JPS61281205A - 光回路の製造方法 - Google Patents
光回路の製造方法Info
- Publication number
- JPS61281205A JPS61281205A JP60122580A JP12258085A JPS61281205A JP S61281205 A JPS61281205 A JP S61281205A JP 60122580 A JP60122580 A JP 60122580A JP 12258085 A JP12258085 A JP 12258085A JP S61281205 A JPS61281205 A JP S61281205A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- particles
- glass
- porous
- mask
- masking
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ガラス基板上の屈折率分布を変えて屈折率の
高い部分を光が伝送される導波路として形成した光回路
の製造方法に関する。
高い部分を光が伝送される導波路として形成した光回路
の製造方法に関する。
（従来の技術）
結合導波路による分波器や合波器又は光集積回路を企図
した場合、光が伝送される導波路を形成するためにガラ
ス表面の一部の屈折率を他の部分よりも高くする必要が
ある。このような光回路の製造方法として、従来ではイ
オン交換法やイオン注入法或いはスパッタ法等が知られ
ている。しかし、前記イオン交換法ではイオン交換の可
能な二穏類のイオンが必要であシ、アルカリイオンや有
毒なタリウムイオン等しか利用することができず、屈折
率をよシ高めるとと ”のできる鉛やビスマスを使用
するととが難しｈ０又、導波路を構成する物質をイオン
としてガラス基板に打ち込むイオン注入法では、導波路
に歪が発生して損失の少ない光回路を得ることが困難で
ある。更に、導波路を構成する物質をスパッタ蒸着する
スパッタ法では、この物質を均−ＧＣ蒸着するととが非
常ＫＩＩＬ＜、光の散乱が大きくて伝送損失の清しく多
くなる欠点があった。
した場合、光が伝送される導波路を形成するためにガラ
ス表面の一部の屈折率を他の部分よりも高くする必要が
ある。このような光回路の製造方法として、従来ではイ
オン交換法やイオン注入法或いはスパッタ法等が知られ
ている。しかし、前記イオン交換法ではイオン交換の可
能な二穏類のイオンが必要であシ、アルカリイオンや有
毒なタリウムイオン等しか利用することができず、屈折
率をよシ高めるとと ”のできる鉛やビスマスを使用
するととが難しｈ０又、導波路を構成する物質をイオン
としてガラス基板に打ち込むイオン注入法では、導波路
に歪が発生して損失の少ない光回路を得ることが困難で
ある。更に、導波路を構成する物質をスパッタ蒸着する
スパッタ法では、この物質を均−ＧＣ蒸着するととが非
常ＫＩＩＬ＜、光の散乱が大きくて伝送損失の清しく多
くなる欠点があった。
このため、多孔質ガラスの表面にドーパントをしみこま
せる、例えば次のような方法が提案されている（特公昭
５６−１１７２０９号公報）。
せる、例えば次のような方法が提案されている（特公昭
５６−１１７２０９号公報）。
すなわち、多孔質ガラスの表面に導波路となる部分が露
出するようなパタンのマスクをかぶせ、これをガラスの
屈折率を高めるドーパントどなる化合物の溶液中に浸漬
してこの溶液”を前記多孔質ガラスの露出部分からその
内部へ浸み込ませたのち、前記多孔質ガラスに浸み込ん
だ前記化合物がこの多孔質ガラス内で析出沈殿するよう
に前記溶液に対する前記化合物の溶解度を低下させ、次
に前記多孔質ガラスから前記マスクを取り除いてこの多
孔質ガラスを加熱することにより前記導波路となる部分
の屈折率が他の部分の屈折率よシも高くなった状態で当
該多孔質ガラスを透明ガラス化する、という方法である
。
出するようなパタンのマスクをかぶせ、これをガラスの
屈折率を高めるドーパントどなる化合物の溶液中に浸漬
してこの溶液”を前記多孔質ガラスの露出部分からその
内部へ浸み込ませたのち、前記多孔質ガラスに浸み込ん
だ前記化合物がこの多孔質ガラス内で析出沈殿するよう
に前記溶液に対する前記化合物の溶解度を低下させ、次
に前記多孔質ガラスから前記マスクを取り除いてこの多
孔質ガラスを加熱することにより前記導波路となる部分
の屈折率が他の部分の屈折率よシも高くなった状態で当
該多孔質ガラスを透明ガラス化する、という方法である
。
ところで多孔質体を得る方法は、さまざまなものがある
が、脈理等がなく、かつ生産性の良い方法は少ない。
が、脈理等がなく、かつ生産性の良い方法は少ない。
上記の条件を満す方法としては現在のところ。
発煙状シリカを水と混合後、再び水と混合し、ゲル化・
乾燥させる方法（特開昭５８−２６０４８号公報）、本
発明者などがすでに提案した、アルコキシドとフロイド
にならない大きさの粒子とを混合し、ゲル化乾燥する方
