JPS6128253B2 - - Google Patents
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- JPS6128253B2 JPS6128253B2 JP54103883A JP10388379A JPS6128253B2 JP S6128253 B2 JPS6128253 B2 JP S6128253B2 JP 54103883 A JP54103883 A JP 54103883A JP 10388379 A JP10388379 A JP 10388379A JP S6128253 B2 JPS6128253 B2 JP S6128253B2
- Authority
- JP
- Japan
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- waveguide
- parallel
- partition plate
- metal partition
- plane
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 20
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、MIC（マイクロ波IC）で構成さ
れた入力回路および出力回路を有する単体トラン
ジスタ増幅器を、複数個並列動作させ、高出力化
を計る並列接続トランジスタ増幅器に関するもの
である。
れた入力回路および出力回路を有する単体トラン
ジスタ増幅器を、複数個並列動作させ、高出力化
を計る並列接続トランジスタ増幅器に関するもの
である。
従来のこの種装置では、電力分配および合成
に、ブランチラインカツプラ等の各種カツプラま
たはウイルキンソン形分配器等の分配器を使用す
るのが一般的であつた。ところで各種カツプラを
使用する並列接続トランジスタ増幅器において
は、使用するトランジスタの数が多くなると、そ
れに使用するカツプラの数も多くなり、(イ)装置が
大きくなる、(ロ)損失が大きくなる等の欠点があつ
た。すなわち並列動作させる単体トランジスタ増
幅器の数が２n（ｎ＝１、２、………）個の時、
上記並列接続トランジスタ増幅器に必要なカツプ
ラの数はｎn+1−２個となり、単体トランジスタ
増幅器とほぼ同数のカツプラが必要となる。
に、ブランチラインカツプラ等の各種カツプラま
たはウイルキンソン形分配器等の分配器を使用す
るのが一般的であつた。ところで各種カツプラを
使用する並列接続トランジスタ増幅器において
は、使用するトランジスタの数が多くなると、そ
れに使用するカツプラの数も多くなり、(イ)装置が
大きくなる、(ロ)損失が大きくなる等の欠点があつ
た。すなわち並列動作させる単体トランジスタ増
幅器の数が２n（ｎ＝１、２、………）個の時、
上記並列接続トランジスタ増幅器に必要なカツプ
ラの数はｎn+1−２個となり、単体トランジスタ
増幅器とほぼ同数のカツプラが必要となる。
一方、ウイルキンソン形分配器等の分配器を使
用する場合には、使用する分配器の数は原理的に
は２個で済むため多数個の単体トランジスタ増幅
器から成る並列接続トランジスタ増幅器に使用す
る場合便利であるが、使用する単体トランジスタ
増幅器の数が多くなると、特性インピーダンスが
非常に大きなMIC線路を装荷しなければならない
欠点がある。また、装置が複雑になり、かつ大き
くなる欠点もある。
用する場合には、使用する分配器の数は原理的に
は２個で済むため多数個の単体トランジスタ増幅
器から成る並列接続トランジスタ増幅器に使用す
る場合便利であるが、使用する単体トランジスタ
増幅器の数が多くなると、特性インピーダンスが
非常に大きなMIC線路を装荷しなければならない
欠点がある。また、装置が複雑になり、かつ大き
くなる欠点もある。
この発明は従来の装置のこれら欠点を解決する
ためになされたものであり、従来必要であつた各
種カツプラまたは分配器を使用せずに、導波管中
で電力の分配および合成を行なうもので、以下詳
細に説明する。
ためになされたものであり、従来必要であつた各
種カツプラまたは分配器を使用せずに、導波管中
で電力の分配および合成を行なうもので、以下詳
細に説明する。
第１図は、例として単体トランジスタ増幅器２
個を並列動作させた場合のこの発明になる並列接
続トランジスタ増幅器の一実施例である。第１図
