JPS6128252B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6128252B2 JPS6128252B2 JP54103882A JP10388279A JPS6128252B2 JP S6128252 B2 JPS6128252 B2 JP S6128252B2 JP 54103882 A JP54103882 A JP 54103882A JP 10388279 A JP10388279 A JP 10388279A JP S6128252 B2 JPS6128252 B2 JP S6128252B2
- Authority
- JP
- Japan
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- parallel
- waveguide
- plane
- single transistor
- partition plate
- Prior art date
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Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 19
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、MIC(マイクロ波IC)で構成さ
れた入力回路および出力回路を有する単体トラン
ジスタ増幅器を、複数個並列動作させ高出力化を
図つた並列接続トランジスタ増幅器に関するもの
である。
れた入力回路および出力回路を有する単体トラン
ジスタ増幅器を、複数個並列動作させ高出力化を
図つた並列接続トランジスタ増幅器に関するもの
である。
従来のこの種装置では、電力分配および合成に
ブランチラインカツプラ等の各種カツプラまたは
ウイルキンソン形分配器等の分配器を使用するの
が一般的であつた。ところで各種カツプラを使用
する並列接続トランジスタ増幅器においては、使
用するトランジスタの数が多くなると、それに使
用するカツプラの数も多くなり、(イ)装置が大きく
なる、(ロ)損失が大きくなる等の欠点があつた。す
なわち並列動作させる単体トランジスタ増幅器の
数が2n(n=1、2、………)個の時、上記並
列接続トランジスタ増幅器に必要なカツプラの数
は2n+1−2個となり、単体トランジスタ増幅器
とほぼ同数のカツプラが必要となる。
ブランチラインカツプラ等の各種カツプラまたは
ウイルキンソン形分配器等の分配器を使用するの
が一般的であつた。ところで各種カツプラを使用
する並列接続トランジスタ増幅器においては、使
用するトランジスタの数が多くなると、それに使
用するカツプラの数も多くなり、(イ)装置が大きく
なる、(ロ)損失が大きくなる等の欠点があつた。す
なわち並列動作させる単体トランジスタ増幅器の
数が2n(n=1、2、………)個の時、上記並
列接続トランジスタ増幅器に必要なカツプラの数
は2n+1−2個となり、単体トランジスタ増幅器
とほぼ同数のカツプラが必要となる。
一方、ウイルキンソン形分配器等の分配器を使
用する場合には、使用する分配器の数は原理的に
は2個で済むため多数個の単体トランジスタ増幅
器からなる並列接続トランジスタ増幅器に使用す
る場合便利であるが、使用する単体トランジスタ
増幅器の数が多くなると特性インピーダンスが非
常に大きなMIC線路を装荷しなければならない欠
点がある。また装置が複雑になり、かつ大きくな
る欠点もある。
用する場合には、使用する分配器の数は原理的に
は2個で済むため多数個の単体トランジスタ増幅
器からなる並列接続トランジスタ増幅器に使用す
る場合便利であるが、使用する単体トランジスタ
増幅器の数が多くなると特性インピーダンスが非
常に大きなMIC線路を装荷しなければならない欠
点がある。また装置が複雑になり、かつ大きくな
る欠点もある。
この発明は従来の装置のこれらの欠点を解決す
るためになされたものであり、従来必要であつた
各種カツプラまたは分配器を使用せずに、導波管
中で電力の分配および合成を行なうもので、以下
詳細に説明する。
るためになされたものであり、従来必要であつた
各種カツプラまたは分配器を使用せずに、導波管
中で電力の分配および合成を行なうもので、以下
