JPS61284735A - Optical modulator - Google Patents

Optical modulator

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JPS61284735A
JPS61284735A JP12642885A JP12642885A JPS61284735A JP S61284735 A JPS61284735 A JP S61284735A JP 12642885 A JP12642885 A JP 12642885A JP 12642885 A JP12642885 A JP 12642885A JP S61284735 A JPS61284735 A JP S61284735A
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JP
Japan
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film
monomolecular
light
heating
layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP12642885A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yukio Nishimura
征生 西村
Toshiaki Kimura
木村 稔章
Kunihiro Sakai
酒井 邦裕
Takashi Nakagiri
孝志 中桐
Kenji Saito
謙治 斉藤
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
  • Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)

Abstract

PURPOSE:To display an image having good quality with high resolubiton by providing an optical means having a heating element for heating a molecular film consisting of org. compd. molecules having a hydrophobic part and hydrophilic part, signal output means for outputting the signal corresponding to image information and illuminating optical system. CONSTITUTION:The desired position of the heating element 2 is heated to generate a property change in the heated part 5 of the monomolecular film or cumulative film 3 of the monomolecular layers on the element 2. The optical path is changed or scattering is generated by the light passing through the part except the heated part 5 and the light passing through the heated part 6 when illuminating light 7 which is parallel light is made incident on the optical element from the substrate 1 side thereof. Such change is directly or indirectly detected and displayed. The change of the optical path arising from the refraction, scattering, diffraction, etc. of the light 7 passing through the heated part 5 by the refractive index gradient generated thermally in said part and the consequent refraction thereof without passing through the inside of the molecular film 3 is utilized. A wide range of org. compds. having the hydrophobic part and hydrophilic part in the molecules are usable for the molecules constituting the molecular film of the optical element.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、有機化合物の化学的および物理的変化を利用
した新規な光変調装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a novel light modulation device that utilizes chemical and physical changes in organic compounds.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

現在、各種の事務用機器や計測用機器における端末表示
器、あるいはテレビやビデオカメラ用モニターにおける
表示器として陰極線管(いわゆるCRT)が広く利用さ
れている。しかしこのCRTに就いては、画質、解像度
、表示容量の面で銀塩もしくは電子写真法を用いたハー
ドコピー程度のレベルに達していないと云う不満が残さ
れている。またCRTに代わるものとして、液晶により
ドツトマトリックス表示する。いわゆる液晶パネルの実
用化の試みも為されているが、この液晶パネルに就いて
も駆動性、信頼性、生産性、#久性の面で未だ満足でき
るものは得られていない。
Currently, cathode ray tubes (so-called CRTs) are widely used as terminal displays in various office equipment and measuring instruments, or as displays in monitors for televisions and video cameras. However, dissatisfaction with this CRT remains that it does not reach the level of hard copies using silver salt or electrophotography in terms of image quality, resolution, and display capacity. Also, as an alternative to CRT, dot matrix display is performed using liquid crystal. Although attempts have been made to put so-called liquid crystal panels into practical use, no liquid crystal panel has yet been found to be satisfactory in terms of drive performance, reliability, productivity, and durability.

液晶はさらに光スイツチング素子としても利用    
 □されているが、一般的に応答速度が遅い、これを改
善しようとすると用いる液晶の種類が限られてくるが、
それでも使用温度が限定されるという液晶自体の問題点
もある為、汎用性に乏しい。
Liquid crystals can also be used as optical switching elements
□ However, the response speed is generally slow. If you try to improve this, the types of liquid crystals that can be used will be limited.
However, there are also problems with the liquid crystal itself, such as limited operating temperatures, so it lacks versatility.

上記の問題点を克服し、汎用性に優れた光学素子ならび
にそれを利用した光変調装置は未だ得られていないのが
現状である。
At present, an optical element that overcomes the above problems and has excellent versatility and a light modulation device using the same have not yet been obtained.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

本発明は、かかる技術分野における従来技術の解決し得
なかった課題を解決することを目的とする。
The present invention aims to solve problems that could not be solved by the conventional techniques in this technical field.

つまり1本発明の目的は、高解像度で良質の画像を表示
する。駆動性、生産性、耐久性、信頼性に優れた表示装
置、記録装置、記憶装置等に利用する新規な光変調装置
を提供することにある。さらに本発明の目的は、有機化
合物を利用した光変調装置を提供することにある。
In other words, one object of the present invention is to display high-resolution, high-quality images. It is an object of the present invention to provide a novel light modulation device for use in display devices, recording devices, storage devices, etc., which has excellent drive performance, productivity, durability, and reliability. A further object of the present invention is to provide a light modulation device using an organic compound.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

上記の目的は、以下の本発明によって達成される。 The above object is achieved by the present invention as follows.

即ち本発明の目的は、少なくとも疎水性部分と親水性部
分とを有する有機化合物分子からなる単分子膜またはそ
の累積膜および該単分子膜またはその累積膜を加熱する
ための発熱要素とを具備する光学素子、該発熱要素を駆
動せしめる駆動手段、該素子に画像情報に応じた信号を
出力する信号出力手段、該光学素子を照明するための照
明光学系を具備する享を特徴とする光変調装置である。
That is, an object of the present invention is to provide a monomolecular film or a cumulative film thereof made of organic compound molecules having at least a hydrophobic part and a hydrophilic part, and a heating element for heating the monomolecular film or the cumulative film. A light modulation device comprising an optical element, a driving means for driving the heat generating element, a signal output means for outputting a signal according to image information to the element, and an illumination optical system for illuminating the optical element. It is.

〔作 用〕[For production]

本発明に用いる光学素子の作成方法は、少なくとも疎水
部分と親水部分とを有する有機化合物分子からなる単分
子膜または単分子層累積膜および該単分子膜または該単
分子層累積膜を加熱するための発熱要素とを具備する光
学素子を作成する方法において、該単分子膜または該単
分子層累積膜をラングミュア舎プロジェット法により作
成することを特徴とする。
The method for producing an optical element used in the present invention includes heating a monomolecular film or a monomolecular layer accumulation film made of organic compound molecules having at least a hydrophobic part and a hydrophilic part, and heating the monomolecular film or the monomolecular layer accumulation film. A method for producing an optical element comprising a heat generating element is characterized in that the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film is produced by the Langmuir-Prodgett method.

以下に上記の方法にて作成した光学素子の例を図面に従
って説明する。第1図は光学素子の断面図であり、第1
図(A)は透過型の光学素子OEを、また第1図(B)
は反射型の光学素子OEをそれぞれ示している。1は基
板、2は発熱要素、3は単分子膜または単分子層累積膜
、4は保護用基板である。
Examples of optical elements produced by the above method will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view of the optical element, and the first
Figure (A) shows a transmission type optical element OE, and Figure 1 (B)
1 and 2 respectively indicate reflective optical elements OE. 1 is a substrate, 2 is a heating element, 3 is a monomolecular film or a monomolecular layer stack, and 4 is a protective substrate.

第1図(A)の透過型の光学素子の作像原理は1次のと
おりである。
The image forming principle of the transmission type optical element shown in FIG. 1(A) is as follows.

作像のためにあるパターンに従い、発熱要素2の所望す
る位置を加熱し、加熱された発熱要素2上の単分子膜ま
たは単分子層累積膜3の加熱部5において物性変化を生
ぜしめる。この光学素子の基板l側から平行光である照
明光7゛を入射させると、加熱部5以外の部分を通過す
る光と、加熱部6を通過する光とで、光路が変化したり
散乱が生じたりする。この変化を直接、間接にとらえ表
示する。
A desired position of the heating element 2 is heated according to a certain pattern for image formation, and a physical property change is caused in the heated portion 5 of the monomolecular film or monomolecular layer accumulation film 3 on the heated heating element 2. When illumination light 7', which is parallel light, is incident from the substrate l side of this optical element, the optical path changes and scattering occurs due to the light passing through parts other than the heating part 5 and the light passing through the heating part 6. Occurs. Capture and display this change directly or indirectly.

第1図(B)の反射型の光学素子においては、照射光7
を透過型とは逆に保護用基板4側から入射し、単分子膜
または単分子層累積!13より基板l側に設けである不
図示の反射膜によって反射せしめ、加熱部5と加熱部5
以外の部において反射される反射光の光路の変化をとら
え表示する。
In the reflective optical element shown in FIG. 1(B), the irradiation light 7
Contrary to the transmission type, the light enters from the protective substrate 4 side, forming a monomolecular film or a monomolecular layer accumulation! 13 is reflected by a reflection film (not shown) provided on the substrate l side, and the heating part 5 and the heating part 5
Changes in the optical path of reflected light reflected at other parts are captured and displayed.

本発明の光学素子の単分子膜または単分子層累積膜の構
成分子としては、分子内に疎水部分と親水部分を有する
有機化合物であれば広く用いることができる。
As the constituent molecules of the monomolecular film or monomolecular layer stack of the optical element of the present invention, a wide variety of organic compounds can be used as long as they have a hydrophobic part and a hydrophilic part in the molecule.

このような有機化合物としては、以下のものが伽壬七釣
ス (1)高級脂肪酸 CH3(CH2)8.C00H CH3(CH2)1. C00H CH3(CH2)、8COOH CH3(CH2)4(CH=CHCH2)、 (CH2
)2COOHCH2= CH(CH2)8COOH CH2= CH(CH2)、、 C00)ICH2= 
CH(CH2)2oCOOHCH3(CH2)、7CC
0OH CH2 CH3(CH2)、 C−C−C−C(CH2)、 C
oolCH8(CH2)、 C=C−C−C(CH2)
、 Coo)ICH3(CH2)、、C−C−C=C(
CH2)、 C00HCH3(CH,)、3C=C・−
C=C(CH2)8COOH(2)シアニン色素 一般式(I) X←CH= CH←X 試中Xは■または■の基であり、y:は■〜Xの基であ
り、nはOまたは正の整数である)で示されるシアニン
色素。
Examples of such organic compounds include the following: (1) higher fatty acids CH3 (CH2); C00H CH3(CH2)1. C00H CH3(CH2), 8COOH CH3(CH2)4(CH=CHCH2), (CH2
)2COOHCH2= CH(CH2)8COOH CH2= CH(CH2),, C00)ICH2=
CH(CH2)2oCOOHCH3(CH2), 7CC
0OH CH2 CH3(CH2), C-C-C-C(CH2), C
oolCH8(CH2), C=C-C-C(CH2)
,Coo)ICH3(CH2),,C-C-C=C(
CH2), C00HCH3(CH,), 3C=C・-
C=C(CH2)8COOH(2) Cyanine dye general formula (I) X←CH= CH←X In the test, X is a group of ■ or ■, y: is a group of ■ to or a positive integer).

(1)             (m)CN)   
         (V)(■)(■) (vr)               (DO■から
xの式中、Z t* N −R1、Q、Se。
(1) (m)CN)
(V) (■) (■) (vr) (DO■ In the formula of x, Z t* N -R1, Q, Se.

((Me) 2 テあり、YはHまたは2− M e 
テあり、R1はC1〜4のアルキル基であり、R2t士
CIO〜30のアルキル基である。
((Me) 2 Te, Y is H or 2-Me
R1 is a C1-4 alkyl group, and R2 is a C1-30 alkyl group.

一般式1で示されるシアニン色素の具体例を以下に例示
する。
Specific examples of the cyanine dye represented by general formula 1 are illustrated below.

(3)アゾ色素 (R2ハC,。、、のアルキル基である。)(4)  
リン脂質 レシチン スフィンゴミエリン プラスマロゲン ケファリン (5)  長鎖ジアルキルアンモニウム塩(mはlO〜
30の整数) 前記有機化合物を用いて単分子膜または単分子層累積膜
を作成する方法としては、例えば。
(3) Azo dye (R2 is an alkyl group of C,...) (4)
Phospholipid lecithin sphingomyelin plasmamalogen kephalin (5) Long chain dialkylammonium salt (m is lO~
(an integer of 30) As a method for creating a monomolecular film or a monomolecular layer cumulative film using the organic compound, for example.

I 、Langmu i rらの開発したラングミュア
・ブロジェット法(LB法)を用いる。ラングミュア・
ブロジェット法は、分子内に親水基と疎水基を有する構
造の分子において、両者のバランス(両親媒性のバラン
ス)が適度に保たれているとき、分子は水面上で親水基
を下に向けて単分子の層になることを利用して単分子膜
または単分子層の累積膜を作成する方法である。水面上
の単分子層は二次元系の特徴をもつ0分子がまばらに散
開しているときは、一分子当り面aAと表面圧■との間
に二次元理想気体の式、 nA=kT が成り立ち、“気体膜”となる、ここに、kはポルツマ
ン定数、Tは絶対温度である。Aを十分小さくすれば分
子間相互作用が強まり二次元固体の“凝縮膜(または固
体膜)”になる、凝縮膜はガラスなどの基板の表面へ一
層づつ移すことができる。この方法を用いて、単分子膜
まはた単分子層累積膜は例えば次に示すようにして製造
する。
The Langmuir-Blodgett method (LB method) developed by Langmuir et al. langmuir
Blodgett's method is a molecule with a structure that has a hydrophilic group and a hydrophobic group, and when the balance between the two (amphiphilic balance) is maintained appropriately, the molecule faces the hydrophilic group downward on the water surface. This is a method of creating a monomolecular film or a cumulative film of monomolecular layers by utilizing the fact that the monomolecular layer becomes a monomolecular layer. When the monomolecular layer on the water surface has the characteristics of a two-dimensional system and zero molecules are sparsely dispersed, the two-dimensional ideal gas equation, nA=kT, is established between the surface aA per molecule and the surface pressure ■. , resulting in a "gas film", where k is Portzmann's constant and T is the absolute temperature. If A is made sufficiently small, the intermolecular interaction becomes strong and a two-dimensional solid "condensed film (or solid film)" is formed, and the condensed film can be transferred layer by layer to the surface of a substrate such as glass. Using this method, a monomolecular film or a monomolecular layer stack is produced, for example, in the following manner.

まず有機化合物を溶剤に溶解し、これを水相中に展開し
、有機化合物を膜状に析出させる。
First, an organic compound is dissolved in a solvent, and this is expanded into an aqueous phase to precipitate the organic compound in the form of a film.

次にこの析出物が水相上を自由に拡散して拡がりすぎな
いように仕切板(または浮子)を設けて展開面積を制限
して膜物質の集合状態を制御し、その集合状態に比例し
た表面圧nを得る。
Next, to prevent this precipitate from freely diffusing on the aqueous phase and spreading too much, a partition plate (or float) is installed to limit the area of development and control the state of aggregation of the film substance, and the Obtain the surface pressure n.

この仕切板を動かし、展開面積を縮少して膜物質の集合
状態を制御し、表面圧を徐々に上昇させ、累積膜の製造
に適する表面圧■を設定することができる。この表面圧
を維持しながら静かに清浄な基板を垂直に上下させるこ
とにより単分子膜が基板上に移しとられる。単分子膜は
以上で製造されるが、単分子層累積膜は、前記の操作を
繰り返すことにより所望の累積度の単分子層累積膜が形
成される。
By moving this partition plate, the developed area can be reduced to control the state of aggregation of the film material, and the surface pressure can be gradually increased to set the surface pressure (2) suitable for producing a cumulative film. The monomolecular film is transferred onto the substrate by gently vertically moving the clean substrate up and down while maintaining this surface pressure. A monomolecular layer film is produced as described above, and a monomolecular layer cumulative film having a desired degree of accumulation is formed by repeating the above-mentioned operations.

成膜分子は、前記の有機化合物から1種またj−トウ1
−fシトIL:9!El−うCk;と;単分子膜又は単
分子層累積膜の厚さは30人〜300gmが適しており
、特に3000人〜30ルmが適している。
The film-forming molecule may be one of the above-mentioned organic compounds or J-Tow1.
-f site IL: 9! The thickness of the monomolecular film or the monomolecular layer stack is preferably 30 gm to 300 gm, particularly 3000 gm to 30 gm.

