JPS61277235A - 半導体レ−ザ駆動回路 - Google Patents

半導体レ−ザ駆動回路

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JPS61277235A
JPS61277235A JP60119234A JP11923485A JPS61277235A JP S61277235 A JPS61277235 A JP S61277235A JP 60119234 A JP60119234 A JP 60119234A JP 11923485 A JP11923485 A JP 11923485A JP S61277235 A JPS61277235 A JP S61277235A
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JP
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signal
semiconductor laser
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Yoshihiro Uda
宇田 吉広
Nobuaki Takahashi
信明 高橋
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NEC Corp
NEC Engineering Ltd
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NEC Engineering Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/50Transmitters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0428Electrical excitation ; Circuits therefor for applying pulses to the laser
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光通信システム内の光送信器などで使用され
る半導体レーザ駆動回路に関するものである。
従来の技術 光通信システムの光送信器などで使用される半導体レー
ザ駆動回路としては、差動駆動方式のものがある。
従来、この差動駆動方式の半導体レーザ駆動回路は、第
3図に示すように、エミッタが共通接続されると共に、
一方のコレクタには半導体レーザ7とバイアス端子8が
接続された一対のトランジスタ5.6からなる差動回路
と、入力端子IN上のパルス信号をトランジスタ5のベ
ースに供給する信号線20と、このパルス信号を反転さ
せたものをトランジスタ6のベースに供給する信号線2
1とを備え、信号線20.21上のディジタル差動信号
で各トランジスタを流れる電流を制御することにより半
導体レーザ7の発光を断続するようになっている。
この半導体レーザ駆動回路では、入力端子INの入力信
号線が取外されたり断線した時に、半導体レーザが発光
する場合がある。信号線が取外された状態では、光出力
端子のコネクタも取り外されていることが多いので、作
業者がレーザ光を眼に入れてしまう危険がある。
従って、なんらかの危険防止対策が必要であり、従来、
光出力端子からコネクタが取り外されると光出力端子が
自動的に遮光板で覆われるという機構上の対策が講じら
れてきた。
すなわち、第4図の正面図とそのA−A’断面図である
第5図を参照すれば、光ファイバに連なるコネクタプラ
グを筺体30内の半導体レーザ34に接続するために筺
体30の壁面上に形成された開口31に対して、遮光板
33が付加される。
円形の遮光板33は、その周辺部において筺体30の壁
面に支点19で回動自在に支持され、光コネクタプラグ
が取外されると重力により下方へ移動して筐体30の開
口31を塞ぐようになっている。
発明が解決しようとする問題点 上記従来の遮光板による危険防止方式では、重力を利用
して遮光板を機能させているため、遮光板の構造によっ
て設置時の筐体の上下方向が固定されてしまい、実装上
の自由度が著しく狭められるという問題がある。
また、遮光機構のため筐体の構造が複雑になるという欠
点もある。
問題点を解決するための手段 本発明の半導体レーザ駆動回路は、信号パルスに応答し
て所定幅のパルスを発生する単安定マルチバイブレータ
ーと、所定時間だけ信号パルスを遅延させる遅延回路と
、これら単安定マルチバイブレークー及び遅延回路の出
力の論理積信号及びその反転信号を作成する論理回路と
を備え、これら論理積及びその反転信号によって差動ト
ランジスタ対を制御することにより、信号パルスが存在
しない期間は半導体レーザの発光を確実に停止させるこ
とにより、従来技術の問題点を解決するように構成され
ている。
以下、本発明の作用を実施例と共に詳細に説明する。
実施例 第1図は本発明の一実施例の半導体レーザ駆動回路の構
成を示す回路図である。
この半導体レーザ駆動回路は、エミッタが共通接続され
て抵抗器を介して電源端子9に接続されると共に、一方
のコレクタには駆動対象の半導体レーザ7とバイアス電
流端子8が接続され、他方のコレクタは抵抗器を介して
接地されているトランジスタ対5,6を備えている。
また、この半導体レーザ駆動回路は、入力端子INに供
給された信号パルス(A)に応答して所定幅のパルスを
発生する単安定マルチバイブレータ−1と、入力端子I
Nに供給された信号パルス(A)を所定時間だけ遅延さ
せる遅延回路2を備えている。
さらに、この半導体レーザ駆動回路は、単安定マルチバ
イブレーター1の出力(B)と、遅延回路3の出力(C
)との論理積(D)を作成するアンドゲート3と、単安
定マルチバイブレーター1の出力CB)と遅延回路2の
出力(C)との論理積の反転信号(E)を作成するナン
トゲート4を備えている。
アンドゲート3の出力端子はトランジスタ5のベースに
接続され、ナントゲート4の出力端子はトランジスタ6
のベースに接続されている。
第1図の半導体レーザ駆動回路の動作を第2図の波形図
を参照して説明する。
入力端子INには、第2図最上段に例示するようなパル
ス信号Aが供給される。各パルスの幅はτ1である。
単安定マルチバイブレータ−1は、上記パルス信号Aの
立上がりに応答して立上がるパルス信号Bを出力する。
各出力パルスの幅はτ2であり、その応答遅延時間はτ
3である。
遅延回路2は、入力端子INから供給されたパルス信号
Aに時間τ4の遅延を与える。遅延されタハルス信号C
の各パルスの幅は、パルス信号Aと同様τ、である。
