JPS61271874A - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/36—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the concentration or distribution of impurities in the bulk material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
この発明は、ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ超格子構造を備える半
導体装置において、 そのＧａＡｓ層への不純物導入をアトミックプレーンド
ーピング法によることにより、 キャリア濃度の増大、超格子構造の厚さの減少を実現し
、該半導体装置の特性向上を達成するようにしたもので
ある。
導体装置において、 そのＧａＡｓ層への不純物導入をアトミックプレーンド
ーピング法によることにより、 キャリア濃度の増大、超格子構造の厚さの減少を実現し
、該半導体装置の特性向上を達成するようにしたもので
ある。
本発明は半導体装置、特に砒化ガリウム（ＧａＡｓ）と
砒化アルミニウム（ＡＩＡｓ）とからなる超格子構造を
備える半導体装置の改善に関する。
砒化アルミニウム（ＡＩＡｓ）とからなる超格子構造を
備える半導体装置の改善に関する。
半導体装置の高速化等を目的として、ＧａＡｓ、砒化ア
ルミニウムガリウム（ＡｌＧａＡｓ）などの化合物半導
体の実用化が進められ、更に不純物ドーピング領域とキ
ャリア移動領域とを空間的に分離し、２次元状態の電子
をキャリアとするヘテロ接合電界効果トランジスタ等の
高移動度の半導体装置が開発されている。
ルミニウムガリウム（ＡｌＧａＡｓ）などの化合物半導
体の実用化が進められ、更に不純物ドーピング領域とキ
ャリア移動領域とを空間的に分離し、２次元状態の電子
をキャリアとするヘテロ接合電界効果トランジスタ等の
高移動度の半導体装置が開発されている。
また、例えばレーザ、ホトダイオードなどの光半導体装
置においては、目的とする光に対応するエネルギーバン
ドギャプ等の組合せを実現するためにＧａＡｓ５ Ａｌ
ＧａＡｓなどの化合物半導体が多く用いられている。
置においては、目的とする光に対応するエネルギーバン
ドギャプ等の組合せを実現するためにＧａＡｓ５ Ａｌ
ＧａＡｓなどの化合物半導体が多く用いられている。
しかしながら、このＧａＡｓ、 ＡｌＧａＡｓなどの化
合物半導体は従来高いキャリア濃度が得られず、その増
大が強く要望されている。
合物半導体は従来高いキャリア濃度が得られず、その増
大が強く要望されている。
（従来の技術〕
前記へテロ接合電界効果トランジスタの構造の一例を第
３図＋８）に示す。
３図＋８）に示す。
本従来例では半絶縁性ＧａＡｓ基板１１上に、ノンドー
プのｌ型ＧａＡｓＪｉ１２、これより電子親和力が小さ
い砒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＡｓＸＭＳ）層
１３、及び不純物濃度が例えば２Ｘ１０”ａｍ−”程度
のｎ型ＧａＡｓ層１４が設けられている。
プのｌ型ＧａＡｓＪｉ１２、これより電子親和力が小さ
い砒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＡｓＸＭＳ）層
１３、及び不純物濃度が例えば２Ｘ１０”ａｍ−”程度
のｎ型ＧａＡｓ層１４が設けられている。
ＡｌＧａＡｓ層１３は、例えばｉ型ＧａＡｓ層１２との
界面近傍の厚さ約６ｎｍの領域をノンドープとし、その