単分子層を基板上に移すには、上述した垂直浸せき法の
他、水平付着法、回転円筒法などの方法による。水平付
着法は基板を水面に水平に接触させて移しとる方法で、
回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転させて単分
子層を基体表面に移しとる方法である。前述した垂直浸
せき法では、水面を横切る方向に基板をおろすと一層め
は親水基が基板側に向いた単分子層が基板上に形成され
る。前述の様に基板を上下させると、各行程ごとに1枚
づつ単分子層が重なっていく、成膜分子の向きが引上げ
工程と浸せき工程で逆になるので、この方法によると各
層間は親水基と親水基、疎水基と疎水基が向かい合うY
型膜が形成される。この様にして作成された単分子層累
積膜の模式図を第2図に示す。
In order to transfer the monolayer onto the substrate, in addition to the above-mentioned vertical dipping method, methods such as horizontal deposition method and rotating cylinder method are used. The horizontal attachment method is a method in which the substrate is transferred by contacting it horizontally with the water surface.
The rotating cylinder method is a method in which a cylindrical substrate is rotated on the water surface to transfer a monomolecular layer onto the surface of the substrate. In the vertical immersion method described above, when the substrate is lowered in a direction across the water surface, a monomolecular layer with the hydrophilic groups facing the substrate is formed on the substrate as the first layer. As mentioned above, when the substrate is moved up and down, the monomolecular layers overlap one by one in each process.The direction of the film-forming molecules is reversed in the pulling process and the dipping process, so according to this method, the spaces between each layer are hydrophilic. Y where a group and a hydrophilic group, a hydrophobic group and a hydrophobic group face each other
A mold film is formed. A schematic diagram of the monomolecular layer cumulative film produced in this manner is shown in FIG.

図中8−1は親水基、8−2は疎水基である。In the figure, 8-1 is a hydrophilic group, and 8-2 is a hydrophobic group.

それに対し、水平付着法は、基板を水面に水平に接触さ
せて移しとる方法で、疎水基が基板側に向いた単分子層
が基板上に形成される。この方法では、累積しても、成
膜分子の向きの交代はなく全ての層において、疎水基が
基板側に向いたX型膜が形成される0反対に全ての層に
おいて親水基が基板側に向いた累積膜はX型膜と呼ばれ
る。
On the other hand, the horizontal deposition method is a method in which the substrate is brought into horizontal contact with the water surface and transferred, and a monomolecular layer with hydrophobic groups facing the substrate is formed on the substrate. In this method, there is no change in the orientation of the film-forming molecules even if they are accumulated, and an X-shaped film is formed in which the hydrophobic groups face the substrate in all layers.On the contrary, in all the layers, the hydrophilic groups face the substrate. A cumulative film oriented toward is called an X-type film.

回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転させて単分
子層を基体表面に移しとる方法である。単分子層を基板
上に移す方法は、これらに限定されるわけではなく、大
面積基板を用いる時には、基板ロールから水相中に基板
を押し出していく方法などもとり得る。また、前述した
親水基、疎水基の基板への向きは原則であり。
The rotating cylinder method is a method in which a cylindrical substrate is rotated on the water surface to transfer a monomolecular layer onto the surface of the substrate. The method of transferring the monomolecular layer onto the substrate is not limited to these methods, and when using a large-area substrate, a method of extruding the substrate from a substrate roll into an aqueous phase may also be used. Furthermore, the directions of the hydrophilic and hydrophobic groups mentioned above toward the substrate are in principle.

基板の表面処理等によって変えることもできる。It can also be changed by surface treatment of the substrate.

単分子膜または単分子層累積膜を作成する他の方法とし
ては、スパッタリング法、プラズマ重合法、二分子膜作
製法などがある。
Other methods for creating a monomolecular film or a monomolecular layer stack include a sputtering method, a plasma polymerization method, and a bilayer film production method.

基板1として使用する事のできるものとしては、ガラス
、アルミニウムなどの金属、プラスチック、セラミック
などが挙げられる。第1図(A)に示した透過型の場合
には、できる限り耐圧性のある透光性の4ガラスやプラ
スチック。
Examples of materials that can be used as the substrate 1 include glass, metals such as aluminum, plastics, and ceramics. In the case of the transmission type shown in FIG. 1(A), use 4 glass or plastic that is as pressure-resistant and translucent as possible.

特に無色乃至淡色のものが好ましい、また、基板表面の
洗浄が不十分であると、単分子層を水面から移しとる時
に、単分子膜が乱れ、良好な単分子膜または単分子層累
積膜ができないので基板表面が清浄なものを使用する必
要がある。
A colorless or light-colored one is particularly preferable. Also, if the substrate surface is insufficiently cleaned, the monomolecular layer will be disturbed when the monomolecular layer is transferred from the water surface, and a good monomolecular film or monomolecular layer accumulation film will not be obtained. Since this is not possible, it is necessary to use a substrate with a clean surface.

保護用基板4としては、できる限り耐圧性のある透光性
のガラスやプラスチッが適しており、特に無色乃至淡色
のものが好ましい、保護用基板4を設けることは、単分
子膜または単分子層累積膜の耐久性、安定性を向上させ
るためには、好ましいことであるが、成膜分子の選択に
よって保護用基板は設けても設けなくてもよい。
As the protective substrate 4, pressure-resistant and transparent glass or plastic is suitable as much as possible, and colorless or light-colored ones are particularly preferable. Although this is preferable in order to improve the durability and stability of the cumulative film, the protective substrate may or may not be provided depending on the selection of film-forming molecules.

発熱要素2は、ドツトマトリックス状(点打列状)、ド
ツトライン状(点線状)、ライン状、島状等の種々の形
態で発熱して熱伝導により単分子膜又は単分子層累積膜
を加熱するためのものである。
The heating element 2 generates heat in various forms such as a dot matrix shape (dotted line shape), a dot line shape (dotted line shape), a line shape, an island shape, etc., and heats a monomolecular film or a monomolecular layer accumulation film by heat conduction. It is for the purpose of

発熱要素2としては、赤外線などによる輻射線加熱を利
用するものや抵抗加熱等のジュール熱を利用するもの等
があげられる。前者としては各種の無機あるいは有機材
料、例えばGd・Tb・Feの合金、カーボン・ブラッ
ク等の無機顔料、ニグロシン等の有機染料、アゾ系等の
有機顔料などが適している。後者としては1例えば硼化
ハフニウムや窒化タンタル等の金属化合物やニクロム等
の合金が適している0発熱要素2の膜厚はエネルギー伝
達効率及び解像力に影響を及ぼす、これらの観点より、
発熱要素2の好適な膜厚がtooo〜2000人である
Examples of the heat generating element 2 include those that utilize radiation heating such as infrared rays, and those that utilize Joule heat such as resistance heating. As the former, various inorganic or organic materials are suitable, such as alloys of Gd, Tb, and Fe, inorganic pigments such as carbon black, organic dyes such as nigrosine, and organic pigments such as azo. For the latter, metal compounds such as hafnium boride and tantalum nitride, and alloys such as nichrome are suitable for the latter.0 The film thickness of the heat generating element 2 affects energy transmission efficiency and resolution.From these points of view,
The preferred thickness of the heat generating element 2 is 2,000 to 2,000.

光学素子が透過型の場合、発熱要素2は可視光に対して
透過性であることが要件となる。
When the optical element is of a transmissive type, the heating element 2 is required to be transparent to visible light.

しかし、発熱要素2は、特別に設けなくとも、上記特性
を具備した基板材料を選択することにより、基板1が発
熱要素を兼ねることもできる。
However, even if the heating element 2 is not specially provided, the substrate 1 can also serve as the heating element by selecting a substrate material having the above characteristics.

ばargaシ1イI÷ 点融占小小klJ耳v1士全厘
化合物材料を用いて金属膜、銹電ミラーなどを単分子膜
又は単分子層累積膜3より基板1偏にスパッタリング法
、蒸着法などにより設ける。
Using a compound material, a metal film, a galvanic mirror, etc. is deposited by sputtering or vapor deposition on the substrate 1 from a monomolecular film or a monomolecular layer cumulative film 3. Established by law etc.

反射膜も発熱要素2同様、基板1の材料を光を反射しう
る材料を選択することにより、基板1に兼ねさせること
もできる。
Like the heat generating element 2, the reflective film can also be used as the substrate 1 by selecting a material that can reflect light as the material for the substrate 1.

基板上の単分子膜または単分子層累積膜は、十分に強く
固定されており基板からの剥離、剥と 落を生じるこははほとんどないが、接着力を強化する目
的で、基板と単分子膜または単分子層累積膜の間に接着
層を設けることもできる。さらに単分子層形成条件、L
B法であれば例えば水相の水素イオン濃一度、イオン種
、あるいは表面圧の選択等によっても接着力を強化する
こともできる。
A monomolecular film or a monomolecular layer stack on a substrate is sufficiently strongly fixed and is unlikely to peel or peel off from the substrate. Adhesive layers can also be provided between the membranes or monolayer stacks. Furthermore, the monomolecular layer formation conditions, L
In the case of method B, the adhesion force can also be strengthened by selecting the hydrogen ion concentration, ion species, or surface pressure of the aqueous phase, for example.

前述した加熱部5における物性変化とは、特に光学的物
性の変化を意味し、たとえば具体的には単分子膜又は単
分子層累積膜を構成している分子集合体の屈折率、密度
、分極率等の変化および相転移を意味している。たとえ
ば、この中で屈折率について言えば、発熱要素2の加熱
部6の発熱により単分子膜又は単分子層累積膜3が温度
t℃から温度(を十Δt)℃に上昇したとする。この場
合、温度t℃の時の単分子膜又は単分子層累積膜の屈折
率をNとし、温度(t+Δt)℃の時のこの屈折率をN
+ΔNとすると、屈折率勾配はΔN/Δtニー104(
1/”0)である、屈折率の変化率、即ち温度に対する
屈折率変化は僅かであるが発熱要素の加熱部6の近辺の
単分子膜又は単分子層累積膜3の微小領域が加熱される
と微小領域における屈折率勾配は大であり、従って、こ
の加熱された微小領域の単分子膜又は単分子層累積l!
3の加熱部5はパワーを持ち、屈折率勾配の大の領域に
おいて光は屈折、散乱、回折等する。
The above-mentioned change in physical properties in the heating section 5 particularly means a change in optical properties, such as the refractive index, density, and polarization of the molecular aggregates constituting a monomolecular film or a monomolecular layer stack. It means a change in rate etc. and a phase transition. For example, regarding the refractive index, it is assumed that the temperature of the monomolecular film or the monomolecular layer stack 3 increases from t°C to (10Δt)°C due to the heat generated by the heating section 6 of the heating element 2. In this case, the refractive index of the monomolecular film or monomolecular layer stack at a temperature of t°C is N, and this refractive index at a temperature of (t+Δt)°C is N.
+ΔN, the refractive index gradient is ΔN/Δt knee 104 (
Although the rate of change in the refractive index, that is, the change in the refractive index with respect to temperature, which is 1/"0), is slight, a minute region of the monomolecular film or the monomolecular layer accumulation film 3 in the vicinity of the heating section 6 of the heating element is heated. Then, the refractive index gradient in the micro region is large, and therefore, the monomolecular film or monomolecular layer accumulation l! of this heated micro region is large.
The heating section 5 of No. 3 has power, and light is refracted, scattered, diffracted, etc. in a region with a large refractive index gradient.

発熱要素2の加熱部6が発熱して単分子膜又は単分子層
累積膜3の物性が前述のように変化する程度に加熱され
て加熱部5が形成される1発熱要素2のその他の部位は
発熱していないのでそれに対応する単分子膜又は単分子
層累積膜3の低温領域の物性の変化はほとんどなく、そ
の物性は近似的に一様である。低温領域においても実際
には加熱部等からの熱伝導よって、加温され、光学的物
性は変化するであろうが、加熱部の変化からみると、相
対的に無視できる程度である。
1 Other parts of the heat generating element 2 where the heating part 6 of the heat generating element 2 generates heat to such an extent that the physical properties of the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film 3 change as described above to form the heating part 5 Since no heat is generated, there is almost no change in the physical properties of the corresponding monomolecular film or monomolecular layer stack 3 in the low temperature region, and the physical properties are approximately uniform. Even in the low-temperature region, it is actually heated due to heat conduction from the heating section, etc., and the optical properties change, but this is relatively negligible in terms of changes in the heating section.

単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部5を通過する照明
光7は、この部分に熱的に生じた屈折率勾配(グラディ
エンドインデックス)によって屈折、散乱1回折等して
単分子膜又は単分子層累積膜3内を直進せず屈折して光
路変化する。このため、単分子膜又は単分子層累積膜の
加熱部5を通過する照明光7と、そこを通過しない照明
光7とは、光学素子OEを射出してきた時、平行光とは
ならず、それらの射出方向は互いに異なる0発熱要素2
の加熱部6が加熱しなくなれば、単分子膜又は単分子層
累積膜の加熱部5は冷却されてなくなり、光学素子OE
から射出する照明光7の方向は全て同じ方向となる。故
に、単分子膜又は単分子層累積膜3の加熱部5の高温領
域を通過する照明光7と、加熱部でない部位の単分子膜
又は単分子層累積膜3の低温領域を通過する照明光7と
が光学的に識別される。
The illumination light 7 passing through the heating part 5 of the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film is refracted, scattered, diffracted, etc. due to the refractive index gradient (gradient end index) thermally generated in this part, and is reflected in the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film. The light does not travel straight through the monomolecular layer cumulative film 3, but is refracted and changes its optical path. Therefore, the illumination light 7 that passes through the heating section 5 of the monomolecular film or the monomolecular layer accumulation film and the illumination light 7 that does not pass through it do not become parallel light when they exit the optical element OE. Their injection directions are different from each other 0 heating element 2
When the heating part 6 of the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film stops heating, the heating part 5 of the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film is cooled and disappears, and the optical element OE
The direction of the illumination light 7 emitted from is all the same direction. Therefore, the illumination light 7 that passes through the high-temperature region of the heating section 5 of the monomolecular film or monomolecular layer stack 3 and the illumination light that passes through the low-temperature region of the monomolecular film or monomolecular layer stack 3 that is not the heating section. 7 are optically identified.

前述の相転移は、温度および圧力などの変化によって生
じる。相転移を起こす温度、すなわち相転移温度(Tc
)は物質によって固有であり、単分子膜又は単分子層累
積膜を形成する有機化合物は、Tc以下で結晶相であり
、Tc以上で液晶相に相転移するものが特に好ましい。
The aforementioned phase transitions are caused by changes in temperature, pressure, etc. The temperature at which a phase transition occurs, that is, the phase transition temperature (Tc
) is specific to each substance, and it is particularly preferable that the organic compound forming the monomolecular film or the monomolecular layer stack has a crystalline phase below Tc and undergoes a phase transition to a liquid crystal phase above Tc.

また、Tcは50〜lOO℃のものが適している0例え
ばジアルキルアンモニウム塩のTcは20℃〜60℃で
ある。一般的にTcは、アルキル鎖長とともにTcは上
昇する。第3図はジアルキルアンモニウム塩の場合の相
転移現象を模式的に示したものである。前述のごとく、
屈折率変化は温度変化に近似的に比例するが、Tcの前
後では顕著に屈折率は変化する。したがって加熱温度を
Tc以上に設定することがよ11 hl m−F%叡ス
 加色 T rliI下−手分か屈新稟変化が得られれ
ばTc以上に設定する必要がないことは言うまでもない
、さらに累積膜の構成分子を適当に選ぶことによって結
晶相から液晶相に、又はある種の液晶相からある種の液
晶相に相転移することによって光散乱ないし不透光を呈
する。このような光散乱などの相転移による屈折率以外
の物性変化も作像に用いることができる。
Further, the Tc is suitably 50 to 100°C. For example, the Tc of dialkyl ammonium salt is 20 to 60°C. Generally, Tc increases with the alkyl chain length. FIG. 3 schematically shows the phase transition phenomenon in the case of a dialkylammonium salt. As mentioned above,
Although the refractive index change is approximately proportional to the temperature change, the refractive index changes significantly before and after Tc. Therefore, it is better to set the heating temperature above Tc.It goes without saying that it is not necessary to set the heating temperature above Tc if a change in temperature can be obtained. Furthermore, by appropriately selecting the constituent molecules of the cumulative film, the film undergoes a phase transition from a crystalline phase to a liquid crystalline phase, or from a certain type of liquid crystalline phase to a certain type of liquid crystalline phase, thereby exhibiting light scattering or opaqueness. Changes in physical properties other than the refractive index due to phase transition such as light scattering can also be used for image formation.