ａは方形導波管１のＥ面に平行な切断面で切つた
時の断面図、第１図ｂは第１図ａのＡ−Ａ断面
図、第１図ｃは第１図ａのＢ−Ｂ断面図、第１図
ｄは第１図ａのＣ部分の詳細図である。第１図ｃ
の寸法Ｌ１は基本モードであるTE10モード以外
の他の高次モードに対してはカツトオフになるよ
うに選ばれている。第１図ａの左側から入射した
信号電力は、方形導波管１のＥ面方向の寸法Ｌ２
を２等分し、かつ上記方形導波管１のＨ面に平行
になるように装荷した金属仕切り板２によつて等
分に分割される。等分割された信号は上記金属仕
切り板２で仕切られた導波管３中を伝搬し、さら
にMICで構成した入力回路４と結合し、さらにト
ランジスタ５の入力端子６を介してトランジスタ
５に到りそこで増幅される。増幅された信号は、
トランジスタ５の出力端子７を介してMICで構成
した出力回路８に到り、さらに上記金属仕切り板
２によつて仕切られた導波管９と結合し、さらに
そこを伝搬し上記金属仕切り板２が切れるＤ１部
分に到る。以上のようにして並列動作している２
個の単体トランジスタ増幅器でそれぞれ増幅され
た信号は、それぞれ第１図ａのＤ１およびＤ２部
分に到り、そこで結合し、上記方形導波管１中を
第１図ａの右方向に伝搬し、出力信号として取り
出される。第１図ｄは第１図ａのＣ部分すなわち
上記金属仕切り板２で仕切られた導波管３と入力
回路４との結合部分を示す詳細図である。なお第
１図ｄのＨは振動磁界をモデル的に示したもので
あり、１０は導波管とMICを結合するためにMIC
上のパターンで構成したプローブである。実施例
ではプローブ１０をMIC上のパターンで構成した
場合について示してあるが他の方法でプローブを
構成してもよい。ところで第１図の１１は抵抗体
板である。この抵抗体板１１の作用は、各単体ト
ランジスタ増幅器の特性にバラツキがある場合に
上記Ｄ１およびＤ２部分で信号の位相および振幅
がわずかに異なつており、その結果電力合成時に
励振される高次モードを吸収する効果がある。
個を並列動作させた場合のこの発明になる並列接
続トランジスタ増幅器の一実施例である。第１図
ａは方形導波管１のＥ面に平行な切断面で切つた
時の断面図、第１図ｂは第１図ａのＡ−Ａ断面
図、第１図ｃは第１図ａのＢ−Ｂ断面図、第１図
ｄは第１図ａのＣ部分の詳細図である。第１図ｃ
の寸法Ｌ１は基本モードであるTE10モード以外
の他の高次モードに対してはカツトオフになるよ
うに選ばれている。第１図ａの左側から入射した
信号電力は、方形導波管１のＥ面方向の寸法Ｌ２
を２等分し、かつ上記方形導波管１のＨ面に平行
になるように装荷した金属仕切り板２によつて等
分に分割される。等分割された信号は上記金属仕
切り板２で仕切られた導波管３中を伝搬し、さら
にMICで構成した入力回路４と結合し、さらにト
ランジスタ５の入力端子６を介してトランジスタ
５に到りそこで増幅される。増幅された信号は、
トランジスタ５の出力端子７を介してMICで構成
した出力回路８に到り、さらに上記金属仕切り板
２によつて仕切られた導波管９と結合し、さらに
そこを伝搬し上記金属仕切り板２が切れるＤ１部
分に到る。以上のようにして並列動作している２
個の単体トランジスタ増幅器でそれぞれ増幅され
た信号は、それぞれ第１図ａのＤ１およびＤ２部
分に到り、そこで結合し、上記方形導波管１中を
第１図ａの右方向に伝搬し、出力信号として取り
出される。第１図ｄは第１図ａのＣ部分すなわち
上記金属仕切り板２で仕切られた導波管３と入力
回路４との結合部分を示す詳細図である。なお第
１図ｄのＨは振動磁界をモデル的に示したもので
あり、１０は導波管とMICを結合するためにMIC
上のパターンで構成したプローブである。実施例
ではプローブ１０をMIC上のパターンで構成した
場合について示してあるが他の方法でプローブを
構成してもよい。ところで第１図の１１は抵抗体
板である。この抵抗体板１１の作用は、各単体ト
ランジスタ増幅器の特性にバラツキがある場合に
上記Ｄ１およびＤ２部分で信号の位相および振幅
がわずかに異なつており、その結果電力合成時に
励振される高次モードを吸収する効果がある。
ところで、上記理由で高次モードが励振された
場合、もし抵抗体板１１がないと高次モードに対
しては上記方形導波管１はカツトオフになつてい
るためその高次モード分は反射される。そのため
使用しているトランジスタに悪影響をおよぼした
り、導波管中で共振を生じたりする問題がある。
