if the radiation intensity is sufficiently strong, the heating element layer 12i is not necessary.

但し、発熱体層12については後述するので、第3図(
B)においては発熱体層12ハナltXものとして説明
する。また、発熱体層12ζ士必要に応して第3図(A
)に示されて5する透過型の表示素子にも設けられる。
However, since the heating element layer 12 will be described later, FIG.
B) will be explained assuming that the heating element layer is 12 layers. In addition, if necessary, the heating element layer 12ζ may be added as shown in FIG.
) is also provided in the transmissive display element shown in 5.

輻射線吸収層9は輻射線10とりわけ赤外線1効率的に
吸収して発熱するが、それ自身は発熱することによって
溶融し難1.%ものでなければならない。この輻射線吸
収層9fま各種の無機或は有機材料を成膜(多層膜を含
む)して得られる。尚、この輻射線吸収層9自身は膜厄
数仏程度なので、概して支持機能に乏しいから、不図示
のガラスやプラスチック等からなる輻射線透過性支持板
を基板として付加するのが一般的である。単分子膜又は
単分子層累積膜3を構成する有機化合物には前述のよう
な種類があり、一般に可視光線に対して透光性を有する
ものか適しているが赤外線等の輻射線10に対して透光
性であるか否かは問わない。13は格子で、単分子膜又
は単分子層累積膜3が加熱ぎれていない時、表示素子に
入射して透過型の表示素子を透過したり、反射型の表示
素子によって反射されて表示素子から射出する照明光7
を遮光している。このように構成された表示素子DEに
対して、図面右方から輻射線(特に、赤外線)10を照
射すると、輻射線吸収層9の対応点が発熱する。この様
にして輻射線吸収層9の一部が発熱すると、これに接し
ているかもしくは近接している部分の単分子膜又は単分
子層累積膜3は熱伝導によって加熱され、温度が一卜昇
して、その物性が加熱前より変化し、単分子膜又は単分
子層累積膜3の高温領域の加熱部5が形成される。この
加熱部5を通過する解、明光7は、加熱部5を通過する
時、第1図に於てボl述したメカニズムにより、その光
路を変化させられる。この光路変化をうけた照明光7の
少なくとも一部は表示素子DEを射出した時、格子13
の開口を通過する。一方、加熱部5を通らない照明光7
は全て格子13によって遮光されるので、この格子13
を介して表示素子DEを見た場合、加熱部5が形成され
た単分子膜又は単分子層累積膜の部分を通過する照明光
と非加熱部を通過する照明光7とが識別される。
The radiation absorbing layer 9 efficiently absorbs radiation 10, especially infrared rays 1, and generates heat, but it is difficult to melt due to the heat generated.1. Must be %. This radiation absorbing layer 9f can be obtained by forming a film (including a multilayer film) of various inorganic or organic materials. Incidentally, since this radiation absorbing layer 9 itself is only a film, it generally has poor support function, so it is common to add a radiation-transparent support plate made of glass, plastic, etc. (not shown) as a substrate. . There are various types of organic compounds constituting the monomolecular film or monomolecular layer stack 3 as mentioned above, and those that are generally transparent to visible light are suitable, but those that are suitable for radiation such as infrared rays 10 are suitable. It does not matter whether it is translucent or not. Reference numeral 13 denotes a grating, which, when the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3 is not heated up, enters the display element and passes through the transmissive display element, or is reflected by the reflective display element and leaves the display element. Emitted illumination light 7
is shielded from light. When the display element DE configured as described above is irradiated with radiation (especially infrared rays) 10 from the right side of the drawing, corresponding points on the radiation absorption layer 9 generate heat. When a part of the radiation absorbing layer 9 generates heat in this way, the monomolecular film or the monomolecular layer stack 3 in the part that is in contact with or in the vicinity of the radiation absorbing layer 9 is heated by thermal conduction, and the temperature rises. As a result, its physical properties change from before heating, and a heated portion 5 in the high temperature region of the monomolecular film or monomolecular layer stack 3 is formed. When the light beam 7 passing through the heating section 5 passes through the heating section 5, its optical path is changed by the mechanism described in FIG. When at least a part of the illumination light 7 that has undergone this optical path change exits the display element DE, the grating 13
pass through the opening. On the other hand, the illumination light 7 that does not pass through the heating section 5
are all blocked by the grating 13, so this grating 13
When the display element DE is viewed through the display element DE, the illumination light passing through the portion of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film in which the heating portion 5 is formed can be distinguished from the illumination light 7 passing through the non-heating portion.

勿論、非加熱部を通過する照明光7が、格子13の開口
を通過するようにすれば、加熱部5が形成された時に、
この部分を通過する照明光7は格子13によって遮光さ
れるので、照明光7が通過[7ない格子13の開口もあ
り、前述の例の逆の形態の表示素子も可能となる。
Of course, if the illumination light 7 passing through the non-heating section is made to pass through the opening of the grating 13, when the heating section 5 is formed,
Since the illumination light 7 passing through this portion is blocked by the grating 13, there are also openings in the grating 13 through which the illumination light 7 does not pass, and a display element having the reverse form of the above-mentioned example is also possible.

格子■3がない場合でも、単分子膜又は単分子層累積膜
3の加熱部5を通過する照明光7の方向と、非加熱部を
通過する照明光7の方向とは表示素子DEを射出してき
た場合、互いに異なっているので、どちらか一方の光束
がくる方向にむかって見た場合、光学的に照明光7は識
別される。
Even if there is no grating 3, the direction of the illumination light 7 passing through the heating part 5 of the monomolecular film or monomolecular layer stack 3 and the direction of the illumination light 7 passing through the non-heating part are the same as those of the display element DE. Since the illumination light beams 7 are different from each other, the illumination light beams 7 can be optically distinguished when viewed in the direction in which either one of the light beams comes.

尚、表示素子DEに対して輻射@10を照射する場合、
所定の画像に対応する様にパターン状に照射することも
できるし、レーザ光源を利用して、輻射線1oをビーム
として多数のビームをドツト状に一括して照射すること
もできるが、lビーム又はlラインビームを輻射線吸収
M9上に走査させる方法をとることもできる。
Note that when irradiating the display element DE with radiation @10,
It is possible to irradiate in a pattern corresponding to a predetermined image, or it is possible to use a laser light source to irradiate a large number of beams at once in a dot shape using radiation 1o as a beam. Alternatively, a method may be adopted in which the l-line beam is scanned over the radiation absorption M9.

又輻射線10を照射する方向は、第3図(A)に示され
ている透過型の表示素子DEの場合、図示例のみに限定
されない。つまり、保護用基板4及び単分子膜又は単分
子層累積膜3を輻射線1゜が透過する場合には、輻射線
1oを図面左方から照射することも可能である。尚1表
示の消去は単分子膜又は単分子層累積膜3の加熱部5の
冷却によって自然に為される。
Further, the direction in which the radiation 10 is irradiated is not limited to the illustrated example in the case of the transmissive display element DE shown in FIG. 3(A). That is, when the radiation 1° passes through the protective substrate 4 and the monomolecular film or the monomolecular layer stack 3, it is also possible to irradiate the radiation 1o from the left side of the drawing. Note that erasure of the 1 display is naturally performed by cooling the heating section 5 of the monomolecular film or monomolecular layer stack 3.

尚、以上では輻射線加熱によって表示画素を形成する方
法に就いて説明したが、本発明では第2図の輻射線吸収
層9を後述のように不図示の金属等から成る伝熱層に代
え、これに不図示の発熱素子を近接若しくは接触させて
単分子膜又は単分子層累積膜を伝導加熱する様に変形す
ることも可能である。
Although the method for forming display pixels by radiation heating has been described above, in the present invention, the radiation absorbing layer 9 in FIG. It is also possible to modify the monomolecular film or the monomolecular layer stack by bringing a heating element (not shown) in close proximity to or in contact with this to heat the monomolecular film or the monomolecular layer stack by conduction.

本発明では、表示画素の識別効果を更に高める為に、輻
射線吸収層9と単分子膜又は単分子層累積膜の間に前述
したように可視光線の反射膜11を別途、介在させるこ
ともできる。斯かる反射膜11は、熱伝導の際、それ自
身が溶融することのない高融点の金属材料又は金属化合
物材料によって形成する必要がある。
In the present invention, in order to further enhance the discrimination effect of display pixels, a visible light reflecting film 11 may be separately interposed between the radiation absorbing layer 9 and the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film as described above. can. Such a reflective film 11 needs to be formed of a high melting point metal material or metal compound material that does not melt itself during heat conduction.