本発明の光学素子は一定の照明条件(例えば、平行光に
よる照明)の下では直視表示も可能であるが、後述の結
像光学系との組合わせによって更に表示装置としての用
途及び利用価値は広がる。透過型の光学素子の直視表示
の場合、単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部5を通過
してきた光の方向に対して位置した不図示の観察眼に到
達する光量差に基づき表示画素の識別ができる。相転移
による光散乱を利用すると、直視表示は、より簡単で効
果的である。
Although the optical element of the present invention is capable of direct viewing under certain illumination conditions (for example, illumination with parallel light), its use and utility as a display device can be further improved by combining it with an imaging optical system, which will be described later. spread. In the case of direct viewing display using a transmissive optical element, the display pixels are determined based on the difference in the amount of light that reaches an observation eye (not shown) positioned with respect to the direction of the light that has passed through the heating section 5 of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film. can be identified. By utilizing light scattering due to phase transition, direct viewing display is simpler and more effective.

反射型の光学素子と後述の結像光学系との組合せの場合
、単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部5の結像光学系
による結像位置と発熱要素2によって加熱されでいない
(発熱要素2によって単分子膜又は単分子層累積膜3が
予熱されている場合も含む)単分子膜又は単分子層累積
膜3の低温領域の部分(以下、非加熱部という)の結像
光学系による結像位置が異なるためにデフォーカスする
ことにより表示点の識別がより明確に行なわれる。従っ
て、デフォーカスすることにより明点を暗点に反転させ
て表示することもできる。後述の結像光学系を用いない
場合には、光学素子の表示効果を増すために照明光7と
して平行光を用い、後述のような遮光格子を付設すれば
表示効果は飛躍的に向上する。なお、第1図において、
発熱要素2は単分子膜又は単分子層累積膜3と直接接し
て単分子膜又は単分子層累積膜を加熱しているが、単分
子膜又は単分子層累積膜の近辺に発熱要素2を□配置し
熱伝導加熱により単分子膜又は単分子層累積膜3を加熱
してもよい、たとえば、第1図CB)において、発熱要
素2が光を反射しない場合、単分子膜又は単分子層累積
膜3と発熱要素2との間に光反射性の金属膜、誘電ミラ
ー等を介在させてもよい。
In the case of a combination of a reflective optical element and an imaging optical system (to be described later), the image forming position of the heating unit 5 of the monomolecular film or monomolecular layer stacked film by the imaging optical system and the heating element 2 are not heated ( Imaging optics for the low temperature region portion (hereinafter referred to as non-heating section) of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3 (including the case where the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3 is preheated by the heating element 2) Since the imaging positions differ depending on the system, display points can be more clearly identified by defocusing. Therefore, by defocusing, a bright spot can be inverted and displayed as a dark spot. If the imaging optical system described later is not used, parallel light is used as the illumination light 7 to increase the display effect of the optical element, and if a light-shielding grating as described later is attached, the display effect can be dramatically improved. In addition, in Figure 1,
The heating element 2 is in direct contact with the monomolecular film or the monomolecular layer accumulation film 3 to heat the monomolecular film or the monomolecular layer accumulation film, but the heating element 2 is placed near the monomolecular film or the monomolecular layer accumulation film. □The monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3 may be heated by thermal conduction heating. For example, in FIG. 1 CB), if the heat-generating element 2 does not reflect light, A light-reflecting metal film, a dielectric mirror, or the like may be interposed between the cumulative film 3 and the heat generating element 2.

なお、第1図では、説明をわかり易くするために光学素
子OEに入射する光束を平行光としたが、特に平行光に
かぎるものではなく、木質的には光学素子OEに入射す
る光が発熱要素2の加熱部6の発熱によって光路中に単
分子膜又は単分子層累積膜3の高温領域、すなわち加熱
部5が形成されることにより、加熱部5が形成されない
前の光路と比較して光路変化をするということを利用す
るものである。
In addition, in FIG. 1, in order to make the explanation easier to understand, the light flux that enters the optical element OE is shown as parallel light, but this is not limited to parallel light.In terms of wood, the light that enters the optical element OE is a heat-generating element. 2, a high-temperature region of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3, that is, a heating section 5, is formed in the optical path due to the heat generated by the heating section 6 of No. 2. It takes advantage of the fact that change occurs.

第4図は本発明の光変調方法を利用する光q素子の作像
原理を更に具体的に説明するための光学素子の断面図で
あり、第4図(A)は透過型の光学素子を、第4図(B
)は反射型の光学素子を夫々示している。
FIG. 4 is a cross-sectional view of an optical element for more specifically explaining the image forming principle of an optical q element using the light modulation method of the present invention, and FIG. 4(A) is a cross-sectional view of a transmissive optical element. , Figure 4 (B
) indicate reflective optical elements.

図に於て、9は輻射線10を吸収して発熱する輻射線吸
収層、3は単分子膜又は単分子層累積膜、4は保護用基
板を示す、なお、第4図CB)に示されている反射型の
光学素子OEに於て、11は表示に利用する照明光7を
反射するための反射膜、12は単分子膜又は単分子層累
積膜3を予め加熱しておくための発熱体層である。これ
ら反射膜11.発熱体層12は必ずしも光学素子OEに
必要とするものではなく、必要に応じて設けられる。た
とえば、輻射線吸収層9が光反射性を有する時には反射
膜11は用いられない、又、輻射線強度が充分に強い場
合も発熱体層12は不要である。但し1発熱体層12に
ついては後述するので、第4図(B)においては発熱体
層12はないものとして説明する。又、発熱体層12は
必要に応じて第4図(A)に示されている透過型の光学
素子にも設けられる。輻射線吸収層9は輻射線10とり
わけ赤外線を効率的に吸収して発熱するが、それ自身は
発熱することによって溶融し難いものでなければならな
い。この輻射線吸収層9は各種の無機或は有機材料を成
膜(多層膜を含む)して得られる。尚、この輻射線吸収
層9自身は膜厚数ル程度なので、概して支持機能に乏し
いから、不図示のガラスやプラスチック等からなる輻射
線透過性支持板を基板として付加するのが一般的である
。単分子膜又は単分子層累積膜3を構成する有機化合物
には前述のような種類があり、一般に可視光線に対して
透光性を有するものが適しているが赤外線等の輻射線l
Oに対して透光性であるか否かは問わない、13は格子
で、単分子膜又は単分子層累積膜3が加熱されていない
時、光学素子に入射して透過型の光学素子を透過したり
、反射型の光学素子によって反射されて光学素子から射
出する照明光7を遮光している。このように構成された
光学素子OEに対して、図面右方から輻射線(特に、赤
外11)10を照射すると、輻射線吸収層9の対応点が
発熱する。この様にして輻射線吸収層9の一部が発熱す
ると、これに接しているかもしくは近接している部分の
単分子膜又は単分子層累積11! 3は熱伝導によって
加熱され、温度が上昇して、その物性が加熱前より変化
し、単分子膜又は単分子層累積膜3の高温領域の加熱部
5が形成される。この加熱部5を通過する照明光7は、
加熱部5を通過する時、第1図に於て前述したメカニズ
ムにより、その光路を変化させられる。この光路変化を
うけた照明光7の少なくとも一部は光学素子OEを射出
した時、格子13の開口を通過する。一方、加熱部5を
通らない照明光7は全て格子13によって遮光されるの
で、この格子13を介して光学素子OEを見た場合、加
熱部5が形成された単分子膜又は単分子層累積膜の部分
を通過する照明光と非加熱部を通過する照明光7とが識
別される。
In the figure, 9 is a radiation absorption layer that absorbs radiation 10 and generates heat, 3 is a monomolecular film or a monomolecular layer stack, and 4 is a protective substrate. In the reflective optical element OE shown in FIG. This is a heating element layer. These reflective films 11. The heating element layer 12 is not necessarily required for the optical element OE, but is provided as necessary. For example, when the radiation absorbing layer 9 has light reflectivity, the reflective film 11 is not used, and also when the radiation intensity is sufficiently strong, the heating layer 12 is not necessary. However, since the first heating element layer 12 will be described later, the description will be made assuming that there is no heating element layer 12 in FIG. 4(B). Further, the heating element layer 12 is also provided in the transmission type optical element shown in FIG. 4(A) as necessary. The radiation absorbing layer 9 efficiently absorbs radiation 10, particularly infrared rays, and generates heat, but it must be resistant to melting itself due to the generation of heat. This radiation absorbing layer 9 is obtained by forming a film (including a multilayer film) of various inorganic or organic materials. Since the radiation absorbing layer 9 itself has a thickness of only a few liters, it generally lacks a supporting function, so it is common to add a radiation transparent support plate made of glass, plastic, etc. (not shown) as a substrate. . There are the above-mentioned types of organic compounds constituting the monomolecular film or monomolecular layer stack 3, and those that are generally transparent to visible light are suitable;
Reference numeral 13 denotes a grating, which may or may not be transparent to O, and when the monomolecular film or monomolecular layer stack 3 is not heated, it enters the optical element and converts the transmissive optical element. Illumination light 7 that is transmitted or reflected by a reflective optical element and exits from the optical element is blocked. When the optical element OE configured in this way is irradiated with radiation (particularly infrared rays 11) 10 from the right side of the drawing, corresponding points on the radiation absorption layer 9 generate heat. When a part of the radiation absorbing layer 9 generates heat in this way, the monomolecular film or the monomolecular layer accumulation 11 of the part that is in contact with or in the vicinity of the radiation absorbing layer 9 generates heat! 3 is heated by thermal conduction, its temperature rises, and its physical properties change from before heating, forming a heated portion 5 in the high temperature region of the monomolecular film or monomolecular layer stack 3. The illumination light 7 passing through this heating section 5 is
When passing through the heating section 5, the optical path is changed by the mechanism described above in FIG. At least a portion of the illumination light 7 that has undergone this optical path change passes through the aperture of the grating 13 when exiting the optical element OE. On the other hand, all of the illumination light 7 that does not pass through the heating section 5 is blocked by the grating 13, so when viewing the optical element OE through the grating 13, the monomolecular film or monomolecular layer accumulation on which the heating section 5 is formed The illumination light passing through the membrane part and the illumination light 7 passing through the non-heated part are distinguished.

勿論、非加熱部を通過する照明光7が格子13の開口を
通過するようにすれば、加熱部5が形成された時に、こ
の部分を通過する照明光7は格子13によって遮光され
るので、照明光7が通過しない格子13の開口もあり、
前述の例の逆の形態の光学素子も可能となる。
Of course, if the illumination light 7 passing through the non-heating part is made to pass through the opening of the grating 13, the illumination light 7 passing through this part will be blocked by the grating 13 when the heating part 5 is formed. There is also an opening in the grating 13 through which the illumination light 7 does not pass.
An optical element having the opposite form to the above-mentioned example is also possible.

格子13がない場合でも、単分子膜又は単分子層累積膜
3の加熱部5を通過する照明光7の方向と、非加熱部を
通過する照明光7の方向とは光学素子OEを射出してき
た場合、互いに異なっているので、どちらか一方の光束
がくる方向にむかって見た場合、光学的に照明光7は識
別される。
Even when there is no grating 13, the direction of the illumination light 7 passing through the heating section 5 of the monomolecular film or monomolecular layer stack 3 and the direction of the illumination light 7 passing through the non-heating section are the same as those emitted from the optical element OE. Since the illumination light beams 7 are different from each other, the illumination light beams 7 can be optically distinguished when viewed in the direction in which either one of the light beams comes.

尚、光学素子OEに対して輻射線10を照射する場合、
所定の画像に対応する様にパターン状に照射することも
できるし、レーザ光源を利用して、輻射線10をビーム
として多数のビームをドツト状に一括して照射すること
もできるが、lビーム又は1ラインビームを輻射線吸収
層9上に走査させる方法をとることもできる。
Note that when irradiating the optical element OE with the radiation 10,
It is possible to irradiate in a pattern corresponding to a predetermined image, or it is possible to use a laser light source to irradiate a large number of beams at once in a dot shape using the radiation 10 as a beam. Alternatively, a method of scanning one line beam over the radiation absorbing layer 9 can also be used.

又、輻射線10を照射する方向は、第4図(A)に示さ
れている透過型の光学素子OEの場合1図示例のみに限
定されない、つまり、保護用基板4及び単分子膜又は単
分子層累積膜3を輻射線lOが透過する場合には、輻射
線10を図面左方から照射することも可能である。
In addition, the direction in which the radiation 10 is irradiated is not limited to the one illustrated example in the case of the transmission type optical element OE shown in FIG. When the radiation 10 passes through the molecular layer stack 3, it is also possible to irradiate the radiation 10 from the left side of the drawing.

尚1表示の消去は単分子膜又は単分子層累積膜3の加熱
部5の冷却によって自然に為される。
Note that erasure of the 1 display is naturally performed by cooling the heating section 5 of the monomolecular film or monomolecular layer stack 3.

尚、以北では輻射線加熱によって表示画素を形成する方
法に就いて説明したが1本発明では第4図の輻射線吸収
層9を後述のように不図示の金属等からなる伝熱層に代
え、これに不図示の発熱素子を近接若しくは接触させて
単分子膜又は単分子層累積膜を伝導加熱する様に変形す
ることも可能である。
Although the method for forming display pixels by radiation heating has been described above, in the present invention, the radiation absorbing layer 9 shown in FIG. Alternatively, it is also possible to bring a heating element (not shown) close to or in contact with this to heat the monomolecular film or the monomolecular layer stack by conduction.

本発明では、表示画素の識別効果を更に高める為に、輻
射線吸収層9と単分子膜又は単分子層累積膜の間に前述
したように可視光線の反射膜11を別途、介在させるこ
ともできる。斯かる反射膜11は、熱伝導の際、それ自
身が溶融することのない高融点の金属材料又は金属化合
物材料によって形成する必要がある。
In the present invention, in order to further enhance the discrimination effect of display pixels, a visible light reflecting film 11 may be separately interposed between the radiation absorbing layer 9 and the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film as described above. can. Such a reflective film 11 needs to be formed of a high melting point metal material or metal compound material that does not melt itself during heat conduction.

本発明の光学素子に於て有効な表示を得るためには単分
子膜又は単分子層累積膜3の輻射線吸収層9と接する面
及びその近傍が加熱される必要があるが、その加熱が単
分子膜又は単分子層累積膜3の保護用基板4に接する面
及びその近傍にまで及ぶことは要件ではない。
In order to obtain an effective display in the optical element of the present invention, it is necessary to heat the surface of the monomolecular film or the monomolecular layer stack 3 that is in contact with the radiation absorption layer 9 and its vicinity. It is not a requirement that it extend to the surface of the monomolecular film or monomolecular layer stack 3 that is in contact with the protective substrate 4 and its vicinity.

しかしながら、単分子膜又は単分子層累積M 3の輻射
線吸収層9の加熱面に接する面及びその近傍の温度が周
辺領域の単分子膜又は単分子層累積膜3の温度より高い
程、光学素子OEの表示コントラストは向上することが
実験の結果判った。更に、これを積極的に利用すれば、
単分子膜又は単分子層累積膜3を加熱するための熱量を
異ならしめることにより中間調を表示することが可能に
なる。
However, the higher the temperature of the surface of the monomolecular film or monomolecular layer accumulation M 3 in contact with the heating surface of the radiation absorption layer 9 and its vicinity is than the temperature of the monomolecular film or monomolecular layer accumulation film 3 in the surrounding area, the more the optical Experiments have shown that the display contrast of element OE is improved. Furthermore, if you actively utilize this,
By varying the amount of heat for heating the monomolecular film or the monomolecular layer stack 3, it becomes possible to display halftones.

