JPS605606A - 導波管型固体化増幅器 - Google Patents

導波管型固体化増幅器

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Publication number
JPS605606A
JPS605606A JP11293683A JP11293683A JPS605606A JP S605606 A JPS605606 A JP S605606A JP 11293683 A JP11293683 A JP 11293683A JP 11293683 A JP11293683 A JP 11293683A JP S605606 A JPS605606 A JP S605606A
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JP
Japan
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input
circuit
waveguide
integrated circuits
hybrid integrated
Prior art date
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Pending
Application number
JP11293683A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigenobu Aihara
相原 重信
Fumiaki Emori
江森 文章
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS605606A publication Critical patent/JPS605606A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 管型固体化増幅器に関するものである。
従来超高周波数帯での高出方増幅器は,’rw’r等の
電子管で行なっていたが,信頼性,大きさ,効率等の面
で半導体化が強く望まれている。しかし。
現在出力電力の点で電子管増幅器と同等の性能を半導体
増幅器で得るのは難しいが,半導体増幅器を並列に動作
させる事で性能限界を高める事ができる。
上記の方法として今までは次の2点が知られている。そ
のひとつは複数個のハイブリッド集積回路を個々に同軸
−導波管変換し,導波管回路にて上手さいという利点が
生かせるが,高精度の機械工作を必要とし,多量生産に
向かず,高価で大きく重いものになる欠点がある。
もうひとつはハイブリッド集積回路をマイクロストリッ
プによって合成し,よシ規模の大きな集積回路とする方
式である。この方式は小形で信頼度が高く多量生産に向
いている等の利点金有しているが,反面状のような問題
点を持っている。すなわち、複数の回路を均等に合成す
る回路は同軸一導波管変換を必要とするところから複雑
であシ。
そのだめ回路設計が難しいばかシか、ロスも大きくなる
。また9組み合わされるそれぞれの半導体素子は厳密な
選別を必要とし、均等な特性を生むであろうとの予測の
もとで組み合せを決定し製造する必要がある。そのため
製造上のばらつきや破損等で個々の回路のバランスがく
ずれた場合不良となってしまい、異常のない部分も廃棄
される事となり、不経済で製造工数が多く歩留シの悪い
ものになってしまっていた。
従って本発明の目的は以上の両者の長所を生かし、必要
以上にロスの大きくない、小形で信頼性が高く製造が簡
単で多量生産に適する導波管型固体化増幅器を提供しよ
うとするものである。
本発明によれば、内部整合回路および増幅用半導体素子
を気密封止したノ・イブリット集積回路を複数個と、こ
の複数個のハイブリッド集積回路の入力端子および出力
端子にそれぞれ電気的に結合するように取シ付けられた
入力側および出力側の導波管回路と、前記複数個のハイ
ブリッド集積回路と入力側および出力側の導波管回路の
間の電気的結合の度合い全おのおのほぼ同一にするよう
な結合度調整手段とを有する導波管型固体化増幅器が得
られる。
次に図面を参照して詳細に説明する。
第1図および第2図は本発明の一実施例である導波管型
固体化増幅器の平騨面図およびこの平面図の屈曲した線
A−A’で切断した断面をあられした図である。゛以下
第1図および第2図を併用して説明すると、1は入力側
導波管回路、2は出力側導波管回路であシ、以下説明す
る各要素との組合せに必要な充分な大きさを持ってお9
.入出力面は他装置に取付ける便なようフランジ状にな
っている。3と4は電気的に適当な間隔を置いて並列に
配置されたハイブリッド集積回路であって、いずれも内
部に整合回路および増幅用半導体素子を気密に封止して
有しておシ、ピン状の入力側端子11と12により入力
側導波管回路1に取シ付けられてRF倍信号入力し、同
じくピン状の出力側端子13と14によ多出力側導波管
2に取シ付けられて前記の増幅用半導体素子で増幅した
RF増幅電力を送出するように構成されている。21と
22は結合用調整ビスであって、この場合2個のハイブ
リッド集積回路3と4が均等な結合度で結合するよう調
整する。31〜34はハイブリッド集積回路3と4のだ
めのDC用端子であシ、導波管回路との結合に支障の生
じない部分から取シ出すように構成されている。なおビ
ン状の入出力端子11〜14の太さや長さは導波管回路
1,20寸法、使用周波数、および帯域幅に依存して適
当に決められ、又その方向も導波管に結合し易いように
決められており2機能的にはアンテナとして動作する。
上記において、入出力端子11〜13の導波管回路1と
2への取付は位置は、一旦設定したあとに動くと結合度
がばらつきミスマツチングとロスの原因となるので、固
定する必要があり、またハイブリッド集積回路3,4と
導波管回路11,2間の接触は、隙間があると或いは絶