本発明を利用する表示素子に於て有効な表示を得るため
には単分子膜又は単分子層累積膜3の輻射線吸収層9と
接する面及びその近傍が加熱される必要があるが、その
加熱が単分子膜又は単分子層累積膜3の保護用基板4に
接す、6面及びその近傍にまで及ぶことは要件ではない
、しかしながら、単分子膜又は単分子層累積膜3の輻射
線吸収層9の加熱面に接する面及びその近傍の温度が周
辺領域の単分子膜又は単分子層累積膜3の温度より高い
程、表示素子DEの表示のコントラストは向上すること
が実験の結果判った。更に、これを積極的に利用す、れ
ば、単分子膜又は単分子層累積膜3を加熱するための熱
量を異ならしめることにより中間調を表示することが可
能になる。
In order to obtain an effective display in a display element using the present invention, it is necessary to heat the surface of the monomolecular film or the monomolecular layer stack 3 in contact with the radiation absorption layer 9 and its vicinity. It is not a requirement that the heating extends to the six sides of the monomolecular film or monomolecular layer stack 3 that are in contact with the protective substrate 4 and its vicinity; Experiments have shown that the higher the temperature of the surface of the absorption layer 9 in contact with the heating surface and its vicinity is higher than the temperature of the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film 3 in the surrounding area, the better the display contrast of the display element DE is improved. Ta. Furthermore, if this is actively utilized, it becomes possible to display halftones by varying the amount of heat for heating the monomolecular film or the monomolecular layer stack 3.

尚、輻射線吸収層9上に輻射線10を照射する照射スポ
ント径は小さい程表示のコントラストが良く好適な輻射
線10のスポット径(直径)は0.5w〜 100用位
が適当である。
Incidentally, the smaller the irradiation spot diameter for irradiating the radiation 10 onto the radiation absorbing layer 9, the better the contrast of the display, and the suitable spot diameter (diameter) of the radiation 10 is approximately 0.5W to 100W.

しかしながら幅2mm長さ10amの矩形状の光束の輻
射線10で輻射線吸収層9を照射しても表示像は得られ
るものである。本発明の詳細な説明に於てしばしば用い
る単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部5とは後者の範
囲も含むものである。
However, a display image can be obtained even if the radiation absorbing layer 9 is irradiated with the radiation 10 in the form of a rectangular beam having a width of 2 mm and a length of 10 am. In the detailed description of the present invention, the heating section 5 of a monomolecular film or a monomolecular layer stacked film, which is often used, includes the latter range.

もっとも、単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部5が微
小でなくとも加熱面の温度が一様でないために加熱部5
に於ける光の光路の方向と非加熱部に光の光路の方向に
差異が生ずれば識別効果は生ずる゛。したがって、本発
明に於ては、中分子膜又は単分子層累積膜の加熱部5を
微小範囲に限定するものではない。
However, even if the heating part 5 of a monomolecular film or a monomolecular layer accumulation film is not minute, the temperature of the heating surface is not uniform, so the heating part 5
If there is a difference between the direction of the optical path of light in the non-heated part and the direction of the optical path of light in the non-heated part, a discrimination effect will occur. Therefore, in the present invention, the heating section 5 of the intermediate molecular film or the monomolecular layer cumulative film is not limited to a minute range.

本発明を利用する表示素子においては、第3図(B)に
示されているように、表示画素としての単分子膜又は単
分子層累積膜の加熱部5の形成速度を大いに速めるため
に、反射膜を用いない場合は、表示素子DEの輻射線吸
収層9と単分子膜又は単分子層累積H3との間に、反射
膜を用いる場合は、輻射線吸収層9と反射膜11との間
にジュール熱によって発熱する発熱体層12を設け、所
定の単分子膜又は単分子層累積膜を予熱することが望ま
しい場合もある。尚、この時、輻射線吸収層9或は反射
膜11が導体である場合には、これ等と発熱体N12と
の間に不図示の絶縁層を設けることが望ましい。
In the display element using the present invention, as shown in FIG. 3(B), in order to greatly accelerate the formation speed of the heating portion 5 of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film as the display pixel, When a reflective film is not used, there is a gap between the radiation absorbing layer 9 of the display element DE and the monomolecular film or the monomolecular layer accumulation H3, and when a reflective film is used, between the radiation absorbing layer 9 and the reflective film 11. In some cases, it may be desirable to preheat a predetermined monomolecular film or monomolecular layer stack by providing a heat generating layer 12 that generates heat by Joule heat between the two layers. At this time, if the radiation absorbing layer 9 or the reflective film 11 is a conductor, it is desirable to provide an insulating layer (not shown) between them and the heating element N12.

このような発熱体層12としては、はぼ、輻射線ビーム
の−又は複数の走査線に対応する線状発熱体や格子状発
熱体(何れも不図示)等が好適である。発熱体層12が
線状発熱体の場合、二の幅方向に於て発熱部は微小であ
るから良好な表示結果が得られるものと思われる。この
とき輻射線10の輻射線吸収層9への照射と発熱体層1
2による単分子膜又は単分子層累積膜3の加熱とを同期
させるのが好適である。この様な発熱体fi12の素材
としては、硼化ハフニウムや窒化タンタル等に代表され
る金属化合物、ニクロム等の合金を挙げることができる
As such a heating element layer 12, a dowel, a linear heating element corresponding to one or more scanning lines of a radiation beam, a grid-shaped heating element (none of which are shown), etc. are suitable. When the heating element layer 12 is a linear heating element, it is thought that good display results can be obtained because the heating portion is minute in the width direction. At this time, the radiation absorption layer 9 is irradiated with the radiation 10 and the heating element layer 1
It is preferable to synchronize the heating of the monomolecular film or monomolecular layer stack 3 by 2. Examples of the material for the heating element fi12 include metal compounds such as hafnium boride and tantalum nitride, and alloys such as nichrome.

又1本発明に於ては、単分子膜又は単分子層累積膜に直
接、腐蝕性の構成要素が接触する様な表示素子の構成は
、素子の寿命を低下させることになるので、避けるべき
である。単分子膜又は単分子層累積膜に腐蝕性の構成要
素が接している構成では、化学腐蝕、熱醜化等が生じて
表示素子が損傷又は劣化する場合が大きいからである。
In addition, in the present invention, a structure of the display element in which a corrosive component comes into direct contact with a monomolecular film or a monomolecular layer stack should be avoided since this will shorten the life of the element. It is. This is because in a configuration in which a corrosive component is in contact with a monomolecular film or a monomolecular layer stack, chemical corrosion, thermal deterioration, etc. occur, and the display element is often damaged or deteriorated.

従って、この様な場合には、単分子膜又は単分子層累積
膜と腐蝕性の構成要素の界面に、耐蝕性の保護膜(不図
示)を形成することが望ましい。
Therefore, in such cases, it is desirable to form a corrosion-resistant protective film (not shown) at the interface between the monomolecular film or the monomolecular layer stack and the corrosive component.

そして、この保護膜の素材としては、酸化硅素、酸化チ
タン等の誘電体や耐熱性プラスチック等を挙げることが
できる。この保護膜を反射膜がその機能を兼ねることも
ある。
Examples of the material for this protective film include dielectrics such as silicon oxide and titanium oxide, heat-resistant plastics, and the like. A reflective film may also serve as this protective film.

なお、輻射線吸収層9として金属等を用いるときは、こ
れは、一般に、基板としての輻射線透過性支持板上に成
膜されるのが普通であるから、輻射線吸収層9を加熱し
た時、これは外部空気によって酸化される心配はない。
Note that when a metal or the like is used as the radiation absorption layer 9, it is generally formed into a film on a radiation-transparent support plate as a substrate. There is no need to worry about it being oxidized by external air.

輻射線吸収層9の輻射線吸収率が完全でない場合には、
これに輻射線10を照射する側に反射防止膜(不図示)
を施すことにより輻射線吸収N9の輻射線lOの吸収率
を著しく高めることもできる。
If the radiation absorption rate of the radiation absorption layer 9 is not perfect,
An anti-reflection coating (not shown) is provided on the side to which the radiation 10 is irradiated.
By applying this, it is also possible to significantly increase the absorption rate of radiation IO of radiation absorption N9.