尚、輻射線吸収層9上に輻射線lOを照射する照射スポ
ット径は小さい程表示のコントラストが良く好適な輻射
110のスポット径(直径)は0.5座〜100用位が
適当である。
The smaller the diameter of the irradiation spot for irradiating the radiation 10 onto the radiation absorbing layer 9, the better the display contrast will be.The suitable spot diameter (diameter) of the radiation 110 is approximately 0.5 to 100.

しかしながら幅2mm長さ10mmの矩形状の光束の輻
射線lOで輻射線吸収層9を照射しても表示像は得られ
るものである0本発明の詳細な説明に於てしばしば用い
る単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部5とは後者の範
囲も含むものである。もっとも、単分子膜又は単分子層
累積膜の加熱部5が微小でなくとも加熱面の温度が一様
でないために加熱部5に於ける光の光路の方向と非加熱
部における光の光路の方向に差異が生ずれば識別効果は
生ずる。したがって、本発明に於ては、中分子膜又は単
分子層累積膜の加熱部5を微小範囲に限定するものでは
ない。
However, a display image can be obtained even if the radiation absorbing layer 9 is irradiated with radiation lO in the form of a rectangular luminous flux with a width of 2 mm and a length of 10 mm. The heating section 5 of the monomolecular layer stack includes the latter range. However, even if the heating part 5 of the monomolecular film or monomolecular layer accumulation film is not very small, the temperature of the heating surface is not uniform, so the direction of the optical path of light in the heating part 5 and the optical path of light in the non-heating part are different. If there is a difference in direction, a discrimination effect will occur. Therefore, in the present invention, the heating section 5 of the intermediate molecular film or the monomolecular layer cumulative film is not limited to a minute range.

本発明に用いる光学素子においては、第4図(B)に示
されているように、表示画素としての単分子膜又は単分
子層累積膜の加熱部5の形成速度を大いに速めるために
、反射膜を用いない場合は、光学素子OEの輻射線吸収
層9と単分子膜又は単分子層累積膜3との間に、反射膜
を用いる場合は、輻射線吸収層9と反射膜11との間に
ジュール熱によって発熱する発熱体層12を設け、所定
の単分子膜又は単分子層累積膜を予熱することが望まし
い場合もある。尚この時、輻射線吸収層9或は反射膜1
1が導体である場合には、これ等と発熱体層12との間
に不図示の絶縁層を設けることが望ましい。
In the optical element used in the present invention, as shown in FIG. 4(B), in order to greatly accelerate the formation speed of the heating portion 5 of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film as the display pixel, reflection When no film is used, there is a gap between the radiation absorption layer 9 and the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film 3 of the optical element OE, and when a reflection film is used, there is a gap between the radiation absorption layer 9 and the reflection film 11. In some cases, it may be desirable to preheat a predetermined monomolecular film or monomolecular layer stack by providing a heat generating layer 12 that generates heat by Joule heat between the two layers. At this time, the radiation absorbing layer 9 or the reflective film 1
When 1 is a conductor, it is desirable to provide an insulating layer (not shown) between the conductor and the heating element layer 12.

このような発熱体層12としては、はぼ、輻射線ビーム
の−又は複数の走査線に対応する線状発熱体や格子状発
熱体(何れも不図示)等が好適である。発熱体層12が
線状発熱体の場合、この幅方向に於て発熱部は微小であ
るから良好な表示結果が得られるものと思われる。
As such a heating element layer 12, a dowel, a linear heating element corresponding to one or more scanning lines of a radiation beam, a grid-shaped heating element (none of which are shown), etc. are suitable. When the heating element layer 12 is a linear heating element, it is thought that good display results can be obtained because the heating portion is minute in the width direction.

このとき輻射線lOの輻射線吸収層9への照射と発熱体
層12による単分子膜又は単分子層累積膜3の加熱とを
同期させるのが好適である。
At this time, it is preferable to synchronize the irradiation of the radiation lO to the radiation absorbing layer 9 and the heating of the monomolecular film or the monomolecular layer stack 3 by the heating element layer 12.

この様な発熱体層12の素材としては、硼化/\フニウ
ムや窒化タンタル等に代表される金属化合物、ニクロム
等の合金を挙げることができる。
Examples of the material for such a heating element layer 12 include metal compounds such as boride/fnium and tantalum nitride, and alloys such as nichrome.

又、本発明に於ては、単分子膜又は単分子層累積膜に直
接、腐蝕性の構成要素が接触する様な光学素子の構成は
、素子の寿命を低下させることになるので1避けるべき
である。単分子膜又は単分子層累積膜に腐蝕性の構成要
素が接している構成では、化学腐蝕、熱酸化等が生じて
光学素子が損傷又は劣化する場合が大きいからである。
In addition, in the present invention, the structure of the optical element in which a corrosive component comes into direct contact with the monomolecular film or the monomolecular layer stack should be avoided as it will shorten the life of the element. It is. This is because in a configuration in which a corrosive component is in contact with a monomolecular film or a monomolecular layer stack, chemical corrosion, thermal oxidation, etc. occur, and the optical element is often damaged or deteriorated.

従って、この様な場合には、単分子膜又は単分子層累積
膜と腐蝕性の構成要素の界面に、#触性の保護膜(不図
示)を形成することが望ましい。そして、この保護膜の
素材としては、酸化硅素、酸化チタン等の誘電体や耐熱
性プラスチック等を挙げることができる。この保護膜を
反射膜がその機能を兼ねることもある。
Therefore, in such cases, it is desirable to form a tactile protective film (not shown) at the interface between the monomolecular film or the monomolecular layer stack and the corrosive component. Examples of the material for this protective film include dielectric materials such as silicon oxide and titanium oxide, heat-resistant plastics, and the like. A reflective film may also serve as this protective film.

なお、輻射線吸収層9として金属等を用いるときは、こ
れは、一般に、基板としての輻射線透過性支持板上に成
膜されるのが普通であるから、輻射線吸収層9を加熱し
た時、これは外部空気によって酸化される心配はない。
Note that when a metal or the like is used as the radiation absorption layer 9, it is generally formed into a film on a radiation-transparent support plate as a substrate. There is no need to worry about it being oxidized by external air.

輻射線吸収層9の輻射線吸収率が完全でない場合には、
これに輻射線lOを照射する側に反射防止膜(不図示)
を施すことにより輻射線吸収層9の輻射線10の吸収率
を著しく高めることもできる。
If the radiation absorption rate of the radiation absorption layer 9 is not perfect,
An anti-reflection film (not shown) is placed on the side that is irradiated with radiation lO.
By applying this, the absorption rate of the radiation 10 of the radiation absorption layer 9 can be significantly increased.

次に第5図および第6図によってライト/ヘルプ式投写
装置について説明する。ライトバルブ(光弁)は光を制
御あるいは調節するものの意であり、従って、独立した
光源からの光を適当な媒体(本発明の場合、光学素子の
単分子膜又は単分子層累積膜)で制御してスクリーン上
に投写表示する方式のディスプレイはすべてこれに含ま
れることになる。この方式は、ブラウン管のような自発
光型ディスプレイに比べると原理的には、使用する光源
を強くすることにより表示画面のサイズと明るさをいく
らでも増加できるので、特に光量を必要とする大画面デ
ィスプレイに適している。そのうち、第5図に示すモノ
は、シュリーレンライトパルプとも呼ばれているもので
、入力信号に応じて制御媒体である単分子膜又は単分子
層累積膜に光の屈折角、回折角あるいは反射角の異なる
パターンあるいハ散乱によるパターンをつくり、シュリ
ーレン光学系を用いてその変化を明暗像に変換し、スク
リーンに投写する方式である。
Next, the light/help type projection device will be explained with reference to FIGS. 5 and 6. A light valve refers to a device that controls or modulates light, thus converting light from an independent light source into a suitable medium (in the case of the present invention, a monolayer film or a monolayer stack of optical elements). This includes all displays that are controlled and projected onto a screen. Compared to self-luminous displays such as cathode ray tubes, this method can theoretically increase the size and brightness of the display screen by increasing the intensity of the light source used, so it is especially suitable for large screen displays that require a large amount of light. suitable for Among them, the one shown in Figure 5 is also called schlieren light pulp, and it changes the refraction angle, diffraction angle, or reflection angle of light to the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film that is the control medium according to the input signal. In this method, a pattern of different colors or a pattern of ha scattering is created, and a Schlieren optical system is used to convert the changes into brightness and darkness images, which are then projected onto a screen.

第5図はその表示装置の基本原理を説明するための概要
構成図である。第1格子13aの各スリットの像はシュ
リーレンレンズ14によって第2格子13)、各パーの
上に遮光されるように夫々結像するように配置されてい
る。シュリーレンレンズ】4と第2格子13bとの間に
おかれた透過型の光学素子OEの媒体としての単分子膜
又は単分子層累積膜が加熱されておらず、その物性(例
えば、屈折率)が一様に平滑であれば、第1格−713
aを通過した入射光はすべて第2格子13bにより遮ら
れてスクリーン15に到達しない、しかし、光学素子O
Eの単分子膜又は単分子層累積It! 3の一部が発熱
要素により加熱されて高温になり単分子膜又は単分子層
累積膜の加熱部5が形成されると、そこを通過する光の
光路が前述したように変化するので、そこを通過した入
射光16は第2格子13bで遮られることなく第2格子
13bの間隙(開口)を通ってスラリー1ン15に到達
する。
FIG. 5 is a schematic configuration diagram for explaining the basic principle of the display device. The images of each slit of the first grating 13a are arranged so as to be formed by a Schlieren lens 14 onto the second grating 13) and each par in such a manner as to be shielded from light. [Schlieren lens] The monomolecular film or monomolecular layer cumulative film as a medium of the transmission type optical element OE placed between the Schlieren lens 4 and the second grating 13b is not heated, and its physical properties (for example, refractive index) If is uniformly smooth, then the first case -713
All the incident light that has passed through a is blocked by the second grating 13b and does not reach the screen 15, but the optical element O
Monolayer or monolayer accumulation of E It! 3 is heated by a heating element to a high temperature and a heated portion 5 of a monomolecular film or a monomolecular layer stack is formed, the optical path of light passing there changes as described above. The incident light 16 that has passed through the second grating 13b reaches the slurry 1 in 15 through the gap (opening) of the second grating 13b without being blocked by the second grating 13b.

従って5光学素子OEの単分子膜又は単分子層累積膜の
加熱部5を加熱している加熱面又はその近傍の媒体面を
スクリーン15に結像するように結像レンズ17を配置
すれば、光学素子OEの単分子膜又は単分子層累積膜の
温度変化量に対応した明暗像がスクリーン15上に得ら
れる。なお、これに用いられる第1及び第2格子13a
及び13bの開口は線状、点状の如何を問わない。
Therefore, if the imaging lens 17 is arranged so as to image the heating surface heating the heating section 5 of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film of the five optical elements OE, or the medium surface in the vicinity thereof, on the screen 15, A bright and dark image corresponding to the amount of temperature change of the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film of the optical element OE is obtained on the screen 15. Note that the first and second gratings 13a used for this
The openings 13b and 13b may be linear or dotted.

第6図は透過型ライトバルブ式投写装置の概略構成図で
あり、透過型の光学素子に対する信号入力手段の配置例
を示している。13aは第1格子、OEは透過型の光学
素子、14はシュリーレンズ、13bは第2格子、17
は結像レンズ、15はスクリーンで、これらの構成は第
5図の表示装置の構成に類似している。不図示のレーザ
ー光源及び光変調器を通して変調された輻射線(主に、
赤外線)10の信号光は水平スキャナーエ8としての回
転多面鏡によって水平走査され、レンズ20を介し、垂
直スキャナー19としての回転多面鏡、又はガルバノミ
ラ−によって垂直走査され、コールドフィルタ21によ
って反射されて第4図(A)に示した透過型の光学素子
での輻射線吸収層9に結像し、単分子膜又は単分子層累
積膜をドツトマトリックス状に加熱して単分子膜又は単
分子層累積膜の加熱部5の2次元像を形成する。一方、
第1格子13aを通過した入射光16はコールドフィル
タ21を通過するので、第5図に於て前述せるメカニズ
ムによりスクリーン15上に光学素子OEの単分子膜又
は単分子層累積膜の加熱部5に対応した二次元の可視像
を形成するものである。本図に於て用いられる光学素子
OEの輻射線吸収層は可視光に対しては透過性のもので
なければならないことはもちろんである。
FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a transmission type light valve type projection device, and shows an example of arrangement of signal input means for transmission type optical elements. 13a is a first grating, OE is a transmission type optical element, 14 is a Schley lens, 13b is a second grating, 17
1 is an imaging lens, and 15 is a screen, the construction of which is similar to that of the display device shown in FIG. Radiation modulated through a laser light source and a light modulator (not shown) (mainly,
The signal light of infrared rays) 10 is horizontally scanned by a rotating polygon mirror as a horizontal scanner 8, vertically scanned via a lens 20, by a rotating polygon mirror or a galvano mirror as a vertical scanner 19, and reflected by a cold filter 21. An image is formed on the radiation absorption layer 9 of the transmission type optical element shown in FIG. A two-dimensional image of the heated portion 5 of the cumulative film is formed. on the other hand,
Since the incident light 16 that has passed through the first grating 13a passes through the cold filter 21, the heating section 5 of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film of the optical element OE is placed on the screen 15 by the mechanism described above in FIG. It forms a two-dimensional visible image corresponding to the Of course, the radiation absorbing layer of the optical element OE used in this figure must be transparent to visible light.

尚、半導体レーザアレイ又は発光ダイオードアレイ(ラ
イン状に並べられたもの)を用いれば、水平スキャナー
は省略される。又、コールドフィルタとガルバノミラ−
とを共用しても良い。
Note that if a semiconductor laser array or a light emitting diode array (arrayed in a line) is used, the horizontal scanner can be omitted. Also, cold filter and galvano mirror
may be shared.

第7図は、本発明に係る光変調方法を利用する表示装置
としてのライトバルブ式投写装置のブロック図である。
FIG. 7 is a block diagram of a light valve type projection device as a display device using the light modulation method according to the present invention.

22は映像信号を発生する映像発生回路、23は映像信
号を制御してこの信号を映像増幅回路24及び水平、垂
直駆動回路25に与えるための制御回路、26はレーザ
光源、27はレーザ光源からのレーザビームを映像増幅
回路24からの信号に従って変調する光変調器、光変調
器27により変調された光は、水平スキャナー18もし
くは垂直スキャナー19に入射する。また、水平スキャ
ナー18、垂直スキャナー19は水平及び垂直駆動回路
25による夫々映像信号に同期した駆動信号をうけて動
作する。他の破線内の部分の構成については前述した構
成と同じなので説明を省略する。
22 is a video generation circuit that generates a video signal; 23 is a control circuit that controls the video signal and supplies this signal to the video amplification circuit 24 and the horizontal and vertical drive circuits 25; 26 is a laser light source; and 27 is a circuit from the laser light source. The light modulated by the optical modulator 27, which modulates the laser beam according to the signal from the video amplification circuit 24, enters the horizontal scanner 18 or the vertical scanner 19. Further, the horizontal scanner 18 and the vertical scanner 19 operate in response to drive signals synchronized with the video signals from the horizontal and vertical drive circuits 25, respectively. The configuration of the other portions within the broken line is the same as the configuration described above, so the description thereof will be omitted.