詳細に説明する。
第1図では、例として単体トランジスタ増幅器
2個を並例動作させた場合のこの発明になる並列
接続トランジスタ増幅器の一実施例である。
2個を並例動作させた場合のこの発明になる並列
接続トランジスタ増幅器の一実施例である。
第1図aは方形導波管1のE面に平行な切断面
で切つた時の断面図、第1図bは第1図aのA−
A断面図、第1図cは第1図aのB−B断面図、
第1図dは第1図aのC部分の詳細図である。第
1図cの寸法L1は基本モードであるTE10モー
ド以外の他の高次モードに対してはカツトオフに
なるように選ばれている。第1図aの左側から入
射した信号電力は、方形導波管1のE面方向の寸
法L2を2等分しかつ上記方形導波管1のH面に
平行になるように装荷した金属仕切り板2によつ
て等分に分割される。等分割された信号は上記金
属仕切り板2で仕切られた導波管3中を伝搬し、
さらにMICで構成した入力回路4とを結合し、さ
らにトランジスタa 5aの入力端子6を介して
トランジスタa 5aに到りそこで増幅される。
増幅された信号はトランジスタa 5aの出力端
子7を介してMICで構成した出力回路8に到り、
さらに上記金属仕切り板2によつて仕切られた導
波管9と結合し、さらにそこを伝搬し上記金属仕
切り板2が切れるD1部分に到る。一方トランジ
スタb 5bで増幅された信号も同様にしてD2
部分に到る。以上のようにして上記D1およびD
2部分に到つた信号はそこで結合し、上記方形導
波管1中を第1図aの右方向に伝搬し、出力信号
として取り出される。第1図dは第1図aのC部
分すなわち上記金属仕切り板2で仕切られた導波
管3と入力回路4との結合部分を示す詳細図であ
る。なお第1図dのHは振動磁界をモデル的に示
したものであり、10は導波管とMICを結合する
ためにMIC上のパターンで構成したプローブであ
る。なお実施例ではプローブ10をMIC上のパタ
ーンで構成した場合について示してあるが他の方
法でプローブを構成してもよい。
で切つた時の断面図、第1図bは第1図aのA−
A断面図、第1図cは第1図aのB−B断面図、
第1図dは第1図aのC部分の詳細図である。第
1図cの寸法L1は基本モードであるTE10モー
ド以外の他の高次モードに対してはカツトオフに
なるように選ばれている。第1図aの左側から入
射した信号電力は、方形導波管1のE面方向の寸
法L2を2等分しかつ上記方形導波管1のH面に
平行になるように装荷した金属仕切り板2によつ
て等分に分割される。等分割された信号は上記金
属仕切り板2で仕切られた導波管3中を伝搬し、
さらにMICで構成した入力回路4とを結合し、さ
らにトランジスタa 5aの入力端子6を介して
トランジスタa 5aに到りそこで増幅される。
増幅された信号はトランジスタa 5aの出力端
子7を介してMICで構成した出力回路8に到り、
さらに上記金属仕切り板2によつて仕切られた導
波管9と結合し、さらにそこを伝搬し上記金属仕
切り板2が切れるD1部分に到る。一方トランジ
スタb 5bで増幅された信号も同様にしてD2
部分に到る。以上のようにして上記D1およびD
2部分に到つた信号はそこで結合し、上記方形導
波管1中を第1図aの右方向に伝搬し、出力信号
として取り出される。第1図dは第1図aのC部
分すなわち上記金属仕切り板2で仕切られた導波
管3と入力回路4との結合部分を示す詳細図であ
る。なお第1図dのHは振動磁界をモデル的に示
したものであり、10は導波管とMICを結合する
ためにMIC上のパターンで構成したプローブであ
る。なお実施例ではプローブ10をMIC上のパタ
ーンで構成した場合について示してあるが他の方
法でプローブを構成してもよい。
ところで、トランジスタa 5aから成る単体
トランジスタとトランジスタb 5bから成る単
体トランジスタとは、伝搬波長をλgとした時、
導波管の長さ方向にλg/4だけ隔てて装荷して
ある。この効果は以下の理由でこの発明になる並
例接続トランジスタ増幅器の入出力VSWRを改善
する。すなわち、たとえば入力VSWRについて考
えると、トランジスタa 5aから成る単体トラ
ンジスタ増幅器の反射信号の第1図aのG1部分
での電界E1とトランジスタb 5bから成る単
体トランジスタ増幅器の反射信号の第1図aのG