他の領域に濃度２×１０１Ｉｃｆｆｌ″３程度のドナー
不純物を含んで、この層から１型ＧａＡｓ層１２へ遷移
した電子によって、ヘテロ接合界面近傍に２次元電子ガ
ス１２ｅが形成される。なおこのためにＡｌＧａＡｓ層
１３は電子供給層と呼ばれる。
界面近傍の厚さ約６ｎｍの領域をノンドープとし、その
他の領域に濃度２×１０１Ｉｃｆｆｌ″３程度のドナー
不純物を含んで、この層から１型ＧａＡｓ層１２へ遷移
した電子によって、ヘテロ接合界面近傍に２次元電子ガ
ス１２ｅが形成される。なおこのためにＡｌＧａＡｓ層
１３は電子供給層と呼ばれる。
前記ｎ型ＧａＡｓ層１４上にソース及びドレイン電極１
５が設けられ、この両電極間のｎ型ＧａＡｓ層１４を選
択的にエツチングしＡｌＧａＡｓ層１３に接して設けら
れたゲート電極１６により、前記２次元電子ガス１２ｅ
の面濃度を制御する。
５が設けられ、この両電極間のｎ型ＧａＡｓ層１４を選
択的にエツチングしＡｌＧａＡｓ層１３に接して設けら
れたゲート電極１６により、前記２次元電子ガス１２ｅ
の面濃度を制御する。
以上説明した如き従来のへテロ接合電界効果トランジス
タにおいては、２次元電子ガス１２ｅの面濃度がｎ型Ａ
ｌＧａＡｓ電子供給層１３の電子濃度の限界によって制
限され、相互コンダクタンスｇ、及び電力の増大、雑音
指数の低減などが困難であり、また電子濃度の温度によ
る変化が閾値電圧に現れている。
タにおいては、２次元電子ガス１２ｅの面濃度がｎ型Ａ
ｌＧａＡｓ電子供給層１３の電子濃度の限界によって制
限され、相互コンダクタンスｇ、及び電力の増大、雑音
指数の低減などが困難であり、また電子濃度の温度によ
る変化が閾値電圧に現れている。
なお、ＡｌＧａＡｓに不純物をドープして形成される深
いドナー準位は特にＤＸセンターと呼ばれ、赤外光の照
射後も導電性を失わないなどの特異な性質を示す。
いドナー準位は特にＤＸセンターと呼ばれ、赤外光の照
射後も導電性を失わないなどの特異な性質を示す。
この様な問題に対処するために、電子供給層を前記Ａｌ
ＧａＡｓから、シリコン（Ｓｔ）をドープしたＧａＡｓ
とノンドープのＡｌＡｓとからなる超格子構造に置き換
えた、第３図（ｂ）に示す如き構造が報告されている。
ＧａＡｓから、シリコン（Ｓｔ）をドープしたＧａＡｓ
とノンドープのＡｌＡｓとからなる超格子構造に置き換
えた、第３図（ｂ）に示す如き構造が報告されている。
〔例えば、小用他、［超格子構造と選択的な不純物ドー
ピングによって化合物半導体の電子密度を上げる」 日
経エレクトロニクス、１９８５年１月１４日号、２１３
〜２４０頁〕 本従来例の電子供給層２３のノンドープＧａＡｓ層１２
側の領域２３ａは、厚さ２．５面のＳｉドープＧａＡｓ
と厚さ１．５ｎｍのノンドープＡｌＡｓを交互に積層し
ており、ＡｌＡｓから約０ 、５ ｎｍ以内の範囲を除
いてＧａＡｓにＳｔがドープされ、その平均濃度は２Ｘ
１０”ａａ−’である。
ピングによって化合物半導体の電子密度を上げる」 日
経エレクトロニクス、１９８５年１月１４日号、２１３
〜２４０頁〕 本従来例の電子供給層２３のノンドープＧａＡｓ層１２
側の領域２３ａは、厚さ２．５面のＳｉドープＧａＡｓ
と厚さ１．５ｎｍのノンドープＡｌＡｓを交互に積層し
ており、ＡｌＡｓから約０ 、５ ｎｍ以内の範囲を除
いてＧａＡｓにＳｔがドープされ、その平均濃度は２Ｘ
１０”ａａ−’である。
その上の領域２３ｂでは、ＡｌＡｓの厚さが１．５ｎｍ
から次第に減少してｎ型ＧａＡｓ層１４との界面でＯｎ
ｍとなり、真領域合計の厚さは４０ｎｍである。
から次第に減少してｎ型ＧａＡｓ層１４との界面でＯｎ
ｍとなり、真領域合計の厚さは４０ｎｍである。
本従来例では、例えば温度７７Ｋにおいて、２次元電子
