JPS61283615A - 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂成形材料Info
- Publication number
- JPS61283615A JPS61283615A JP60125218A JP12521885A JPS61283615A JP S61283615 A JPS61283615 A JP S61283615A JP 60125218 A JP60125218 A JP 60125218A JP 12521885 A JP12521885 A JP 12521885A JP S61283615 A JPS61283615 A JP S61283615A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- curing agent
- molding material
- particle size
- filler
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は熱衝撃を受けた場合の耐り２ツク性及び耐湿性
に優れた特徴を持つ半導体封止用エポキシ樹脂成形材料
に関するものであシ、その特徴はエピキシ樹脂と硬化剤
のバランスをずらすと共に充填材の粒径を小さくし低応
力化を図っているところである。
に優れた特徴を持つ半導体封止用エポキシ樹脂成形材料
に関するものであシ、その特徴はエピキシ樹脂と硬化剤
のバランスをずらすと共に充填材の粒径を小さくし低応
力化を図っているところである。
従来半導体封止用エポキシ樹脂成形材料には、一般には
充填材としてシリカが用いられている。
充填材としてシリカが用いられている。
従来のシリカは平均粒径が２０ミクロンで最大粒径が１
５０ミクロンの破砕状で粗いものや角ばったものが混じ
っている、。このため肉薄のフラットノぞツケ二ジ等で
未充填不良を起こしたシ、超ＬＳＩでノζツシペーショ
ンクラックといりた不良を発生していた。゛ 又、エポキシ樹脂と硬化剤はエピキシ基と水酸基の当量
比を１：１にするのが従来技術であシ、これだと成形材
料はあまシにもレジンが強固に結合しているため最終製
品が硬くもろくなってしまい、例えば、冷熱衝撃を与え
ると樹脂クラックを生じたシ耐湿性が極端に悪くなると
いうような欠点が指運されていた。
５０ミクロンの破砕状で粗いものや角ばったものが混じ
っている、。このため肉薄のフラットノぞツケ二ジ等で
未充填不良を起こしたシ、超ＬＳＩでノζツシペーショ
ンクラックといりた不良を発生していた。゛ 又、エポキシ樹脂と硬化剤はエピキシ基と水酸基の当量
比を１：１にするのが従来技術であシ、これだと成形材
料はあまシにもレジンが強固に結合しているため最終製
品が硬くもろくなってしまい、例えば、冷熱衝撃を与え
ると樹脂クラックを生じたシ耐湿性が極端に悪くなると
いうような欠点が指運されていた。
現在、半導体封止用エポキシ樹脂成形材料に要求されて
いるのは汎用でかつ均一な低応力である。
いるのは汎用でかつ均一な低応力である。
生産性が高くかつ超ＬＳＩにも適用できる低応カブラス
チックである。
チックである。
本発明は従来熱衝撃を受けた場合の耐クラツク性及び耐
湿性に問題があった半導体封止用エピキシ樹脂成形材料
を抜本的に改良し、実用的製品の開発を目的として研究
した結果、フィラー粒径を小さくすると共に（ニーキシ
樹脂／硬化剤）の当量比を通常よシずらずことによシ目
的とする耐クラツク性及び耐湿性に優れた半導体封止用
エポキシ樹脂成形材料が得られることを見い出したもの
である。
湿性に問題があった半導体封止用エピキシ樹脂成形材料
を抜本的に改良し、実用的製品の開発を目的として研究
した結果、フィラー粒径を小さくすると共に（ニーキシ
樹脂／硬化剤）の当量比を通常よシずらずことによシ目
的とする耐クラツク性及び耐湿性に優れた半導体封止用
エポキシ樹脂成形材料が得られることを見い出したもの
である。
本発明は重量平均粒径が１５ミクロン以下で最大粒径が
１００ｊクロン以下の破砕状もしくは球状のシリカを充
填材として用いかつ（エポキシ樹脂／硬化剤）の尚量比
が１．１〜１．５の範囲内であることを特徴とする半導
体封止用途ぜキシ樹脂成形材料である。
１００ｊクロン以下の破砕状もしくは球状のシリカを充
填材として用いかつ（エポキシ樹脂／硬化剤）の尚量比
が１．１〜１．５の範囲内であることを特徴とする半導
体封止用途ぜキシ樹脂成形材料である。
一般的に１半導体封土用エダキシ樹脂成形材料は、エゼ
キシ樹脂・シリカ・処理剤・硬化剤・硬化促進剤・離型
剤・難燃剤・顔料等よ多構成される。特に現在汎用の材
料はクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノール
ノボラック（硬化剤）、第３級アミン（硬化促進剤）、
シリカ（充填材）、シランカップリング剤（処理剤）等
よ多構成されシリカ量としては５０〜８０ｗｔ％が普通
である。
キシ樹脂・シリカ・処理剤・硬化剤・硬化促進剤・離型