映像発生回路22より出力された映像(、j号は制御回
路23を介して映像増幅回路24で増幅される。増幅さ
れた映像信号の入力により光変調器27は駆動し、レー
ザ光源26より出射されるレーザビームを変調する。一
方、制御回路23より水平同期信号及び垂直同期信号が
出力され、水平、垂直駆動回路25を介して夫々水モス
キャ+−!8及び垂直スキでナー19を駆動する。この
ようにして光学素子OEの単分子膜又は単分子層累積膜
内に熱的二次元像が形成される、この後の破線内の構成
動作については前述した通りでありここでは簡単のため
省略する。なお、TV電波を受信する場合には映像発生
回路22に代えて受信機を用いればよい。
The video (, j) output from the video generation circuit 22 is amplified by the video amplification circuit 24 via the control circuit 23. The optical modulator 27 is driven by the input of the amplified video signal, and the light is emitted from the laser light source 26. On the other hand, a horizontal synchronization signal and a vertical synchronization signal are output from the control circuit 23, and drive the water moscier+-!8 and vertical skimmer 19 via the horizontal and vertical drive circuits 25, respectively. In this way, a thermal two-dimensional image is formed in the monomolecular film or monomolecular layer stack of the optical element OE.The subsequent configuration operations within the broken line are as described above, and will be described here for the sake of simplicity. The description is omitted. Note that when receiving TV radio waves, a receiver may be used instead of the video generation circuit 22.

第8図は、本発明の光変調方法を利用するカラー光学素
子の例であり、説明の便宜上、上半分を透過型の光学素
子を、下半分を反射型の光学素子として断面図で示しで
ある。9は輻射線吸収層、11は反射膜であり、本図の
上半分に示した透過型の光学素子には設けていない、2
8は、カラーモザイクフィルりで、これの具体的構成及
び製造技術に就いては、既に特公昭52−13094号
公報及び特公昭52−36019号公報に於て詳しく説
明されている通りであるから、これらを援用することと
して、ここでは、詳細な説明を省略する。3は単分子膜
または単分子層累積膜、4は保護用基板、28はカラー
モザイクフィルタを示す。
FIG. 8 is an example of a color optical element that utilizes the light modulation method of the present invention. For convenience of explanation, the upper half is a transmissive optical element and the lower half is a reflective optical element. be. 9 is a radiation absorption layer, 11 is a reflective film, which is not provided in the transmission type optical element shown in the upper half of this figure;
No. 8 is a color mosaic film, and its specific structure and manufacturing technology have already been explained in detail in Japanese Patent Publication No. 13094/1982 and Japanese Patent Publication No. 36019/1983. , detailed explanation will be omitted here as these are referred to. 3 is a monomolecular film or a monomolecular layer stack, 4 is a protective substrate, and 28 is a color mosaic filter.

図示例に於て、カラーモザイクフィルタ28の赤色フィ
ルタ部(R)に接する単分子膜又は単分子層累積膜3は
輻射線10を吸収した輻射線吸収層9により熱伝導加熱
され、この上に単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部5
が生ずると、反射膜11により反射さ□れるか、もしく
は輻射線吸収層9を透過してきた平行照明光7は単分子
膜又は単分子層累積膜の加熱部5を通過することにより
、前述のようなメカニズムにより、破線で示したような
加熱部5がない場合に通過してきた光の光路とは異なっ
た2点鎖線で示したような屈曲した光路を通って。
In the illustrated example, the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3 in contact with the red filter portion (R) of the color mosaic filter 28 is heated by thermal conduction by the radiation absorbing layer 9 that absorbs the radiation 10, and is heated by the radiation absorption layer 9 that absorbs the radiation 10. Heating section 5 of monomolecular film or monomolecular layer cumulative film
When this occurs, the collimated illumination light 7 that has been reflected by the reflective film 11 or transmitted through the radiation absorption layer 9 passes through the heating section 5 of the monomolecular film or monomolecular layer accumulation film, thereby causing the above-mentioned Through this mechanism, the light passes through a bent optical path as shown by the two-dot chain line, which is different from the optical path of the light that would have passed in the absence of the heating section 5 as shown by the broken line.

光学素子OE外に射出してくる。白色光が赤色フィルタ
部(R)に入射した場合、表示素子DEから出てくる透
過光もしくは反射光は、赤が視覚される光(以下、赤色
光という)のみである、青色フィルタ部(B)及び緑色
フィルタ部(G)を通過してくる光についても赤色フィ
ルタ部(R)を通過する前述の光の進路と同様である。
The light is emitted outside the optical element OE. When white light enters the red filter section (R), the transmitted light or reflected light that comes out from the display element DE is the blue filter section (B ) and the light passing through the green filter section (G) are similar to the path of the light passing through the red filter section (R).

但し、第8図の場合、緑色フィルタ部(G)については
、加熱部5を通過しない場合の光線のみ図示しである。
However, in the case of FIG. 8, only the light rays that do not pass through the heating section 5 are shown for the green filter section (G).

又、入射光が白色光の場合、青色フィルタ部(B)を通
過してきた光は、青が視覚される光(以下青色光という
)のみであり、また緑色フィルタ部(G)を通過してき
た光は、緑が視覚される光(以下、緑色光という)のみ
である、この単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部5を
通過してくる光の方向に向って、光学素子OEを見た場
合、不図示の観察者は、加色法による擬似カラーを視覚
するものである0例えば、相隣接したカラーモザイクフ
ィルタ28の赤色フィルタ部(R)、 緑色フィルタ部
(G)、青色フィルタ部(B)に於て同時に単分子膜又
は単分子層累積膜3を加熱して加熱部5が形成された時
には不図示の観察者は白色を視覚することができる。
Furthermore, when the incident light is white light, the light that has passed through the blue filter section (B) is only the light that makes blue visible (hereinafter referred to as blue light), and the light that has passed through the green filter section (G). The optical element OE is directed toward the direction of the light that passes through the heating section 5 of this monomolecular film or monomolecular layer cumulative film, which is only the light that makes green visible (hereinafter referred to as green light). When viewed, an observer (not shown) sees false colors created by the additive coloring method. When the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film 3 is simultaneously heated in the section (B) to form the heated section 5, an observer (not shown) can see a white color.

また、第4図に於て説明したように、光学素子OEから
出てくる光の円卓分子膜または単分子層累積膜の加熱部
5を通過してくる光のみを不図示の遮光格子の開口に通
すことにより。
Further, as explained in FIG. 4, only the light coming out from the optical element OE and passing through the heating section 5 of the round molecular film or the monomolecular layer cumulative film is filtered through the opening of the light-shielding grating (not shown). By passing it through.

更に明瞭な加色法による擬似カラー表示なうることがで
きる。
Furthermore, a clearer pseudo-color display can be achieved using the additive coloring method.

第9図は、本発明に係る光変調方法を利用する別の光学
素子の断面図であり、第9図(A)は透過型の、また第
9図(B)は反射型の光学素子を夫々示している0図に
於て、3は単分子膜又は単分子層累積膜、4は保護用基
板、28はカラーモザイクフィルタを示し、これ等は第
1図、第8図にて説明したものと同じ機能を持つ要素で
ある。29は熱伝導性の絶縁層であり。
FIG. 9 is a cross-sectional view of another optical element using the light modulation method according to the present invention, FIG. 9(A) is a transmissive type optical element, and FIG. 9(B) is a reflective type optical element. In each figure shown, 3 is a monomolecular film or a monomolecular layer stack, 4 is a protective substrate, and 28 is a color mosaic filter, which were explained in FIGS. 1 and 8. An element that has the same function as an object. 29 is a thermally conductive insulating layer.

この両面には、発熱要素としての複数の発熱抵抗線30
.31が互いに絶縁層を挟んで交叉する様にマトリック
ス状に2次的に配列しである。
On both sides, a plurality of heat generating resistance wires 30 as heat generating elements are provided.
.. 31 are arranged secondarily in a matrix so as to intersect with each other with an insulating layer in between.

工はこれ等発熱抵抗線30.31及び絶縁層29の支持
板としての基板である。第9図(A)に示した透過型の
光学素子DEの場合は、これら発熱抵抗線30.31、
基板1及び絶縁層29は透明であり、たとえば発熱抵抗
線30.31はインジウム・ティン−オキサイドの透明
薄膜から構成されている。そして、これらの表示素子D
Eに於ては、所定の発熱抵抗線30.31が共に選択さ
れ発熱したときのみ1両者の交叉領域に於て単分子膜又
は単分子層累積膜3中に表示可能な高温領域の加熱部(
不図示)が形成される様、設計しである。カラーモザイ
クフィルタは、少なくとも発熱抵抗線30と31の交叉
部に設けられればよい、また、第4図において前述した
ように反射膜11は必要に応じて設けられる。
The substrate serves as a support plate for the heating resistance wires 30 and 31 and the insulating layer 29. In the case of the transmission type optical element DE shown in FIG. 9(A), these heating resistance wires 30, 31,
The substrate 1 and the insulating layer 29 are transparent, and the heating resistance wires 30 and 31 are made of a transparent thin film of indium tin oxide, for example. And these display elements D
In E, only when the predetermined heating resistance wires 30 and 31 are selected and generate heat, a heating portion of a high temperature region that can be displayed in the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film 3 is generated in the intersection region of the two. (
(not shown). The color mosaic filter may be provided at least at the intersection of the heating resistance wires 30 and 31, and the reflective film 11 may be provided as necessary, as described above in FIG.

次に第10図を用いてかかる光学素子をマトリックス駆
動する例に就いて、更に詳しく説明する。
Next, an example of driving such optical elements in a matrix will be described in more detail using FIG. 10.

図において、OEは光学素子を示し、第9図で説明した
のと同様の詳細構成を持つ、この光学素子OEはX l
 、 X m 、 X n 、 X o 、 X p 
c7)杆軸の発熱抵抗線(これらを行線と呼ぶ)とYc
 、Yd 、Yeの列軸の発熱抵抗線(これらを列線と
呼ぶ)等で構成されており列線Yc。
In the figure, OE indicates an optical element, and this optical element OE has the same detailed configuration as explained in FIG.
, X m , X n , X o , X p
c7) The heating resistance wire of the rod shaft (these are called row lines) and Yc
, Yd, Ye, and the like (these are called column lines), and the column line Yc.

Yd、Yeの一方は共通直流電源に接続されており、他
方は夫々エミッタ接地されてトランジスタTr1〜Tr
3のコレクタ側に接続されている。
One of Yd and Ye is connected to a common DC power supply, and the other is emitter-grounded and connected to transistors Tr1 to Tr.
It is connected to the collector side of 3.

行線X l 、 X m 、 X n 、 X o 、
 X p ニ順次。
Row lines X l , X m , X n , X o ,
X p d sequentially.

加熱用電流パルスを印加すると、これ等の行線に対応す
る単分子膜又は単分子層累積膜(不図示)が順次、線状
に加熱されるが、このとき、加熱の程度を単分子膜又は
単分子層累積膜の加熱表示の閾値以下になるように設定
しであるので、単分子膜又は単分子層累積膜中に加熱表
示用の高温領域の加熱部は発生しない、一方、加熱用電
流信号の印加に同期させながら、エミッタ接地されたト
ランジスタTrl〜Tr3のベース側にビデオ信号用パ
ルスを加えてトランジスタTrl〜Tr3をオンするこ
とにより。
When a heating current pulse is applied, the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film (not shown) corresponding to these row lines is sequentially heated linearly. Or, since it is set to be below the heating display threshold of the monomolecular layer cumulative film, a heating area in the high temperature region for heating display does not occur in the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film. By applying a video signal pulse to the base sides of the transistors Trl to Tr3 whose emitters are grounded in synchronization with the application of a current signal to turn on the transistors Trl to Tr3.

これらトランジスタTrl〜Tr3と夫々接続している
0列線Yc 、Yd 、Yeに対して、所定のビデオ信
号を印加する。このビデオ信号の印加によって、列導線
Yc 、Yd 、Yeに対応する単分子膜又は単分子層
累積膜は線状に加熱される。これによって、加熱用電流
パルスとビデオ信号とが同期した行線と列線との交叉部
分においては両者の発熱により加算的に加熱されて単分
子膜又は単分子層累積膜の加熱の程度が加熱表示の閾値
を越え、選択された行線と列線の交叉部分に単分子膜又
は単分子層累積膜の加熱部5が形成される。
A predetermined video signal is applied to the 0 column lines Yc, Yd, and Ye connected to these transistors Trl to Tr3, respectively. By applying this video signal, the monomolecular film or the monomolecular layer stack corresponding to the column conductors Yc, Yd, and Ye is linearly heated. As a result, at the intersection of the row line and the column line where the heating current pulse and the video signal are synchronized, heat is generated additively from both, and the degree of heating of the monomolecular film or the monomolecular layer accumulation film increases. When the display threshold is exceeded, a heating portion 5 of a monomolecular film or a monomolecular layer stack is formed at the intersection of the selected row line and column line.

なお1以上の例において、駆動方式を次の様に変えた場
合にも、全く同様に作像することができる。即ち、行線
にビデオ信号を印加し、列線に加熱用電流信号を印加す
る様に変形しても、効果は全く同じである。このように
第10図に例示した光学素子OEは、マトリックス駆動
をも可能とするものである。光学素子OEの単分子膜又
は単分子層累積膜の厚さが非常に薄い場合、上記の如く
、ストライプ状に配列される発熱抵抗線を保護用基板側
と基板側の両方に設置することにより、以下の効果が発
生する。
In addition, in one or more examples, images can be formed in exactly the same way even when the driving method is changed as follows. That is, even if a modification is made in which a video signal is applied to the row lines and a heating current signal is applied to the column lines, the effect is exactly the same. In this way, the optical element OE illustrated in FIG. 10 also enables matrix driving. When the thickness of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film of the optical element OE is very thin, it is possible to install heating resistance wires arranged in stripes on both the protective substrate side and the substrate side as described above. , the following effects occur.

■ 製作工程が簡単になり、歩留りが向上する。■ The manufacturing process is simplified and the yield is improved.

■ 単分子膜又は単分子層累積膜を両側から加温するの
で、熱効率が良い。
■ Thermal efficiency is good because the monomolecular film or monomolecular layer stack is heated from both sides.

等である。etc.

発熱抵抗線の放熱効果を高めるため放熱板を別途、設け
ることが望ましい、この放熱板には基板l(第9図)を
代用する事が可能である。
In order to enhance the heat dissipation effect of the heat generating resistance wire, it is desirable to separately provide a heat sink. The board 1 (FIG. 9) can be used as a substitute for this heat sink.

尚1両信号線のすべてが発熱抵抗体によって形成される
必要はない、むしろ、エネルギーの節約を図る上から行
線と列線の交叉部分のみを発熱抵抗体によって構成し、
それ以外はAMなどの良導体で構成する方が好ましいと
言えるが、その分、製造工程が複雑になる欠点はある。
Note that it is not necessary that all of the two signal lines be formed of heat-generating resistors; rather, in order to save energy, only the crossing portions of the row lines and column lines are formed of heat-generating resistors.
It can be said that it is preferable to construct the other parts with a good conductor such as AM, but this has the disadvantage that the manufacturing process becomes complicated.

又、第10図々示例の如きマトリックス駆動を行なうの
に好適な光学素子を構成するための発熱要素としての発
熱素子の他の例に就いて第11図により説明する。
Further, another example of a heating element as a heating element for constructing an optical element suitable for matrix driving as shown in FIG. 10 will be explained with reference to FIG. 11.

第11図は、発熱素子の一部領域を模式的に描いた外観
斜視図である0図に於いては32は発熱抵抗層を示し、
これは、公知の発熱抵抗体(例えば、ニクロム合金、硼
化ハフニウム、窒化タンタル等)を面状に成膜して得ら
れる。
FIG. 11 is an external perspective view schematically depicting a partial area of the heating element. In FIG. 0, 32 indicates a heating resistance layer;
This can be obtained by forming a film of a known heating resistor (for example, nichrome alloy, hafnium boride, tantalum nitride, etc.) into a planar shape.

図示されていないが、この抵抗層32は、勿論、図面下
方にも延在している。又、3°3a。
Although not shown, this resistance layer 32 naturally extends downward in the drawing. Also, 3°3a.