抵抗体板１１は導波管１のＨ面に平行に装荷され
ているため、Ｈ面に平行な電界成分は吸収する
が、Ｈ面に垂直な電界成分はほとんど吸収しな
い。したがつてＨ面に平行な電界成分をもつ高次
モードのTEmnモード（ｍ＝１、２、………、ｎ
＝１、２、………）およびTMmnモード（ｍ＝
１、２、………、ｎ＝１、２、………）は吸収さ
れ、基本モードであるTE10モードはＨ面に平行
な電界成分を持たないため影響を受けない。
場合、もし抵抗体板１１がないと高次モードに対
しては上記方形導波管１はカツトオフになつてい
るためその高次モード分は反射される。そのため
使用しているトランジスタに悪影響をおよぼした
り、導波管中で共振を生じたりする問題がある。
抵抗体板１１は導波管１のＨ面に平行に装荷され
ているため、Ｈ面に平行な電界成分は吸収する
が、Ｈ面に垂直な電界成分はほとんど吸収しな
い。したがつてＨ面に平行な電界成分をもつ高次
モードのTEmnモード（ｍ＝１、２、………、ｎ
＝１、２、………）およびTMmnモード（ｍ＝
１、２、………、ｎ＝１、２、………）は吸収さ
れ、基本モードであるTE10モードはＨ面に平行
な電界成分を持たないため影響を受けない。
第２図は、単体トランジスタ増幅器２個を並列
動作させた場合を例にとり、特許請求の範囲第２
項に示したこの発明の実施例を示したものであ
る。第２図ａは方形導波管１のＥ面に平行な切断
面で切つた断面図であり、第２図ｂは第２図ａの
Ａ−Ａ断面図であり、第２図ｃは第２図ａのＢ−
Ｂ断面図である。なお第２図ｃの寸法Ｌ３は基本
モードTE10モードに対してもカツトオフになる
ような所定の値になつている。第２図の実施例で
は金属仕切り板２で仕切られた導波管３および９
中にリツジ１２を設け入力回路４と上記導波管３
とを、また出力回路８と上記導波管９とを結合し
ている。
動作させた場合を例にとり、特許請求の範囲第２
項に示したこの発明の実施例を示したものであ
る。第２図ａは方形導波管１のＥ面に平行な切断
面で切つた断面図であり、第２図ｂは第２図ａの
Ａ−Ａ断面図であり、第２図ｃは第２図ａのＢ−
Ｂ断面図である。なお第２図ｃの寸法Ｌ３は基本
モードTE10モードに対してもカツトオフになる
ような所定の値になつている。第２図の実施例で
は金属仕切り板２で仕切られた導波管３および９
中にリツジ１２を設け入力回路４と上記導波管３
とを、また出力回路８と上記導波管９とを結合し
ている。
第３図、第４図、第５図は、例として単体トラ
ンジスタ増幅器４個を並列動作させた場合のこの
発明の実施例であり、特に第５図は特許請求の範
囲第３項に記載したこの発明の実施例である。第
３図ａは方形導波管１のＥ面に平行な切断面で切
つた時の断面図、第３図ｂは第３図ａのＡ−Ａ断
面図である。第３図の実施例では信号電力を同時
に４等分し、４つの単体トランジスタ増幅器で増
幅された各信号を同時に合成している。第４図の
実施例では導波管１の中央に位置した金属仕切り
板１３を他の金属仕切り板２より長くして、まず
信号電力を金属仕切り板１３で２等分し、等分さ
れた信号電力をさらに金属仕切り板２で等分して
おり、同様の方法で増幅された信号を合成してい
る。第５図の実施例では導波管１のＥ面方向の寸
法をＬ２から、ステツプ１４を用いて所望の寸法
Ｌ４にしている。この時、上記導波管の中央に位
置する金属仕切り板１５は高次モード発生を抑制
するため導波管の長さ方向に十分長くしている。
ンジスタ増幅器４個を並列動作させた場合のこの
発明の実施例であり、特に第５図は特許請求の範
囲第３項に記載したこの発明の実施例である。第
３図ａは方形導波管１のＥ面に平行な切断面で切
つた時の断面図、第３図ｂは第３図ａのＡ−Ａ断
面図である。第３図の実施例では信号電力を同時
に４等分し、４つの単体トランジスタ増幅器で増
幅された各信号を同時に合成している。第４図の
実施例では導波管１の中央に位置した金属仕切り
板１３を他の金属仕切り板２より長くして、まず
信号電力を金属仕切り板１３で２等分し、等分さ
れた信号電力をさらに金属仕切り板２で等分して
おり、同様の方法で増幅された信号を合成してい
る。第５図の実施例では導波管１のＥ面方向の寸
法をＬ２から、ステツプ１４を用いて所望の寸法
Ｌ４にしている。この時、上記導波管の中央に位
置する金属仕切り板１５は高次モード発生を抑制
するため導波管の長さ方向に十分長くしている。