ガスの電子移動度約９ Ｘ １０’ｃｍ”／Ｖ、ｓ、電
子面温度約８ Ｘ １０” ｃｍ−”で、前記従来例の
構造の場合の電子面濃度例えば約５ ＸＩＯ”ｃｍ−”
より改善され、温度及び光照射による閾値電圧の変化も
少ないことが報告されている。また更にＳｔのドーピン
グ濃度を８ ＸＩＯ”（Ｊ−’程度まで高め、超格子の
厚さを２ｐｎｍに減少可能であると説明されている。
ガスの電子移動度約９ Ｘ １０’ｃｍ”／Ｖ、ｓ、電
子面温度約８ Ｘ １０” ｃｍ−”で、前記従来例の
構造の場合の電子面濃度例えば約５ ＸＩＯ”ｃｍ−”
より改善され、温度及び光照射による閾値電圧の変化も
少ないことが報告されている。また更にＳｔのドーピン
グ濃度を８ ＸＩＯ”（Ｊ−’程度まで高め、超格子の
厚さを２ｐｎｍに減少可能であると説明されている。
前記の超格子構造等の成長方法として、分子線エピタキ
シャル成長方法（ＭＢＥ法）が多く適用されるが、ＭＢ
Ｅ法によってＧａＡｓ層にＳｉをドーピングする場合に
は、例えばＧａＡｓ基板の温度を５００〜７００℃とし
、分子線源のＡｓを２００〜３００℃、Ｇａを９００〜
１１００℃、Ｓｉを１１００〜１３００℃程度として、
Ａｓ及びＧａのビームとＳｉのビームとを同時に基板上
に入射させ、成長速度０ 、５ ａｍ ／ ｈ程度でＧ
ａＡｓ中にＳｉを一様にドーピングしている。
シャル成長方法（ＭＢＥ法）が多く適用されるが、ＭＢ
Ｅ法によってＧａＡｓ層にＳｉをドーピングする場合に
は、例えばＧａＡｓ基板の温度を５００〜７００℃とし
、分子線源のＡｓを２００〜３００℃、Ｇａを９００〜
１１００℃、Ｓｉを１１００〜１３００℃程度として、
Ａｓ及びＧａのビームとＳｉのビームとを同時に基板上
に入射させ、成長速度０ 、５ ａｍ ／ ｈ程度でＧ
ａＡｓ中にＳｉを一様にドーピングしている。
前記例の如き超格子構造において、この従来のドーピン
グ法で有効なＳ ｉ ？！１度は、ＧａＡｓ層のみにつ
いての平均値で、６ＸＩＱ”ａｍ−３程度、これによっ
て得られる超格子構造の電子濃度は２ ＸＩＯ”ａｍ−
’程度、ヘテロ接合電界効果トランジスタの２次元電子
ガスの電子面濃度は１３ ×ｌ Ｑ ｌ ｌ ｃｌｌ−
寡程度が最大限界である。
グ法で有効なＳ ｉ ？！１度は、ＧａＡｓ層のみにつ
いての平均値で、６ＸＩＱ”ａｍ−３程度、これによっ
て得られる超格子構造の電子濃度は２ ＸＩＯ”ａｍ−
’程度、ヘテロ接合電界効果トランジスタの２次元電子
ガスの電子面濃度は１３ ×ｌ Ｑ ｌ ｌ ｃｌｌ−
寡程度が最大限界である。
例えばヘテロ接合電界効果トランジスタについて、これ
を改善する努力が前記例の如く重ねられているが、厚さ
２．５面のＧａＡｓ１ｉのうちＳｉがドープされる範囲
は１．５ａｍに限られ、得られる電子濃度は未だ十分で
はない。
を改善する努力が前記例の如く重ねられているが、厚さ
２．５面のＧａＡｓ１ｉのうちＳｉがドープされる範囲
は１．５ａｍに限られ、得られる電子濃度は未だ十分で
はない。
化合物半導体装置に期待される優れた特性を十分に実現
するために、更に高いキャリア濃度をを達成することが
要望されている。
するために、更に高いキャリア濃度をを達成することが
要望されている。
前記問題点は、第１図に例示する如く、砒化ガリウム層
３Ｇと砒化アルミニウム層３Ａとが交互に積層された超
格子構造を備えて、該砒化アルミニウム層３Ａはノンド
ープであり、該砒化ガリウム層３Ｇに不純物３Ｄがアト
ミックプレーンドーピングされてなる、 本発明による半導体装置により解決される。
３Ｇと砒化アルミニウム層３Ａとが交互に積層された超
格子構造を備えて、該砒化アルミニウム層３Ａはノンド
ープであり、該砒化ガリウム層３Ｇに不純物３Ｄがアト