33b、33c、33dは何れも列導線であり、34a
、34b、34cは何れも行導線である。そして、これ
等全ての導線は、金、銀、銅、アルミニウム等の良導体
により得られる(なお、言及していないが、導線は、5
i02の絶縁膜(不図示)によって被覆されるのが一般
的である)0図示発熱素子に於いて1例えば、列導線の
33bと行導線の34cが選択されてこれ等に共に電圧
が印加されたときには、両者の交叉部35に対応する抵
抗層32の一部に通電が為されて発熱する。
33b, 33c, and 33d are all column conductors, and 34a
, 34b, and 34c are all row conductors. All these conductive wires are made of good conductors such as gold, silver, copper, aluminum, etc. (Although not mentioned, the conductive wires are
In the heating element shown in the figure, for example, the column conductor 33b and the row conductor 34c are selected and a voltage is applied to them both. When this occurs, a portion of the resistance layer 32 corresponding to the intersection 35 of the two is energized and generates heat.

この様にして、行導線及び列導線の任意の(行・列)交
叉部を発熱させることができる。
In this way, any (row/column) intersection of the row conductor and the column conductor can be heated.

従って、図示発熱素子を第9図の発熱抵抗線30.31
及び絶縁層29からなる発熱要素としての発熱素子のか
わりに組込んだ光学素子に於いては、第10図々示例と
同様なマトリックス駆動方式によって、ドツトマトリッ
クス画像の表示が可能である。
Therefore, the heating element shown in FIG.
In the optical element incorporated in place of the heating element made of the insulating layer 29, a dot matrix image can be displayed using the same matrix driving method as in the example shown in FIG.

ところで、第11図に示した発熱素子に於いて、発熱抵
抗層32を、行導線34と列導線33との交叉部にのみ
分割して設ける(その他の望域では導線同志を絶縁する
)ことも可能であり、この様な構成(第12図)に於い
ては、信号に忠実な作像にとって不都合なりロストーク
の発生を実質的に防止することができる。
By the way, in the heat generating element shown in FIG. 11, the heat generating resistor layer 32 is divided and provided only at the intersection of the row conducting wire 34 and the column conducting wire 33 (the conducting wires are insulated from each other in other desired areas). In such a configuration (FIG. 12), it is possible to substantially prevent the occurrence of losstalk, which is inconvenient for image formation faithful to the signal.

第11図の例に於いては、行導線34a。In the example of FIG. 11, the row conductor 34a.

34b・・・ (以下、行導線34という)と列導線3
3a、33b*s* (以下1行導線33という)は5
i02.Si3N4等の絶縁膜(不図示)を介して配設
されるが、行導線34と列導線33の交叉望域の絶縁膜
は取り除かれ、代りにその部分に発熱抵抗体32a 、
32b・・・(以下、発熱抵抗体32という)が埋めこ
まれている。
34b... (hereinafter referred to as row conductor 34) and column conductor 3
3a, 33b*s* (hereinafter referred to as 1-row conductor 33) is 5
i02. Although it is arranged through an insulating film (not shown) such as Si3N4, the insulating film in the intersection area of the row conductor 34 and column conductor 33 is removed, and instead, a heating resistor 32a,
32b... (hereinafter referred to as heating resistor 32) is embedded.

次に第13図に於いて斯かる第12図に示した発熱要素
としての発熱素子を第9図に示した発熱抵抗線30.3
1及び絶縁層29からなる発熱素子の代わりに組込んだ
光学素子をマトリックス駆動する例について、更に詳し
く説明する6行軸選択回路36は材軸駆動回路37a。
Next, in FIG. 13, the heating element as the heating element shown in FIG. 12 is connected to the heating resistance wire 30.3 shown in FIG.
The sixth row axis selection circuit 36 is a material axis drive circuit 37a.

37b・・・φ争・ (以下、材軸駆動回路37という
)と信号線により電気的に結合されており、さらに夫々
の材軸駆動回路37の各出力端子は夫々の行導線34と
結合している。出力端子と行導線34の結合のしかたは
様々あるが、本明細書に於いては基本的な態様について
説明するため、出力端子は行導線34の個数だけあり、
一つの出力端子は−の行導線と結合しているとする。
37b... (hereinafter referred to as the material shaft drive circuit 37) is electrically coupled to the material shaft drive circuit 37 by a signal line, and each output terminal of each material shaft drive circuit 37 is coupled to each row conductor 34. ing. There are various ways to connect the output terminals and the row conducting wires 34, but in order to explain the basic aspect in this specification, it is assumed that there are as many output terminals as there are row conducting wires 34,
It is assumed that one output terminal is connected to the negative row conductor.

列導選択回路38、動軸駆動回路39a。Column conduction selection circuit 38, dynamic axis drive circuit 39a.

39b、・・Φ・O・(以下、動軸駆動回路39という
)及び列導線33相互の関係についても同様である0画
像制御回路40は杆軸選択回路36及び列導選択回路3
8と信号線により電気的に結ばれている0画像制御回路
40は画像制御信号を出力することによって、杆軸選択
回路36がどの杆軸を選択すべきかを指令し。
39b, .
0 image control circuit 40 electrically connected to 8 by a signal line outputs an image control signal to instruct the rod selection circuit 36 which rod axis should be selected.

列導選択回路38に対しても同様である。即ち、画像制
御回路40からの画像制御信号によって杆軸選択回路3
6は材軸駆動回路37のいずれかを介して特定の杆軸(
行導線)を選択(スイッチ・オン)する0例えば、杆軸
選択回路36が行導線Xpを選択すればXp行選択信号
を発し、それを受けて材軸駆動回路37Xpは、行導線
XPに対しても材軸駆動信号を入力する。一方1画像制
御回路40からの画像制御信号の一つであるビデオ信号
が列導選択回路38に入力されると、その指令を受けて
列導選択回路38は所定の列導(列導線)を選択する0
例えば、列導選択回路38が列導線Yeを選択すれば、
動軸駆動回路39Yeは列導選択回路38から発せられ
たYe列選択信号を受けて刻溝&!iYeをスイッチ・
オン(導通)状態にする。
The same applies to the column selection circuit 38. That is, the rod shaft selection circuit 3 is controlled by the image control signal from the image control circuit 40.
6 is a specific rod shaft (
For example, if the rod shaft selection circuit 36 selects the row conductor Xp, it will issue an Xp row selection signal, and in response, the rod shaft drive circuit 37Xp will input the material shaft drive signal. On the other hand, when a video signal, which is one of the image control signals from the 1-image control circuit 40, is input to the column conductor selection circuit 38, in response to the command, the column conductor selection circuit 38 selects a predetermined column conductor (column conductor). Select 0
For example, if the column conductor selection circuit 38 selects the column conductor Ye,
The moving shaft drive circuit 39Ye receives the Ye column selection signal issued from the column conduction selection circuit 38 and receives the groove &! Switch iYe
Turn on (conducting).

杆軸の選択と列導の選択が同期してなされれば、本例の
場合、行導線Xpと列導線Yeの交叉点(選択点; X
 p * Y e )にある発熱抵抗体に電流が流れ、
ジュール熱が発生し、不図示の単分子膜又は単分子層累
81膜に加熱部が形成される。非選択点にもリーク電流
は流れるが単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部形成電
流値以下であるので、単分子膜又は単分子層累積膜に加
熱部は形成されない、また、発熱抵抗体にダイオード機
能を持たせることにより、リーク電流をさらに微弱にす
ることができる。
If the selection of the rod axis and the selection of the column conductor are made synchronously, in this example, the intersection point of the row conductor Xp and the column conductor Ye (selection point;
A current flows through the heating resistor at p*Ye),
Joule heat is generated and a heated portion is formed in the monomolecular film or monomolecular layer stack 81 (not shown). Leakage current also flows at non-selected points, but it is less than the current value that forms the heating part of the monomolecular film or monomolecular layer stack, so no heating part is formed in the monomolecular film or monomolecular stack stack, and the heating resistor By giving the body a diode function, leakage current can be made even weaker.

このように第1θ図に於て説明したと同様に、第13図
に於ても、竹輪駆動信号で線順次走査し、かつそれに同
期して列軸選択信号を出力し、動軸駆動回路39を介し
て選択された列導線33を導通状態にすることにより二
次元の画像表示を行うことができる。尚1列軸選択回路
38はビデオ信号による指令を受けて列導選釈信号を出
力するものである。この時1発熱抵抗体を流れる電流の
向きは問わない、このような、行、及び動軸選択回路3
6.38と行、及び動軸選択回路37.39とはシフ)
)ランジスタやトランジスタアレイ等を用いて公知の技
術により構成されるものである。
In this way, in the same way as explained in FIG. 1θ, in FIG. A two-dimensional image display can be performed by bringing the selected column conducting wire 33 into a conductive state via the conductive line 33. The first column axis selection circuit 38 receives a command from a video signal and outputs a column guide selection signal. At this time, the direction of the current flowing through the heating resistor 1 does not matter, and the row and moving axis selection circuit 3
6.38 and line, and moving axis selection circuit 37.39 are shift)
) It is constructed using known techniques using transistors, transistor arrays, etc.

尚1以上説明した発熱素子を利用したマトリックス駆動
による表示方式に於ても、第4図CB)に於て前述した
ように第9図(B)に示した構成の光学素子OEにも、
必要に応じて単分子膜又は単分子層累積膜3と反射膜も
しくは単分子膜又は単分子層累積膜3と発熱素子(たと
えば、その内の発熱抵抗線30)との間に耐蝕性の酸化
硅素膜や窒化シリコン膜を介在させることにより単分子
膜又は単分子層累積膜とそれらとの反応腐蝕を適宜防止
することもできる。
In addition, in the matrix drive display method using the heat generating elements described above, as described above in FIG. 4 (CB), the optical element OE having the configuration shown in FIG. 9 (B) also
If necessary, corrosion-resistant oxidation is applied between the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film 3 and the reflective film or the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film 3 and the heating element (for example, the heating resistance wire 30 therein). By interposing a silicon film or a silicon nitride film, reaction corrosion between the monomolecular film or the monomolecular layer stack and the monomolecular film can be appropriately prevented.

また、第8図に示したカラーモザイクフィルタの赤色フ
ィルタ部(R)や緑色フィルタ部(G)や青色フィルタ
部(B)を、適宜1発熱要素としての発熱部(たとえば
第9図に示した光学素子DEに於いては1発熱抵抗線3
0と31の交叉点部、また、第12図に示した発熱素子
においては、発熱抵抗体32の部分)上に夫々あわせて
配列して設けることによって、第8図図示例と同様な構
成を採用することにより、第9図、第12図に示した発
熱素子を夫々用いた表示素子で、第8図と同様な原理で
カラー表示を行うことができることは勿論である。
In addition, the red filter part (R), the green filter part (G), and the blue filter part (B) of the color mosaic filter shown in FIG. In optical element DE, 1 heating resistance wire 3
0 and 31 (or, in the case of the heating element shown in FIG. 12, the heating resistor 32), the same configuration as the example shown in FIG. 8 can be achieved. Of course, by employing this, color display can be performed using the same principle as in FIG. 8 with a display element using the heating elements shown in FIGS. 9 and 12, respectively.

このようなマトリックス駆動型の光学素子は第5図及び
第6図に示したライトバルブ式投写装置にも適用できる
0本発明はこの外にも感光性分子、強誘電性物質、錯体
等の機能性分子と表面活性物質との結合によって、光、
電気イオン等によって制御することができる単分子膜又
は単分子層累積膜を有する光学素子を得ることもできる
Such a matrix-driven optical element can also be applied to the light valve type projection device shown in Figures 5 and 6. The combination of sexual molecules and surface-active substances causes light,
It is also possible to obtain an optical element having a monomolecular film or a monomolecular layer stack that can be controlled by electric ions or the like.

第14図は1本発明の光変調装置の一実施例を示すもの
である。光源40a及びコリメータレンズ40bより成
る光束発生手段40からの光束にて、二次元的なパター
ンで屈折率分布を発生する喜が可能な光学素子41は照
射される。屈折率分布によって発散されない光束は、レ
ンズ42にて集光されレンズ42の焦点面に設けられた
遮光フィルター43にて遮断される。前記光学素子41
の光束散乱位置はレンズ42のもう一方の焦点面とほぼ
合致させて設けである為に、光学素子41により発散さ
れる光束はレンズ42でほぼ平行光束となり、レンズ4
5により感光媒体面46上に結像され、屈折率分布の発
生パターンに応じた二次元画像を形成する。し′ンズ4
2とレンズ45の間に偏向ミラー44を配し、上記発散
光束を偏向し得るようにすれば、感光体面46上に、上
記の二次元画像の走査画像を得ることができる。
FIG. 14 shows an embodiment of the optical modulation device of the present invention. An optical element 41 capable of generating a refractive index distribution in a two-dimensional pattern is irradiated with a light beam from a light beam generating means 40 consisting of a light source 40a and a collimator lens 40b. The light flux that is not diverged by the refractive index distribution is condensed by the lens 42 and blocked by a light shielding filter 43 provided at the focal plane of the lens 42. The optical element 41
Since the light beam scattering position of is set to almost coincide with the other focal plane of the lens 42, the light beam diverged by the optical element 41 becomes a substantially parallel light beam at the lens 42, and the light beam scattered by the lens 41
5, an image is formed on the photosensitive medium surface 46 to form a two-dimensional image according to the pattern of the refractive index distribution. shins 4
If a deflection mirror 44 is disposed between the photoreceptor 2 and the lens 45 to deflect the diverging light beam, the two-dimensional scanning image described above can be obtained on the photoreceptor surface 46.

例えば、上記、二次元的に屈折率分布を発生させる光学
素子によって各種文字パターンを屈折率分布によって形
成し得る様に設計すれば、ワードプロセッサーの如きプ
リンタ一端末機として実現できる。上記偏向ミラーの回
転は光学素子41により、同時に全面に屈折率分布が生
じるのではないので、間欠回転が望ましい。
For example, if it is designed so that various character patterns can be formed by the refractive index distribution using the optical element that generates the refractive index distribution two-dimensionally, it can be realized as a printer-terminal device such as a word processor. Intermittent rotation of the deflection mirror is desirable because the optical element 41 does not simultaneously produce a refractive index distribution over the entire surface.

尚、二次元パターンを形成出来る光学素子に於いても、
第9図(A)に示す如き透過光タイプの光学素子が得ら
れることは説明するまでもない。
Furthermore, even in optical elements that can form two-dimensional patterns,
It goes without saying that a transmitted light type optical element as shown in FIG. 9(A) can be obtained.

上記実施例に於いては、発熱抵抗体を用いて屈折率分布
を形成する実施例を述べたが、屈折率分布を得るには、
光ビームをスキャンし、スキャンビームを熱に変換して
得ることも可能である。第15図は光ビームをスキャン
して屈折率分布を形成する一実施例を示すもので、光学
素子OEは透明保護板54.単分子膜又は単分子層累積
膜55及び熱伝導性の絶縁層56及び透明な支持体57
より形成されており、支持体57には熱吸収層58が設
けられている。59は自己変調可能な半導体レーザーで
、該レーザー59からの光束はコリメーターレンズ60
により平行ビームとなりガルバノミラ−61を介して走
査用集光レンズ62により前記熱吸収層58上に結像さ
れる。この熱吸収層58は、半導体レーザー59からの
波長の光束を特によく吸収する様な部材で構成され、従
って該吸収層58を通過する光束はほぼ零となる。
In the above embodiment, an example was described in which a refractive index distribution was formed using a heating resistor, but in order to obtain a refractive index distribution,
It is also possible to obtain heat by scanning a light beam and converting the scanned beam into heat. FIG. 15 shows an embodiment in which a refractive index distribution is formed by scanning a light beam, in which the optical element OE is a transparent protection plate 54. Monomolecular film or monomolecular layer stack 55, thermally conductive insulating layer 56, and transparent support 57
A heat absorbing layer 58 is provided on the support body 57. 59 is a self-modulating semiconductor laser, and the light beam from the laser 59 is passed through a collimator lens 60.
The beam becomes a parallel beam and is imaged onto the heat absorption layer 58 by a scanning condensing lens 62 via a galvanometer mirror 61. This heat absorption layer 58 is made of a material that particularly well absorbs the light flux of the wavelength from the semiconductor laser 59, and therefore the light flux passing through the absorption layer 58 is approximately zero.