次に第4図および第5図によってライトバルブ式投写装
置について説明する。ライトバルブ(光弁)は光を制御
あるいは調節するものの意であり、従って、独立した光
源からの光を適当な媒体(本発明の場合、表示素子の単
分子膜又は単分子層累積膜)で制御してスクリーン上に
投写表示する方式のディスプレイはすべてこれに含まれ
ることになる。この方式は、ブラウン管のような自発光
型ディスプレイに比べると原理的には、使用する光源を
強くすることにより表示画−面のサイズと明るさをいく
らでも増加できるので、特に光量を必要とする大画面デ
ィスプレイに適している。
Next, the light valve type projection device will be explained with reference to FIGS. 4 and 5. A light valve is a device that controls or adjusts light, and therefore, it is used to transfer light from an independent light source to a suitable medium (in the case of the present invention, a monomolecular film or a monolayer stack of a display element). This includes all displays that are controlled and projected onto a screen. Compared to self-luminous displays such as cathode ray tubes, this method can, in principle, increase the size and brightness of the display screen by increasing the intensity of the light source used. Suitable for screen display.

そのうち、第4図に示すものは、シュリーレンライトバ
ルブとも呼ばれているもので、入力信号に応じて制御媒
体である単分子膜又は単分子層累積膜に光の屈折角、回
折角あるいは反射角の異なる、パターンあるいは散乱に
よるパターンをつくり、シュリーレン光学系を用いてそ
の変化を明暗像に変換し、スクリーンに投写する方式で
ある。
Among these, the one shown in Figure 4 is also called a Schlieren light valve, and it adjusts the refraction angle, diffraction angle, or reflection angle of light to the control medium, which is a monomolecular film or a monomolecular layer stack, according to an input signal. In this method, a pattern with different values or a pattern by scattering is created, and a Schlieren optical system is used to convert the changes into brightness and darkness images, which are then projected onto a screen.

第4図はその表示装置の基本原理を説明するための概要
構成図である。第1格子13aの各スリットの像はシュ
リーレンレンズ14によって第2格子13b各パーの上
に遮光されるように夫々結像するように配置されている
。シュリーレンレンズ14と第2格子13bとの間にお
かれた透過型の表示素子DEの媒体としての単分子膜又
は単分子層累積膜が加熱されておらず、その物性(例え
ば、屈折率)が一様に平滑であれば、第1格子13aを
通過した入射光はすべて第2格子13bにより遮られて
スクリーン15に到達しない。しかし、表示素子DEの
単分子膜又は単分子層累積M 3の一部が発熱要素によ
り加熱されて高温になり単分子膜又は単分子層累積膜の
加熱部5が形成されると、そこを通過する光の光路が前
述したように変化するので、そこを通過した入射光16
は第2格子13bで遮られることなく第2格子13bの
間隙(開口)を通ってスクリーン15に到達する。従っ
て1表示素子DEの単分子膜又は単分子層累積膜の加熱
部5を加熱している加熱面又はその近傍の媒体面をスク
リーン15に結像するように結像レンズ17を配置すれ
ば、表示素子DEの単分子膜又は単分子層累積膜の温度
変化量に対応した明暗像がスクリーン15上に得られる
。なお、これに用いられる第1及び第2格子13a及び
13bの開口は線状、点状の如何を問わない。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram for explaining the basic principle of the display device. The images of each slit of the first grating 13a are arranged so as to be respectively formed by the schlieren lens 14 onto each par of the second grating 13b so as to be shielded from light. The monomolecular film or monomolecular layer cumulative film as a medium of the transmission type display element DE placed between the schlieren lens 14 and the second grating 13b is not heated, and its physical properties (for example, refractive index) are If the surface is uniformly smooth, all incident light passing through the first grating 13a will be blocked by the second grating 13b and will not reach the screen 15. However, when a part of the monomolecular film or monomolecular layer accumulation M3 of the display element DE is heated by the heating element to a high temperature and a heated portion 5 of the monomolecular film or monomolecular layer accumulation film is formed, Since the optical path of the passing light changes as described above, the incident light 16 passing through it changes.
reaches the screen 15 through the gap (opening) of the second lattice 13b without being blocked by the second lattice 13b. Therefore, if the imaging lens 17 is arranged so that the heating surface heating the heating section 5 of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film of one display element DE or the medium surface in the vicinity thereof is imaged on the screen 15, A contrast image corresponding to the amount of temperature change of the monomolecular film or the monomolecular layer stack of the display element DE is obtained on the screen 15. Note that the openings of the first and second gratings 13a and 13b used for this may be linear or dotted.

第5図は透過型ライトバルブ式投写装置の概略構成図で
あり、透過型の表示素子に対する信号入力手段の配置例
を示している。13aは第1格子、DEは透過型の表示
素子、14はシュリーレンズ、13bは第2格子、17
は結像レンズ、15はスクリーンで、これらの構成は第
4図の表示装置の構成に類似している。不図示のレーザ
ー光源及び光変調器を通して変調された輻射線(主に、
赤外線)lOの信号光、は水平スキャナー18としての
回転多面鏡によって水平走査され、レンズ20を介し、
垂直スキャナー19としての回転多面鏡、又はガルバノ
ミラ−によって垂直走査され、コールドフィルタ21に
よって反射されて第3図(A)に示した透過型の表示素
子での輻射線吸収層9に結像し、単分子膜又は単分子層
累積膜をドツトマトリックス状に加熱して単分子膜又は
単分子層累積膜の加熱部5の2次元像を形成する。一方
、第1格子13aを通過した入射光16はコールドフィ
ルタ21を通過するので、第4図に於て前述せるメカニ
ズムによりスクリーン15上に、表示素子DEの単分子
膜又は単分子層累積膜の加熱部5に対応した二次元の可
視像を形成するものである。本図に於て用いられる表示
素子DEの輻射線吸収層は可視光に対しては透過性のも
のでなければならないことはもちろんである。
FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a transmission type light valve type projection device, and shows an example of arrangement of signal input means for a transmission type display element. 13a is a first grating, DE is a transmission type display element, 14 is a Schley lens, 13b is a second grating, 17
1 is an imaging lens, and 15 is a screen, the construction of which is similar to that of the display device shown in FIG. Radiation modulated through a laser light source and a light modulator (not shown) (mainly,
The infrared rays) 1O signal light is horizontally scanned by a rotating polygon mirror serving as a horizontal scanner 18, and passes through a lens 20,
It is vertically scanned by a rotating polygon mirror or a galvanometer mirror as a vertical scanner 19, reflected by a cold filter 21, and imaged on the radiation absorption layer 9 of the transmission type display element shown in FIG. 3(A), A monomolecular film or a monomolecular layer accumulation film is heated in a dot matrix shape to form a two-dimensional image of the heated portion 5 of the monomolecular film or monomolecular layer accumulation film. On the other hand, since the incident light 16 that has passed through the first grating 13a passes through the cold filter 21, the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film of the display element DE is formed on the screen 15 by the mechanism described above in FIG. A two-dimensional visible image corresponding to the heating section 5 is formed. Of course, the radiation absorbing layer of the display element DE used in this figure must be transparent to visible light.

なお、半導体レーザアレイ又は発光ダイオードアレイ(
ライン状に並べられたもの)を用G1れば、水平スキャ
ナーは省略される。又コールドフィルタとガルバノミラ
−とを共用しても良1.X。
Note that semiconductor laser arrays or light emitting diode arrays (
If G1 is used (one lined up in a line), the horizontal scanner is omitted. Also, the cold filter and galvano mirror may be used in common. X.

第6図は、本発明に係る光変調方法を利用する表示装置
としてのライト7ヘルブ式投写装置のブロック図である
FIG. 6 is a block diagram of a Wright 7 Helb type projection device as a display device utilizing the light modulation method according to the present invention.

22は映像信号を発生する映像発生回路、23は映像信
号を制御してこの信号を映像増幅回路24及び水平、垂
直駆動回路25&こ与えるための制御回路、26はレー
ザ光源、27tよレーザ光源からのレーザビームを映像
増幅回路24力)らの信号に従って変調する光変調器、
光変調器27により変−調された光は、水平スキャナー
18もしく if垂直スキャナー19に入射する。また
、水平スキャナー18、垂直スキャナー191士水平及
び垂直駆動回路25による夫々映像信号ルこ同期した駆
動信号をうけて動作する。他の破線内の部分の構成につ
いては前述した構成と同じなので説明を省略する。
22 is a video generation circuit that generates a video signal; 23 is a control circuit that controls the video signal and supplies this signal to a video amplification circuit 24 and horizontal and vertical drive circuits 25; 26 is a laser light source; an optical modulator that modulates the laser beam according to a signal from an image amplification circuit (24);
The light modulated by the optical modulator 27 enters the horizontal scanner 18 or if the vertical scanner 19. Further, the horizontal scanner 18 and the vertical scanner 191 operate in response to drive signals synchronized with the video signals from the horizontal and vertical drive circuits 25, respectively. The configuration of the other portions within the broken line is the same as the configuration described above, so the description thereof will be omitted.

