JPS6128237A - 光送信回路 - Google Patents
光送信回路Info
- Publication number
- JPS6128237A JPS6128237A JP15094384A JP15094384A JPS6128237A JP S6128237 A JPS6128237 A JP S6128237A JP 15094384 A JP15094384 A JP 15094384A JP 15094384 A JP15094384 A JP 15094384A JP S6128237 A JPS6128237 A JP S6128237A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- turned
- light emitting
- level
- trs
- led
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
- H04B10/501—Structural aspects
- H04B10/503—Laser transmitters
- H04B10/504—Laser transmitters using direct modulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Digital Transmission Methods That Use Modulated Carrier Waves (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、負性抵抗半導体発光素子を使用した光送信回
路の改良に関するものである。
路の改良に関するものである。
〈従来技術〉
まず、本件に係る従来のパルスF M光アナログ送信回
路から説明する。第4図はパルスF M光アナログ送信
回路の回路図であり、第5図はそれに使用されている負
性抵抗半導体発光素子の特性グラフである。
路から説明する。第4図はパルスF M光アナログ送信
回路の回路図であり、第5図はそれに使用されている負
性抵抗半導体発光素子の特性グラフである。
第4図中の負荷抵抗RLI″i、その抵抗値が負性抵抗
半導体発光素子LEDの負性抵抗値より太き(、且つそ
の負荷線が第5図の様に、負性抵抗半導体発光素子LE
Dの負性抵抗領域A−Bと交わるように設定されている
。この条件のもとで、負性抵抗半導体発光素子LEDに
並列に容量を付けると、この回路は自走発振し光パルス
を放射する。
半導体発光素子LEDの負性抵抗値より太き(、且つそ
の負荷線が第5図の様に、負性抵抗半導体発光素子LE
Dの負性抵抗領域A−Bと交わるように設定されている
。この条件のもとで、負性抵抗半導体発光素子LEDに
並列に容量を付けると、この回路は自走発振し光パルス
を放射する。
第4図では、容量としてC1とC2の合成容量を用いて
いる。そして、容量の接続点VIN(抵抗Rを介する)
に印加する電圧を変え、可変容量素子C2の容量を変化
させることによって、周波数変調をかけることができる
。第6図は、第4図のV。点での電圧波形と、負性抵抗
半導体発光素子LEDから放射される光の強度の関係を
示したものである。このように、第4図の光送信回路は
”INに入力されるアナログ量を、光パルス列の間隔に
変調して(すなわちパルスFMして)送信することがで
きる。
いる。そして、容量の接続点VIN(抵抗Rを介する)
に印加する電圧を変え、可変容量素子C2の容量を変化
させることによって、周波数変調をかけることができる
。第6図は、第4図のV。点での電圧波形と、負性抵抗
半導体発光素子LEDから放射される光の強度の関係を
示したものである。このように、第4図の光送信回路は
”INに入力されるアナログ量を、光パルス列の間隔に
変調して(すなわちパルスFMして)送信することがで
きる。
しかし、第4図の光送信回路で、デイジタルデ−タの送
信を行なう場合、ディジタル量をアナログ量に変換して
(言いかれればFSK変調して)送信するこ古になり、
変調速度が発振周波数より下がり、伝送速度が落ちる。
信を行なう場合、ディジタル量をアナログ量に変換して
(言いかれればFSK変調して)送信するこ古になり、
変調速度が発振周波数より下がり、伝送速度が落ちる。
〈発明の目的〉
本発明は、上記問題点を解決する為に考案されたもので
あり、アナログ量はアナログ送信で、ディジタル量はデ
ィジタル送信で、一つの回路で送信しようとするもので
ある0 〈実施例〉 第1図は本発明の一実施例を示す回路図である0この口
金使用して本発明を説明する。図中の点線で囲んだ部分
は、第4図で示したパルスFM光アナログ送信回路であ
る。
あり、アナログ量はアナログ送信で、ディジタル量はデ
ィジタル送信で、一つの回路で送信しようとするもので
ある0 〈実施例〉 第1図は本発明の一実施例を示す回路図である0この口
金使用して本発明を説明する。図中の点線で囲んだ部分
は、第4図で示したパルスFM光アナログ送信回路であ
る。
まず、Vl、V2が共に“L”の時、トランジスタQ1
+02+QB+Q4はOFFで、この回路は動作しない
。次に、■1を“H”(約3〜5V)にすると、トラン
ジスタQ1.Q3はONして、■8点はVDDレベル近
(に引き上げられる。負荷抵抗RLは、第5図に示され
る条件に設定しであるので、点線内の回路は自走発振し
、従来通りのパルスF M光アナログ送信ができる。
+02+QB+Q4はOFFで、この回路は動作しない
。次に、■1を“H”(約3〜5V)にすると、トラン
ジスタQ1.Q3はONして、■8点はVDDレベル近
(に引き上げられる。負荷抵抗RLは、第5図に示され
る条件に設定しであるので、点線内の回路は自走発振し
、従来通りのパルスF M光アナログ送信ができる。
他方、■、全″I7”にしてQ、、Q3をOFF状態に
してから、■2を“H″にすると、トランジスタQ2”
Q4がONして、v4の電位はほぼVDDレベルになる
。負荷抵抗R′1、の抵抗値は、その負荷線が第2図で
示すように負性抵抗LEDの発光領域B−Cと交わって
おり、V4 ”Vnnであれば負性抵抗半導体発光素子
L E Dは発振することなく、安定に発光し続ける。
してから、■2を“H″にすると、トランジスタQ2”
Q4がONして、v4の電位はほぼVDDレベルになる
。負荷抵抗R′1、の抵抗値は、その負荷線が第2図で
示すように負性抵抗LEDの発光領域B−Cと交わって
おり、V4 ”Vnnであれば負性抵抗半導体発光素子
L E Dは発振することなく、安定に発光し続ける。
■1を“I、”の状態のままにしてV2全1”にすれば