前記ガルバノミラ−61を回転軸の回りに回転サセルと
、光ビームスポットは吸収層58に沿って矢印A2方向
に移動する様に走査光学系を設定する。そして、前記半
導体レーザー59によるビームスポットが形成されてい
る吸収層58の憤域では、光ビームが熱に変換され、絶
縁層56を介して、単分子膜又は単分子層累積膜に屈折
率分布を形成する。故に半導体レーザからの射出ビーム
を、ガルバノミラ−61の回転に伴ってオン・オフをす
ることにより、所望の位置に屈折率分布を形成すること
が出来る。
The galvanometer mirror 61 is rotated around the rotation axis, and a scanning optical system is set so that the light beam spot moves in the direction of arrow A2 along the absorption layer 58. Then, in the region of the absorption layer 58 where the beam spot by the semiconductor laser 59 is formed, the light beam is converted into heat, and the refractive index distribution is applied to the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film via the insulating layer 56. form. Therefore, by turning on and off the beam emitted from the semiconductor laser as the galvanomirror 61 rotates, it is possible to form a refractive index distribution at a desired position.

尚、該屈折率分布により発散される光束を投射し1発散
光を受光媒体に導び〈為の光学系は、上述した反射タイ
プの光学系が全て使用出来ることは言うまでもないので
、ここでは説明を省く。
It goes without saying that all of the reflection type optical systems mentioned above can be used as the optical system for projecting the light beam diverged by the refractive index distribution and guiding the single divergent light to the receiving medium, so we will not explain it here. Omit.

又、前記熱吸収層58を全面に設け、該吸収層に光ビー
ムを照射する走査光学系を二次元走査光学系とすること
で、二次元のパターンを有する屈折率分布による光変調
装置を得ることが出来る。
Further, by providing the heat absorption layer 58 on the entire surface and using a two-dimensional scanning optical system as a scanning optical system that irradiates the absorption layer with a light beam, a light modulation device using a refractive index distribution having a two-dimensional pattern is obtained. I can do it.

本発明の主要な効果はまとめると以下の通りである。The main effects of the present invention are summarized as follows.

(1)微少な単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部の1
個を表示画素単位として高密度に配列することが可能で
あるから、高解像度の画像表示ができる。
(1) 1 of the heating part of a minute monomolecular film or a monomolecular layer cumulative film
Since these pixels can be arranged in high density as display pixel units, high resolution images can be displayed.

(2)表示画素としての単分子膜又は単分子層累積膜の
加熱部の存続時間を調節することによって、静止画、又
はスローモションを含む動画の表示が容易にできる。
(2) Still images or moving images including slow motion can be easily displayed by adjusting the duration of the heating portion of the monomolecular film or the monomolecular layer stack as display pixels.

(3)多色表示、並びに、フルカラー表示を容易に実施
することができる。
(3) Multicolor display and full color display can be easily implemented.

(4)素子の構造が比較的、簡略であるから、その生産
性に優れているし、素子の耐久性が高く信頼性に優れて
いる。
(4) Since the structure of the device is relatively simple, productivity is excellent, and the device has high durability and reliability.

(5)広範囲な駆動方式に適応できる。(5) Applicable to a wide range of drive systems.

(6)ラングミュア・ブロジェット法を用いて単分子膜
又は単分子層累積膜を作製できるので、大面積化が極め
て容易に図れる。
(6) Since a monomolecular film or a monomolecular layer cumulative film can be produced using the Langmuir-Blodgett method, it is extremely easy to increase the area.

(7)液晶のような液体を用いないので、製作が容易で
あり、かつ安全である。
(7) Since no liquid such as liquid crystal is used, manufacturing is easy and safe.

(8)本発明に係る光変調方法を利用する光学素子は、
表示装置への応用に限らず、電子写真等に用いられる光
変調装置への応用も可能である。
(8) Optical elements using the light modulation method according to the present invention include:
Application is not limited to display devices, but also to light modulation devices used in electrophotography and the like.

(9)相転移温度はそれ程高くないので、光学素子等に
用いる電力は少なくて済み、それだけ、電源部、即ち光
変調装置や表示装置を小型化できる。
(9) Since the phase transition temperature is not so high, less power is required for optical elements, etc., and the power supply section, that is, the light modulation device and the display device, can be made smaller accordingly.

(10)単分子膜又は単分子層累積膜の相転移を利用す
る場合において、累積膜構成分子の構造によっては、相
転移した状態を長く保持するものもある。このような場
合には、本発明に係る光学素子は記録装置(材料)、記
憶装置(材料)として利用することもできる。
(10) When utilizing the phase transition of a monomolecular film or a monomolecular layer stack, some molecules maintain the phase transition state for a long time depending on the structure of the molecules constituting the stack. In such a case, the optical element according to the present invention can also be used as a recording device (material) or a storage device (material).

本発明を更に具体的に説明するために、以下に実施例を
あげる。
In order to explain the present invention more specifically, Examples are given below.

実施例1 光学素子を以下のようにして製造した。Example 1 An optical element was manufactured as follows.

50mm角のガラス基板表面上にスパッタリング法によ
り膜厚1500人のGd−Tb−Fe(ガドリニウム・
テレビラム・鉄)暦を付着して、輻射線吸収層9を形成
した。このGdeTbeFe層の酸化を防止するため、
その上に5i02保護膜で被覆した。
Gd-Tb-Fe (gadolinium,
A radiation absorbing layer 9 was formed by adhering a TV ram and iron calendar. In order to prevent oxidation of this GdeTbeFe layer,
A 5i02 overcoat was coated on top.

次に上記基板を充分洗浄後、ジョイスーレープル(Jo
yce−Loebl)社製のLB膜膜製製装置Trou
gh−4)(7)4XlO−4molのCdCl2を含
む水相中に浸漬した。
Next, after thoroughly cleaning the above board, the
LB film manufacturing device Trou manufactured by YCE-Loebl
gh-4) (7)4XlO-immersed in an aqueous phase containing 4 mol of CdCl2.

その後アラキシン酸5XlO−3molを含むクロロホ
ルム液0.1 m lを水相中にシリンジを用いて滴下
した。クロロホルムの揮発後アラキシン酸単分子層が表
面圧30 d y n e / c m″になるよう調
節し、1cm/minの速度で引上げと浸漬を繰り返す
ことにより、SiO2膜の表面上に膜厚5〜lOルmの
Y型累積膜を付着形成し、その上に保護用基板4として
ガラス基板を被せた。さらに、ガラス基板4の外側表面
に密接ないし近接して5木/ m mの線状格子を設置
した。
Thereafter, 0.1 ml of a chloroform solution containing 5XlO-3 mol of alaxic acid was dropped into the aqueous phase using a syringe. After volatilization of chloroform, the surface pressure of the monomolecular layer of araxic acid was adjusted to 30 dyne/cm'', and by repeating pulling and dipping at a speed of 1 cm/min, a film thickness of 5 ml was formed on the surface of the SiO2 film. A Y-shaped cumulative film of ~10 m was deposited, and a glass substrate was placed thereon as a protective substrate 4.Furthermore, a linear film of 5 mm/m was closely or close to the outer surface of the glass substrate 4. A grid was installed.

輻射線熱源として、波長830nmを発光する半導体レ
ーザを使用した。アルキジン酸は半導体レーザの照射に
よって加温され、そこを通過する入射光束の波面は変形
を受は光変調効果が確認された。
A semiconductor laser that emits light at a wavelength of 830 nm was used as a radiant heat source. The alchidic acid was heated by irradiation with a semiconductor laser, and the wavefront of the incident light beam passing through it was deformed, resulting in a light modulation effect.

実施例2 光学素子を以下のようにして製造した。Example 2 An optical element was manufactured as follows.

50mm角のガラス基板表面に、膜厚1500人のイン
ジウム・ティン拳オキサイド(I−T110)をスパッ
タリング法によりつけた0次にフォトエツチング法によ
り、lO0木/m mの線状パターンを形成して、透明
発熱抵抗線31を得た。尚、I−T−0のエツチング液
としては、塩化第2鉄水溶液と塩酸の混合液を用いた。
On the surface of a 50 mm square glass substrate, indium tin oxide (I-T110) with a film thickness of 1500 mm was applied by sputtering, and a linear pattern of 100 wood/mm was formed by the 0-order photoetching method. , a transparent heat generating resistance wire 31 was obtained. As the etching solution for IT-0, a mixed solution of ferric chloride aqueous solution and hydrochloric acid was used.

次に、透明発熱抵抗線31が設置されたガラス基板表面
に膜厚2000人の5i02膜をスパッタリング法によ
り付着して、絶縁層29を形成した。さらに、その上に
、膜厚1500人のI−T−0を付け、フォトエツチン
グ法により、透明発熱抵抗線30を前記透明発熱抵抗線
31と直交するように形成した。
Next, an insulating layer 29 was formed by depositing a 2,000-thick 5i02 film on the surface of the glass substrate on which the transparent heating resistance wire 31 was placed by sputtering. Furthermore, IT-0 with a film thickness of 1500 was applied thereon, and a transparent heat generating resistor wire 30 was formed perpendicularly to the transparent heat generating resistor wire 31 by photoetching.

次に、上記基板の上にステアリン酸の累積膜を実施例1
と同様の条件番工程に従って膜厚5〜104mになるよ
うに形成し、その上でガラス基板4を被せた。
Next, a cumulative film of stearic acid was deposited on the above substrate in Example 1.
A film was formed to a thickness of 5 to 104 m according to the same process steps as described above, and a glass substrate 4 was placed thereon.

輻射線熱源として、波長830nmを発光する半導体レ
ーザを用いた。
A semiconductor laser that emits light at a wavelength of 830 nm was used as a radiant heat source.

適当なシュリーレン光学系と組み合わせて駆動させると
所定の光変調効果があることを確認した。即ち、半導体
レーザの照射によって、ステアリン酸層の所定箇所が加
温されそこを通過する入射光束の波面は変形された。
It was confirmed that when driven in combination with an appropriate Schlieren optical system, a predetermined light modulation effect can be obtained. That is, a predetermined portion of the stearic acid layer was heated by the irradiation with the semiconductor laser, and the wavefront of the incident light flux passing through the predetermined portion was deformed.

実施例3 光学素子を以下のようにして製造した。Example 3 An optical element was manufactured as follows.

50mm角のガラス基板表面上にスパッタリング法によ
り膜厚1500人のGd@TbeFe(ガドリニウム・
テルビウム・鉄)層を付着して、輻射線吸収層9を形成
した。このGd・Tb・Fe層の酸化を防止するため、
その上に5i02保alll!テ被覆シタ、次ニ、LB
nlB作装置の水面上に7ラキジン酸カドミウムの単分
子膜を形成し、垂直浸せき法により、5i02膜の表面
上に膜厚10ILmのY型巣aWiを付着形成し、その
上に保護用基板4としてガラス基板を被せた。さらに、
ガラス基板4の外側表面に密接ないし近接して5木/ 
m mの線状格子を設置した。
Gd@TbeFe (gadolinium.
A layer of terbium (iron) was deposited to form a radiation absorbing layer 9. In order to prevent oxidation of this Gd/Tb/Fe layer,
5i02 all on top of that! Te covered bottom, next second, LB
A monomolecular film of cadmium 7-rachidate was formed on the water surface of the nlB production device, and a Y-shaped nest aWi with a film thickness of 10 ILm was deposited on the surface of the 5i02 film by vertical dipping, and a protective substrate 4 was formed on it. A glass substrate was then covered. moreover,
5 wood closely or in close proximity to the outer surface of the glass substrate 4
A linear grid of mm was installed.

輻射線熱源として、波長830nmを発光する半導体レ
ーザを使用した。適当な透過照明下で駆動させると、所
定の表示効果があることを確認した。
A semiconductor laser that emits light at a wavelength of 830 nm was used as a radiant heat source. It was confirmed that a certain display effect could be achieved when driven under appropriate transmitted illumination.

実施例4 光学素子を以下のようにして製造した。Example 4 An optical element was manufactured as follows.

50mm角のガラス基板表面に、膜厚1500人のイン
ジウム・ティン魯オキサイド(工・T110)をスパッ
タリング法によりつけた0次にフォトエツチング法によ
り、10本/l111の線状パターンを形成して、透明
発熱抵抗線31を得る。尚、■・T−0のエツチング液
としては、塩化第2鉄水溶液と塩酸の混合液を用いた・
次に、透明発熱抵抗線31が設置されたガラス基板表面
に、膜厚2000人の5i02膜をスパッタリング法に
より付着して、絶縁3129を形成した。更に、その上
に膜厚1500人のI・T・0を付け、フォトエツチン
グ法により。
On the surface of a 50 mm square glass substrate, a 1,500-thickness indium tin oxide (T110) was applied by sputtering, and a linear pattern of 10 lines/l111 was formed by zero-order photoetching. A transparent heat generating resistance wire 31 is obtained. In addition, as the etching solution for ■・T-0, a mixed solution of ferric chloride aqueous solution and hydrochloric acid was used.
Next, on the surface of the glass substrate on which the transparent heating resistance wire 31 was installed, a 5i02 film having a thickness of 2000 was deposited by sputtering to form an insulation 3129. Furthermore, I.T.0 with a film thickness of 1,500 people was added on top of it by photo-etching.

透明発熱抵抗線30を前記透明発熱抵抗線31と直交す
るように形成した0次に、LB膜製作装置の水面上にア
ラキシン醋カドミウムの単分子膜を形成し、垂直浸せき
法により、5i02膜の表面上に膜厚101LmのY型
累積膜を形成しその上に、ガラス基板4を被せた。上述
の透過照明光学系の下で動作させると所定の表示効果を
得た。
A transparent heat generating resistance wire 30 was formed perpendicularly to the transparent heat generating resistance wire 31. Next, a monomolecular film of araxin cadmium was formed on the water surface of the LB film manufacturing apparatus, and a 5i02 film was formed by a vertical dipping method. A Y-shaped cumulative film having a film thickness of 101 Lm was formed on the surface, and a glass substrate 4 was placed thereon. When operated under the above-mentioned transmitted illumination optical system, a predetermined display effect was obtained.

実施例5 光学素子を以下のようにして製造した。Example 5 An optical element was manufactured as follows.

50mm角のガラス基板表面上にスパッタリング法によ
り膜厚1500人のGd・Tb・Fe(ガドリニウム・
テレビラムφ鉄)層を付着して、輻射線吸収ya9を形
成した。このGd・TbeFe層の酸化を防止するため
、その上にS i02保護膜で被覆した。
Gd, Tb, Fe (gadolinium,
A layer of TVram φ iron) was deposited to form a radiation absorbing ya9. In order to prevent this Gd·TbeFe layer from oxidizing, it was coated with an Si02 protective film.

次に、上記基板を充分洗浄後、ジョイスーレープル(J
oyce−Loebl)社製のLB膜製作装置(Tro
ugh−4)の水相中に浸漬した。その後、ジステアリ
ルジメチルアンモニウムブロマイド5XIO−3mol
を含むクロロホルム液0.1 m lを水相中にシリン
ジを用いて滴下した。クロロホルムの揮発後、ジステア
リルジメチルアンモニウムブロマイドの単分子層が表面
圧30dyne/crn’になるように調節し、1cm
/minの速度で引上げと浸漬を繰り返すことにより、
5i02膜の表面上に膜厚5〜lOルmのY型累積膜を
付着形成し、その上に保護用基板4としてガラス基板を
被せた。さらに、ガラス基板4の外側表面に密接ないし
近接して5木/ m mの線状格子を設置した。
Next, after thoroughly cleaning the above board, Joysuleple (J
LB film production equipment (Tro
ugh-4) in the aqueous phase. Then distearyldimethylammonium bromide 5XIO-3mol
0.1 ml of a chloroform solution containing the following was added dropwise into the aqueous phase using a syringe. After volatilization of chloroform, the monomolecular layer of distearyldimethylammonium bromide was adjusted to a surface pressure of 30 dyne/crn', and
By repeating pulling and dipping at a speed of /min,
A Y-type cumulative film having a film thickness of 5 to 10 μm was deposited on the surface of the 5i02 film, and a glass substrate was placed thereon as a protective substrate 4. Further, a linear grid of 5 pieces/mm was placed closely or close to the outer surface of the glass substrate 4.