2部分の電界E2とは位相が180゜異なる。この電
界E1,E2は方形導波管1中に高次モードを励振
する励振源として作用する。しかし、方形導波管
1は高次モードに対してはカツトオフになつてい
るため反射信号は方形導波管1中を伝搬して第1
図aの左側に出てくることはない。すなわち単体
トランジスタ増幅器の入力VSWRが悪くてもこの
発明になる並列接続トランジスタ増幅器の入力
VSWRは良くなる。まつたく同じ理由から出力
VSWRも良くなる。
トランジスタとトランジスタb 5bから成る単
体トランジスタとは、伝搬波長をλgとした時、
導波管の長さ方向にλg/4だけ隔てて装荷して
ある。この効果は以下の理由でこの発明になる並
例接続トランジスタ増幅器の入出力VSWRを改善
する。すなわち、たとえば入力VSWRについて考
えると、トランジスタa 5aから成る単体トラ
ンジスタ増幅器の反射信号の第1図aのG1部分
での電界E1とトランジスタb 5bから成る単
体トランジスタ増幅器の反射信号の第1図aのG
2部分の電界E2とは位相が180゜異なる。この電
界E1,E2は方形導波管1中に高次モードを励振
する励振源として作用する。しかし、方形導波管
1は高次モードに対してはカツトオフになつてい
るため反射信号は方形導波管1中を伝搬して第1
図aの左側に出てくることはない。すなわち単体
トランジスタ増幅器の入力VSWRが悪くてもこの
発明になる並列接続トランジスタ増幅器の入力
VSWRは良くなる。まつたく同じ理由から出力
VSWRも良くなる。
第1図の11は抵抗体板である。この抵抗体板
11は以下の(イ)および(ロ)の効果がある。すなわ
ち、(イ)各単体トランジスタ増幅器の特性にバラツ
キがある場合に上記D1、およびD2部分で信号
の位相および振幅がわずかに異なつており、その
結果電力合成時に励振される高次モードを吸収す
る。(ロ)トランジスタa 5aを使つた単体トラン
ジスタ増幅器とトランジスタb 5bを使つた単
体トランジスタ増幅器とがλg/4だけ隔てて装
荷されているため、両単体トランジスタ増幅器に
よる反射波は上述した理由で高次モードを励振す
るが、この高次モードを吸収する。
11は以下の(イ)および(ロ)の効果がある。すなわ
ち、(イ)各単体トランジスタ増幅器の特性にバラツ
キがある場合に上記D1、およびD2部分で信号
の位相および振幅がわずかに異なつており、その
結果電力合成時に励振される高次モードを吸収す
る。(ロ)トランジスタa 5aを使つた単体トラン
ジスタ増幅器とトランジスタb 5bを使つた単
体トランジスタ増幅器とがλg/4だけ隔てて装
荷されているため、両単体トランジスタ増幅器に
よる反射波は上述した理由で高次モードを励振す
るが、この高次モードを吸収する。
ところで方形導波管1中で高次モードが発生し
た(または励振された)場合、もし、上記抵抗体
板11が無いと高次モードに対しては上記方形導
波管1はカツトオフになつているため、高次モー
ド分はすべて上記導波管3または9中をTE10モ
ードで単体トランジスタ増幅器側に伝搬してい
く。このため使用しているトランジスタに悪影響
をおよぼしたり、導波管中で共振を生じたりする
問題がある。抵抗体板11は導波管1のH面に平
行に装荷されているためH面に平行な電界成分は
吸収するが、H面に垂直な電界成分はほとんど吸
収しない。したがつてH面に平行な電界成分をも
つ高次モードのTEnoモード(m=1、2、……
…、 n=1、2、………)およびTMnoモード
(m=1、2、………、 n=1、2、………)
は吸収され、基本モードであるTE10モードはH
面に平行な電界成分を持たないため影響を受けな
い。
た(または励振された)場合、もし、上記抵抗体
板11が無いと高次モードに対しては上記方形導
波管1はカツトオフになつているため、高次モー
ド分はすべて上記導波管3または9中をTE10モ
ードで単体トランジスタ増幅器側に伝搬してい
く。このため使用しているトランジスタに悪影響
をおよぼしたり、導波管中で共振を生じたりする
問題がある。抵抗体板11は導波管1のH面に平
行に装荷されているためH面に平行な電界成分は
吸収するが、H面に垂直な電界成分はほとんど吸
収しない。したがつてH面に平行な電界成分をも
つ高次モードのTEnoモード(m=1、2、……