、Q2.Q4はOFFして、負性抵抗半導体発光素子L
EDの発光は止まる。
、Q2.Q4はOFFして、負性抵抗半導体発光素子L
EDの発光は止まる。
すなわち、■−゛H”のとき発光し、V2−“L”一
のとき発光を停止する。よって、v2にディジタルデー
タ全入力すれば、それに合った光出力が得られ、光デイ
ジタル送信が行なえる。
タ全入力すれば、それに合った光出力が得られ、光デイ
ジタル送信が行なえる。
尚、第1図の回路には、バイポーラトランジスタを用い
ているが、代りにMOSFET ’i使用することもで
きる。その回路図″f:第3図に示す。
ているが、代りにMOSFET ’i使用することもで
きる。その回路図″f:第3図に示す。
〈発明の効果〉
以上の様に本発明では、1つの負性抵抗半導体発光素子
に接続される負荷抵抗を切り換えるだけで、アナログ量
はパルスFMアナログ送信でき、ディジタル量はディジ
タル送信できる為、アナログ系でディジタル量を伝送す
るときの伝送速度の低下もなく、また、ディジタル系で
アナログ量ヲ伝送するときに不可欠なA/D 変換器が
必要でなくなり、回路が簡素化できる。
に接続される負荷抵抗を切り換えるだけで、アナログ量
はパルスFMアナログ送信でき、ディジタル量はディジ
タル送信できる為、アナログ系でディジタル量を伝送す
るときの伝送速度の低下もなく、また、ディジタル系で
アナログ量ヲ伝送するときに不可欠なA/D 変換器が
必要でなくなり、回路が簡素化できる。
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図は特性
グラフ、第3図は他の実施例を示す回路L E D・・
・負性抵抗半導体発光素子、C,・C2・・・容量(C
2は可変容量素子)、RL−R′L・・・負荷抵抗、Q
1〜Q4・・・トランジスタ。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 (他2名)第1図 第2図 第3 図 〔I〕 第 5 図 第4図 第6図
グラフ、第3図は他の実施例を示す回路L E D・・
・負性抵抗半導体発光素子、C,・C2・・・容量(C
2は可変容量素子)、RL−R′L・・・負荷抵抗、Q
1〜Q4・・・トランジスタ。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 (他2名)第1図 第2図 第3 図 〔I〕 第 5 図 第4図 第6図
Claims (1)
- 1、負性抵抗半導体発光素子を使用した自走発振手段と
、該自走発振手段の周波数をアナログ量入力により変調
する手段と、前記自走発振手段の負荷抵抗と切換えて、
ディジタル量入力により前記負性抵抗半導体発光素子の
発光領域と交わる第2の負荷抵抗を断続的接続する手段
とを備てなることを特徴とする光送信回路。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15094384A JPS6128237A (ja) | 1984-07-18 | 1984-07-18 | 光送信回路 |
US06/751,621 US4686709A (en) | 1984-07-18 | 1985-07-02 | Optical Transmission circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15094384A JPS6128237A (ja) | 1984-07-18 | 1984-07-18 | 光送信回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6128237A true JPS6128237A (ja) | 1986-02-07 |
Family
ID=15507802
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15094384A Pending JPS6128237A (ja) | 1984-07-18 | 1984-07-18 | 光送信回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4686709A (ja) |
JP (1) | JPS6128237A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8946531B2 (en) | 2012-10-10 | 2015-02-03 | Sakae Rhythm Musical Instrument Ltd. | Spring force adjustment structure in high-hat stand and high-hat stand including the spring force adjustment structure |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2723818B2 (ja) * | 1995-03-28 | 1998-03-09 | 静岡日本電気株式会社 | バースト信号受信装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3305033A1 (de) * | 1983-02-14 | 1984-08-16 | Siemens Ag | Ansteuerschaltung fuer eine strahlung emittierende diode |
-
1984
- 1984-07-18 JP JP15094384A patent/JPS6128237A/ja active Pending
-
1985
- 1985-07-02 US US06/751,621 patent/US4686709A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8946531B2 (en) | 2012-10-10 | 2015-02-03 | Sakae Rhythm Musical Instrument Ltd. | Spring force adjustment structure in high-hat stand and high-hat stand including the spring force adjustment structure |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4686709A (en) | 1987-08-11 |
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