輻射線熱源として、波長830nmを発光する半導体レ
ーザを使用した。ジステアリルジメチルアンモニウムブ
ロマイド層は半導体レーザの照射によって60℃以上に
加温され、その時相転移を起こして散乱が生じ、表示効
果が確認された。
A semiconductor laser that emits light at a wavelength of 830 nm was used as a radiant heat source. The distearyldimethylammonium bromide layer was heated to 60° C. or higher by irradiation with a semiconductor laser, at which time a phase transition occurred, causing scattering, and a display effect was confirmed.

実施例6 光学素子効果を以下のようにして製造した。Example 6 The optical element effect was manufactured as follows.

50mm角のガラス基板表面に、膜厚1500人のイン
ジウムΦティン会オキサイド(工・T・0)をスパッタ
リング法によりつけた0次にフォトエツチング法により
、100木/mの線状パターンを形成して、透明発熱抵
抗線31を得る。尚、I−T@Oのエツチング液として
は塩化第2鉄水溶液と塩酸の混合液を用いた。
On the surface of a 50 mm square glass substrate, a 1500 mm thick indium Φ tin oxide (T-0) was applied by sputtering, and a linear pattern of 100 mm/m was formed using the 0-order photoetching method. As a result, a transparent heat generating resistance wire 31 is obtained. As the etching solution for IT@O, a mixed solution of ferric chloride aqueous solution and hydrochloric acid was used.

次に、透明発熱抵抗線31が設置されたガラス基板表面
に膜厚2000人の5i02膜をスパッタリング法によ
り付着して、絶縁M29を形成した。さらに、その上に
、膜厚t soo人のI−T−0を付け、フォトエツチ
ング法により、透明発熱抵抗線30を前記透明発熱抵抗
線31と直交するように形成した。
Next, a 2000-thickness 5i02 film was deposited on the surface of the glass substrate on which the transparent heat-generating resistance wire 31 was placed by sputtering to form an insulation M29. Furthermore, IT-0 having a thickness of tsoo was applied thereon, and a transparent heat generating resistor wire 30 was formed perpendicularly to the transparent heat generating resistor wire 31 by photo-etching.

次に、上記基板の上にジステアリルジメチルアンモニウ
ムブロマイドの累積膜を実施例1と同様の条件O工程に
従って膜厚5〜10ILmになるように形成し、その上
にガラス基板4を被せた。
Next, a cumulative film of distearyldimethylammonium bromide was formed on the substrate to a thickness of 5 to 10 ILm according to the same process as in Example 1 under the same conditions as in Example 1, and the glass substrate 4 was placed thereon.

輻射線熱源として、波長830nmを発光する半導体レ
ーザを用いた。
A semiconductor laser that emits light at a wavelength of 830 nm was used as a radiant heat source.

適当なシュリーレン光学系と組み合わせて駆動させると
所定の光変調効果があることを確認した。即ち、半導体
レーザの照射によって、ジステアリルジメチルアンモニ
ウムブロマイド層の所定箇所が60℃以上に加温された
とき。
It was confirmed that when driven in combination with an appropriate Schlieren optical system, a predetermined light modulation effect can be obtained. That is, when a predetermined portion of the distearyldimethylammonium bromide layer is heated to 60° C. or higher by irradiation with a semiconductor laser.

相転移を起こして光散乱が生じた。A phase transition occurred and light scattering occurred.

実施例7 発熱要素として輻射線吸収層を有するカラー光学素子を
以下のようにして製造した。
Example 7 A color optical element having a radiation absorption layer as a heat generating element was manufactured as follows.

50mm角のガラス基板表面上にスパッタリング法によ
り膜厚1500人のGd−Tb・Fe(ガドリニウム・
テレビラム・鉄)層を付着して、輻射線吸収層9を形成
した。このGd・TbmFe層の酸化を防止するため、
その上に5io2保護膜で被覆した。
Gd-Tb Fe (Gadolinium
The radiation absorbing layer 9 was formed by depositing a layer of iron (TVram/iron). In order to prevent oxidation of this Gd/TbmFe layer,
It was coated with a 5io2 protective film over it.

色分離フィルターとして赤色着色領域(R)、緑色着色
領域(G)および青色着色領域(B)をそれぞれ有する
モザイクフィルターを下記の方法に従って作成した。配
置は、ベイヤ一方式として、1つのモザイクのサイズは
50ILm角とした。
A mosaic filter having a red colored area (R), a green colored area (G), and a blue colored area (B) as a color separation filter was created according to the following method. The arrangement was Bayer one-sided, and the size of one mosaic was 50 ILm square.

それぞれの着色ポリマ一層に用いるポリマー物質として
、溶剤可溶型ポリエステル樹脂(バイロン−200;東
洋動部)を使用した。また、着色剤は、赤色着色剤とし
てスカミロンレツド5−GG(住人化学製)、緑色着色
剤としてチバセットグリーン5G(チバ・ガイギー製)
及び青色着色剤としてミケトンファストブルーエクスト
ラ(三井東圧化学製)をそれぞれ使用した。
A solvent-soluble polyester resin (Vylon-200; Toyo Doubeki Co., Ltd.) was used as the polymer material for each colored polymer layer. In addition, the coloring agents are Sukamilon Red 5-GG (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) as a red coloring agent, and Cibaset Green 5G (manufactured by Ciba Geigy) as a green coloring agent.
and Miketon Fast Blue Extra (manufactured by Mitsui Toatsu Chemical Co., Ltd.) were used as the blue colorant.

先ず、バイロン−200(40部)、・ニトロセルロー
ス(10部)とメチルエチルケトン(80部)を攪拌し
ながら均一に溶解することによって着色ポリマーの母液
を調製した。
First, a mother liquor of a colored polymer was prepared by uniformly dissolving Vylon-200 (40 parts), nitrocellulose (10 parts), and methyl ethyl ketone (80 parts) while stirring.

上記母液50ccと前記赤色着色剤1mgをステンレス
製のボールミルにて充分(約211間)混和して赤色着
色ポリマーを調製した。同様にして緑色着色ポリマーと
青色着色ポリマーを調製した。
50 cc of the above mother liquor and 1 mg of the above red coloring agent were thoroughly mixed (about 21 cm) in a stainless steel ball mill to prepare a red colored polymer. A green colored polymer and a blue colored polymer were prepared in the same manner.

次いで、ガラス板上に赤色着色ポリマーをスピンナー(
ミカサ製; IH−5型)を使って、その厚みが、0.
8g、mの一様な被膜となる様に塗布した。被膜が充分
硬化した後、この上に同じくスピンナーでエツチングマ
スクとなるホトレジス)OMR−81(東京応化製)を
塗布した。その後、所定のパターニングマスクで露光し
、現像することによってエツチングマスクを形成させた
Next, apply the red colored polymer onto the glass plate using a spinner (
Mikasa; IH-5 type) was used, and the thickness was 0.
It was applied to form a uniform film of 8 g, m. After the film was sufficiently cured, a photoresist OMR-81 (manufactured by Tokyo Ohka), which was to serve as an etching mask, was applied thereon using a spinner as well. Thereafter, an etching mask was formed by exposing with a predetermined patterning mask and developing.

次いで、これを醜素ガスを流したプラズマエツチング装
置(“PLASMOD″:Tegal  corp、製
)で不必要な部分(非マスク部)を灰化エツチング除去
して赤色フィル lター素子を得た。同様に、緑色およ
び青色の各着色ポリマーをそれぞれスピナーによる塗布
Next, unnecessary portions (non-mask portions) were removed by ashing and etching using a plasma etching device (“PLASMOD”, manufactured by Tegal corp) in which a chlorine gas was flowed, thereby obtaining a red filter element. Similarly, each green and blue colored polymer was applied using a spinner.

ホトレジストによるエツチングマスクの作成およびプラ
ズマエツチングを順に施こすことによって、それぞれ所
定のパターンをもつ緑色フィルター素子および青色フィ
ルター素子を前記ガラス基板上に設けた。この結果、所
定のパターンをもつ赤色、&を色および青色着色領域か
らなる3色のモザイクフィルターが作成された。
A green filter element and a blue filter element each having a predetermined pattern were provided on the glass substrate by creating an etching mask using photoresist and performing plasma etching in this order. As a result, a three-color mosaic filter having a predetermined pattern consisting of red, & color and blue colored areas was created.

次に、LB膜製作装置の水面上に7ラキジン饋力ドミウ
ム単分子膜を形成し垂直浸せき法により、5i02W1
の表面上に膜厚lOμmのY型累積膜を付着形成しその
上に保護用基板lとしてガラス基板を被せた。
Next, a 7rakidine-energized domium monomolecular film was formed on the water surface of the LB film production equipment, and 5i02W1
A Y-shaped cumulative film having a film thickness of 10 μm was deposited on the surface of the substrate, and a glass substrate was placed thereon as a protective substrate 1.

輻射線熱源として、波長830nmを発光する半導体レ
ーザを使用した。適当なシュリーレン光学系と組み合わ
せて駆動させると、所定の表示効果があることを確認し
た。
A semiconductor laser that emits light at a wavelength of 830 nm was used as a radiant heat source. It has been confirmed that when driven in combination with an appropriate Schlieren optical system, a certain display effect can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図(A)は発明に係る光変調方法を利用する透過型
の光学素子の断面図、第1図CB)は発明に係る光変調
方法を利用する反射型の光学素子の断面図、第2図は単
分子層累積膜の模式図、第3図は単分子層累積膜におけ
る相転移現象の模式図、第4図は本発明に係る光変調方
法を利用する光学素子の作像原理の説明図であり、第4
図(A)は透過型光学素子の場合、第4図(B)は反射
型光学素子の場合である。 第5図、第6図は本発明に係る光変調方法を利用する光
学素子を組み込んだライトバルブ式投写装置の概略構式
図である。第7図は本発明に係る光変調方法を利用する
表示装置としてのライトバルブ式投写装置のブロック図
である。 第8図は本発明に係る光変調方法を利用するカラー光学
素子の断面図、第9図はマトリックス駆動型の光学素子
の構成例を示す断面図であり、第9図(A)は透過型光
学素子、第9図(B)は反射型光学素子である。第1O
図は本発明に係る光変調方法を利用する作像方式の模式
的説明図、第11図、第12図は発熱素子OE:表示素
子 1:基板 2二発熱要素 3:単分子膜又は単分子層累積膜 4:保護用基板 5:単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部6:発熱要素
の加熱部 7:照明光 8−1:親水基   8−2:疎水基 9:輻射線吸収層 10:輻射線 11:反射膜 12:発熱体層 13:格 子    13a:第1格子13b:第2格
子 14:シュリーレンレンズ 15ニスクリーン 16:入射光 17:結像レンズ 18:水平スキャナー 19:垂直スキャナー 20:レンズ 21:コールドフィルタ 22:映像発生回路 23:制御回路 24:映像増幅回路 25:水平駆動回路、垂直駆動回路 26:レーザ光源 27:光変調器 28:カラーモザイクフィルタ 29:絶縁層 30.31:発熱抵抗線 32.32  a 、32b、33c・・−二発熱抵抗
層9発熱抵抗体    1 33.33a、33b、33cm・−:列導線34.3
4a、34b、34c・・−:行導線35:交叉部 36:竹輪選択回路 37.37a、37b・−:竹輪駆動回路38二列軸選
択回路 39.39th、39b・−:列導駆動回路40:画像
制御回路 40a:光 源 40b:コリメータレンズ 42.45:レンズ 44二偏光ミラー 46:感光体 54:透明保護板 55:単分子累積層 56:絶縁層 57:支持体 58:熱吸収層 59:半導体レーザー 50=コリメータレンズ 31二ガルバノミラ−
FIG. 1(A) is a sectional view of a transmission type optical element using the light modulation method according to the invention, FIG. 1CB) is a sectional view of a reflection type optical element using the light modulation method according to the invention. Figure 2 is a schematic diagram of a monomolecular layer cumulative film, Figure 3 is a schematic diagram of a phase transition phenomenon in a monomolecular layer cumulative film, and Figure 4 is a diagram of the imaging principle of an optical element using the light modulation method according to the present invention. This is an explanatory diagram, and the fourth
FIG. 4(A) shows the case of a transmissive optical element, and FIG. 4(B) shows the case of a reflective optical element. 5 and 6 are schematic structural diagrams of a light valve type projection device incorporating an optical element using the light modulation method according to the present invention. FIG. 7 is a block diagram of a light valve type projection device as a display device using the light modulation method according to the present invention. FIG. 8 is a sectional view of a color optical element using the light modulation method according to the present invention, FIG. 9 is a sectional view showing a configuration example of a matrix-driven optical element, and FIG. 9(A) is a transmissive type optical element. The optical element shown in FIG. 9(B) is a reflective optical element. 1st O
The figure is a schematic explanatory diagram of an image forming method using the light modulation method according to the present invention, and FIGS. 11 and 12 show heating elements OE: display element 1: substrate 2; Layer accumulation film 4: Protective substrate 5: Monomolecular film or monomolecular layer accumulation film heating section 6: Heat generating element heating section 7: Illumination light 8-1: Hydrophilic group 8-2: Hydrophobic group 9: Radiation absorption Layer 10: Radiation 11: Reflective film 12: Heating layer 13: Grid 13a: First grating 13b: Second grating 14: Schlieren lens 15 Screen 16: Incident light 17: Imaging lens 18: Horizontal scanner 19: Vertical scanner 20: Lens 21: Cold filter 22: Image generation circuit 23: Control circuit 24: Image amplification circuit 25: Horizontal drive circuit, vertical drive circuit 26: Laser light source 27: Light modulator 28: Color mosaic filter 29: Insulating layer 30.31: Heat generating resistance wire 32.32 a, 32b, 33c...-2 heat generating resistor layer 9 heat generating resistor 1 33.33a, 33b, 33cm...: Column conductor wire 34.3
4a, 34b, 34c...-: Row conductor 35: Intersection 36: Bamboo wheel selection circuit 37. 37a, 37b...: Bamboo wheel drive circuit 38 Second column axis selection circuit 39.39th, 39b...: Column conduction drive circuit 40 : Image control circuit 40a: Light source 40b: Collimator lens 42.45: Lens 44 Bipolarizing mirror 46: Photoreceptor 54: Transparent protective plate 55: Monomolecular cumulative layer 56: Insulating layer 57: Support 58: Heat absorption layer 59 : Semiconductor laser 50 = collimator lens 31 two galvanometer mirrors

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)少なくとも疎水部分と親水部分とを有する有機化
合物分子からなる単分子膜またはその累積膜および該分
子膜またはその累積膜を加熱するための発熱要素とを具
備する光学素子、該発熱要素を駆動せしめるための駆動
手段、該素子に画像情報に応じた信号を出力する信号出
力手段、該光学素子を照明するための照明光学系を具備
することを特徴とする光変調装置。
(1) An optical element comprising a monomolecular film made of an organic compound molecule having at least a hydrophobic part and a hydrophilic part, or a cumulative film thereof, and a heat generating element for heating the molecular film or the cumulative film; 1. A light modulation device comprising a drive means for driving the optical element, a signal output means for outputting a signal according to image information to the element, and an illumination optical system for illuminating the optical element.
(2)該照明光学系がシユリーレン光学系から成る特許
請求の範囲第1項記載の光変調装置。
(2) The light modulation device according to claim 1, wherein the illumination optical system comprises a Schilleren optical system.
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