ミックプレーンドーピングされてなる、 本発明による半導体装置により解決される。
本発明では第１図に例示する如（、ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ
超格子構造のＧａＡｓ層３Ｇに、Ｓｉ等の不純物３Ｄを
アトミックプレーンドーピング方法によりドーピングす
る。すなわちＧａＡｓ層３ＧのＭＢＢ成長中にＧａビー
ムを停止してその成長を中断し、Ｓｉ等の不純物のビー
ムを入射させてその原子を１原子層レベルで被着し、次
いで不純物のビームを停止して再度ＧａＡｓ層３Ｇを成
長する。前記従来例と同様にＡｌＡｓ層３Ａはノンドー
プで成長し、超格子構造を形成する。
超格子構造のＧａＡｓ層３Ｇに、Ｓｉ等の不純物３Ｄを
アトミックプレーンドーピング方法によりドーピングす
る。すなわちＧａＡｓ層３ＧのＭＢＢ成長中にＧａビー
ムを停止してその成長を中断し、Ｓｉ等の不純物のビー
ムを入射させてその原子を１原子層レベルで被着し、次
いで不純物のビームを停止して再度ＧａＡｓ層３Ｇを成
長する。前記従来例と同様にＡｌＡｓ層３Ａはノンドー
プで成長し、超格子構造を形成する。
ＧａＡｓ半導体層に例えばＳｉのアトミックプレーンド
ーピングを一面だけ行った場合に、ＳｉＯ面濃度３Ｘ１
０”３−”程度まではＳｉは完全に活性化され、Ｓｔ面
濃度とともに電子面濃度が直線的に増加する。
ーピングを一面だけ行った場合に、ＳｉＯ面濃度３Ｘ１
０”３−”程度まではＳｉは完全に活性化され、Ｓｔ面
濃度とともに電子面濃度が直線的に増加する。
Ｓｔアトミックプレーンドーピングを周期的に行い、ド
ープ面相互間の間隔を変化させた場合には、間隔が４Ｇ
ｍ程度以下になればＳｉの活性化率が次第に減少し、一
定のＳｔ面濃度に対して電子面濃度は低下するが、単位
体積当たりの電子濃度は間隔の減少に伴って増加して従
来のキャリア濃度の最大限界を超え、例えば２＋ｕｎ程
度以下ではＩ ＸＩＯ”ａｍ−３以上に達する。この様
に面濃度とドープ面相互間の間隔を選択して、不純物を
アトミックプレーンドーピングすることにより従来の限
界を超えるキャリア濃度が実現される。
ープ面相互間の間隔を変化させた場合には、間隔が４Ｇ
ｍ程度以下になればＳｉの活性化率が次第に減少し、一
定のＳｔ面濃度に対して電子面濃度は低下するが、単位
体積当たりの電子濃度は間隔の減少に伴って増加して従
来のキャリア濃度の最大限界を超え、例えば２＋ｕｎ程
度以下ではＩ ＸＩＯ”ａｍ−３以上に達する。この様
に面濃度とドープ面相互間の間隔を選択して、不純物を
アトミックプレーンドーピングすることにより従来の限
界を超えるキャリア濃度が実現される。
更に不純物ドーピング領域の厚さが無視し得て、ＧａＡ
ｓ層を従来の３次元的ドーピングの場合より薄くするこ
とが可能であり、例えばヘテロ接合電界効果トランジス
タにおいて高キャリア濃度で薄い電子供給層が実現され
、相互コンダクタンスｇ、の増大が達成されるなどの効
果が得られる。
ｓ層を従来の３次元的ドーピングの場合より薄くするこ
とが可能であり、例えばヘテロ接合電界効果トランジス
タにおいて高キャリア濃度で薄い電子供給層が実現され
、相互コンダクタンスｇ、の増大が達成されるなどの効
果が得られる。
〔実施例〕
以下本発明を実施例により具体的に説明する。
第２図（ａ）は本発明によるヘテロ接合電界効果トラン
ジスタの例を示す模式側断面図、同図（ｂ）はその超格
子構造及びその近傍のエネルギー準位及び２次元電子ガ
スの分布の例を示す図である。
ジスタの例を示す模式側断面図、同図（ｂ）はその超格
子構造及びその近傍のエネルギー準位及び２次元電子ガ
スの分布の例を示す図である。