齢冷為井IEMり2上番1出力された映像信号は制御回
路23を介して映像増幅回路24で増幅される。増幅さ
れた映像信号の入力により光変調器27は駆動し、レー
ザ光@26より出射されるレーザビームを変調する。一
方、制御回路23より水平同期信号及び垂直同期信号が
出力され、水平、垂直駆動回路25を介して夫々水平ス
キャナー18及び垂直スキャナー19を駆動する。この
ようにして表示素子DEの単分子膜又は単分子層累積膜
内に熱的二次元像が形成される。この後の破線内の構成
動作については前述した通りでありここでは簡単のため
省略する。なお、TV電波を受信する場合には映像発生
回路22に代えて受信機を用いればよい。
The output video signal of the IEM Ri 2 is amplified by the video amplification circuit 24 via the control circuit 23. The optical modulator 27 is driven by the input of the amplified video signal and modulates the laser beam emitted from the laser beam @26. On the other hand, a horizontal synchronization signal and a vertical synchronization signal are outputted from the control circuit 23 and drive the horizontal scanner 18 and the vertical scanner 19 via the horizontal and vertical drive circuits 25, respectively. In this way, a thermal two-dimensional image is formed within the monomolecular film or monomolecular layer stack of the display element DE. The subsequent configuration operations within the broken line are as described above and will be omitted here for simplicity. Note that when receiving TV radio waves, a receiver may be used instead of the video generation circuit 22.

第7図は、本発明に係る光変調方法を利用するカラー表
示素子の例であり、説明の便宜上、」二半分を透過型の
表示素子を、下半分を反射型の表示素子として断面図で
示しである。9は輻射線吸収層、11は反射膜であり1
本図の上半分に示した透過型の表示素子には設けていな
い。28は、カラーモザイクフィルタで、これの具体的
構成及び製造技術に就いては、既に、特公昭52− 1
3094号公報及び特公昭52−38019号公報に於
て詳しく説明されている通りであるから、これらを援用
することとして、ここでは、詳細な説明を省略する。
FIG. 7 shows an example of a color display element using the light modulation method according to the present invention. For convenience of explanation, a cross-sectional view is shown in which the two halves are a transmissive display element and the lower half is a reflective display element. This is an indication. 9 is a radiation absorption layer, 11 is a reflective film, and 1
It is not provided in the transmissive display element shown in the upper half of this figure. 28 is a color mosaic filter, and its specific structure and manufacturing technology have already been published in Japanese Patent Publication No. 52-1.
Since it is as explained in detail in Japanese Patent Publication No. 3094 and Japanese Patent Publication No. 52-38019, the detailed explanation will be omitted here as these are cited.

3は単分子膜又は単分子層累積膜、4は保護用基板、2
8はカラーモザイクフィルタを示す。
3 is a monomolecular film or a monomolecular layer cumulative film, 4 is a protective substrate, 2
8 indicates a color mosaic filter.

図示例に於て、カーラーモザイクフィルタ28の赤色フ
ィルタ部(R)に接する単分子膜又は単分子層累積膜3
は輻射線10を吸収した輻射線吸収層9により熱伝導加
熱され、この上に単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部
5が生ずると、反射膜11により反射されるか、もしく
は輻射線吸収層9を透過してきた平行照明光7は単分子
膜又は単分子層累積膜の加熱部5を通過することにより
、前述のようなメカニズムにより、破線で示したような
加熱部5がない場合に通過してきた光の光路とは異なっ
た2点鎖線で示したような屈曲した光路を通って、表示
素子DE外に射出してくる。白色光が赤色フィルタ部(
R)に入射した場合、表示素子DEから出てくる透過光
もしくは反射光は、赤が視覚される光(以下、赤色光と
いう)のみである。青色フィルタ部(B)及び緑色フィ
ルタ部(G)を通過してくる光についても赤色フィルタ
部(R)を通過する前述の光の進路と同様である。但し
、第7図の場合、緑色フィルタ部(G)ついては、加熱
部5を通過しない場合の光線のみ図示しである。また、
入射光が白色光の場合、青色フィルタ部CB)を通過し
てきた光は、青が視覚される光(以下、青色光という)
のみであり、また緑色フィルタ部(G)を通過してきた
光は、緑が視覚される光(以下、緑色光という)のみで
ある。この単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部5を通
過してくる光の方向に向って、表示素子DEを見た場合
、不図示の観察者は、加色法による擬似カラーを視覚す
るものである。例えば、相隣接したカラーモザイクフィ
ルタ28の赤色フィルタ部(R)、緑色フィルタ部(G
)、青色フィルタ部(B)に於て同時に単分子膜又は単
分子層累積膜3を加熱して加熱部5が形成された時には
、不図示の観察者は白色を視覚することができる。
In the illustrated example, the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3 in contact with the red filter part (R) of the curler mosaic filter 28
is heated by thermal conduction by the radiation absorbing layer 9 that has absorbed the radiation 10, and when a heated portion 5 of a monomolecular film or a monomolecular layer cumulative film is formed thereon, it is reflected by the reflective film 11 or the radiation is heated by the radiation absorption layer 9. The collimated illumination light 7 that has passed through the absorption layer 9 passes through the heating section 5 of the monomolecular film or monomolecular layer stack, and by the mechanism described above, when there is no heating section 5 as shown by the broken line. The light is emitted from the display element DE through a bent optical path as shown by the two-dot chain line, which is different from the optical path of the light that has passed through. The white light passes through the red filter section (
When the light enters the display element DE, the only transmitted light or reflected light that comes out of the display element DE is the light that makes red visible (hereinafter referred to as red light). The path of the light passing through the blue filter section (B) and the green filter section (G) is also the same as the path of the light passing through the red filter section (R). However, in the case of FIG. 7, only the light rays that do not pass through the heating section 5 are shown for the green filter section (G). Also,
When the incident light is white light, the light that has passed through the blue filter section CB) is the light that makes blue visible (hereinafter referred to as blue light).
Furthermore, the light that has passed through the green filter section (G) is only the light that makes green visible (hereinafter referred to as green light). When viewing the display element DE in the direction of the light passing through the heating section 5 of this monomolecular film or monomolecular layer cumulative film, an observer (not shown) sees pseudo-color due to the additive coloring method. It is something. For example, the red filter part (R) and the green filter part (G) of the adjacent color mosaic filters 28 are
), when the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3 is simultaneously heated in the blue filter part (B) to form the heated part 5, an observer (not shown) can see white.

また、第3図に於いて説明したように、表示素子DEか
ら出てくる光の内申分子膜または単分子層累積膜の加熱
部5を通過してくる光のみを不図示の遮光格子の開口に
通すことにより、更に明瞭な加色法による擬似カラー表
示をうることができる。
Further, as explained in FIG. 3, only the light passing through the heating section 5 of the molecular film or monomolecular layer cumulative film is transmitted through the opening of the light-shielding grating (not shown). By passing the image through , it is possible to obtain a clearer pseudo-color display using the additive coloring method.

第8図は、本発明に係る光変調方法を利用する別の表示
素子の断面図であり、第8図(A)は透過型の、また第
8図(B)は反射型の表示素子を夫々示している。 図
に於て、3は単分子膜又は単分子層累積膜、4は保護用
基板、28はカラーモザイクフィルタを示し、これ等は
第1図、第7図にて説明したものと同じ機能を持つ要素
である。29は熱伝導性の絶縁層であり、この両面には
、発熱要素としての複数の発熱抵抗線30.31が、互
いに絶縁層を挟んで交叉する様にマトリ・ンクス状に2
次的に配列しである。■は、これ等発熱抵抗線30.3
1及び絶縁層28の支持板としての基板である。第8図
(A)に示した透過型の表示素子DEの場合は、これら
発熱抵抗線30.3,1、基板l及び絶縁層29は透明
であり、たとえば発熱抵抗線30.31はインジウム・
ティン舎オキサイドの透明薄膜から構成されている。そ
して、これらの表示素子DEに於ては、所定の発熱抵抗
線30.31が共に選択され発熱したときのみ、両者の
交叉領域に於て単分子膜又は単分子層累積膜3中に表示
可能な高温領域の加熱部(不図示)が形成される様、設
計しである。カラーモザイクフィルタは、少なくとも発
熱抵抗線30と31の交叉部に設けられればよい。また
、第4図において前述したように反射膜11は必要に応
じて設けられる。
FIG. 8 is a cross-sectional view of another display element using the light modulation method according to the present invention. FIG. 8(A) is a transmissive type display element, and FIG. 8(B) is a reflective type display element. shown respectively. In the figure, 3 is a monomolecular film or a monomolecular layer stack, 4 is a protective substrate, and 28 is a color mosaic filter, which have the same functions as those explained in FIGS. 1 and 7. It is an element that has. 29 is a thermally conductive insulating layer, and on both sides thereof, a plurality of heating resistance wires 30 and 31 as heating elements are arranged in a matrix shape so as to cross each other with the insulating layer in between.
Next is the arrangement. ■ is these heating resistance wire 30.3
1 and an insulating layer 28 . In the case of the transmission type display element DE shown in FIG.
It is composed of a transparent thin film of tin oxide. In these display elements DE, only when the predetermined heating resistance wires 30 and 31 are both selected and generate heat, it is possible to display in the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film 3 in the intersection area of both. It is designed so that a heating part (not shown) in a high temperature region is formed. The color mosaic filter may be provided at least at the intersection of the heating resistance wires 30 and 31. Further, as described above in FIG. 4, the reflective film 11 is provided as necessary.

