JPS61272939A - 半導体封止用のレジンモ−ルド金型 - Google Patents

半導体封止用のレジンモ−ルド金型

Info

Publication number
JPS61272939A
JPS61272939A JP11403685A JP11403685A JPS61272939A JP S61272939 A JPS61272939 A JP S61272939A JP 11403685 A JP11403685 A JP 11403685A JP 11403685 A JP11403685 A JP 11403685A JP S61272939 A JPS61272939 A JP S61272939A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mold
sides
heat insulating
resin
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11403685A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadao Shinoda
篠田 忠夫
Junichi Saeki
準一 佐伯
Aizo Kaneda
金田 愛三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP11403685A priority Critical patent/JPS61272939A/ja
Publication of JPS61272939A publication Critical patent/JPS61272939A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は熱硬化性樹脂により多数個取りの半導体封止作
業を実施する場合に用いられるレジンモールド金型に関
するものである。
〔発明の背景〕
従来の熱硬化性樹脂による多数個取りの半導体封止作業
を実施する場合に用いられるレジンモールド金型は第4
図に示すように、複数個のキャビティ(図示せず)を内
蔵する金型1.2と、該金型1.2にそれぞれ取付けら
れ、かつヒータ5.6をそれぞれ複数個そなえる熱板5
,4とにより構成されている。
上記金!111.2は、成形時にヒータ5,6を介して
加熱された熱板3,4により所定の成形温度まで加熱さ
れる。しかるに、前記金型1,2および熱板3,4の側
面は、これよりも低温の外気に曝されているため、前記
側面部の熱は同側向から絶えず外気に放熱されるので、
その側面部は内部よりも低温となる。
そこで、前記側面部と内部とを同一温度に保持するため
に、熱板3,4に設けられたヒータ5゜6の電圧を調節
しているが、前記側面部と内部の真温度を均一すること
ができないので、成形された製品の品質にばらつきを生
ずる恐れがある。
一方、金型1,2の外気に接する側面におけ熱現象を伝
熱の見地より解析した結果、該側面では第3図に示すよ
うに、約αsC/cmの温度勾配が存在することが判明
した。このため上記側面および該側面から10CI11
内方に入った部分の真温度を比較すると、約5℃の温度
を生ずることになる。このように金111.2の側面と
内部の各温度間には、常に4〜5℃の温度差があるため
、多数個取りのレジンモールド半導体を同一の温度条件
のもとで成形することはできないことが判明した。
〔発明の目的」 本発明は上記の点にかんがみ、金型内の°各キャピテイ
部の成形時における温度を均一化し、同一の温度条件の
もとでレジンモールド半導体を成形することができるレ
ジンモールド金型を提供することを目的とするものであ
る。
〔発明の概要〕
本発明は上記目的を達成するために、熱硬化樹脂による
多数個取りの半導体対土用の金型において、該金型の外
気と接する側面に気体を密閉した断熱層を取付け、該断
熱層により前記金型の谷キャビティ部の成形時における
温度を均一化させるように構成したことを特徴とする。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を図面(第1図〜第5図)につ
いて説明する。第1図および第2図は同実施例の側面図
および平面図、第3図は金型側面に設けた断熱層の厚さ
と同側面に生ずる温度勾配との関係を示す特性図である
第1図および第2図において、1.2は複数個のキャビ
ティ(図示せず)を丙厳する金型、3゜4は金型1,2
にそれぞれ取付けられ、かつヒータ5,6をそれぞれ複
数個そなえる熱板、7,8は金型1,2の側面にそれぞ
れ取付けられた断熱層である。該断熱層7,8は板厚的
1iImの鉄板により、気体例えば空気を密閉した厚さ
10〜151E11の枠体に形成されている。このよう
に断熱材として空気を用いたのは、空気は熱伝導率が小
さく、しかも他の断熱材よりも断熱性が優れているから
である。
上記のような構成からなる本実施例は、第3図の曲線人
で示す特性を有するので、成形時における金型1,20
側聞の温度勾配を11℃廓以下にすることができる。し
たがって、金型1,2の側面と該側面から10crIL
内方の部分との温度差を1℃以下にすることができるか
ら、はとんε同一の温度条件で熱硬化性樹脂による多数
個取りのレジンモールド半導体を成形することが可能で
ある。
(発明の効果〕 以上説明したとうに、本発明によれば、金型内のキャピ
テイ部が金型側面から10(Flllの内方に存在すれ
ば、成形時における温度差を1℃以下にすることができ
るため、成形時におけるキャビティ部の温度を均一化す
ることができる。したがって、同一の温度条件のもとに
おける多数個取りのレジンモールド半導体の成形が可能
となり、成形製品の品質のばらつきを低減することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本発明に係わるレジンモールド金
型の一実施例の側面図および平面図1、第3図は金型の
側面に設けた断熱層の厚さと同側面に生ずる温度勾配と
の関係を示す特性図、第4図は従来のレジンモールド金
型の側面図である。 1.2・・・金型、7,8・・・断熱層、情人弁理士小
川勝男 第1図 第2図 V53 図 1k型併1面10反り付けた崗涜v1)写さく?177
n)第 4− 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 熱硬化性樹脂による多数個取りの半導体封止用の金型に
    おいて、該金型の外気と接する側面に気体を密閉した断
    熱層を取付け、該断熱層により前記金型の各キャビティ
    部の成形時における温度を均一化させるように構成した
    ことを特徴とする半導体封止用のレジンモールド金型。
JP11403685A 1985-05-29 1985-05-29 半導体封止用のレジンモ−ルド金型 Pending JPS61272939A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11403685A JPS61272939A (ja) 1985-05-29 1985-05-29 半導体封止用のレジンモ−ルド金型