半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に、厚さ例えば０．５ｎ程度
のノンドープのＧａＡｓ層２、下記の超格子構造３、及
び例えばＳｔを濃度Ｉ ＸＩＯ”ｅｌｌ−’程度にドー
プし厚さ５０ｎｍ程度のｎ型ＧａＡｓ層４を、ＭＢＥ法
により例えば成長温度５２０℃において順次エピタキシ
ャル成長する。
のノンドープのＧａＡｓ層２、下記の超格子構造３、及
び例えばＳｔを濃度Ｉ ＸＩＯ”ｅｌｌ−’程度にドー
プし厚さ５０ｎｍ程度のｎ型ＧａＡｓ層４を、ＭＢＥ法
により例えば成長温度５２０℃において順次エピタキシ
ャル成長する。
超格子構造３は次の様に構成されている。すなわちノン
ドープのＧａＡｓ層２上に、厚さ例えば１．５唾のノン
ドープのＡｌＡｓ層３Ａと、厚さ例えば２．０ＧｍのＧ
ａＡｓ層３Ｇとを交互に積層して、その合計厚さはディ
ブリーシランモードでも３３ｎｍ程度以下、例えば約２
７ｎｍに形成され、各ＧａＡｓ層３Ｇの中央付近にｓｉ
の面密度約２Ｘ１０”ａｍ−”のアトミックブレーンド
ーピング３Ｄが行なわれている。この実施例のエネルギ
ー準位及び２次元電子ガス２ｅの分布は第２図（ｂ）の
如き状態となる。
ドープのＧａＡｓ層２上に、厚さ例えば１．５唾のノン
ドープのＡｌＡｓ層３Ａと、厚さ例えば２．０ＧｍのＧ
ａＡｓ層３Ｇとを交互に積層して、その合計厚さはディ
ブリーシランモードでも３３ｎｍ程度以下、例えば約２
７ｎｍに形成され、各ＧａＡｓ層３Ｇの中央付近にｓｉ
の面密度約２Ｘ１０”ａｍ−”のアトミックブレーンド
ーピング３Ｄが行なわれている。この実施例のエネルギ
ー準位及び２次元電子ガス２ｅの分布は第２図（ｂ）の
如き状態となる。
前記半導体基体に従来技術により、ソース及びドレイン
電極５、ゲート電橋６が設けられる。
電極５、ゲート電橋６が設けられる。
本実施例では温度７７Ｋにおいて、２次元電子ガス２ｅ
の電子面温度約１．５Ｘ１０”ｃｓ＋−”、電子移動度
約４ ＸＩＯ’ Ｃａｌ”／Ｖ、３ ％相互コンダクタ
ンスｇｓ ２００■Ｓ／ｍｍ程度以上が得られ、前記従
来例に比較してその効果が実証された。
の電子面温度約１．５Ｘ１０”ｃｓ＋−”、電子移動度
約４ ＸＩＯ’ Ｃａｌ”／Ｖ、３ ％相互コンダクタ
ンスｇｓ ２００■Ｓ／ｍｍ程度以上が得られ、前記従
来例に比較してその効果が実証された。
以上の説明はへテロ接合電界効果トランジスタを例とし
ているが、本発明を他の半導体装置、例えば縦型電界効
果トランジスタ、半導体発光装置等に適用して、同様の
効果を収めることができる。
ているが、本発明を他の半導体装置、例えば縦型電界効
果トランジスタ、半導体発光装置等に適用して、同様の
効果を収めることができる。
以上説明した如く本発明によれば、ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ
超格子構造のキャリア濃度を従来以上に高め、かつその
厚さを薄くすることが可能となり、例えば相互コンダク
タンスの増大など、化合物半導体装置の主力であるＧａ
Ａｓ系半導体装置の進歩に大きい効果が得られる。
超格子構造のキャリア濃度を従来以上に高め、かつその
厚さを薄くすることが可能となり、例えば相互コンダク
タンスの増大など、化合物半導体装置の主力であるＧａ
Ａｓ系半導体装置の進歩に大きい効果が得られる。
第１図は本発明の超格子構造の説明図、第２図（ａ）は
へテロ接合電界効果トランジスタにかかる本発明の実施
例を示す模式側断面図、 第２１図（ｂ）は本実施例のエネルギー準位及び２次元
電子ガスの分布の例を示す図、 第３図（ａ）及び偽）はへテロ接合電界効果トランジス