次に第9図を用いて斯かる一表示素子をマトリックス駆
動する例に就いて、更に詳しく説明する。
Next, an example of matrix driving of one display element will be described in more detail using FIG.

図に於て、DEは表示素子を示し、第8図で説明したの
と同様の詳細構成を持つ。この表示素子DEはXI 、
 Xm、 Xn、 Xo、 Xpの材軸の発熱抵抗線(
これらを行線と呼ぶ)とYc 、 Yd 、 Yeの列
軸の発熱抵抗線(これらを列線と呼ぶ)等で構成されて
おり列線Yc、Yd、Yeの一方は共通直流電源に接続
されておリ、他方は夫々エミッタ接地されてトランジス
タTrl〜Tr3のコレクタ側に接続されている。
In the figure, DE indicates a display element, which has the same detailed configuration as explained in FIG. 8. This display element DE is XI,
Xm, Xn, Xo, Xp material axis heating resistance wire (
These are called row lines) and column-axis heating resistance wires Yc, Yd, and Ye (these are called column lines), and one of the column lines Yc, Yd, and Ye is connected to a common DC power supply. The emitters of the first and second transistors are grounded and connected to the collector sides of the transistors Trl to Tr3.

行線XI、Xm’、Xn、Xo、Xpニ順次、加熱用電
流パJl/ スを印加すると、これ等の行線に対応する
単分子膜又は単分子層累積膜(不図示)が順次、線状に
加熱されるが、このとき、加熱の程度を単分子膜又は単
分子層累積膜の加熱表示の閾値以下になるように設定し
であるので、単分子膜又は単分子層累積膜中に加熱表示
用の高温領域の加熱部は発生しない。一方、加熱用電流
信号の印加に同期させながら、エミッタ接地されたトラ
ンジスタTrl 〜Tr3のペース側にビデオ信号用パ
ルスを加えてトランジスタTrl−Tr3をオンするこ
とにより、これらトランジスタTrl−Tr3 と夫々
接続している。列線Yc、Yd、Yeに対して、所定の
ビデオ信号を印加する。このビデオ信号の印加によって
、列導線Yc、Yd、Yeに対応する単分子膜又は単分
子層累積膜は線状に加熱される。これによって、加熱用
電流パルスとビデオ信号とが同期した行線と列線との交
叉部分においては両者の発熱により加算的に加熱されて
単分子膜又は単分子層累積膜の加熱の程度が加熱表示の
閾値を越え、選択された行線と列線の交叉部分に単分子
膜又は単分子層累積膜の加熱部5が形成される。
When a heating current path Jl/ is sequentially applied to the row lines XI, Xm', Xn, Xo, and Xp, the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film (not shown) corresponding to these row lines is Although it is heated linearly, at this time, the degree of heating is set so that it is below the heating display threshold of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film, so that There is no heating area in the high temperature area for heating display. On the other hand, in synchronization with the application of the heating current signal, a video signal pulse is applied to the pace side of the transistors Trl to Tr3 whose emitters are grounded to turn on the transistors Trl to Tr3, thereby connecting these transistors Trl to Tr3, respectively. are doing. Predetermined video signals are applied to column lines Yc, Yd, and Ye. By applying this video signal, the monomolecular film or the monomolecular layer stack corresponding to the column conductors Yc, Yd, and Ye is linearly heated. As a result, at the intersection of the row line and the column line where the heating current pulse and the video signal are synchronized, heat is generated additively from both, and the degree of heating of the monomolecular film or the monomolecular layer accumulation film increases. When the display threshold is exceeded, a heating portion 5 of a monomolecular film or a monomolecular layer stack is formed at the intersection of the selected row line and column line.

なお、以上の例において、駆動方式を次の様に変えた場
合にも、全く同様に作像することができ−る。即ち、行
線にビデオ信号を印加し、列線に加熱用電流信号を印加
する様に変形しても、効果は全く同じである。このよう
に第9図に例示した表示素子DEは、マトリックス駆動
をも可能とするものである。表示素子DEの単分子膜又
は単分子層累積膜の厚さが非常に薄い場合、上記の如く
、ストライプ状に配列される発熱抵抗線を保護用基板側
と基板側の両方に設置することにより、以下の効果が発
生する。
In the above example, even if the driving method is changed as follows, images can be formed in exactly the same way. That is, even if a modification is made in which a video signal is applied to the row lines and a heating current signal is applied to the column lines, the effect is exactly the same. In this way, the display element DE illustrated in FIG. 9 also enables matrix driving. When the thickness of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film of the display element DE is very thin, as described above, by installing heating resistance wires arranged in stripes on both the protective substrate side and the substrate side. , the following effects occur.

■ 製作工程が簡単になり、歩留りが向上する。■ The manufacturing process is simplified and the yield is improved.

■ 単分子膜又は単分子層累積膜を両側から加温するの
で、熱効率が良い。
■ Thermal efficiency is good because the monomolecular film or monomolecular layer stack is heated from both sides.

等である。etc.

発熱抵抗線の放熱効果を高めるため放熱板を別途、設け
ることが望ましい。この放熱板←こt士基=t (第8
図)を代用することが可能である。
It is desirable to separately provide a heat sink to enhance the heat dissipation effect of the heat generating resistance wire. This heat dissipation plate←kotshiki=t (8th
Figure) can be used instead.

なお、両信号線のすべてが発熱抵抗体によって形成され
る必要はない。むしろ、エネルギーの節約を図る上から
行線と列線の交叉部分のみを発熱抵抗体によって構成し
、それ以外はAIなどの良導体で構成する方が好ましい
と言えるが、その分、製造工程が複雑になる欠点はある
Note that it is not necessary that all of both signal lines be formed of heating resistors. Rather, in order to save energy, it is preferable to configure only the intersections of row lines and column lines with heating resistors, and configure the rest with good conductors such as AI, but this makes the manufacturing process more complicated. There are drawbacks to being.

又、第9図々示例の如きマトリ・ンクス駆動を行なうの
に好適な表示素子を構成するための発熱要素としての発
熱素子の他の例に就いて第10図により説明する。
Further, another example of a heat generating element as a heat generating element for configuring a display element suitable for matrix driving as shown in FIG. 9 will be explained with reference to FIG. 10.

第10図は、発熱素子の一部領域を模式的に描l/\た
外観斜視図である。図に於いて32は発熱抵抗層を示し
、これは、公知の発熱抵抗体(例えif、ニクロム合金
、硼化/\フニウム、窒化タンタル等)を面状に成膜し
て得られる。図示されてし)なl/)が、この抵抗層3
2は、勿論、図面下方にも延在している。又、33a、
33b、33c、33 dは何れも列導線であり、34
a、34b、34 Cは何れも行導線である。そして、
これ等全ての導線は、金、銀、銅、アルミニウム等の良
導体により得られる(なお、言及していないが、導線は
5i02 の絶縁膜(不図示)によって被覆されるのが
一般的である)。図示発熱素子に於いて、例えば、列導
線の33bと行導線の34cが選択されてこれ等に共に
電圧が印加されたときには、両者の交叉部35に対応す
る抵抗層32の一部に通電が為されて発熱する。
FIG. 10 is an external perspective view schematically depicting a partial region of the heating element. In the figure, numeral 32 denotes a heating resistor layer, which is obtained by forming a known heating resistor (for example, if, nichrome alloy, boron/\fnium, tantalum nitride, etc.) into a planar film. (not shown) is this resistance layer 3
2, of course, extends downward in the drawing. Also, 33a,
33b, 33c, and 33d are all column conductors, and 34
A, 34b, and 34C are all row conductors. and,
All of these conductive wires are made of good conductors such as gold, silver, copper, aluminum, etc. (Although not mentioned, the conductive wires are generally covered with a 5i02 insulating film (not shown).) . In the illustrated heating element, for example, when the column conductor 33b and the row conductor 34c are selected and a voltage is applied to them, the part of the resistance layer 32 corresponding to the intersection 35 of the two is not energized. It causes fever.