法（特願昭６０−１３５３８号明細書）及びアルコキシ
ドとコロイドにならない大きさの粒子と増粘剤とを混合
１／ 、ゲル化乾燥する方法（特願昭６０−１５５３８
号、特願昭６０−９１５１′７１ ゛号明細書）等が
ある。
乾燥させる方法（特開昭５８−２６０４８号公報）、本
発明者などがすでに提案した、アルコキシドとフロイド
にならない大きさの粒子とを混合し、ゲル化乾燥する方
法（特願昭６０−１３５３８号明細書）及びアルコキシ
ドとコロイドにならない大きさの粒子と増粘剤とを混合
１／ 、ゲル化乾燥する方法（特願昭６０−１５５３８
号、特願昭６０−９１５１′７１ ゛号明細書）等が
ある。
（発明が解決しようとする問題点）
ところが上記３つの方法で得た多孔質体はすきま径が大
きく、光回路とするためマスクする際、マスク材料、例
えばフォトレジストが多孔質体の中くしみこんでしまい
、うまくマスクできないことがある。本発明はこのよう
な問題を解決して多孔質ガラス表面にマスクを可能とし
、それによシ光回路を容易かつ生産性良く製造できる方
法を提案しようとするものでちる。
きく、光回路とするためマスクする際、マスク材料、例
えばフォトレジストが多孔質体の中くしみこんでしまい
、うまくマスクできないことがある。本発明はこのよう
な問題を解決して多孔質ガラス表面にマスクを可能とし
、それによシ光回路を容易かつ生産性良く製造できる方
法を提案しようとするものでちる。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、マスクをかぶせる前に多孔質ガラスに粒径α
５μ以下のガラス原料粒子を含む液をしみこませること
によシ前記問題点を解決できることを見出したに基くも
のである。
５μ以下のガラス原料粒子を含む液をしみこませること
によシ前記問題点を解決できることを見出したに基くも
のである。
すなわち本発明は多孔質ガラスの表面に導波路となるべ
き部分が露出するパターンのマスクをかぶせ、その酸化
物がガラスの屈折率を高める元素を含む液を前記露出部
分に拡散させる工程と多孔質体を無孔化する工程を含む
工程を経て、光回路を製造する方法において、マスクを
かぶせる前（、上記多孔質ガラスに、粒径α５μ以下の
ガラス原料粒子を含む液をしみこませることを特徴とす
る、光回路の製造方法である。
き部分が露出するパターンのマスクをかぶせ、その酸化
物がガラスの屈折率を高める元素を含む液を前記露出部
分に拡散させる工程と多孔質体を無孔化する工程を含む
工程を経て、光回路を製造する方法において、マスクを
かぶせる前（、上記多孔質ガラスに、粒径α５μ以下の
ガラス原料粒子を含む液をしみこませることを特徴とす
る、光回路の製造方法である。
本発明により前記の問題点が解決してうまくマスクする
ことができるが、これは多孔質体のすきまＫＣＬ５μ以
下の粒子がはいり、表面のすきま径が小さくなることに
よると思われる。
ことができるが、これは多孔質体のすきまＫＣＬ５μ以
下の粒子がはいり、表面のすきま径が小さくなることに
よると思われる。
粒径は１５μよシ大きなものばか９だと、粒子が沈みや
すく液中に分散しＫくいなどの欠点があり好ましくない
。１０１μ程度の粒径のものが適しているようである。
すく液中に分散しＫくいなどの欠点があり好ましくない
。１０１μ程度の粒径のものが適しているようである。
また粒子の下限値は大むね０．００３μ餌程度であるが
特に制限はなくどんなに小さなものが混じっていてもよ
い。
特に制限はなくどんなに小さなものが混じっていてもよ
い。
粒子の量は少ないと多孔質体のすきまをうめるのに十分
な粒子が多孔質体につかない。多いと液の粘性が高くな
りやすく、すきまに粒子が入）こんでいきにぐい。適当
な濃度は多孔質体のすきま径、粒子の粒径・材質・ＯＨ
基量などＫよシ異なるが、例えば５％程度である。
な粒子が多孔質体につかない。多いと液の粘性が高くな
りやすく、すきまに粒子が入）こんでいきにぐい。適当
な濃度は多孔質体のすきま径、粒子の粒径・材質・ＯＨ
基量などＫよシ異なるが、例えば５％程度である。
粒子の材質はガラス原料粒子が好ましい。他の材料、例
えば高分子材料を用いると焼結時焼きとばすなどの処理
が必要になり、好ましくない。ガラス原料粒子としては
多孔質ガラスと同じ組成のものが望ましいが異なってい
ても使えないことはない。このような粒子のとて例えば
、Ｓｉｎｇ 、少量のＰ 、Ｇθ、Ｂなどを含む８１０
１の粒子が挙げられる。このような粒子を含む液は、例
えばα５μ以下の粒子を水、アルコール、アセトン等に
分散させることによって得られる。この際超音波をかけ
ると効果的である。ミキサーで激しくかきまぜるのも良
い。
えば高分子材料を用いると焼結時焼きとばすなどの処理
が必要になり、好ましくない。ガラス原料粒子としては
多孔質ガラスと同じ組成のものが望ましいが異なってい
ても使えないことはない。このような粒子のとて例えば
、Ｓｉｎｇ 、少量のＰ 、Ｇθ、Ｂなどを含む８１０