…、 n=1、2、………)およびTMnoモード
(m=1、2、………、 n=1、2、………)
は吸収され、基本モードであるTE10モードはH
面に平行な電界成分を持たないため影響を受けな
い。
なお上記説明においてトランジスタa 5aと
トランジスタb 5bとは同一種類のトランジス
タである。
トランジスタb 5bとは同一種類のトランジス
タである。
第2図は単体トランジスタ増幅器2個を並列動
作させた場合を例にとり、特許請求の範囲第2項
に示したこの発明の実施例を示したものである。
第2図aは方形導波管1のE面に平行な切断面で
切つた断面図であり、第2図bは第2図aのA−
A断面図であり、第2図cは第2図aのB−B断
面図である。なお第2図cの寸法L3は基本モー
ドTE10モードに対してもカツトオフになるよう
な所定の値になつている。第2図の実施例では金
属仕切り板2で仕切られた導波管3および9にリ
ツヂ12を設け入力回路4と上記導波管3とを、
また出力回路8と上記導波管9とを結合してい
る。
作させた場合を例にとり、特許請求の範囲第2項
に示したこの発明の実施例を示したものである。
第2図aは方形導波管1のE面に平行な切断面で
切つた断面図であり、第2図bは第2図aのA−
A断面図であり、第2図cは第2図aのB−B断
面図である。なお第2図cの寸法L3は基本モー
ドTE10モードに対してもカツトオフになるよう
な所定の値になつている。第2図の実施例では金
属仕切り板2で仕切られた導波管3および9にリ
ツヂ12を設け入力回路4と上記導波管3とを、
また出力回路8と上記導波管9とを結合してい
る。
第3図、第4図、第5図は、例として単体トラ
ンジスタ増幅器4を並列動作させた場合のこの発
明の実施例であり、特に第5図は特許請求の範囲
第3項に示したこの発明の実施例である。第3図
aは方形導波管1のE面に平行な切断面で切つた
時の断面図、第3図bは第3図aのA−A断面図
である。第3図の実施例では信号電力を同時に4
等分し、4つの単体トランジスタ増幅器で増幅さ
れた各信号を同時に合成している。第4図の実施
例では導波管1の中央に位置した金属仕切り板1
3を他の金属仕切り板2より長くして、まず。信
号電力を金属仕切り板13で2等分し、等分され
た信号電力をさらに金属仕切り板2で等分してお
り、同様の方法で増幅された信号を合成してい
る。第5図の実施例では導波管1のE面方向の寸
法をL2から、ステツプ14を用いて所望の寸法
L4にしている。この時、上記導波管の中央に位
置する金属仕切り板15は高次モード発生を抑圧
するため導波管の長さ方向に十分長くしている。
ンジスタ増幅器4を並列動作させた場合のこの発
明の実施例であり、特に第5図は特許請求の範囲
第3項に示したこの発明の実施例である。第3図
aは方形導波管1のE面に平行な切断面で切つた
時の断面図、第3図bは第3図aのA−A断面図
である。第3図の実施例では信号電力を同時に4
等分し、4つの単体トランジスタ増幅器で増幅さ
れた各信号を同時に合成している。第4図の実施
例では導波管1の中央に位置した金属仕切り板1
3を他の金属仕切り板2より長くして、まず。信
号電力を金属仕切り板13で2等分し、等分され
た信号電力をさらに金属仕切り板2で等分してお
り、同様の方法で増幅された信号を合成してい
る。第5図の実施例では導波管1のE面方向の寸
法をL2から、ステツプ14を用いて所望の寸法
L4にしている。この時、上記導波管の中央に位
置する金属仕切り板15は高次モード発生を抑圧
するため導波管の長さ方向に十分長くしている。
なお、以上は単体トランジスタ増幅器を2個ま
たは4個、並例動作させた場合を例に取つて説明
しているが、この発明は2個以上任意の個数の単
体トランジスタ増幅器を並例動作させる場合に使
用できることはいうまでもない。また単体トラン
ジスタ増幅器に使用しているトランジスタは1個
とは限らず複数個のトランジスタを使用したトラ
ンジスタ増幅器であつてもよい。また以上では、
金属仕切り板を導波管のE面方向の寸法をほぼ等
分割し、かつ、同一種類の単体トランジスタ増幅
器を使用した場合について説明しているが、この
発明はこれに限らず、異なる種類の単体トランジ
スタ増幅器を使用し、かつ、金属仕切り板を導波
管のE面方向の寸法を所望の割合に分割するよう