この様にして、行導線及び列導線の任意の(行・列)交
叉部を発熱させることができる。
In this way, any (row/column) intersection of the row conductor and the column conductor can be heated.

従って、図示発熱素子を第9図の発熱抵抗線30.31
及び絶縁層28からなる発熱要素としての発熱素子のか
わりに組込んだ表示素子に於いては、第9図々示例と同
様なマトリックス駆動方式によって、ドツトマトリック
ス画像の表示が可能である。
Therefore, the heating element shown in FIG.
In the display element incorporated in place of the heating element made of the insulating layer 28, it is possible to display a dot matrix image using a matrix driving method similar to the example shown in FIG.

ところで、第1O図に示した発熱素子に於いて、発熱抵
抗層32を、行導線34と列導線33との交叉部にのみ
分割して設ける(その他の領域では導線同志を絶縁する
)ことも可能であり、この様な構成(5511図)に於
いては、信号に忠実な作像にとって不都合なりコストー
クの発生を実質的に防止することができる。
By the way, in the heating element shown in FIG. 1O, the heating resistance layer 32 may be divided and provided only at the intersection of the row conducting wire 34 and the column conducting wire 33 (the conducting wires may be insulated from each other in other areas). This is possible, and in such a configuration (FIG. 5511), it is possible to substantially prevent the occurrence of costtalk, which is inconvenient for image formation faithful to the signal.

第1O図の例に於いては、行導線34a、34b・・・
(以下、行導線34という)と列導線33a、33b・
・・(以下、行導線33という)は5i02.513N
4等の絶縁膜(不図示)を介して配設されるが、行導線
34と列導線33の交叉領域の絶縁膜は取り除かれ、代
りにその部分に発熱抵抗体32a、32b、・・・(以
下、発熱抵抗体32という)が埋めこまれている。
In the example of FIG. 1O, the row conductors 34a, 34b...
(hereinafter referred to as row conductors 34) and column conductors 33a, 33b.
...(hereinafter referred to as row conductor 33) is 5i02.513N
However, the insulating film in the intersection region of the row conducting wire 34 and the column conducting wire 33 is removed, and instead heating resistors 32a, 32b, . . . (hereinafter referred to as a heating resistor 32) is embedded.

次に第12図に於いて斯かる第11図に示した発熱要素
としての発熱素子を第8図に示した発熱抵抗線30.3
1及び絶縁層29からなる発熱素子の代わり1こ組込ん
だ表示素子をマトリックス駆動する例について、更に詳
しく説明する。材軸選択回路36は行軸駆動回路37a
、37b・・・・・・(以下、行軸駆動回路37という
)と信号線により電気的に結合されており、さらに夫々
の行軸駆動回路37の各出力端子は夫々の行導線34と
結合している。出力端子と行導線34の結合のしかたは
様々あるが、本明細書に於ては基本的な態様について説
明するため、出力端子は行導線34の個数だけあり、一
つの出力端子は−の行導線と結合しているとする。
Next, in FIG. 12, the heating element as the heating element shown in FIG. 11 is connected to the heating resistance wire 30.3 shown in FIG.
An example in which a display element incorporating one display element instead of the heat generating element consisting of the heat generating element 1 and the insulating layer 29 is driven in a matrix will be described in more detail. The material axis selection circuit 36 is a row axis drive circuit 37a.
, 37b... (hereinafter referred to as the row axis drive circuit 37) by a signal line, and each output terminal of each row axis drive circuit 37 is coupled to each row conductor 34. are doing. There are various ways to connect the output terminals and the row conductors 34, but in order to explain the basic aspect in this specification, there are as many output terminals as there are row conductors 34, and one output terminal connects the - row. Suppose it is connected to a conductor.

動軸選択回路38、動軸駆動回路38a、3!3b、・
・・・・・(以下1列軸駆動回路38という)及び列導
線33相互の関係についても同様である。画像制御回路
4゜は材軸選択回路38及び動軸選択回路38と信号線
により電気的に結ばれている。画像制御回路4oは画像
制御信号を出力することによって、材軸選択回路3Bが
どの釘軸を選択すべきかを指令し、動軸選択回路38に
対しても同様である。即ち、画像制御回路40かもの画
像制御信号によって材軸選択回路36は行軸駆動回路3
7のいずれかを介して特定の釘軸(行導線)を選択(ス
イッチ・オン)する。例えば、材軸選択回路36が行導
線Xpを選択すればXp行選択信号を発し、それを受け
て行軸駆動回路37Xpは、行導線Xpに対しても材軸
駆動信号を入力する。一方、画像制御回路40からの画
像制御信号の一つであるビデオ信号が動軸選択回路38
に入力されると、その指令を受けて動軸選択回路3Bは
所定の動軸(列導線)を選択する。例えば、動軸選択回
路38が列導線Yeを選択すれば、動軸駆動回路39Y
eは動軸選択回路38から発せられたYe列選択信号を
受けて列導線Yeをスイッチφオン(導通)状態にする
Dynamic axis selection circuit 38, dynamic axis drive circuit 38a, 3!3b, ・
The same applies to the relationship between the column conductor 33 (hereinafter referred to as the first column axis drive circuit 38) and the column conductor 33. The image control circuit 4° is electrically connected to the material axis selection circuit 38 and the moving axis selection circuit 38 by signal lines. The image control circuit 4o outputs an image control signal to instruct the material axis selection circuit 3B which nail axis to select, and the same applies to the moving axis selection circuit 38. That is, depending on the image control signal from the image control circuit 40, the material axis selection circuit 36 selects the row axis drive circuit 3.
Select (switch on) a particular nail axis (row conductor) via either 7. For example, when the material axis selection circuit 36 selects the row conductor Xp, it issues an Xp row selection signal, and in response, the row axis drive circuit 37Xp inputs a material shaft drive signal also to the row conductor Xp. On the other hand, the video signal, which is one of the image control signals from the image control circuit 40, is sent to the moving axis selection circuit 38.
When the command is input, the moving axis selection circuit 3B selects a predetermined moving axis (column conducting wire) in response to the command. For example, if the dynamic axis selection circuit 38 selects the column conductor Ye, the dynamic axis drive circuit 39Y
In response to the Ye column selection signal issued from the dynamic axis selection circuit 38, the column conductor Ye is turned on (conducting) by the switch φ.

釘軸の選択と動軸の選択が同期してなされれば、本例の
場合、行導線Xpと列導線Yeの交叉点(選択点; X
p−Ye)にある発熱抵抗体に電流が流れ、ジュール熱
が発生し、不図示の単分子膜又は単分子層累積膜に加熱
部が形成される。非選択点にもリーク電流は流れるが単
分子膜又は単分子層累積膜の加熱部形成電流値以下であ
るので、単分子膜又は単分子層累積膜に加熱部は形成さ
れない。また、発熱抵抗体にダイオード機能を持たせる
ことにより、リーク電流をさらに微弱にすゐことができ
る。
If the selection of the nail axis and the selection of the moving axis are performed synchronously, in this example, the intersection point of the row conductor Xp and the column conductor Ye (selection point;
A current flows through the heating resistor located at p-Ye), generating Joule heat, and a heated portion is formed in a monomolecular film or a monomolecular layer accumulation film (not shown). Although a leakage current flows also at the non-selected points, the current value is less than the current value for forming the heating part of the monomolecular film or the monomolecular layer stack, so that no heating part is formed in the monomolecular film or the monomolecular stack stack. Furthermore, by providing the heating resistor with a diode function, the leakage current can be made even weaker.

このように第9図に於て説明したと同様に、第12図に
於ても、材軸駆動信号で線順次走査し、かつそれに同期
して動軸選択信号を出力し、動軸駆動回路39を介して
選択された列導線33を導通状態にすることにより二次
元の画像表示を行うことが指令を受けて動軸選択信号を
出力するものである。この時、発熱抵抗体を流れる電流
の向きは問わない。このような、行、及び動軸選択回路
36.38と行、及び動軸駆動回路37.38とはシフ
トトランジスタやトランジスタアレイ等を用いて公知の
技術により構成されるものである。
In this way, in the same way as explained in FIG. 9, in FIG. 12 as well, the material shaft drive signal is used to perform line sequential scanning, and in synchronization with this, the moving shaft selection signal is output, and the moving shaft drive circuit A moving axis selection signal is output in response to a command to display a two-dimensional image by bringing the selected column conducting wire 33 into conduction via the line 39. At this time, the direction of the current flowing through the heating resistor does not matter. The row and dynamic axis selection circuits 36 and 38 and the row and dynamic axis drive circuits 37 and 38 are constructed by known techniques using shift transistors, transistor arrays, and the like.