１の粒子が挙げられる。このような粒子を含む液は、例
えばα５μ以下の粒子を水、アルコール、アセトン等に
分散させることによって得られる。この際超音波をかけ
ると効果的である。ミキサーで激しくかきまぜるのも良
い。
以下第１図を参照して本発明の詳細な説明する。
前記のようにして調製したガラス原料粒子を含む液の中
に多孔質ガラス（多孔質母材）１を沈め、ガラス原料粒
子を多孔質ガラス１０表面に付着させる。多孔質ガラス
１の表面−を下にし、表面のみを液中に漬けるようにし
ても良い。次に該多孔質ガラスの表面に、導波路となる
べき部分が露出するパタ／のマスク（フォトレジスト等
）３をかぶせる。このとき多孔質母材１の大きな粒子５
のすきまは、しみこませ九液中のガラス原料の小さな粒
子６によってうめられた状態となる。従来のようにすき
まがあるままでは、すきまにフォトレジスト３がしみこ
んでしまう。なお４はフォトレジスト３を選択的に溶か
して造った溝である。
に多孔質ガラス（多孔質母材）１を沈め、ガラス原料粒
子を多孔質ガラス１０表面に付着させる。多孔質ガラス
１の表面−を下にし、表面のみを液中に漬けるようにし
ても良い。次に該多孔質ガラスの表面に、導波路となる
べき部分が露出するパタ／のマスク（フォトレジスト等
）３をかぶせる。このとき多孔質母材１の大きな粒子５
のすきまは、しみこませ九液中のガラス原料の小さな粒
子６によってうめられた状態となる。従来のようにすき
まがあるままでは、すきまにフォトレジスト３がしみこ
んでしまう。なお４はフォトレジスト３を選択的に溶か
して造った溝である。
以下従来公知の方法に従って、その酸化物がガラスの屈
折率を高める元素を含む液を前記露出部分に拡散させる
工程、例えばＯ，ＮＯＩ等の添加物の化合物の溶液をし
みこませる、Ｇｏ（００Ｈａ）４等ドーパントのアルコ
キシドをじみとませた後に水を含む液につける等の工程
を行い、次いで多孔質体を無孔化する工程、例えば！Ｉ
ｅ中で温度１５００℃程度に加熱する工程を行えばよい
。
折率を高める元素を含む液を前記露出部分に拡散させる
工程、例えばＯ，ＮＯＩ等の添加物の化合物の溶液をし
みこませる、Ｇｏ（００Ｈａ）４等ドーパントのアルコ
キシドをじみとませた後に水を含む液につける等の工程
を行い、次いで多孔質体を無孔化する工程、例えば！Ｉ
ｅ中で温度１５００℃程度に加熱する工程を行えばよい
。
（実施例）
以下実施例によシ本発明の方法を具体的に説明する。
実施例１
シリコンテトラメトキシド １７８モルと、エタノール
１７２モルをマグネテツクスターラで混合し、その中
１ｃ１３％アンモニア水４滴を含む水１モルを加え、さ
らに混合した後、これをミキサーに入れた。その中に、
（Ｌ３μ程度の１次粒子が凝集し、平均粒径２０μ程度
の２次粒子となったシリカ粒子５０ｆを加え、激しくか
きまぜた。これをビーカーに移し、６０Ｔｏｒｒ 程度
の圧力で脱気した後、内径１Ｇ、のパイプに入れ、室温
でゲル化させた。
１７２モルをマグネテツクスターラで混合し、その中
１ｃ１３％アンモニア水４滴を含む水１モルを加え、さ
らに混合した後、これをミキサーに入れた。その中に、
（Ｌ３μ程度の１次粒子が凝集し、平均粒径２０μ程度
の２次粒子となったシリカ粒子５０ｆを加え、激しくか
きまぜた。これをビーカーに移し、６０Ｔｏｒｒ 程度
の圧力で脱気した後、内径１Ｇ、のパイプに入れ、室温
でゲル化させた。
このゲルを、水中で押しだした後、室温で乾燥した。こ
れを板状に研摩した。
れを板状に研摩した。
次に粒径的１０１２μのシリカ粒子（市販品、商品名ア
エロジル２００）５ｔと水９５１を混。
エロジル２００）５ｔと水９５１を混。
合しその中に前述の板状のゲルを入れ、液を十分しみこ
ませた後とシだして乾燥させた。これに７オトレジスト
でマスクし、パターンをつくった。
ませた後とシだして乾燥させた。これに７オトレジスト
でマスクし、パターンをつくった。
このゲルにエタノールをしみこませた後、Ｇｏ（ＯＣｍ
Ｈａ）４の１０％エタノール溶液に５秒つけ、続いてエ
タノールの５０％水溶液ｌＩｃ５分つけた。
Ｈａ）４の１０％エタノール溶液に５秒つけ、続いてエ
タノールの５０％水溶液ｌＩｃ５分つけた。
これを乾燥後、アセトン中でフォトレジストをとシのぞ
き、乾燥し５％なりさん水溶液をしみこませ再び乾燥し
Ｂを添加した。
き、乾燥し５％なりさん水溶液をしみこませ再び乾燥し
Ｂを添加した。
こうして得られたゲルを空気中５００℃で仮焼後Ｈｅ中
１４５０℃で焼結して平面導波路を得た。
１４５０℃で焼結して平面導波路を得た。
比較例１
粒径的（ＬＯ１２μの粒子を含む液をしみこませなかっ
たことの他は実施例１と同様にしたがフォトレジストは
ゲルにしみこみうまくマスクできなかった。
たことの他は実施例１と同様にしたがフォトレジストは
ゲルにしみこみうまくマスクできなかった。
また実施例１のマスク前のゲルＡと比較例１のゲルＢを
ＢＭＭで観察したところＢは表面がでこぼこであったが
Ａはそのでこぼこがうまシ、よシ平滑になっていた。