なお、以上は単体トランジスタ増幅器を２個ま
たは４個、並列動作させた場合を例に取つて説明
しているが、この発明は２個以上任意の個数の単
体トランジスタ増幅器を並列動作させる場合に使
用できることはいうまでもない。また単体トラン
ジスタ増幅器に使用しているトランジスタは１個
とは限らず、複数個のトランジスタを使用したト
ランジスタ増幅器であつてもよい。また以上で
は、金属仕切り板を、導波管のＥ面方向の寸法を
ほぼ等分割し、かつ、同一種類の単体トランジス
タ増幅器を使用した場合について説明している
が、この発明はこれに限らず、異なる種類の単体
トランジスタ増幅器を使用しかつ、金属仕切り板
を、導波管のＥ面方向の寸法を所望の割合に分割
するように装荷した場合にも使用できる。
たは４個、並列動作させた場合を例に取つて説明
しているが、この発明は２個以上任意の個数の単
体トランジスタ増幅器を並列動作させる場合に使
用できることはいうまでもない。また単体トラン
ジスタ増幅器に使用しているトランジスタは１個
とは限らず、複数個のトランジスタを使用したト
ランジスタ増幅器であつてもよい。また以上で
は、金属仕切り板を、導波管のＥ面方向の寸法を
ほぼ等分割し、かつ、同一種類の単体トランジス
タ増幅器を使用した場合について説明している
が、この発明はこれに限らず、異なる種類の単体
トランジスタ増幅器を使用しかつ、金属仕切り板
を、導波管のＥ面方向の寸法を所望の割合に分割
するように装荷した場合にも使用できる。
以上のように、この発明に係る並列接続トラン
ジスタ増幅器では信号電力の分配および合成時
に、従来この種のトランジスタ増幅器に必要であ
つた各種カツプラまたは各種分配器を使用するこ
となく、方形導波管のＨ面に平行に装荷した金属
仕切り板の有無によつて、信号電力の分配および
合成ができるため小形にしかも比較的簡単に構成
できる利点がある。
ジスタ増幅器では信号電力の分配および合成時
に、従来この種のトランジスタ増幅器に必要であ
つた各種カツプラまたは各種分配器を使用するこ
となく、方形導波管のＨ面に平行に装荷した金属
仕切り板の有無によつて、信号電力の分配および
合成ができるため小形にしかも比較的簡単に構成
できる利点がある。
第１図、第２図、第３図、第４図、および第５
図はこの発明の実施例を示す図であり、第１図ａ
は方形導波管のＥ面に平行な切断面で切つた断面
図、第１図ｂは第１図ａのＡ−Ａ断面図、第１図
ｃは第１図ａのＢ−Ｂ断面図、第１図ｄは第１図
ａのＣ部分の詳細図、第２図ａは方形導波管のＥ
面に平行な切断面で切つた断面図、第２図ｂは第
２図ａのＡ−Ａ断面図、第２図ｃは第２図ａのＢ
−Ｂ断面図、第３図ａは方形導波管のＥ面に平行
な断面図、第３図ｂは第３図ａのＡ−Ａ断面図、
第４図および第５図は方形導波管のＥ面に平行な
切断面で切つた断面図である。 図中、１は方形導波管、２は金属仕切り板、３
は導波管、４は入力回路、５はトランジスタ、６
は入力端子、７は出力端子、８は出力回路、９は
導波管、１０はプローブ、１１は抵抗体板、１２
はリツヂ、１３は金属仕切り板、１４はステツ
プ、１５は金属仕切り板である。なお、図中、同
一あるいは相当部分には同一符号を付して示して
ある。
図はこの発明の実施例を示す図であり、第１図ａ
は方形導波管のＥ面に平行な切断面で切つた断面
図、第１図ｂは第１図ａのＡ−Ａ断面図、第１図
ｃは第１図ａのＢ−Ｂ断面図、第１図ｄは第１図
ａのＣ部分の詳細図、第２図ａは方形導波管のＥ
面に平行な切断面で切つた断面図、第２図ｂは第
２図ａのＡ−Ａ断面図、第２図ｃは第２図ａのＢ
−Ｂ断面図、第３図ａは方形導波管のＥ面に平行
な断面図、第３図ｂは第３図ａのＡ−Ａ断面図、
第４図および第５図は方形導波管のＥ面に平行な
切断面で切つた断面図である。 図中、１は方形導波管、２は金属仕切り板、３
は導波管、４は入力回路、５はトランジスタ、６
は入力端子、７は出力端子、８は出力回路、９は
導波管、１０はプローブ、１１は抵抗体板、１２
はリツヂ、１３は金属仕切り板、１４はステツ
プ、１５は金属仕切り板である。なお、図中、同
一あるいは相当部分には同一符号を付して示して
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ MIC（マイクロ波IC）で構成された入力回
路および出力回路を有する単体トランジスタ増幅
器を複数個並列動作させる並列接続トランジスタ