剤・難燃剤・顔料等よ多構成される。特に現在汎用の材
料はクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノール
ノボラック（硬化剤）、第３級アミン（硬化促進剤）、
シリカ（充填材）、シランカップリング剤（処理剤）等
よ多構成されシリカ量としては５０〜８０ｗｔ％が普通
である。
本発明では（エポキシ樹脂／硬化剤）の当量比二車６耐
湿性が悪くなる・。又、この範囲以上だと成形性（硬化
性、パリ）が問題となる。
湿性が悪くなる・。又、この範囲以上だと成形性（硬化
性、パリ）が問題となる。
シリカとしては、重量平均粒径が１５ミクロン以下で最
大粒径が１００ミクロン以下であることが必要である。
大粒径が１００ミクロン以下であることが必要である。
粗すぎると充填性等で問題を起こす。又、フラットノξ
ツケージといった充填性の厳しい用途にはさらに粒径を
小さくしたもの例えば重量平均粒径が１０ミクロン以下
、最大粒径が５０ミクロン以下のものが好ましい。さら
に特性変動が問題となるような敏感な半導体封止用途に
は重量平均粒径が５ミクロン以下、最大粒径が２０ミク
ロン以下のものが好ましい。
ツケージといった充填性の厳しい用途にはさらに粒径を
小さくしたもの例えば重量平均粒径が１０ミクロン以下
、最大粒径が５０ミクロン以下のものが好ましい。さら
に特性変動が問題となるような敏感な半導体封止用途に
は重量平均粒径が５ミクロン以下、最大粒径が２０ミク
ロン以下のものが好ましい。
このように、本発明に従うと耐クラツク性及び耐湿性に
優れた半導体封止用エポキシ樹脂成形材料を得ることが
できる。特に今後ますますプラスチック／Ｚツゲージ化
が予想され、又そのためにプラスチックの低応力化、高
耐湿化が要求されている今日においては本発明の産業的
意味役割は非常に大きい。
優れた半導体封止用エポキシ樹脂成形材料を得ることが
できる。特に今後ますますプラスチック／Ｚツゲージ化
が予想され、又そのためにプラスチックの低応力化、高
耐湿化が要求されている今日においては本発明の産業的
意味役割は非常に大きい。
以下、エポキシ樹脂成形材料の検討例で説明する。例で
用いた部はすべて重量部である。
用いた部はすべて重量部である。
本発明で用いた原料は次の通シである。
工ぽキシ樹脂 日本化薬 ＥＯＣＮ−１０２０硬化剤
住友ベークライト フェノールノボラック硬化促進剤
クーアイ化成／四国化成 ＰＰ−３６０／２ＭＺ＝％離
型剤 へキストジャノぞン ヘキストＯＰ／ペキス）
Ｓ＝’、ｉシランカッシリング剤 チッソ ＧＰＳ −
Ｍシリカ （Ａ）（電気化学工業）破砕状 平均粒径２０ミクロン
最大粒径１５０ミクロン （Ｂ）（を気化学工業）破砕状 平均粒径１５ミクロン
最大粒径１００ミクロン 以下 （Ｃ）（ｌｆｔ気化学工業）球 状 平均粒径１５ミク
ロン最大粒径１００ミクロン 以下 製法 全原料を混合後１２０℃の熱ロールで５分間混練する。
住友ベークライト フェノールノボラック硬化促進剤
クーアイ化成／四国化成 ＰＰ−３６０／２ＭＺ＝％離
型剤 へキストジャノぞン ヘキストＯＰ／ペキス）
Ｓ＝’、ｉシランカッシリング剤 チッソ ＧＰＳ −
Ｍシリカ （Ａ）（電気化学工業）破砕状 平均粒径２０ミクロン
最大粒径１５０ミクロン （Ｂ）（を気化学工業）破砕状 平均粒径１５ミクロン
最大粒径１００ミクロン 以下 （Ｃ）（ｌｆｔ気化学工業）球 状 平均粒径１５ミク
ロン最大粒径１００ミクロン 以下 製法 全原料を混合後１２０℃の熱ロールで５分間混練する。
シリカ７０部、シランカッシリング剤０．３部、工はキ
シ樹脂と硬化剤を合計で３０部、硬化促進剤０２部、離
型剤０．５部をシリカ形状、粒径及び（エポキシ樹脂／
硬化剤）の当量比に水準を取シ表１のように試作した。
シ樹脂と硬化剤を合計で３０部、硬化促進剤０２部、離
型剤０．５部をシリカ形状、粒径及び（エポキシ樹脂／
硬化剤）の当量比に水準を取シ表１のように試作した。
これら８稲の材料の特性及び模簀ＩＣの特性を評価した
結果（表１）本発明の手法を用いることにょシ、耐クラ
ツク性、耐湿性いずれも抜群の結果を得ることができた
。
結果（表１）本発明の手法を用いることにょシ、耐クラ
ツク性、耐湿性いずれも抜群の結果を得ることができた
。
Claims (1)
- 重量平均粒径が１５ミクロン以下で最大粒径が１００ミ
クロン以下の破砕状もしくは球状のシリカを充填材とし
て用い、さらに、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
とフェノールノボラック硬化剤の当量比（エポキシ樹脂
／硬化剤）が１．１〜１．５の範囲内であることを特徴
とする半導体封止用エポキシ樹脂成形材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60125218A JPS61283615A (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60125218A JPS61283615A (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61283615A true JPS61283615A (ja) | 1986-12-13 |