尚、以上説明した発熱素子を利用したマトリックス駆動
による表示方式に於ても、第3図(B)に於て前述した
ように第8図(B)に示した構成の表示素子DEにも、
必要に応じて単分子膜又は単分子層累積1113と反射
膜もしくは単分子膜又は単分子層累積膜3と発熱素子(
たとえば、その内の発熱抵抗線30)との間に耐蝕性の
酸化硅素膜や窒化シリコン膜を介在させることにより単
分子膜又は単分子層累積膜とそれらとの反応腐蝕を適宜
防止することもできる。
In addition, even in the matrix drive display method using the heating elements described above, the display element DE having the configuration shown in FIG. 8(B) as described above in FIG. 3(B) also
If necessary, a monomolecular film or a monomolecular layer stack 1113, a reflective film or a monomolecular film or a monomolecular layer stack 3, and a heating element (
For example, by interposing a corrosion-resistant silicon oxide film or silicon nitride film between the heat-generating resistance wire 30), reaction corrosion between the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film and these can be prevented as appropriate. can.

また、第7図に示したカラーモザイクフィルタの赤色フ
ィルタ部(R)や緑色フィルタ部(G)や青色フィルタ
部CB)を、適宜、発熱要素としての発熱部(たとえば
第8図に示した表示素子DEに於いては、発熱機光線3
0と3.1の交叉点部、また、第11図に示した発熱素
子においては、発熱抵抗体32の部分)上に夫々あわせ
て配列して設け (2)ることによって、第7図図示例
と同様な構成を採用することにより、第8図、第11図
に示した発熱素子を夫々用いた表示素子で、第7図と同
様な原理でカラー表示を行うことができることは勿論で
 (3)ある。
In addition, the red filter part (R), the green filter part (G), and the blue filter part CB) of the color mosaic filter shown in FIG. In element DE, heat generator ray 3
0 and 3.1 (or, in the case of the heating element shown in FIG. 11, the heating resistor 32). By adopting a configuration similar to that shown in the example, it is of course possible to perform color display using the same principle as in FIG. 7 with a display element using the heating elements shown in FIGS. 8 and 11, respectively. 3) Yes.

このようなマトリックス駆動型の表示素子は (4)第
4図及び第5図に示したライトバルブ式投写装晋にも適
用できる。 本発明はこの外にも感光性分子、強誘電性
物質、錯体等の機能性分子と表面 (5)活性物質との
結合によって、光、電気、イオン等 (6)によって制
御することができる単分子膜又は単分子層累積膜を有す
る光学素子を得ることもできる。 (7) 本発明の主要な効果はまとめると以下の通りである。 
(8) (1)微少な単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部の1
個を表示画素単位として高密度に配列することが可能で
あるから、高解像度の画像表示ができる。
(4) Such a matrix-driven display element can also be applied to the light valve type projection system shown in FIGS. 4 and 5. In addition to this, the present invention also applies to functional molecules such as photosensitive molecules, ferroelectric substances, complexes, and surfaces (5) that can be controlled by light, electricity, ions, etc. (6) by binding with active substances. It is also possible to obtain optical elements having molecular films or monomolecular layer stacks. (7) The main effects of the present invention are summarized as follows.
(8) (1) 1 of the heating part of minute monomolecular film or monomolecular layer cumulative film
Since these pixels can be arranged in high density as display pixel units, high resolution images can be displayed.

表示画素としての単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部
の存続時間を調節することによって、静止画、又は、ス
ローモーションを含む動画の表示が容易にできる。
By adjusting the duration of the heating portion of the monomolecular film or the monomolecular layer stack as display pixels, it is possible to easily display still images or moving images including slow motion.

多色表示、並びに、フルカラー表示を容易に実施するこ
とができる。
Multicolor display and full color display can be easily implemented.

素子の構造が比較的、簡略であるから、その生産性に優
れているし、素子の耐久性が高く信頼性に優れている。
Since the structure of the device is relatively simple, productivity is excellent, and the device has high durability and reliability.

広範囲な駆動方式に適応できる。Can be adapted to a wide range of drive systems.

ラングミュア・プロジェット法を用いて単分子膜又は単
分子層累積膜を作製できるので、大面積化が極めて容易
に図れる。
Since a monomolecular film or a monomolecular layer stack can be produced using the Langmuir-Prodgett method, it is extremely easy to increase the area.

液晶のような液体を用いないので、製作が容易であり、
かつ安全である。
Since it does not use liquid like liquid crystal, it is easy to manufacture.
and safe.

本発明に係る光変調方法を利用する光学素子は、表示装
置への応用に限らず、電子写真等に用いられる光変調製
置への応用も可能である。
The optical element using the light modulation method according to the present invention can be applied not only to display devices but also to light modulation equipment used in electrophotography and the like.

本発明を更に具体的に説明するために、以下に実施例を
あげる。
In order to explain the present invention more specifically, Examples are given below.

実施例1 表示素子を以下のようにして製造した。Example 1 A display element was manufactured as follows.

50mm角のガラス基板表面上にスパッタリング法によ
り膜厚1500AのGd−Tb・Fe(ガドリニウム拳
テレビウム・鉄)層を付着して、輻射線吸収層9を形成
した。このGd−Tb−Fe層の酸化を防止するため、
その上に5i02 保護膜で被覆した。
A radiation absorbing layer 9 was formed by depositing a 1500 Å thick Gd-Tb.Fe (gadolinium terebrium iron) layer on the surface of a 50 mm square glass substrate by sputtering. In order to prevent oxidation of this Gd-Tb-Fe layer,
A 5i02 overcoat was coated thereon.

次に、上記基板を充分洗浄後、ジョイスーレーブル(J
oyce−L、oebl)社製のLB膜膜製製装置Tr
ough−4)の4X 1.On”m口1のCdCl2
を含む水相中に浸漬した。その後アルキジン酸5X 1
0 ”’molを含むクロロホルム液0.1mlを水相
中にシリンジを用いて滴下した。クロロホルムの揮発後
アルキジン酸単分子層が表面圧3Qdyne/cm” 
になるよう調節し、1゜Cm/winの速度で引上げと
浸漬を繰り返すことにより、 SiO□膜の表面上に膜
厚5〜l QamのY型累積膜を付着形成し、その上に
保護用基板4としてガラス基板を被せた。さらに、ガラ
ス基板4の外側表面に密接ないし近接して5本/m+a
の線状格子を設置した。
Next, after thoroughly cleaning the above board, Joys-Lable (J
LB film manufacturing device Tr manufactured by oyce-L, oebl)
4X of (ough-4) 1. On”m port 1 CdCl2
immersed in an aqueous phase containing Then alchidic acid 5X 1
0.1 ml of chloroform solution containing 0 mol was dropped into the aqueous phase using a syringe. After volatilization of the chloroform, the alchidic acid monolayer had a surface pressure of 3 Qdyne/cm.
By repeating pulling and dipping at a rate of 1°Cm/win, a Y-type cumulative film with a thickness of 5 to 1 Qam was deposited on the surface of the SiO□ film, and a protective layer was applied on top of it. A glass substrate was covered as the substrate 4. Furthermore, 5 pieces/m+a are placed closely or close to the outer surface of the glass substrate 4.
A linear grid was installed.

輻射線熱源として、波長830r+mを発光する半導体
レーザを使用した。アルキジン酸は半動体レーザの照射
によって加温され、そこを通過する入射光束の池面は変
形を受け光変調効果が確認された。
A semiconductor laser that emits light at a wavelength of 830 r+m was used as a radiant heat source. The alchidic acid was heated by irradiation with a semi-dynamic laser, and the surface of the pond where the incident light beam passed through it was deformed, and a light modulation effect was confirmed.

実施例2 表示素子を以下のようにして製造した。Example 2 A display element was manufactured as follows.