増幅器において、基本導波管モード以外の高次の
導波管モードに対してカツトオフとなる寸法にし
た方形導波管の長さ方向に所定の長さを有する金
属仕切り板で、上記方形導波管のＥ面方向の寸法
をほゞ等分割するとともに、上記方形導波管のＨ
面に平行になるように装荷し、上記金属仕切り板
で仕切られた導波管部分のそれぞれには上記単体
トランジスタ増幅器を、また上記金属仕切り板の
先端あるいは先端の近傍に、上記方形導波管のＨ
面に平行になるように抵抗体板を装荷したことを
特徴とする並列接続トランジスタ増幅器。 ２ 金属仕切り板で分割された導波管中にリツヂ
導波管を装荷したことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の並列接続トランジスタ増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10388379A JPS5627521A (en) | 1979-08-15 | 1979-08-15 | Parallel-connected transistor amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10388379A JPS5627521A (en) | 1979-08-15 | 1979-08-15 | Parallel-connected transistor amplifier |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5627521A JPS5627521A (en) | 1981-03-17 |
| JPS6128253B2 true JPS6128253B2 (ja) | 1986-06-30 |
Family
ID=14365825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10388379A Granted JPS5627521A (en) | 1979-08-15 | 1979-08-15 | Parallel-connected transistor amplifier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5627521A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS605606A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-12 | Nec Corp | 導波管型固体化増幅器 |
| JPS60163503A (ja) * | 1984-02-03 | 1985-08-26 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 導波管電力分配合成回路 |
| JPS61274404A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-04 | Nec Corp | 発振逓倍器 |
| JP2722950B2 (ja) * | 1992-07-15 | 1998-03-09 | 日本電気株式会社 | 半導体集積回路高周波装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4889655A (ja) * | 1972-02-25 | 1973-11-22 | ||
| JPS5058969A (ja) * | 1973-09-26 | 1975-05-22 |
-
1979
- 1979-08-15 JP JP10388379A patent/JPS5627521A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4889655A (ja) * | 1972-02-25 | 1973-11-22 | ||
| JPS5058969A (ja) * | 1973-09-26 | 1975-05-22 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5627521A (en) | 1981-03-17 |
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