タの従来例を示す模式側断面図である。 図において、 １は半絶縁性ＧａＡｓ基板、 ２はノンドープのＧａＡｓ層、 ２ｅは２次元電子ガス、 ３は超格子構造、 ３Ａは超格子構造のＡｌＡｓ層、 ３Ｇは超格子構造のＧａＡｓ層、 ３Ｄはアトミックプレーンドーピングされた５ｉ１４は
ｎ型ＧａＡｓ層、 ５はソース及びドレイン電極、 ６はゲート電極を示す。 早 ３ Ｎ （レノ
へテロ接合電界効果トランジスタにかかる本発明の実施
例を示す模式側断面図、 第２１図（ｂ）は本実施例のエネルギー準位及び２次元
電子ガスの分布の例を示す図、 第３図（ａ）及び偽）はへテロ接合電界効果トランジス
タの従来例を示す模式側断面図である。 図において、 １は半絶縁性ＧａＡｓ基板、 ２はノンドープのＧａＡｓ層、 ２ｅは２次元電子ガス、 ３は超格子構造、 ３Ａは超格子構造のＡｌＡｓ層、 ３Ｇは超格子構造のＧａＡｓ層、 ３Ｄはアトミックプレーンドーピングされた５ｉ１４は
ｎ型ＧａＡｓ層、 ５はソース及びドレイン電極、 ６はゲート電極を示す。 早 ３ Ｎ （レノ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 砒化ガリウム層（３Ｇ）と砒化アルミニウム層（３Ａ）
とが交互に積層された超格子構造を備えて、該砒化アル
ミニウム層（３Ａ）はノンドープであり、該砒化ガリウ
ム層（３Ｇ）に不純物（３Ｄ）がアトミックプレーンド
ーピングされてなる、 ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11337185A JPS61271874A (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11337185A JPS61271874A (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61271874A true JPS61271874A (ja) | 1986-12-02 |
Family
ID=14610588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11337185A Pending JPS61271874A (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61271874A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0199435A2 (en) * | 1985-02-28 | 1986-10-29 | Fujitsu Limited | Field effect semiconductor device |
-
1985
- 1985-05-27 JP JP11337185A patent/JPS61271874A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0199435A2 (en) * | 1985-02-28 | 1986-10-29 | Fujitsu Limited | Field effect semiconductor device |
| US4833508A (en) * | 1985-02-28 | 1989-05-23 | Fujitsu Limited | High electron mobility device with intrinsic AlAs/GaAs superlattice separator region |
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