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11403685A JPS61272939A (ja) 1985-05-29 1985-05-29 半導体封止用のレジンモ−ルド金型

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61272939A true JPS61272939A (ja) 1986-12-03

Family

ID=14627422

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11403685A Pending JPS61272939A (ja) 1985-05-29 1985-05-29 半導体封止用のレジンモ−ルド金型

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61272939A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102640298A (zh) * 2009-12-02 2012-08-15 丰田自动车株式会社 太阳能电池模块制造装置
JP2012164820A (ja) * 2011-02-07 2012-08-30 Towa Corp 電子部品の樹脂成形方法及び成形装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102640298A (zh) * 2009-12-02 2012-08-15 丰田自动车株式会社 太阳能电池模块制造装置
JP2012164820A (ja) * 2011-02-07 2012-08-30 Towa Corp 電子部品の樹脂成形方法及び成形装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4779835A (en) Mold for transfer molding
JPS61272939A (ja) 半導体封止用のレジンモ−ルド金型
JPH0697326A (ja) 半導体装置およびその放熱部材
JPH10326800A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置用金型
US3986201A (en) High output wafer-shaped semiconductor component with plastic coating
US3947953A (en) Method of making plastic sealed cavity molded type semi-conductor devices
JPH1190969A (ja) モールド方法およびモールド装置ならびに半導体装置の製造方法
TWM552030U (zh) 模具結構
JP2940752B2 (ja) 半導体樹脂封止装置
JPH0373141B2 (ja)
JPH1140715A (ja) 半導体素子用冷却装置およびその製造方法
JP2882013B2 (ja) 封止済リードフレームの加工方法
JP3221971B2 (ja) 樹脂モールド装置
JP2508567B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS62207615A (ja) 樹脂封止用金型
JPS587639Y2 (ja) 樹脂モ−ルド金型
KR0139128Y1 (ko) 반도체패키지 제조용 몰딩프레스의 금형장치
JPS6298610A (ja) 結晶成長用基板加熱機構
JP2835136B2 (ja) 半導体装置樹脂封止用成形金型
JPH0411B2 (ja)
JPH05160181A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPH03173624A (ja) 樹脂製品の成形方法
JPS61259550A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS5951132B2 (ja) 半導体装置の製造装置
JPH05226397A (ja) 半導体用熱硬化型自動モールド装置