50mm角のガラス基板表面に、膜厚1500Aのイン
シジウム拳ティン・オキサイド(I−T−0)をスパッ
タリング法によりつけた。次にフォトエツチング法によ
り、10木/mmの線状パターンを形成して、透明発熱
抵抗線31を得た。なお、工・T・0のエツチング液と
しては、塩化第2鉄水溶液と塩酸の混合液を用いた。次
に、透明発熱抵抗線31が設置されたガラス基板表面に
膜厚200OAのSiO膜をスパッタリング法により付
着して、絶縁層29を形成した。さらに、その上に、膜
厚1500人のIφT・0を付け、フォトエツチング法
により、透明発熱抵抗線30を前記透明発熱抵抗線3X
と直交するように形成した。
Incidium tin oxide (IT-0) having a thickness of 1500 Å was applied to the surface of a 50 mm square glass substrate by sputtering. Next, a linear pattern of 10 wood/mm was formed by photoetching to obtain a transparent heating resistance wire 31. As the etching solution for T.O., a mixed solution of ferric chloride aqueous solution and hydrochloric acid was used. Next, an SiO film having a thickness of 200 OA was deposited on the surface of the glass substrate on which the transparent heating resistance wire 31 was placed by sputtering to form an insulating layer 29. Furthermore, IφT·0 with a film thickness of 1500 is applied thereon, and the transparent heat generating resistance wire 30 is formed by photoetching.
It was formed to be perpendicular to the

次に上記基板の上にステアリン酸の累積膜を実施例1と
同様の条件・工程に従って膜厚5−10μmこなるよう
に形成し、その上にガラス基板4を被せた。
Next, a cumulative film of stearic acid was formed on the substrate to a thickness of 5 to 10 μm according to the same conditions and steps as in Example 1, and the glass substrate 4 was placed thereon.

輻射線熱源として、波長830na+を発光する半導体
レーザを用いた。
A semiconductor laser that emits light at a wavelength of 830 na+ was used as a radiant heat source.

適楢なシュリーレン光学系と組み合わせて駆動させると
所定の光変調効果があることを確認した。即ち、半導体
レーザの照射によって、ステアリン酸層の所定箇所が加
温されそこを通過する入射光束の波面は変形された。
It was confirmed that when driven in combination with an appropriate Schlieren optical system, a certain light modulation effect can be achieved. That is, a predetermined portion of the stearic acid layer was heated by the irradiation with the semiconductor laser, and the wavefront of the incident light flux passing through the predetermined portion was deformed.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図(A)は発明に係る光変調方法を利用する透過型
の表示素子の断面図、第1図(B)は発明に係る光変調
方法を利用する反射型の表示素子の断面図、第2図は、
単分子層累積膜の模式図、第3図は、本発明に係る光変
調方法を利用する表示素子の作像原理の説明図であり、
第3図(A)は、透過型表示素子の場合、第3図(B)
は、反射型表示素子の場合である。第4図、第5図は本
発明に係る光変調方法を利用する表示素子を組み込んだ
ライトバルブ式投写装置の概略構弐図である。 第6図は本発明に係る光変調方法を利用する表示装置と
してのライトバルブ式投写装置のブロック図である。第
7図は、本発明に係る光変調方法を利用するカラー表示
素子の断面図、第8図は、マトリックス駆動型の表示素
子の構成例を示す断面図であり、第8図(A)は、透過
型表示素子、第8図(B)は、反射型表示素子である。 第9図は、本発明に係る光変調方法を利用する作像方式
の模式・的説明図、第10図、第11図は発熱素子の各
構成例を説明するための外観部分斜視図、第12図は、
マトリックス駆動表示装置のブロック図である。 DE;表示素子 1:&板 2−発熱要素 3;単分子膜又は単分子層累積膜 4;保護用基板 5:単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部6:発熱要素
の加熱部 7:照明光 8−1:親木基 8−2.疎水基 9:輻射線吸収層 10:輻射線 11:反射膜 12:発熱体層 13:格子 13a:第1格子 13b :第2格子 14:シュリーレンレンズ 15ニスクリーン 16:入射光 17:結像レンズ 18:水平スキャナー 19:垂直スキャナー 20:レンズ 21:コールドフィルタ 22:映像発生回路 23:制御回路 24:映像増幅回路 25:水平駆動回路、垂直駆動回路 26:レーザ光源 27:光変調器 28:カラーモザイクフィルタ 2θ:絶縁層 30、31・発熱抵抗線 32、32a、32b、33c、・・・:発熱抵抗層9
発熱抵抗体33.33a、33b、33cm :列導線
34.34a、34b、34c・= :行導線35−交
叉部 3B−釘軸選択回路 37.3?a、37b・−:材軸駆動回路38:列軸選
択回路 39.39a、39h−:動軸駆動回路40:画像制御
回路 特許出願人 キャノン株式会社 第1図 第2図 ]2 (A) (B) 第 3 図 第4図 一 第5図 第6図 (A) (B) 第 8 図 手 続 補 正 書 (方式) 昭和58年 4月2S日 特許庁長官 殿 1、事件の表示 昭和58年 特許願 第233858
号2、発明の名称 光変調方法 (100)キャノン株式会社 発送日:昭和59年3月27日 6、補正の対象 図面 する。(内容に変更なし) X丁〉、
FIG. 1(A) is a cross-sectional view of a transmissive display element using the light modulation method according to the invention, FIG. 1(B) is a cross-sectional view of a reflective display element using the light modulation method according to the invention, Figure 2 shows
FIG. 3, a schematic diagram of a monomolecular layer cumulative film, is an explanatory diagram of the principle of image formation of a display element using the light modulation method according to the present invention,
In the case of a transmissive display element, FIG. 3(A) is similar to FIG. 3(B).
is the case of a reflective display element. 4 and 5 are schematic diagrams of a light valve type projection device incorporating a display element using the light modulation method according to the present invention. FIG. 6 is a block diagram of a light valve type projection device as a display device using the light modulation method according to the present invention. FIG. 7 is a sectional view of a color display element using the light modulation method according to the present invention, FIG. 8 is a sectional view showing a configuration example of a matrix-driven display element, and FIG. , a transmissive display element, and FIG. 8(B) is a reflective display element. FIG. 9 is a schematic explanatory diagram of an image forming method using the light modulation method according to the present invention, FIGS. Figure 12 is
FIG. 1 is a block diagram of a matrix drive display device. DE; display element 1: & plate 2-heating element 3; monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 4; protective substrate 5: heating section 6 of monomolecular film or monomolecular layer stacking film: heating section 7 of the heating element : Illumination light 8-1: Oyagimoto 8-2. Hydrophobic group 9: Radiation absorption layer 10: Radiation 11: Reflection film 12: Heat generating layer 13: Grating 13a: First grating 13b: Second grating 14: Schlieren lens 15 Screen 16: Incident light 17: Imaging lens 18: Horizontal scanner 19: Vertical scanner 20: Lens 21: Cold filter 22: Image generation circuit 23: Control circuit 24: Image amplification circuit 25: Horizontal drive circuit, vertical drive circuit 26: Laser light source 27: Light modulator 28: Color Mosaic filter 2θ: insulating layers 30, 31/heating resistance wires 32, 32a, 32b, 33c,...: heating resistance layer 9
Heating resistors 33.33a, 33b, 33cm: Column conductors 34.34a, 34b, 34c.=: Row conductors 35-intersection portion 3B-nail axis selection circuit 37.3? a, 37b・-: Material axis drive circuit 38: Row axis selection circuit 39. 39a, 39h-: Dynamic axis drive circuit 40: Image control circuit Patent applicant Canon Co., Ltd. Fig. 1 Fig. 2] 2 (A) ( B) Figure 3 Figure 4 Figure 5 Figure 6 (A) (B) Figure 8 Proceedings Amendment (Method) April 2S, 1980 Commissioner of the Patent Office Sir 1, Indication of the case 1981 Year Patent Application No. 233858
No. 2, Name of invention Light modulation method (100) Canon Co., Ltd. Shipping date: March 27, 1980 6. Drawings subject to amendment. (No change in content)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 入力信号に応じて熱を発生する手段により疎水部分と親
木部分とを有する有機化合物分子からなる単分子膜又は
単分子層累積膜を加熱してその屈折率分布を変化せしめ
、入射光束の波面を変形することを特徴とする光変調方
法。
A monomolecular film or a monomolecular layer stack consisting of organic compound molecules having a hydrophobic part and a parent part is heated by a means that generates heat according to an input signal to change its refractive index distribution, thereby changing the wavefront of the incident light beam. A light modulation method characterized by transforming.
JP58233656A 1983-11-26 1983-12-13 Optical modulating method Pending JPS60125828A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58233656A JPS60125828A (en) 1983-12-13 1983-12-13 Optical modulating method
US06/674,602 US4796981A (en) 1983-11-26 1984-11-26 Optical element for modulation of light by heating a monomolecular film

Applications Claiming Priority (1)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5794503A (en) * 1994-08-25 1998-08-18 Tenryu Seikyo Kabushiki Kaisha Disc cutter

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US5794503A (en) * 1994-08-25 1998-08-18 Tenryu Seikyo Kabushiki Kaisha Disc cutter

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