に装荷した場合にも使用できる。
たは4個、並例動作させた場合を例に取つて説明
しているが、この発明は2個以上任意の個数の単
体トランジスタ増幅器を並例動作させる場合に使
用できることはいうまでもない。また単体トラン
ジスタ増幅器に使用しているトランジスタは1個
とは限らず複数個のトランジスタを使用したトラ
ンジスタ増幅器であつてもよい。また以上では、
金属仕切り板を導波管のE面方向の寸法をほぼ等
分割し、かつ、同一種類の単体トランジスタ増幅
器を使用した場合について説明しているが、この
発明はこれに限らず、異なる種類の単体トランジ
スタ増幅器を使用し、かつ、金属仕切り板を導波
管のE面方向の寸法を所望の割合に分割するよう
に装荷した場合にも使用できる。
以上のように、この発明に係る並列接続トラン
ジスタ増幅器では信号電力の分配および合成時
に、従来この種のトランジスタ増幅器に必要であ
つた各種カツプラまたは各種分配器を使用するこ
となく、方形導波管のH面に平行に装荷した金属
仕切り板の有無によつて信号電力の分配および合
成ができるため小形にしかも比較的簡単に構成で
きる利点がある。また、使用する単体トランジス
タ増幅器のうち半数もしくは約半数を残りの他の
単体トランジスタ増幅器と、伝搬波長λgとした
時λg/4だけ導波管の長さ方向に隔てて装荷し
ているため、単体トランジスタ増幅器で生じる入
力反射波および出力反射波が互いに打ち消し合う
ため、増幅器の入力VSWRおよび出力VSWRを小
さくできる利点がある。
ジスタ増幅器では信号電力の分配および合成時
に、従来この種のトランジスタ増幅器に必要であ
つた各種カツプラまたは各種分配器を使用するこ
となく、方形導波管のH面に平行に装荷した金属
仕切り板の有無によつて信号電力の分配および合
成ができるため小形にしかも比較的簡単に構成で
きる利点がある。また、使用する単体トランジス
タ増幅器のうち半数もしくは約半数を残りの他の
単体トランジスタ増幅器と、伝搬波長λgとした
時λg/4だけ導波管の長さ方向に隔てて装荷し
ているため、単体トランジスタ増幅器で生じる入
力反射波および出力反射波が互いに打ち消し合う
ため、増幅器の入力VSWRおよび出力VSWRを小
さくできる利点がある。
第1図、第2図、第3図、第4図、および第5
図はこの発明の実施例を示す図であり、第1図a
は方形導波管のE面に平行な切断面で切つた断面
図、第1図bは第1図aのA−A断面図、第1図
cは第1図aのB−B断面図、第1図dは第1図
aのC部分の詳細図、第2図aは方形導波管のE
面に平行な切断面で切つた断面図、第2図bは第
2図aのA−A断面図、第2図cは第2図aのB
−B断面図、第3図aは方形導波管のE面に平行
な断面図、第3図bは第3図aのA−A断面図、
第4図および第5図は方形導波管のE面に平行な
切断面で切つた断面図である。 図中、1は方形導波管、2は金属仕切り板、3
は導波管、4は入力回路、5aはトランジスタ
a、5bはトランジスタb、6は入力端子、7は
出力端子、8は出力回路、9は導波管、10はプ
ローブ、11は抵抗体板、12はリツヂ、13は
金属仕切り板、14はステツプ、15は金属仕切
り板である。なお図中、同一あるいは相当部分に
は同一符号を付して示してある。
図はこの発明の実施例を示す図であり、第1図a
は方形導波管のE面に平行な切断面で切つた断面
図、第1図bは第1図aのA−A断面図、第1図
cは第1図aのB−B断面図、第1図dは第1図
aのC部分の詳細図、第2図aは方形導波管のE
面に平行な切断面で切つた断面図、第2図bは第
2図aのA−A断面図、第2図cは第2図aのB
−B断面図、第3図aは方形導波管のE面に平行
な断面図、第3図bは第3図aのA−A断面図、
第4図および第5図は方形導波管のE面に平行な
切断面で切つた断面図である。 図中、1は方形導波管、2は金属仕切り板、3
は導波管、4は入力回路、5aはトランジスタ
a、5bはトランジスタb、6は入力端子、7は
出力端子、8は出力回路、9は導波管、10はプ
ローブ、11は抵抗体板、12はリツヂ、13は
金属仕切り板、14はステツプ、15は金属仕切
り板である。なお図中、同一あるいは相当部分に
は同一符号を付して示してある。
Claims (1)
- 1 MIC(マイクロ波IC)で構成された入力回