Family
ID=14904778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60125218A Pending JPS61283615A (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61283615A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63160255A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-04 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH01245014A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-29 | Toray Ind Inc | 半導体封止用樹脂組成物 |
| EP0379172A2 (en) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Epoxy resin composition and semiconductor sealing material comprising same |
| WO2022210384A1 (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | 住友ベークライト株式会社 | 封止用樹脂組成物およびこれを用いた電子装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS554952A (en) * | 1978-06-28 | 1980-01-14 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS58174416A (ja) * | 1982-04-07 | 1983-10-13 | Toshiba Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPS61268750A (ja) * | 1985-05-22 | 1986-11-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
-
1985
- 1985-06-11 JP JP60125218A patent/JPS61283615A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS554952A (en) * | 1978-06-28 | 1980-01-14 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS58174416A (ja) * | 1982-04-07 | 1983-10-13 | Toshiba Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPS61268750A (ja) * | 1985-05-22 | 1986-11-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63160255A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-04 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH01245014A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-29 | Toray Ind Inc | 半導体封止用樹脂組成物 |
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| WO2022210384A1 (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | 住友ベークライト株式会社 | 封止用樹脂組成物およびこれを用いた電子装置 |
| JP7176669B1 (ja) * | 2021-03-31 | 2022-11-22 | 住友ベークライト株式会社 | 封止用樹脂組成物およびこれを用いた電子装置 |
| CN117222686A (zh) * | 2021-03-31 | 2023-12-12 | 住友电木株式会社 | 密封用树脂组合物和使用其的电子装置 |
| CN117222686B (zh) * | 2021-03-31 | 2024-04-12 | 住友电木株式会社 | 密封用树脂组合物和使用其的电子装置 |
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