縁物が間に入るとインピーダンスの悪化を招くため、密
着させる必要がある。以上2つのことを考慮して、ノ・
イブリット集積回路3,4は導波管回路1.2にねじ止
めなどによシ固定し1両者が互にずれることがないよう
、また両者間に電気的な隙間(空気又は絶縁物)がない
ようにする。なおいうまでもないが、固定などの目的を
以て中間に金属板を挿入することは成る程度壕では問題
ない。これは金属板を導波管の管壁の一部とみなせばよ
いからである。
いずれにしても両者を電気的に充分に結合するように取
シ付ければよい。
なお上記の実施例においては入力側導波管回路1と出力
側導波管回路2は両者を同一平面上に且つ相互間隔を一
定とするために両者全一体構造にしであるが、これらを
別々に作り、別の基体に別別に固定するようにしてもよ
い。まだ上記の実施例においては1両導波管回路1と2
はノ・イブリット集積回路3と4の放熱板の役割り持っ
ている。
更に又前記の実施例においては、ノ・イブリット集積回
路は3と4の2つの場合を示しているが、これが3つ以
上の場合にも適用できることはいう咬でもない。そして
数が増えた場合には結合度調整用ビスもそれに応じて数
多く必要となる。
以上のように、この発明によれば複数個のハイブリッド
集積回路の合成した特性全非常に安価で実現できる。す
なわちハイブリッド集積回路側々を導波管回路で結合す
る事により、膜回路上での結合度の調整という難問を克
服できる上に1個々の・・イブリッド集積回路を複数の
作業者で製造。
調整する事で製造時間の短縮が可能となシ、多量生産に
適する。さらに、導波管回路で結合度全調整できるので
、調整が簡単になったばかシかロスも少なくなる。また
半導体素子の選別も不要で。
個々のハイブリッド集積回路の特性を見て組み合せる事
ができるので、確実に高性能が得られ1歩留り向上にも
つながる。更に個々のハイブリッド回路の取シ換えが可
能な事から、不具合の際に容易に修理できるばかりでな
く、無駄が少なくてすむ。更にまた。マイクロストリッ
プで合成する場合も同軸−導波管変換が必要な事から、
大きさの点でも、よシ一層優れている。
記号の説明:1は入力側導波管回路部、2は出力側導波
管回路部、3と4はノ・イブリッド集積回路、11と1
2は入力端子、13と14は出力端子、21と22は結
合度調整用゛ビス、31〜34はDC用端子をそれぞれ
あられしている。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 内部整合回路および増幅用半導体素子を気密封止したハ
    イブリット集積回路を複数個と、この複数個のハイブリ
    ット集積回路の入力端子および出力端子にそれぞれ電気
    的に結合するように取シ付けられた入力側および出力側
    の導波管回路と、前記複数個のハイブリッド集積回路と
    入力側および出力側の導波管回路の間の電気的結合の度
    合をおのおのほぼ同一にするような結合度調整手段とを
    有する導波管型固体化増幅器。
JP11293683A 1983-06-24 1983-06-24 導波管型固体化増幅器 Pending JPS605606A (ja)

Priority Applications (1)

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JP11293683A JPS605606A (ja) 1983-06-24 1983-06-24 導波管型固体化増幅器

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11293683A JPS605606A (ja) 1983-06-24 1983-06-24 導波管型固体化増幅器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS605606A true JPS605606A (ja) 1985-01-12

Family

ID=14599197

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11293683A Pending JPS605606A (ja) 1983-06-24 1983-06-24 導波管型固体化増幅器

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JP (1) JPS605606A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6351711A (ja) * 1986-08-21 1988-03-04 Nec Corp 導波管型電力合成増幅器

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5627521A (en) * 1979-08-15 1981-03-17 Mitsubishi Electric Corp Parallel-connected transistor amplifier
JPS5754404A (ja) * 1980-09-19 1982-03-31 Nec Corp Handotaikairotodohakankaironosetsuzokuhoho

Patent Citations (2)

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JPS5627521A (en) * 1979-08-15 1981-03-17 Mitsubishi Electric Corp Parallel-connected transistor amplifier
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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