ＢＭＭで観察したところＢは表面がでこぼこであったが
Ａはそのでこぼこがうまシ、よシ平滑になっていた。
実施例２
粒径α０１２μ程度のシリカ粒子１２０ｔと、水３００
ｆとをミキサーで混合した後、乾燥機で乾燥することＫ
ｊ：夛、シリカ粒子を造粒した。
ｆとをミキサーで混合した後、乾燥機で乾燥することＫ
ｊ：夛、シリカ粒子を造粒した。
シリコンテトラメトキシド １７８モルと、エタノール
１７２モルをマグネテツクスターラで混合し、その中
に１３％アンモニア水４滴を含む水１モルを加え、さら
に混合した後、これをミキサーに入れた。その中ＫＳ帥
記造粒し九シリカ粒子２５ｆを加え、激しくかきまぜ九
。
１７２モルをマグネテツクスターラで混合し、その中
に１３％アンモニア水４滴を含む水１モルを加え、さら
に混合した後、これをミキサーに入れた。その中ＫＳ帥
記造粒し九シリカ粒子２５ｆを加え、激しくかきまぜ九
。
これをビーカーに移し、６ Ｑ Ｔｏｒｒ 程度の圧力
で脱気した後、内径１０日のパイプに入れ、室温でゲル
化させた。
で脱気した後、内径１０日のパイプに入れ、室温でゲル
化させた。
このゲルを、水中で押しだした後、室温で乾燥した。こ
れを板状に研摩した。
れを板状に研摩した。
次に粒径的１０１２μのシリカ粒子１０ｆと水９０１を
混合しその中に前述の板状のゲルを入れ、液を十分しみ
こませた後とシだして乾燥させることを３回行った。こ
れに７オトレジストでマスクし、パターンをつくった。
混合しその中に前述の板状のゲルを入れ、液を十分しみ
こませた後とシだして乾燥させることを３回行った。こ
れに７オトレジストでマスクし、パターンをつくった。
このゲルにエタノールをしみこませた後、Ｇｅ（吋山）
４の１０％エタノール溶液に５秒つけ、続いてエタノー
ルの５０％水溶液に５分つけた。これを乾燥後、アセト
ン中で７オトレジストをとシのぞき、乾燥し５％はうさ
ん水溶液会しみこませ再び乾燥した。
４の１０％エタノール溶液に５秒つけ、続いてエタノー
ルの５０％水溶液に５分つけた。これを乾燥後、アセト
ン中で７オトレジストをとシのぞき、乾燥し５％はうさ
ん水溶液会しみこませ再び乾燥した。
こうして得られたゲルを空気中５００℃で仮焼後Ｈｅ中
１４５０℃で焼結し平面導波路を得た。
１４５０℃で焼結し平面導波路を得た。
比較例２
粒径約（ＬＯ１２μの粒子を含む液をしみこませなかっ
たことの他は実施例２と同様にしたが、。
たことの他は実施例２と同様にしたが、。
フォトレジストはゲルにしみこみうまくマスクできなか
った。
った。
（発明の効果）
本発明方法は、生産性良ぐ作梨できるすきま径の大きな
多孔質ガラスを製造しておいて、次に１１．５μ以下の
粒子をすきまに入りこませるので、マスク材料のしみこ
みを防止できうまくマスクすることが可能となり、それ
によって光回路を容易、かつ生産性良く製造することが
できるという効果を生じる。
多孔質ガラスを製造しておいて、次に１１．５μ以下の
粒子をすきまに入りこませるので、マスク材料のしみこ
みを防止できうまくマスクすることが可能となり、それ
によって光回路を容易、かつ生産性良く製造することが
できるという効果を生じる。
第１図は本発明によシ製造した光回路を説明する図であ
る。
る。
Claims (1)
- （１）多孔質ガラスの表面に導波路となるべき部分が露
出するパターンのマスクをかぶせ、その酸化物がガラス
の屈折率を高める元素を含む液を前記露出部分に拡散さ
せる工程と多孔質体を無孔化する工程を含む工程を経て
、光回路を製造する方法において、マスクをかぶせる前
に、上記多孔質ガラスに、粒径０．５μ以下のガラス原
料粒子を含む液をしみこませることを特徴とする、光回
路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60122580A JPS61281205A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 光回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60122580A JPS61281205A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 光回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61281205A true JPS61281205A (ja) | 1986-12-11 |
Family
ID=14839428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60122580A Pending JPS61281205A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 光回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61281205A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01219804A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光導波路用ガラス薄膜の作製方法 |