路および出力回路を有する単体トランジスタ増幅
器を複数個並列動作させる並列接続トランジスタ
増幅器において、基本導波管モード以外の高次の
導波管モードに対してカツトオフとなる寸法にし
た方形導波管の長さ方向に所定の長さを有する金
属仕切り板で上記方形導波管のE面方向の寸法を
ほぼ等分割するとともに上記方形導波管のH面に
平行になるように装荷し、上記金属仕切り板で仕
切られた導波管部分のそれぞれには上記単体トラ
ンジスタ増幅器を、また上記金属仕切り板の先端
あるいは先端の近傍には、上記方形導波管のH面
に平行になるように抵抗体板を装荷し、かつ並列
動作させる単体トランジスタ増幅器のほぼ半数と
残りの他の単体トランジスタ増幅器とを伝搬波長
をλgとした時、上記方形導波管の長さ方向にλ
g/4だけ互に隔てて設けたことを特徴とする並
列接続トランジスタ増幅器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10388279A JPS5627520A (en) | 1979-08-15 | 1979-08-15 | Parallel-connected transistor amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10388279A JPS5627520A (en) | 1979-08-15 | 1979-08-15 | Parallel-connected transistor amplifier |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5627520A JPS5627520A (en) | 1981-03-17 |
JPS6128252B2 true JPS6128252B2 (ja) | 1986-06-30 |
Family
ID=14365797
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10388279A Granted JPS5627520A (en) | 1979-08-15 | 1979-08-15 | Parallel-connected transistor amplifier |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5627520A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03210728A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-13 | Mitsubishi Electric Corp | 漏電警報機能付き配線用遮断器 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPS4889655A (ja) * | 1972-02-25 | 1973-11-22 | ||
JPS5058969A (ja) * | 1973-09-26 | 1975-05-22 |
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1979
- 1979-08-15 JP JP10388279A patent/JPS5627520A/ja active Granted
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JPS4889655A (ja) * | 1972-02-25 | 1973-11-22 | ||
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JPH03210728A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-13 | Mitsubishi Electric Corp | 漏電警報機能付き配線用遮断器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5627520A (en) | 1981-03-17 |
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