アンドゲート3は、単安定マルチパイブレー゛ター1か
ら出力されたパルス信号Bと遅延回路2から出力された
パルス信号Cとの論理積りを出力する。ナントゲート4
は、単安定マルチバイブレータ−1から出力されたパル
ス信号Bと遅延回路2から出力されたパルス信号Cとの
論理積を反転したパルス信号Eを出力する。
前述のように、アンドゲート3とナントゲート4の出力
端子は、それぞれトランジスタ5と6のベース端子に接
続されているため、信号りがハイに立上がると、トラン
ジスタ5に流れる電流が増加すると共にトランジスタ6
に流れる電流が減少する。逆に信号りがローに立下がる
と、トランジスタ5に流れる電流が減少し、トランジス
タ6に流れる電流が増加する。
信号りの立上がりに伴うトランジスタ5の電流の増加に
よって半導体レーザ7が発振を開始し、信号りの立下が
りに伴うトランジスタ5の電流の減少によって半導体レ
ーザの発振が停止するように適宜なバイアス電流がバイ
アス電流供給端子8からトランジスタ5に供給されてい
る。
従って、パルス信号Aが連続的に供給されている通常動
作時には、第2図の最下段に示すように、入力パルス信
号Aと相似波形の光出力Pが、半導体レーザ7から出力
され、光コネクタを介して光ファイバに導かれる。
この後、第2図に例示するように、ある時刻Tにおいて
、コネクタの取り外しや入力信号線の断線に伴い入力端
子INがハイ状態に固定されたものとする。単安定マル
チバイブレータ−1は、時刻Tにおける信号Aの立上り
に応答して所定幅のパルスを1回だけ出力し、それ以後
は出力をロー状態に保つ。従って、以後半導体レーザの
発振が停止する。
半導体レーザから出力され光パルスPの幅客人力パルス
の幅と等しくするには、パルス信号Bがパルス信号Cよ
りも同時か先に立上がり、同時か後に立下がるようにす
ればよい。この条件は、τ3 ≦τ4 、 τ2 +τ
3 ≧τ1 +τ4となる。
通常はパルス幅の多少のばらつきが許容され、また場合
によっては相当のばらつきも許容されるので、上記の条
件を厳密に成立させる必要はない・ただし、パルス幅τ
2は、信号パルスAの最小間隔を越えないことが必要で
あり、また遅延回路2による遅延時間で4は単安定マル
チバイブレーター1で発生されたパルスBがローに立下
るまでの時間(τ3+で2)を越えない範囲に設定され
る必要がある。
本発明者による実験においては、入力信号Aのパルス幅
を10nsec (100MHz相当)とし、単安定マ
ルチバイブレータ−1には時定数τ2を13nsec 
 に設定したFICL ICのMC1019Bを使用し
、遅延回路2には8 n5ecの遅延線を使用した。ま
た、アンドゲート3とナントゲート4としてHCLIC
のMC10108から互いにコンブリメントな出力を引
き出し、トランジスタ5.6には25C3357を使用
し、予期した通りの動作が確認された。
トランジスタ対のベースに供給する論理積とその反転信
号は、上述の実験例のように1個の論理集積回路で作成
してもよく、また第1図に示すようにアンドゲートとナ
ントゲートで作成してもよい。あるいは、アンドゲート
とインバータを使用するなど他の適宜な方法で作成でき
る。
また、npn )ランジスタ対を使用する構成を例示し
たが、これに代えてpnp )ランジスタ対を使用する
こともできる。
発明の詳細 な説明したように本発明は、信号入力端子に信号が供給
されていなければ半導体レーザが発光しない構成である
から、取外し作業中に発光を誤って目に入れてしまうと
いう事故を簡単な素子の追加によって確実に防止できる
このため、従来装置の遮光板が不要となり実装上の自由
度が増すと共に筐体の構造が簡単になるという顕著な効
果が奏される。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の半導体レーザ駆動回路の構
成を示す回路図、第2図は第1図の動作を説明するため
の波形図、第3図は従来の半導体レーザ駆動回路の構成
を示す回路図、第4図及び第5図は従来の遮光板の構造
を説明するための正面図及び断面図である。 IN・・信号入力端子、1・・単安定マルチバイブレー
タ−22・・遅延回路、3・・アンドゲート、4・・ナ
ントゲート、s、6・・トランジスタ、7・・半導体レ
ーザ。 特許出願人 日本電気株式会社(ダト1名)代 理 人
 弁理士 橿井俊彦 第21!I 第3図 第4図 第5図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 エミッタが共通接続され、一方のコレクタに駆動対象の
    半導体レーザが接続されたトランジスタ対と、 信号パルスに応答して最小信号パルス間隔を越えない範
    囲の所定幅のパルスを発生する単安定マルチバイブレー
    ターと、 上記単安定マルチバイブレーターで発生されたパルスの
    消滅時点を越えない範囲の所定時間だけ信号パルスを遅
    延させる遅延回路と、 前記単安定マルチバイブレーター及び遅延回路の出力の
    論理積信号及びその反転信号を作成する論理回路とを備
    え、 この論理回路の論理積信号を前記トランジスタ対の一方
    のベースに供給すると共にその反転信号を他方のベース
    に供給することを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
JP60119234A 1985-05-31 1985-05-31 半導体レ−ザ駆動回路 Expired - Lifetime JPH0669172B2 (ja)

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JPS61277235A true JPS61277235A (ja) 1986-12-08
JPH0669172B2 JPH0669172B2 (ja) 1994-08-31

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007121090A (ja) * 2005-10-27 2007-05-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光ファイバ障害検出器

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007121090A (ja) * 2005-10-27 2007-05-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光ファイバ障害検出器

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