-
1985
- 1985-06-07 JP JP60122580A patent/JPS61281205A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01219804A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光導波路用ガラス薄膜の作製方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2338079A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer als fluessige silikatquelle dienenden loesung | |
| DE2301670C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von porösen keramischen Materialien | |
| EP1114006B1 (de) | Sphärische ionomerpartikel und deren herstellung | |
| WO1994004355A1 (de) | Lichtdurchlässiges hitzeschutzelement | |
| JP2005539129A (ja) | セルロースベースのフィルムに包埋された不溶性固体を含有するフィルムの製造法 | |
| DE3717127A1 (de) | Sphaerische silikaglaspulverteilchen und verfahren zu ihrer herstellung | |
| DE3133541A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines optischen glasproduktes | |
| ATE197174T1 (de) | Verfahren zur herstellung einer granulierten waschmittelzusammensetzung die ein kristallines builder-material enthält | |
| JPS61281205A (ja) | 光回路の製造方法 | |
| EP0022280A1 (de) | Verfahren zum Ätzen von Silizium-Substraten | |
| RU2141928C1 (ru) | Способ производства монолитного кварцевого стекла с использованием золь-гель процесса | |
| US3455368A (en) | Process for the production of refractory shell molds | |
| JPS5780437A (en) | Manufacture of porous film | |
| DE1496673A1 (de) | Verfahren zum Aufbringen von Glas auf vorbestimmte Teile einer Halbleitervorrichtung | |
| CN114503984A (zh) | 一种纳米级抗菌驱蚊微胶囊及其制备方法 | |
| US2573051A (en) | Art of making luminescent screens | |
| JPS6051622A (ja) | シリンドリカルレンズアレイの作製方法 | |
| CN111681803A (zh) | 一种5g通信用陶瓷介质波导浸银专用银浆的制备方法及浸银工艺 | |
| JPS63151623A (ja) | 有機物含有シリカ系塊状体の製造方法 | |
| JPS6238403A (ja) | 平面導波路用多孔質ガラスとその製造方法 | |
| US2728158A (en) | Method of producing colored china clay images | |
| DE2721294A1 (de) | Oberflaechenbehandelter fuellstoff aus kieselerde mit hydrophobem verhalten | |
| JPS63288919A (ja) | 光学機能性を有するドープトシリカガラスの製造法 | |
| DE2048497A1 (de) | Lichtträger mit Farbfilter Beschich tung | |
| JPS61286230A (ja) | ガラスの製造方法 |